CN102916080A - 一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法，该制备方法依次经过下述常规工序：清洗、制绒、制结和刻蚀，其特征在于它还包括以下步骤：(1)将处理后的硅片浸没硝酸和盐酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅；(2)清洗、烘干步骤(1)得到的带有二氧化硅膜的电池片；(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)的二氧化硅膜上沉积一层氮化硅薄膜。本发明的二氧化硅膜是通过浸泡在硝酸和盐酸的混合液中来生成的，缩短了制备二氧化硅膜的周期，利用等离子体增强化学气相沉积方法在二氧化硅膜上沉积氮化硅膜，制得的双层减反射膜结构均匀。
Description
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域，具体是一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法。
背景技术
晶体硅太阳能电池是把光能转换为电能的光电子器件。它的光电转换效率定义为总输出功率与入射到太阳电池表面的太阳光总功率的比值。
低成本、高效率是晶体硅太阳能电池的发展方向。由于晶体硅表面的太阳光的反射率较高，不能充分吸收太阳光，造成能源浪费。目前人们常用的做法是在硅片表面镀减反射膜，例如，二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、二氧化钛膜是常用的镀膜材料，显然，单层膜的减反射效果并不好，双层膜及多层膜也开始应用。当前选择在硅片表面热氧化生长一层二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜表面再生长其他的膜层，高温生长制备二氧化硅掩膜使用生产周期长，二氧化硅结构质量不高，起到阻挡层的作用低；第二层减反射膜在二次扩散时由于高温造成表面结构损伤，一定程度降低了阻挡作用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法，该制备方法依次经过下述常规工序：清洗、制绒、制结和刻蚀，其特征在于它还包括以下步骤：
(1)将处理后的硅片浸没硝酸和盐酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅；
(2)清洗、烘干步骤(1)得到的带有二氧化硅膜的电池片；
(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)的二氧化硅膜上沉积一层氮化硅薄膜。
步骤(1)所述的盐酸的浓度为75%,所述的盐酸的浓度为80%，所述的硝酸和盐酸的体积比为2:1，浸泡时间10分钟。
步骤(2)所述的烘干温度为90℃，烘干时间10分钟。
步骤(3)的工艺条件为通入氮气流量为8L/min，氧气流量为5.3L/min，温度为800℃，反应时间30min。
本发明的有益效果：本发明的二氧化硅膜是通过浸泡在硝酸和盐酸的混合液中来生成的，缩短了制备二氧化硅膜的周期，利用等离子体增强化学气相沉积方法在二氧化硅膜上沉积氮化硅膜，制得的双层减反射膜结构均匀。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述。
一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法，该制备方法依次经过下述常规工序：清洗、制绒、制结和刻蚀，其特征在于它还包括以下步骤：
(1)将处理后的硅片浸没硝酸和盐酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅，盐酸的浓度为75%,所述的盐酸的浓度为80%，所述的硝酸和盐酸的体积比为2:1，浸泡时间10分钟；(2)清洗、烘干步骤(1)得到的带有二氧化硅膜的电池片，烘干温度为90℃，烘干时间10分钟；(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)的二氧化硅膜上沉积一层氮化硅薄膜，工艺条件为通入氮气流量为8L/min，氧气流量为5.3L/min，温度为800℃，反应时间30min。
Claims (4)
1.一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法，该制备方法依次经过下述常规工序：清洗、制绒、制结和刻蚀，其特征在于它还包括以下步骤：
(1)将处理后的硅片浸没硝酸和盐酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅；
(2)清洗、烘干步骤(1)得到的带有二氧化硅膜的电池片；
(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)的二氧化硅膜上沉积一层氮化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法，其特征在于步骤(1)所述的盐酸的浓度为75%,所述的盐酸的浓度为80%，所述的硝酸和盐酸的体积比为2:1，浸泡时间10分钟。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法，其特征在于步骤(2)所述的烘干温度为90℃，烘干时间10分钟。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法，其特征在于步骤(3)的工艺条件为通入氮气流量为8L/min，氧气流量为5.3L/min，温度为800℃，反应时间30min。
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