CN102915824A - 具异质叠层的共模滤波器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种具异质叠层的共模滤波器及其制造方法,该共模滤波器包括一磁性基板、一非磁性绝缘基板、一磁性材料层、一第一线圈层,以及一第二线圈层。磁性材料层形成于非磁性绝缘基板上,且介于磁性基板与非磁性绝缘基板之间。第一线圈层形成于磁性材料层与磁性基板之间,且包括一第一线圈。第二线圈层形成于磁性材料层与磁性基板之间,且包括一第二线圈,其中第二线圈层与第一线圈层间隔设置,且第一线圈与第二线圈构成磁场耦合。本发明在制造工序上较为简化,并具有成本较低廉且较易大量生产的优势,可同时具备高噪声抑制及宽频的特性。
Description
技术领域
本发明涉及一种共模滤波器,且特别涉及一种薄膜式共模滤波器及其制造方法。
背景技术
根据传导模式(conduction mode),噪声可分为两种:第一种是差模噪声(differential mode noise),此种噪声在信号线(signal line)与地线(ground line)的传导相位互为相反;另一种是共模噪声(common mode noise),其在所有的导线上,均以相同相位传导。
为抑制共模噪声,可在传导该噪声的线路上安装共模滤波器(commonmode filter or choke)。传统上,共模滤波器主要是由铁芯上绕有相同匝数的两线圈的组件所构成。当共模电流流经共模滤波器时,两线圈会产生同向磁场并相互感应,使共模滤波器表现出高阻抗(impedance),达到抑制共模电流的效果。
为因应可携式电子产品的需求,一种薄膜式共模滤波器被开发出来。美国专利公告号第7,145,427 B2号公开一种薄膜式共模滤波器,其包括两线圈导线层(coil conductor layers)、两引线电极层(lead-out electrode layers)、多个绝缘层(insulation layers)和两磁性层(magnetic layers)。各线圈导线层包括一线圈,两引线电极层是用于分别将位在两线圈内的端部延伸至薄膜式共模滤波器的边缘,以利外部电性连接。绝缘层用于电性隔离线圈导线层与引线电极层。线圈导线层、引线电极层和绝缘层则设置于两磁性层之间。
另,美国专利公告号第6,356,181 B1号与第6,618,929 B2号揭示一种薄膜式共模扼流圈(laminated common-mode choke),其包括一对磁性基板(magnetic substrates)和介于该对磁性基板之间的多个绝缘层(insulatinglayers)。
美国专利公告号第7,453,343 B2号公开一种薄膜式共模滤波器,其包括两线圈导线层(coil conductor layers)、两引线电极层(lead-out electrode layers)、多个绝缘层(insulation layers)、一磁性层(magnetic layer)和两磁性基板(magnetic substrates)。各线圈导线层包括一线圈,引线电极层用于延伸相应线圈的内端部。绝缘层用于电性隔离线圈导线层与引线电极层。线圈导线层、引线电极层和绝缘层则设置于两磁性基板之间。磁性层位于两磁性基板之间并以一粘着层与一磁性基板相固定。此专利另揭露当线圈导线的宽度不大于36微米(μm)时,可有效增进传送信号的截止频率(cut off frequency)至一不低于2.4GHz(800MHz传输的3倍)的值。然而,由于线圈导线的宽度小,会造成线圈电阻值增加,因此线圈导线的厚度不得太薄。如此,薄膜式共模滤波器的厚度会变厚。
前述共模元件使用磁性层与磁性基板来集中磁力线,以减小共模元件的体积。然而,磁性层与磁性基板容易造成能量损耗,使共模元件的品质系数(Quality factor)偏低,特别是当共模元件使用在射频电路(radio frequencycircuit)上时,损耗尤为明显。此外,使用磁性层与磁性基板的共模元件显现出大于-20dB的插入损耗。
为改善使用磁性层与磁性基板的共模元件的缺陷,美国专利公告号第7,821,368 B1号发明一种薄膜式共模噪声滤波器的结构与制造方法。该制造方法是在一绝缘基材上,利用黄光显影技术、化学气相沉积工艺、蚀刻技术或其它化学工艺,形成多层电气绝缘层、线圈导线引出层和线圈主体层,再以电气绝缘胶合层及磁性材料层盖覆。以此制造方法构成的薄膜式共模噪声滤波器,能够在较低成本下制作完成,而且可提升共模噪声滤波的特性。虽然此薄膜式共模噪声滤波器可具有比使用传统磁性基板的共模滤波元件更好的共模滤波的效果;但其滤波的频宽较传统磁性基板共模滤波元件稍窄。
因此,传统薄膜式共模噪声滤波器无法兼具高噪声抑制效果和宽的滤波宽频。
发明内容
本发明的目的在于提供一种结合绝缘基板及磁性材料的具异质叠层的共模滤波器及其制造方法。相较于前述技术,本发明在制造工序上较为简化,并具有成本较低廉且较易大量生产的优势,可同时具备高噪声抑制及宽频的特性。
本发明的一方面是提供一种共模滤波器,其具有高品质系数,因而可运用在高频领域。
本发明的另一方面是提供一种共模滤波器,其可集中磁力线,降低磁漏,增加共模噪声抑制频宽(bandwidth of common mode noise attenuation)。
根据本发明一实施例,本发明提供的一种具异质叠层的共模滤波器包括一磁性基板、一非磁性绝缘基板、一磁性材料层、一第一线圈层,以及一第二线圈层。磁性材料层形成于非磁性绝缘基板上,且介于磁性基板与非磁性绝缘基板之间。第一线圈层设置于磁性材料层与磁性基板之间,且包括一第一线圈。第二线圈层设置于磁性材料层与磁性基板之间,且包括一第二线圈,其中第二线圈层与第一线圈层间隔设置,且第一线圈与第二线圈构成磁场耦合。
根据本发明一实施例,本发明提供的一种共模滤波器的制造方法包括下列步骤:提供一非磁性绝缘基板,其中该非磁性绝缘基板具一主表面;形成一磁性材料层于该非磁性绝缘基板的部分或整个该主表面上;于该磁性材料层上,形成一第一导线;形成一第一绝缘层,覆盖该第一导线;形成一第一绝缘层,覆盖该第一导线;形成一第一通孔,贯穿该第一绝缘层;于该第一绝缘层上,形成一第一线圈,其中该第一线圈通过该第一通孔与该第一导线电性耦接;形成一第二绝缘层,覆盖该第一线圈;于该第二绝缘层上,形成一第二线圈;形成一第三绝缘层,覆盖该第二线圈;于该第三绝缘层上,形成一第二通孔,贯穿该第三绝缘层;于该第三绝缘层上,形成一第二导线,其中该第二导线的一端通过该第二通孔与该第二线圈的一端电性耦接;形成一第四绝缘层,覆盖该第二导线;以及于该第四绝缘层上,涂布一第一磁性材料。
上文已相当广泛地概述本发明的技术特征及优点,以使下文的本发明详细描述得以获得较佳了解。构成本发明的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本发明所属技术领域中具有通常知识者应了解,可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本发明相同的目的。本发明所属技术领域中具有通常知识者也应了解,这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本发明的精神和范围。
附图说明
图1显示本发明一实施例的共模滤波器的分解示意图;
图2显示本发明另一实施例的共模滤波器的分解示意图;
图3显示传统共模滤波器与本发明一实施例的共模滤波器的介入损耗与频率的关系图;
图4A至图4J显示本发明一实施例的共模滤波器的制造过程中的截面示意图;
图5A和图5B显示本发明一实施例的于绝缘材料层上形成磁性材料层的制作流程;
图6A和图6B显示本发明另一实施例的于绝缘材料层上形成磁性材料层的制作流程;
图7A和图7B显示本发明又一实施例的于绝缘材料层上形成磁性材料层的制作流程;
图8显示本发明一实施例的磁性材料层的示意图;
图9显示本发明另一实施例的磁性材料层的示意图;
图10显示本发明另一实施例的磁性材料层的示意图;
图11显示本发明另一实施例的磁性材料层的示意图。
其中,附图标记说明如下:
1、1′:异质叠层; 2:第一引线层;
3:第一绝缘层; 4:第一线圈层;
5:第二绝缘层; 6:第二线圈层;
7:第三绝缘层; 8:第二引线层;
9:第四绝缘层; 10:磁性基板;
11:绝缘平坦层; 12:第一引线层;
13:第一绝缘层; 14:第一线圈层;
15:第二绝缘层; 16:第二线圈层;
17:第三绝缘层; 18:第二引线层;
30a、30b引线组; 31:第一电极;
32:导线; 33:第二电极;
41:第一通孔; 42:第二通孔;
51:第一电极; 52:第二电极;
53:第一线圈; 71:第一电极;
72:第二电极; 73:第二线圈;
90a、90b:引线组; 91:第一电极;
92:导线; 93:第二电极;
100:共模滤波器; 111:非磁性绝缘基板;
112、112′、112″、112′″:磁性材料层;
113:粘胶; 114:混合物;
200:共模滤波器; 300、400、500:曲线;
1111:主表面; 1121、1121′、1121″:磁性材料区块。
具体实施方式
图1显示本发明一实施例的具异质叠层的共模滤波器100的分解示意图。参照图1所示,具异质叠层的共模滤波器100包括一非磁性绝缘基板111、一磁性材料层112、一磁性基板(magnetic substrate)10、一第一线圈层4,以及一第二线圈层6。磁性材料层112形成于非磁性绝缘基板111上,且介于磁性基板10与非磁性绝缘基板111之间。第一线圈层4设置于磁性材料层112与磁性基板10之间,且包括一第一线圈53。第二线圈层6设置于磁性材料层112与磁性基板10之间,且包括一第二线圈73。第一线圈53与第二线圈73为间隔设置,以使两者构成电气绝缘。又,第一线圈53与第二线圈73被安排以形成磁场耦合,如此当共模电流流经第一线圈53与第二线圈73时,可产生同向磁场,而使共模电流被抑制。
在一实施例中,当磁性材料层112的表面不够平坦,以进行下个工艺时,共模滤波器100可另包括一绝缘平坦层(dielectric planarization layer)11,覆盖磁性材料层112。绝缘平坦层11的材料可包括聚酰亚胺(polyimide)、环氧树脂(epoxy resin)或苯并环丁烯树脂(BCB),其形成方式可为湿膜(wet film)型式通过旋转涂布(spin coating)或丝网漏印(printing)技术进行制作;或为干膜(dryfilm)型式通过压合(lamination)技术进行制作。
在一实施例中,非磁性绝缘基板111与磁性材料层112可构成复合型异质叠层1,其中非磁性绝缘基板111与磁性材料层112可利用共烧(co-fired)或胶合(glue bonding)方式结合。非磁性绝缘基板111可使共模滤波器100具有高品质系数,因而可运用在高频领域,而且磁性材料层112与磁性基板10可集中磁力线,降低磁漏,增加共模噪声抑制频宽。
在本发明的一实施例中,非磁性绝缘基板111具有一主表面1111,磁性材料层112是形成在非磁性绝缘基板111的部分主表面1111上,且非磁性绝缘基板111与磁性材料层112是彼此固着。非磁性绝缘基板111可降低能量损耗,使共模滤波器100具高品质系数,但无法集中磁力线,降低磁漏。在非磁性绝缘基板111的部分主表面1111上形成磁性材料层112,可进一步集中磁力线、降低磁漏和增加模噪声抑制频宽,但仍使共模滤波器100具高品质系数。在本发明的一实施例中,磁性材料层112可形成在非磁性绝缘基板111的整个主表面1111上。
非磁性绝缘基板111可为任何可用于共模滤波器100的绝缘材料。非磁性绝缘基板111可使共模滤波器100较不会产生能量损耗(energy loss),特别是当共模滤波器100使用在射频电路(radio frequency circuit)或高频电路中时。较佳地,非磁性绝缘基板111可包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、玻璃(glass)或石英(quartz)。
磁性材料层112具高导磁率(high permeability),其可包括铁氧体(ferrites)。较佳地,磁性材料层112可包括镍锌铁氧体材料(NiZn ferritematerial)或锰锌铁氧体材料(MnZn ferrite material)。此外,磁性材料层112可由高分子材料与磁性粉末的混合物所制成,其中该高分子材料包括聚酰亚胺(polyimide)或环氧树脂(epoxy resin),该磁性粉末可包括铁氧体(ferrites),较佳地可包括镍锌铁氧体或锰锌铁氧体。
磁性基板10可为一磁性基板(magnetic substrate),特别地为一高分子磁性基板。此外,磁性基板10可由高分子材料与磁性粉末的混合物所制成。该磁性粉末可包括铁氧体(ferrites)。较佳地,该磁性粉末可包括镍锌铁氧体材料或锰锌铁氧体材料。该高分子材料可包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
再参照图1所示,共模滤波器100还包括一第一引线层2、一第一绝缘层3、一第二绝缘层5、一第三绝缘层7、一第二引线层8,以及一第四绝缘层9依序形成于绝缘平坦层11上,以构成积层结构(laminated structure)。
特别的,第一引线层2形成于绝缘平坦层11,其包括一第一电极31、一导线32和一第二电极33,其中导线32的一端连接第一电极31,而另一端延伸至绝缘平坦层11的一边缘,并连接邻近于该边缘设置的第二电极33。
第一绝缘层3形成于第一引线层2与第一线圈层4之间,以电气隔离第一引线层2与第一线圈层4。第一绝缘层3包括一第一通孔41。第一通孔41贯穿第一绝缘层3,而第一电极31可凸伸入第一通孔41。在本发明的一实施例中,第一绝缘层3的材料可包括聚酰亚胺(polyimide)、环氧树脂(epoxyresin)或苯并环丁烯树脂(BCB)。
第一线圈层4还包括一第一电极51与一第二电极52。第一线圈53可为平螺旋线圈(flat spiral coil),其具有一内端部与一外端部。第一电极51耦接第一线圈53的内端部,并凸伸入第一绝缘层3上的第一通孔41,与第一引线层2的第一电极31耦接,如此第一线圈53的内端部可通过第一引线层2的导线32与外部电性相连。第一线圈53的外端部延伸至第一绝缘层3的一边缘,耦接靠近该边缘设置的第二电极52。第一电极51、第二电极52与第一线圈53可以由金属制成,其可包括银、钯、铝、铬、镍、钛、金、铜、铂或其合金。
第二绝缘层5形成于第一线圈层4与第二线圈层6之间,以电气隔离第一线圈层4与第二线圈层6。在本发明的一实施例中,第二绝缘层5的材料可包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
类似地,第二线圈层6另包括一第一电极71与一第二电极72。第二线圈73可为平螺旋线圈(flat spiral coil),其具有一内端部与一外端部。第一电极71耦接第二线圈73的内端部。第二线圈73的外端部延伸至第二绝缘层5的一边缘,耦接靠近该边缘设置的第二电极72。第一电极71、第二电极72和第二线圈73的材料可为金属,其可包括银、钯、铝、铬、镍、钛、金、铜、铂或其合金。
第三绝缘层7可形成于第二线圈层6上,覆盖第一电极71、第二电极72和第二线圈73,以电气隔离第二线圈层6。在本发明的一实施例中,第三绝缘层7的材料可包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。第三绝缘层7可包括一第二通孔42,该第二通孔42贯穿第三绝缘层7。
第二引线层8形成于第三绝缘层7上,其包括一第一电极91、一导线92和一第二电极93,其中导线92的一端连接第一电极91,而其另一端延伸至第三绝缘层7的一边缘,并连接邻近于该边缘设置的第二电极93。第二线圈层6的第一电极71和第二引线层8的第一电极91分别凸伸入第二通孔42,并于其中耦接,使得第二线圈层6的第二线圈73的内端部可延伸,以为外部电性连接。第一电极91、导线92和第二电极93的材料可为金属,其可包括银、钯、铝、铬、镍、钛、金、铜、铂或其合金。
第四绝缘层9形成于第二引线层8与磁性基板10之间,以电气隔离第二引线层8与磁性基板10。第四绝缘层9的材料可包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
图2显示本发明另一实施例的共模滤波器200的分解示意图。参照图2所示,共模滤波器200具有与图1实施例的共模滤波器100相似的叠层结构及组成材料,但共模滤波器200的第一线圈层14与第二线圈层16分别包括两第一线圈53与两第二线圈73。各第一线圈53连接位于第一线圈53内的一第一电极51和连接靠近共模滤波器200边缘设置的第二电极52;各第二线圈73连接位于第二线圈73内的一第一电极71和连接靠近共模滤波器200边缘设置的第二电极72。
共模滤波器200可包括一非磁性绝缘基板111和一磁性材料层112′,其中非磁性绝缘基板111和一磁性材料层112′可利用共烧(co-fired)或胶合(gluebonding)方式结合,形成一异质叠层基板1′。非磁性绝缘基板111可使共模滤波器200具有高品质系数,因而可运用在高频领域,而且磁性材料层112′与磁性基板10可集中磁力线,降低磁漏,增加共模噪声抑制频宽。
在本发明的一实施例中,磁性材料层112′包括多个磁性材料区块(如图2所示),其中多个磁性材料区块彼此分离。在本发明的一实施例中,磁性材料层112′包括两磁性材料区块,其中该两磁性材料区块对应两第一线圈53或两第二线圈73设置。
在一实施例中,当磁性材料层112′无法提供足够平坦的表面给下一个叠层时,共模滤波器200可另包括一绝缘平坦层11,形成于该磁性材料层112′上。
第一引线层12形成于绝缘平坦层11,其包括两引线组30a和30b。各引线组30a或30b包括一第一电极31、一导线32和一第二电极33。两引线组30a和30b是对应第一线圈层14的两第一线圈53或第二线圈层16的两第二线圈73设置。
第一绝缘层13形成以电气隔离第一引线层12与第一线圈层14。第一绝缘层13包括两第一通孔41。第一引线层12的两第一电极31与第一线圈层14的两第一电极51可在相应的第一通孔41内耦接,以使第一线圈层14的两第一电极51的内端部得为外部电气连接。
第二绝缘层15电气隔离第一线圈层14与第二线圈层16。第一线圈层14的两第一线圈53与第二线圈层16的两第二线圈73是对应设置,其中各第一线圈53和与其对应的第二线圈73构成磁场耦合。
第三绝缘层17形成于第二线圈层16上,其包括两第二通孔42,其中两第二通孔42对应两第二线圈73的第一电极71设置。
第二引线层18形成于第三绝缘层17上,其包括两引线组90a和90b。各引线组90a或90b包括一第一电极91、一导线92和一第二电极93。两引线组90a和90b是对应第二线圈层16的两第二线圈73设置。两引线组90a和90b的第一电极91与第二线圈层16的两第一电极71可分别于第三绝缘层17内的两第二通孔42内耦接,以使两第二线圈73的内端部得以被外部电气连接。
第四绝缘层9形成于第二引线层18上,接着磁性基板10形成于第四绝缘层9上。如此,完成共模滤波器200的叠层结构。
图3显示传统共模滤波器与本发明一实施例的共模滤波器的介入损耗(insertion loss)与频率(frequency)的关系图。参照图3所示,针对具均质磁性基板的共模滤波器、具均质绝缘基板的共模滤波器和本发明一实施例的具异质叠层的共模滤波器进行测试,可发现由于具均质磁性基板的缘故,使具均质磁性基板的共模滤波器较其他共模滤波器更能集中磁力线,而使其具有较宽的滤波频宽(如曲线300所示);而由于具均质绝缘基板的缘故,使具均质绝缘基板的共模滤波器具备高Q值,因而有最佳的噪声抑制效果(如曲线400所示)。相较地,本发明一实施例的异质叠层因兼具均质磁性基板与均质绝缘基板的特性,从而使本发明一实施例的共模滤波器同时具备较宽的滤波频宽与较佳的噪声抑制效果(如曲线500所示)。
图4A至4J显示本发明一实施例的共模滤波器的制造过程中的截面示意图。参照图4A所示,提供一非磁性绝缘基板111。接着,在非磁性绝缘基板111的部分主表面上形成一磁性材料层112,以此获得一异质叠层1。非磁性绝缘基板111可为氧化铝、氮化铝、玻璃或石英。磁性材料层112可包括镍锌铁氧体或锰锌铁氧体。磁性材料层112可覆盖部分或整个非磁性绝缘基板111。
参照图4B所示,在磁性材料层112上,利用薄膜沉积工艺、微影工艺与电镀工艺,制作出第一引线层2。第一引线层2的材料可为金属,其可包括银、钯、铝、铬、镍、钛、金、铜、铂或其合金。如图1所示,第一引线层2包括一第一电极31、一导线32和一第二电极33,其中导线32的一端连接第一电极31,另一端连接第二电极33。
在一实施例中,第一引线层2与磁性材料层112之间可形成一绝缘平坦层11(如图1所示)。绝缘平坦层11可利用旋转涂布(spin coating)或丝网漏印(printing)技术制作,覆盖磁性材料层112,或者利用压合(lamination)技术制作,覆盖磁性材料层112。
参照图4C所示,在第一引线层2上,涂布一第一绝缘层3。接着,利用微影蚀刻工艺,在第一绝缘层3上第一引线层2的第一电极31的位置形成一第一通孔41,其中第一引线层2的第一电极31凸伸入第一通孔41内。第一绝缘层3的材料可包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
参照图4D所示,在第一绝缘层3上,利用薄膜沉积工艺、微影工艺与电镀工艺,制作出第一线圈层4。如图1所示,第一线圈层4可包括一第一电极51、一第二电极52和第一线圈53。第一线圈53可呈螺旋状。第一电极51耦接第一线圈53的内端部,并凸伸入第一绝缘层3上的第一通孔41,与第一引线层2的第一电极31耦接。第一线圈层4可以由金属制成,其可包括银、钯、铝、铬、镍、钛、金、铜、铂或其合金。
参照图4E所示,在第一线圈层4上,涂布一第二绝缘层5。第二绝缘层5的材料可包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
参照图4F所示,利用薄膜沉积工艺、微影工艺与电镀工艺,在第二绝缘层5上制作出第二线圈层6。第二线圈层6包括一第一电极71、一第二电极72和一第二线圈73。如图1所示,第二线圈73可呈螺旋状,第一电极71耦接第二线圈73的内端部,而第二电极72连接第二线圈73的外端部。第二线圈层6可以金属制成,其可包括银、钯、铝、铬、镍、钛、金、铜、铂或其合金。
参照图4G所示,在第二线圈层6上,涂布一第三绝缘层7。然后,利用微影蚀刻工艺,在第三绝缘层7上第二线圈层6的第一电极71的位置形成一第二通孔42,其中第二线圈层6的第一电极71凸伸入第二通孔42内。第三绝缘层7的材料可包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
参照图4H所示,利用薄膜沉积工艺、微影工艺与电镀工艺,在第三绝缘层7上制作出第二引线层8。第二引线层8的材料可为金属,其可包括银、钯、铝、铬、镍、钛、金、铜、铂或其合金。如图1所示,第二引线层8包括一第一电极91、一导线92和一第二电极93,其中导线92的一端连接第一电极91,另一端连接第二电极93。又,第二引线层8的第一电极91凸伸入第三绝缘层7的第二通孔42,耦接位于第二通孔42内的第二线圈层6的第一电极71。
参照图4I所示,将绝缘材料涂布于第二引线层8上,以形成一第四绝缘层9。第四绝缘层9的材料可包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
参照图4J所示,在第四绝缘层9上形成一磁性基板10。该磁性基板10可作为共模滤波器的上盖。磁性基板10可被直接胶合在第四绝缘层9上。磁性基板可包括铁氧体(ferrites),较佳地可包括镍锌铁氧体或锰锌铁氧体。磁性基板10也可通过丝网漏印技术或旋涂技术,将磁性粉末与高分子材料的混合物涂覆在第四绝缘层9上来形成。磁性粉末可包括铁氧体(ferrites),较佳地可包括镍锌铁氧体或锰锌铁氧体。该高分子材料可包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
图5A和5B显示本发明一实施例的于非磁性绝缘基板111上形成磁性材料层112的制作流程。参照图5A与5B所示,首先提供一磁性材料层112与一非磁性绝缘基板111。然后,在非磁性绝缘基板111上涂布一层粘胶113。最后,将磁性材料层112贴合于粘胶113上。
图6A和6B显示本发明另一实施例的于非磁性绝缘基板111上形成磁性材料层112的制作流程。参照图6A所示,首先提供一非磁性绝缘基板111。如图6B所示,接着在非磁性绝缘基板111上覆盖一磁性材料层112。磁性材料层112可以涂覆磁性材料于非磁性绝缘基板111上来形成。磁性材料层112也可为一磁性基板,而暂时贴合在非磁性绝缘基板111上。之后,再对非磁性绝缘基板111与磁性材料层112进行共烧(co-firing),以使非磁性绝缘基板111与磁性材料层112间形成扩散结合(diffusion bonded)。
图7A和7B显示本发明又一实施例的于非磁性绝缘基板111上形成磁性材料层112的制作流程。参照图7A与7B所示,首先将磁性粉末与一高分子材料混合,以获得一混合物114。然后,以丝网漏印技术或旋涂方法将混合物涂覆在一非磁性绝缘基板111上,以在非磁性绝缘基板111上形成磁性材料层112。
图8显示本发明一实施例的磁性材料层112的示意图。参照图1与图8所示,磁性材料层112形成于非磁性绝缘基板111的主表面上,且对应第一线圈53和第二线圈73的位置设置,使得第一线圈53和第二线圈73位于磁性材料层112与磁性基板10之间。在一实施例中,磁性材料层112的面积可大于第一线圈53或第二线圈73所占面积,但小于主表面的面积。
图9显示本发明另一实施例的磁性材料层112′的示意图。参照图2与图9所示,磁性材料层112′可包括多个磁性材料区块1121,其中各磁性材料区块1121对应一对的第一线圈53和第二线圈73而形成在非磁性绝缘基板111的主表面上。
图10显示本发明另一实施例的磁性材料层112″的示意图。参照图10所示,磁性材料层112″可包括多条状磁性材料区块1121′,其中多条状磁性材料区块1121′排列在非磁性绝缘基板111的主表面上。
图11显示本发明另一实施例的磁性材料层112′″的示意图。参照图11所示,磁性材料层112′″可包括多个矩形磁性材料区块1121″,其中多个矩形磁性材料区块1121″排列在非磁性绝缘基板111的主表面上。
本发明的技术内容及技术特点已揭示如上,然而本发明所属技术领域中具有通常知识者应了解,在不背离后附权利要求所界定的本发明精神和范围内,本发明的教示及揭示可作种种的替换及修饰。例如,上文揭示的许多工艺可以不同的方法实施或以其它工艺予以取代,或者采用上述二种方式的组合。
此外,本发明的权利范围并不局限于上文揭示的特定实施例的工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤。本发明所属技术领域中具有通常知识者应了解,基于本发明教示及揭示工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤,无论现在已存在或日后开发者,其与本发明实施例揭示者以实质相同的方式执行实质相同的功能,而达到实质相同的结果,也可使用于本发明。因此,以下的权利要求用以涵盖用以此类工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤。
Claims (21)
1.一种具异质叠层的共模滤波器,其特征在于,包括:
一磁性基板;
一非磁性绝缘基板;
一磁性材料层,形成于该非磁性绝缘基板上,介于该磁性基板与该非磁性绝缘基板之间;
一第一线圈层,设置于该磁性材料层与该磁性基板之间,且包括一第一线圈;以及
一第二线圈层,设置于该磁性材料层与该磁性基板之间,且包括一第二线圈,其中该第二线圈层与该第一线圈层间隔设置,且该第一线圈与该第二线圈构成磁场耦合。
2.根据权利要求1所述的共模滤波器,其特征在于,还包括一绝缘平坦层,覆盖于该磁性材料层。
3.根据权利要求2所述的共模滤波器,其特征在于,该绝缘平坦层包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
4.根据权利要求1所述的共模滤波器,其特征在于,该磁性材料层覆盖部分或整个该非磁性绝缘基板。
5.根据权利要求1所述的共模滤波器,其特征在于,该磁性材料层包括多个磁性材料区块,其中该多个磁性材料区块彼此分离。
6.根据权利要求1所述的共模滤波器,其特征在于,还包括一粘胶,其中该粘胶粘着该磁性材料层与该非磁性绝缘基板。
7.根据权利要求1所述的共模滤波器,其特征在于,该磁性材料层与该非磁性绝缘基板为扩散结合。
8.根据权利要求1所述的共模滤波器,其特征在于,该非磁性绝缘基板包括氧化铝、氮化铝、玻璃或石英。
9.根据权利要求1所述的共模滤波器,其特征在于,该磁性材料层包括镍锌铁氧体或锰锌铁氧体。
10.根据权利要求1所述的共模滤波器,其特征在于,该磁性材料层包括一高分子材料。
11.根据权利要求10所述的共模滤波器,其特征在于,该高分子材料包括聚酰亚胺或环氧树脂。
12.根据权利要求1所述的共模滤波器,其特征在于,该磁性基板包括磁性粉末及一高分子材料,其中该磁性粉末包括镍锌铁氧体或锰锌铁氧体,而该高分子材料为聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
13.根据权利要求1所述的共模滤波器,其特征在于,包括:
一第一引线层,形成于该磁性材料层上,且包括一第一导线;
一第一绝缘层,形成于该第一引线层与该第一线圈层之间,且包括贯穿该第一绝缘层的一第一通孔,其中该第一导线的一端通过该第一通孔电性耦接该第一线圈,该第一导线的另一端延伸至该第一绝缘层的一边缘;
一第二绝缘层,形成于该第一线圈层与该第二线圈层之间;
一第三绝缘层,形成于该第二线圈层上,且包括一第二通孔;
一第二引线层,形成于该第三绝缘层上,且包括一第二导线,其中该第二导线的一端通过该第二通孔与该第二线圈电性耦接,而该第二导线的另一端延伸至该第三绝缘层的一边缘;以及
一第四绝缘层,形成于该第二引线层与该磁性基板之间。
14.根据权利要求13所述的共模滤波器,其特征在于,该第一绝缘层、该第二绝缘层、该第三绝缘层与该第四绝缘层中任一者包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
15.根据权利要求13所述的共模滤波器,其特征在于,该第一线圈、该第二线圈、该第一导线与该第二导线中的任一者包括银、钯、铝、铬、镍、钛、金、铜、铂或其合金。
16.一种共模滤波器的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:
提供一非磁性绝缘基板,其中该非磁性绝缘基板具一主表面;
形成一磁性材料层于该非磁性绝缘基板的部分或整个该主表面上;
于该磁性材料层上,形成一第一导线;
形成一第一绝缘层,覆盖该第一导线;
形成一第一通孔,贯穿该第一绝缘层;
于该第一绝缘层上,形成一第一线圈,其中该第一线圈通过该第一通孔与该第一导线电性耦接;
形成一第二绝缘层,覆盖该第一线圈;
于该第二绝缘层上,形成一第二线圈;
形成一第三绝缘层,覆盖该第二线圈;
于该第三绝缘层上,形成一第二通孔,贯穿该第三绝缘层;
于该第三绝缘层上,形成一第二导线,其中该第二导线通过该第二通孔与该第二线圈电性耦接;
形成一第四绝缘层,覆盖该第二导线;以及
于该第四绝缘层上,涂布一第一磁性材料。
17.根据权利要求16所述的制造方法,其特征在于,形成一磁性材料层于该非磁性绝缘基板的部分或整个该主表面上的步骤包括下列步骤:
以一粘胶粘合该磁性材料层与该非磁性绝缘基板。
18.根据权利要求16所述的制造方法,其特征在于,形成一磁性材料层于该非磁性绝缘基板的部分或整个该主表面上的步骤包括下列步骤:
于该非磁性绝缘基板上,涂布一第二磁性材料;以及
共烧该非磁性绝缘基板与该第二磁性材料。
19.根据权利要求16所述的制造方法,其特征在于,形成一磁性材料层于该非磁性绝缘基板的部分或整个该主表面上的步骤包括下列步骤:
将磁性粉末混合于一高分子材料,以获得一混合物;以及
将该混合物涂覆在该非磁性绝缘基板上。
20.根据权利要求19所述的制造方法,其特征在于,该磁性粉末包括镍锌铁氧体或锰锌铁氧体,而该高分子材料为聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯树脂。
21.根据权利要求16所述的制造方法,其特征在于,还包括形成一绝缘平坦层于该磁性材料层上的步骤。
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Family
ID=
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103680893A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-03-26 | 深圳振华富电子有限公司 | 叠层片式电感器及其制造方法 |
| CN111276314A (zh) * | 2020-03-02 | 2020-06-12 | 厦门圣德斯贵电子科技有限公司 | 新型电磁铁、新型电磁铁的制备方法及扬声器的磁性结构 |
| CN112689453A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-04-20 | 深圳市韬略科技有限公司 | 一种新型双线平衡emi滤波器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1581376A (zh) * | 2003-08-07 | 2005-02-16 | Tdk株式会社 | 线圈部件 |
| CN1820331A (zh) * | 2004-05-28 | 2006-08-16 | 松下电器产业株式会社 | 共模噪声滤波器 |
| CN1993780A (zh) * | 2005-05-11 | 2007-07-04 | 松下电器产业株式会社 | 共模噪声滤波器 |
| US7821368B1 (en) * | 2009-05-27 | 2010-10-26 | Inpaq Technology Co., Ltd. | Thin film type common mode noise filter and fabrication method of the same |
| US20110025442A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-03 | Inpaq Technology Co., Ltd. | Common mode filter and method for manufacturing the same |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1581376A (zh) * | 2003-08-07 | 2005-02-16 | Tdk株式会社 | 线圈部件 |
| CN1820331A (zh) * | 2004-05-28 | 2006-08-16 | 松下电器产业株式会社 | 共模噪声滤波器 |
| CN1993780A (zh) * | 2005-05-11 | 2007-07-04 | 松下电器产业株式会社 | 共模噪声滤波器 |
| US7821368B1 (en) * | 2009-05-27 | 2010-10-26 | Inpaq Technology Co., Ltd. | Thin film type common mode noise filter and fabrication method of the same |
| US20110025442A1 (en) * | 2009-08-03 | 2011-02-03 | Inpaq Technology Co., Ltd. | Common mode filter and method for manufacturing the same |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103680893A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-03-26 | 深圳振华富电子有限公司 | 叠层片式电感器及其制造方法 |
| CN103680893B (zh) * | 2013-12-20 | 2016-04-06 | 深圳振华富电子有限公司 | 叠层片式电感器及其制造方法 |
| CN111276314A (zh) * | 2020-03-02 | 2020-06-12 | 厦门圣德斯贵电子科技有限公司 | 新型电磁铁、新型电磁铁的制备方法及扬声器的磁性结构 |
| CN112689453A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-04-20 | 深圳市韬略科技有限公司 | 一种新型双线平衡emi滤波器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161214 |