CN102856224B - 晶圆边缘部分的处理方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种使用光刻设备处理晶圆边缘部分的方法。所述方法包括：将晶圆放置在支撑板上，检查放置在支撑板上的晶圆的边缘部分的光刻胶移除状态，及将放置在支撑板上的晶圆的边缘部分曝露于光。所述检查光刻胶移除状态通过从放置在支撑板上的晶圆捕捉第一图像和检查所述第一图像来执行。

Description

晶圆边缘部分的处理方法和装置

技术领域

此处揭露的本发明涉及光刻设备，并由其涉及一种晶圆边缘部分的处理方法和装置（apparatus）。

背景技术

一般的，半导体装置（device）是经过诸如如下工艺的制造品：用于在晶圆上形成层的沉积工艺；用于平坦化该层的化学机械抛光工艺；用于在该层上形成光刻胶图案的光刻工艺；用于通过使用该光刻胶图案使该层形成为具有电学特性的图案的刻蚀工艺；用于在晶圆的预定区域中注入离子的离子注入工艺；用于从晶圆上移除污染物的清洗工艺；及用于检查形成有层或图案的晶圆表面、或者层的组成或浓度的检查工艺。

执行光刻工艺以在由硅形成的半导体晶圆上形成光刻胶图案。光刻工艺包括：用于在晶圆上形成光刻胶层的涂层和软烤工艺；用于使该光刻胶层形成为光刻胶图案的曝光和显影工艺；用于移除光刻胶层或图案的边缘部分的边缘光刻胶去除（EBR）工艺和晶圆边缘曝光（EEW）；及用于稳定和密化光刻胶图案的硬烘工艺。

执行EBR工艺和EEW工艺以移除光刻胶层或图案的边缘部分，也就是形成在晶圆的边缘部分上的光刻胶层或图案的部分，这是因为在稍后使用光刻胶层或图案的工艺中分离光刻胶层或图案时，会产生污染物。

但是，在现有的光刻设备中，EBR或EEW工艺的进展状态不可被估计。

发明内容

本发明提供了晶圆边缘部分的处理方法和装置，以检查边缘光刻胶移除（EBR）工艺和晶圆边缘曝光（EEW）工艺的结果。

本发明并不限定于上面提及的内容，并且本发明通过下面的描述将被本领域技术人员清楚的理解。

本发明实施例提供了晶圆边缘部分的处理方法，该方法包括：将晶圆放置在支撑板上；检查放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分的光刻胶移除状态；及将放置在所述支撑板上的所述晶圆的所述边缘部分曝露于光，其中所述检查光刻胶移除状态通过从放置在所述支撑板上的所述晶圆捕捉第一图像和检查所述第一图像来执行。

在一些实施例中，所述方法可进一步包括在曝光所述晶圆的所述边缘部分后，检查放置在支撑板上的所述晶圆的边缘曝光状态，其中所述检查边缘曝光状态可通过从放置在所述支撑板上的所述晶圆捕捉第二图像和检查所述第二图像执行。

在其他实施例中，当放置在所述支撑板上的所述晶圆一度被旋转时，可使用固定到预定位置的成像照相机连续捕捉所述第一图像。

又在其他实施例中，当放置在所述支撑板上的所述晶圆一度被旋转时，可使用固定到预定位置的成像照相机连续捕捉所述第一图像。

又在其他实施例中，所述成像照相机可以是能够通过区域扫描方法捕捉图像的面型照相机（area camera）。

又在其他实施例中，所述检测光刻胶移除状态可通过使用所述第一图像检测粒子和测量光刻胶移除区域的宽度来执行。

又在本发明的其他实施例中，提供了晶圆边缘部分的处理方法，所述方法包括：从晶圆的边缘部分移除光刻胶；检查所述晶圆的所述边缘部分的光刻胶移除状态；将所述晶圆的所述边缘部分曝露于光；及检查所述晶圆的所述边缘部分的曝光状态，其中所述检测光刻胶移除状态、所述边缘部分的曝光和所述检查曝光状态可使用相同的装置执行。

在一些实施例中，所述检查光刻胶移除状态可通过获得所述晶圆的第一图像及检查所述第一图像来执行，以及所述检查曝光状态可通过获得所述晶圆的第二图像及检查所述第二图像来执行。

在本发明的其他实施例中，提供了晶圆边缘部分的处理方法，所述方法包括：将晶圆放置在支撑板上；及检查放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分的光刻胶移除状态，其中所述检查光刻胶移除状态可通过从放置在所述支撑板上的所述晶圆的所述边缘部分捕捉第一图像及检查所述第一图像来执行。

在一些实施例中，所述方法可进一步包括在所述检查光刻胶移除状态后，将放置在所述支撑板上的所述晶圆的所述边缘部分曝露于光。

在其他实施例中，所述方法可进一步包括在将所述晶圆的所述边缘部分曝光后，检查放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘曝光状态。

在又一些实施例中，所述检查边缘曝光状态可通过给放置在所述支撑板上的所述晶圆照相以获得不同于所述第一图像的第二图像及检查所述第二图像来执行。

又在本发明的其他实施例中，提供了用于将晶圆边缘部分曝露于光的装置，所述装置包括：用于支撑晶圆的支撑板；用于检测放置在所述支撑板上的被配置晶圆的偏心距的偏心距检测装置；用于从放置在所述支撑板的被配置晶圆的边缘部分捕捉第一图像的成像装置；用于以紫外线辐射所述晶圆的被配置边缘部分的紫外线辐射装置；和用于从所述成像装置接收所述第一图像以检测光刻胶移除区域的宽度的图像处理装置。

在一些实施例中，当所述晶圆被旋转时，所述成像装置可间断地从所述晶圆的边缘部分捕捉所述第一图像。

在其他一些实施例中，所述偏心距检测装置可包括电荷耦合装置（CCD），所述成像装置可包括用于通过区域扫描方法捕捉图像的面型照相机。

在本发明的进一步的实施例中，晶圆处理装置包括：包括装载端口和索引机械手的索引部，所述装载端口用于接收晶圆容纳盒子；连接到所述索引部的处理部，所述处理部包括用于施加光刻胶到晶圆的涂层处理部和用于在曝光工艺后将晶圆显影的显影处理部；用于在所述处理部和曝光装置之间运载晶圆的接口部，所述曝光装置被配置用于对晶圆执行曝光工艺；及边缘曝光单元，所述边缘曝光单元用于将晶圆的边缘部分曝露于光及检查所述晶圆的所述边缘部分的光刻胶移除状态。

在一些实施例中，所述边缘曝光单元可被设置在所述接口部或所述处理部处。

在其他实施例中，所述边缘曝光单元可包括：用于支撑晶圆的支撑板；用于检测放置在所述支撑板上的所述晶圆的偏心距的偏心距检测装置；用于从放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分捕捉第一图像的成像装置；用于以紫外线辐射所述晶圆的所述边缘部分的紫外线辐射装置；和图像处理装置，所述图像处理装置用于从所述成像装置接收所述第一图像以检测光刻胶移除区域的宽度。

附图说明

附图被包括在内以提供对本发明的进一步的理解，并被合并在本说明书中及组成本说明书的一部分。附图示出了本发明的示例性实施方式，结合说明书一起，用于解释本发明的原理。在图中：

图1是示出了使用在根据本发明实施例的晶圆处理方法中的光刻设备的立体图；

图2是示出了图1中的光刻设备的涂层工艺部的图；

图3是示出了图1中的光刻设备的显影工艺部的图；

图4是示出了边缘曝光单元的侧视图；

图5是示出了边缘曝光单元的平面图；及

图6是用于解释晶圆边缘部分曝光方法的流程图。

具体实施方式

现在参考根据本发明的示例性实施例的附图解释用于使用光刻设备处理晶圆边缘部分的方法。在图中，自始至终相同的附图标记表示相同的元件。此外，关于公知的功能或构造的细节描述将被排除以免不必要地模糊本发明的主题。

（实施例）

图1示出了使用在根据本发明实施例的晶圆处理方法中的光刻设备的立体图。图2示出了图1中的光刻设备的涂层工艺部的图，及图3示出了图1中的光刻设备的显影工艺部的图。

参考图1至3，光刻设备（下面称为晶圆处理装置1）包括索引部100、处理部200、接口部700和曝光装置900。该索引部100、处理部200和接口部700和曝光装置900按预定的方向顺序布置在一条线上。

在晶圆（W）被容纳在盒子20中时运载晶圆（W）。盒子20可被密封地闭合。例如，盒子20可以是具有前门的前端开口的统一片盒（FOUP）。

（索引部）

索引部100包括多个装载端口（load ports）110、索引机器手120和第一缓冲模块140。

装载端口110包括台112，使得容纳有晶圆（W）的盒子20可被放置在台112上。装载端口110可包括多个台112。台112在第二方向14被布置在一条线上。在图2中，四个台112被示例性示出。

索引机械手120在装载端口110的台112和第一缓冲模块140之间运载盒子20。索引机械手120包括手柄122，该手柄112具有允许在第一方向12、第二方向14和第三方向16旋转和移动的四轴驱动结构。导轨130沿第二方向14延伸。索引机械手120连接到导轨130，使得该索引机械手120可在导轨130上成直线地移动。

第一缓冲模块140具有用于暂时储存多个晶圆（W）的中空的长方体形状，并且被配置在索引机械手120和处理部200之间。

（处理部）

处理部200包括：用于在曝光工艺之前施加光刻胶到晶圆（W）的涂层处理部200a；和用于在曝光工艺后显影晶圆（W）的处理部200b。

涂层处理部200a和显影处理部200b被布置在不同的台。例如，涂层处理部200a可配置在显影处理部200b的上方。

涂层处理部200a执行诸如施加如光刻胶的感光材料的工艺和在施加光刻胶到晶圆（W）后的加热和冷却晶圆（W）的工艺。涂层处理部200a包括涂层模块210、烘烤模块220、冷却模块240和转移室290。

涂层模块210、烘烤模块220、冷却模块240和转移室290可连续布置在第二方向14。例如，涂层模块210可面对烘烤模块220和冷却240，而转移室290被配置在它们之间。冷却模块210可布置在第一方向12和第三方向16。如图3所示的示例，示出了三个涂层模块210。

转移室290和第一缓冲模块140可并排布置在第一方向12。涂层部机械手292和导轨294配置在转移室290中。转移室290可具有矩形形状。涂层部机械手292在烘烤模块220、涂层模块210、冷却模块240和第一缓冲模块140之间移动晶圆（W）。导轨294在第一方向12延伸。导轨294引导涂层部机械手292在第一方向12的直线运动。

涂层模块210具有相同的结构。然而，涂层模块210可使用不同种类的光刻胶。例如，化学增幅抗蚀剂可用作光刻胶。涂层模块210施加光刻胶到晶圆（W）。涂层模块210执行边缘光刻胶去除（EBR）工艺，在该工艺中在旋转晶圆（W）时稀释剂（thinner）被喷射到晶圆（W）的边缘部分，以从晶圆（W）的边缘部分移除光刻胶（beads）。

烘烤模块220在晶圆（W）上执行加热处理工艺。例如，烘烤模块220可执行诸如前烘工艺和软烘工艺的工艺：在前烘工艺中晶圆（W）被加热至预定温度以在光刻胶施加到晶圆（W）上之前从晶圆（W）上移除有机材料和水分；在软烘工艺中，在光刻胶被施加到晶圆（W）上之后加热晶圆（W），并且烘烤模块220在每个加热处理工艺后可执行冷却工艺。

显影处理部200b执行诸如显影工艺和加热处理工艺的工艺，在显影工艺中，显影剂被施加到晶圆(W)上以从晶圆W上移除部分光刻胶以在晶圆W上形成图案，在加热处理工艺中，晶圆在显影处理前后被冷却或加热。

显影处理部200b包括显影模块310、烘烤模块320、冷却模块340和转移室390。

显影模块310、烘烤模块320、冷却模块340和转移室390被连续布置在第二方向14。例如，显影模块310可面向烘烤模块320和冷却模块340，而转移室390被配置在它们之间。显影模块310可布置在第一方向12和第二方向14。在如图3所示的示例中，示出了三个显影模块310。

转移室390和第一缓冲模块140被并排布置在第一方向12。显影部机械手392和导轨394配置在转移室390中。转移室390可具有矩形形状。显影部机械手392在烘烤模块320、显影模块310、冷却模块340和第一缓冲模块140之间移动晶圆（W）。导轨394在第一方向12延伸。导轨394引导显影部机械手392在第一方向12的直线运动。

多个显影模块310具有相同的结构。然而，显影模块310可使用不同种类的显影剂。例如，暴露于光的晶圆的光刻胶部分在显影模块310中被移除。此时，暴露于光的保护层部分也被移除。可替代的，根据光刻胶的种类，没有暴露于光的光刻胶部分和保护层部分可被移除。

烘烤模块320在晶圆（W）上执行加热处理工艺。例如，烘烤模块320执行诸如后烘工艺、硬烘工艺和在每个烘烤工艺之后的冷却工艺的工艺，在后烘工艺中晶圆（W）在显影工艺之前被加热，在硬烘工艺中晶圆（W）在显影工艺之后被加热。

（接口部）

接口部700在处理部200和曝光装置900之间运载晶圆（W）。接口部700包括第一缓冲模块720和接口机械手740。接口机械手740在第一缓冲模块720和曝光装置900之间运载晶圆（W）。接口部700包括配置在其一侧的边缘曝光单元800。边缘曝光单元800可通过辐射紫外线执行晶圆边缘曝光（EEW）工艺和执行EBR工艺，以移除形成在半导体晶圆上的光刻胶层的边缘部分，边缘曝光单元800可执行检测EEW工艺结果的工艺。

图4和图5示出了边缘曝光单元800的图。

参考图4和图5，边缘曝光单元800包括支撑板810、旋转装置820、移动装置830、偏心距检测装置840、紫外线辐射装置850、驱动控制装置860、成像装置870和图像处理装置880。

支撑板810通过形成真空而稳固地保持晶圆（W）。旋转装置820被连接到支撑板810的底侧以水平旋转支撑板810。移动装置830被连接到旋转装置820的底部以水平移动旋转装置820；偏心距检测装置840检测固定到支撑板810上的晶圆（W）的边缘；紫外线辐射装置850用来对固定到支撑板810的晶圆（W）的边缘部分执行曝光工艺；并且驱动控制装置860控制旋转装置820和移动装置830的操作。

支撑板810为用于通过制造真空而固定晶圆（W）的真空吸盘。虽未示出，但支撑板810包括：用于在其顶部表面上放置晶圆（W）的真空吸盘本体；形成在真空吸盘本体中的多个真空吸气孔；和连接在真空吸气孔和设置在真空吸盘本体外侧的真空泵之间的真空管路。电磁阀设置在真空管路以调整真空吸盘本体的真空力，并且压力阀也设置在真空管路以检测真空力。

旋转装置820被连接到支撑板810的底侧，晶圆(W)固定在支撑板810上。旋转装置820旋转支撑板810。旋转装置820可包括具有转动轴的旋转电机。旋转装置820由驱动控制装置860控制。

移动装置830被连接到旋转装置820的底侧。移动装置830水平移动支撑板810。移动装置830包括：用于在x轴方向使移动装置820水平往复运动的x轴移动装置832，和用于在y轴方向使移动装置820水平往复运动的y轴移动装置834。例如，旋转装置820可在x轴移动装置832上沿x轴方向来回滑动，并且x轴移动装置832可在y轴移动装置834上沿y轴方向来回滑动。x轴移动装置832包括x轴驱动电机832a，并且y轴移动装置834包括y轴驱动电机834a。x轴驱动电机832a和y轴驱动电机834a根据来自驱动控制装置860（下面描述）的控制信号被驱动。

偏心距检测装置840检测放置在支撑板810上的晶圆(W)的偏心距。偏心距检测装置840包括电荷耦合装置（CCD）以在晶圆(W)一度被旋转装置820旋转时检测晶圆(W)的边缘。基于在晶圆(W)一度被旋转装置820旋转时由CCD检测的晶圆(W)的边缘变化，偏心距检测装置840检测晶圆(W)的中心。也就是，偏心距检测装置840基于晶圆(W)的边缘和旋转装置820的中心之间的距离变化来检测晶圆(W)的中心。

紫外线辐射装置850将晶圆(W)的边缘部分曝光于紫外线。紫外线辐射装置850投射紫外线到形成在晶圆(W)顶侧的边缘部分的光刻胶层以移除所述边缘部分的光刻胶层。

驱动控制装置860控制旋转装置820和移动装置830。驱动控制装置860控制旋转装置820和移动装置830以使得晶圆(W)可关于由偏心距检测装置840检测的晶圆(W)的中心水平地旋转。也就是，驱动控制装置860在以晶圆(W)的中心为中心旋转晶圆(W)时，同步x轴移动装置832和y轴移动装置834的操作以关于晶圆(W)中心旋转晶圆(W)。

成像装置870包括用于获得放置在支撑板810上的晶圆(W)的边缘部分的图像的照相机(camera)。照相机可以是区域照相机，所述区域照相机能够通过区域扫描方法对晶圆(W)的边缘部分的光刻胶移除区域和边缘曝光区域照相。成像装置870被固定到这样的位置：在该位置成像装置可对放置在支撑板810上的晶圆(W)的边缘部分照相。

当晶圆(W)一度被旋转以用于测量晶圆(W)的偏心距时，成像装置870对晶圆(W)的边缘部分照相。成像装置870在晶圆(W)在偏心距测量工艺中一度被旋转时对晶圆(W)拍摄第一图像，并在晶圆(W)在EEW工艺后一度被旋转时拍摄第二图像。第一图像用于检查光刻胶是否从晶圆(W)的边缘部分移除，第二图像用于检查EEW工艺的结果。

尽管成像装置870可在晶圆(W)一度被旋转时连续地拍摄第一图像（或第二图像），但这延迟了图像处理装置880的数据处理并要求更大的存储空间。因而，成像装置870可在晶圆(W)一度被旋转时，间断地拍摄第一图像。例如，当晶圆一度被旋转时，成像装置870可通过每次在晶圆(W)被旋转30度时拍摄图像而总共拍摄12幅第一图像。

图像处理装置880从成像装置870接收第一和第二图像。图像处理装置880通过处理接收到的图像来检测光刻胶移除区域或边缘曝光区域的粒子和宽度。图像处理装置880可基于根据第一图像检测的光刻胶移除区域的宽度来检查光刻胶是否从晶圆(W)的边缘部分上移除。图像处理装置880可基于根据第二图像检测的边缘曝光区域的宽度来检查晶圆(W)的边缘部分的曝光状态。

图像处理装置880的计算结果被传输到上层控制器：晶圆处理装置1的控制器30。晶圆处理装置1可修正因数，所述因数诸如在执行EBR工艺的图层模块210处的机械手扭曲量、稀释剂注入到晶圆(W)的喷嘴位置和边缘曝光单元800的晶圆位置。

晶圆(W)的边缘曝光区域是指这样的一区域：通过EEW工艺和WBR工艺从其中移除光刻胶层的区域。由于EBR区域的宽度小于EEW区域的宽度，那么在EEW工艺之前执行检测EBR区域的宽度的工艺。尽管未示出，用于检测光刻胶是否从晶圆(W)上移除的成像装置870和图像处理装置880可作为独立的单元设置在处理部200处，而不是设置在边缘曝光单元800处。也就是，用于检测光刻胶是否从晶圆(W)被移除的单元可置在处理部200处。该单元可包括上面可放置晶圆(W)的可旋转支撑板、能够对晶圆(W)的边缘部分拍照的成像装置和图像处理装置。

图6为用于解释晶圆边缘部分曝光方法的流程图。

该方法使用边缘曝光单元800被执行并包括：步骤S110，放置晶圆(W)在支撑板810上；步骤S120，检测晶圆(W)的偏心距和检查光刻胶是否从晶圆(W)的边缘部分移除；步骤S130，使用紫外线辐射装置850将晶圆(W)的边缘部分曝光于紫外线；和在步骤S130之后的步骤S140，检查晶圆(W)的边缘部分的曝光状态。

-步骤S110，放置晶圆在支撑板上-

晶圆(W)被晶圆传送机械手运载到边缘曝光单元810上，且晶圆(W)被真空吸力稳固地保持在支撑板810上。此时，晶圆(W)的中心可能不会与支撑板810的旋转轴精确地对准。

-步骤S120，检测晶圆的偏心距和检查晶圆的光刻胶移除状态-

放置在支撑板810上的晶圆(W)一度被旋转。当晶圆(W)一度被旋转时，偏心距检测装置840基于由CCD检测的晶圆(W)的边缘变化检测晶圆(W)的中心。当晶圆(W)一度被旋转以使得偏心距检测装置840检测晶圆(W)的偏心距时，成像装置870间断捕捉晶圆(W)的第一图像并提供所述第一图像到图像处理装置880。

图像处理装置880处理从图像装置870接收的第一图像以检测EBR区域的宽度和检测粒子。图像处理装置880基于根据第一图像检测的EBR区域的宽度来检查光刻胶是否从晶圆(W)的边缘部分被移除。图像处理装置880的计算结果被提供给上层控制器：晶圆处理装置1的控制器30。

-步骤S130，曝光晶圆边缘部分-

晶圆(W)关于在步骤S120中检测到的在晶圆(W)中心而被旋转，且在晶圆(W)被旋转时，紫外线辐射单元850将晶圆(W)的边缘部分曝光于紫外线。驱动控制装置860控制旋转装置820和移动装置830，以使得晶圆(W)的边缘部分的恒定宽度被暴露于偏心距检测装置840发射的紫外线而没有偏差。驱动控制装置860在由支撑板810旋转晶圆(W)时，可同步x轴移动装置832和y轴移动装置834的操作以使得晶圆(W)可关于其中心旋转。

-步骤S140，检查边缘曝光状态-

在晶圆曝光工艺后，放置在支撑板810上的晶圆(W)再次被旋转。当晶圆(W)一度被旋转，成像装置870间断捕捉晶圆(W)的第二图像并提供所述第二图像给图像处理装置880。图像处理装置880处理从成像装置870接收的第二图像以检测EEW区域的宽度。图像处理装置880基于EEW区域的宽度来检查晶圆(W)的边缘曝光状态。

根据本发明，可检查EBR工艺和EEW工艺的结果。

尽管实施例已经参照上述大量示例性实施例进行了描述，但应该理解的是，可被本领域技术人设计的许多其他的变型和实施例将落入本发明的精神和范围内。这样，实施例被考虑为是示例性的，而不是限制性的，并且本发明的精神和范围并不限制于实施例。因此，本发明真正保护范围将由伴随的权利要求的技术范围决定，并且本发明的范围由下面的权利要求和它们的等同物的可允许的最大解释来确定。

Claims (12)

1.一种晶圆边缘部分的处理方法，所述方法包括：

将晶圆放置在支撑板上；

检查放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分的光刻胶移除状态；及

将放置在所述支撑板上的所述晶圆的所述边缘部分曝露于光，

其中所述检查光刻胶移除状态通过从放置在所述支撑板上的所述晶圆捕捉第一图像和检查所述第一图像来执行；

所述方法进一步包括在曝光所述晶圆的所述边缘部分后，检查放置在支撑板上的所述晶圆的边缘曝光状态，

其中所述检查边缘曝光状态通过从放置在所述支撑板上的所述晶圆捕捉第二图像和检查所述第二图像来执行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中当放置在所述支撑板上的所述晶圆一度被旋转时，使用固定到预定位置的成像照相机连续捕捉所述第一图像。

3.根据权利要求1所述的方法，其中当放置在所述支撑板上的所述晶圆一度被旋转时，使用固定到预定位置的成像照相机间断捕捉所述第一图像。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中所述成像照相机是能够通过区域扫描方法捕捉图像的面型照相机。

5.根据权利要求2或3所述的方法，其中所述检查光刻胶移除状态通过使用所述第一图像检测粒子和测量光刻胶移除区域的宽度来执行。

6.一种晶圆边缘部分的处理方法，所述方法包括：

从晶圆的边缘部分移除光刻胶；

检查所述晶圆的所述边缘部分的光刻胶移除状态；

将所述晶圆的所述边缘部分曝露于光；及

检查所述晶圆的所述边缘部分的曝光状态，

其中所述检查光刻胶移除状态、所述边缘部分的曝光和所述检查曝光状态使用相同的装置执行；

其中所述检查光刻胶移除状态通过获得所述晶圆的第一图像及检查所述第一图像来执行，以及

所述检查曝光状态通过获得所述晶圆的第二图像及检查所述第二图像来执行。

7.一种晶圆边缘部分的处理方法，所述方法包括：

将晶圆放置在支撑板上；及

检查放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分的光刻胶移除状态，

其中所述检查光刻胶移除状态通过从放置在所述支撑板上的所述晶圆的所述边缘部分捕捉第一图像及检查所述第一图像来执行；

所述方法进一步包括在所述检查光刻胶移除状态后将放置在所述支撑板上的所述晶圆的所述边缘部分曝露于光；在将所述晶圆的所述边缘部分曝光后，检查放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘曝光状态，其中所述检查边缘曝光状态通过给放置在所述支撑板上的所述晶圆照相以获得不同于所述第一图像的第二图像及检查所述第二图像来执行。

8.一种用于将晶圆边缘部分曝露于光的装置，所述装置包括：

用于支撑晶圆的支撑板；

用于检测放置在所述支撑板上的所述晶圆的偏心距的偏心距检测装置；

用于从放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分捕捉第一图像或第二图像的成像装置；

用于以紫外线辐射所述晶圆的所述边缘部分的紫外线辐射装置；和

用于从所述成像装置接收所述第一图像以检测光刻胶移除区域的宽度或从所述成像装置接收所述第二图像以检测边缘曝光区域的宽度的图像处理装置。

9.根据权利要求8所述的装置，其中当所述晶圆被旋转时，所述成像装置间断地从所述晶圆的所述边缘部分捕捉所述第一图像。

10.根据权利要求8所述的装置，其中所述偏心距检测装置包括电荷耦合装置，并且

所述成像装置包括用于通过区域扫描方法捕捉图像的面型照相机。

11.一种晶圆处理装置包括：

包括装载端口和索引机械手的索引部，所述装载端口用于接收晶圆容纳盒子；

连接到所述索引部的处理部，所述处理部包括用于施加光刻胶到晶圆的涂层处理部和用于在曝光工艺后使所述晶圆显影的显影处理部；

用于在所述处理部和曝光装置之间运载晶圆的接口部，所述曝光装置用于对晶圆执行曝光工艺；及

边缘曝光单元，所述边缘曝光单元用于将晶圆的边缘部分曝露于光及检查所述晶圆的所述边缘部分的光刻胶移除状态和边缘曝光状态；

其中所述边缘曝光单元包括：

用于支撑晶圆的支撑板；

用于检测放置在所述支撑板上的所述晶圆的偏心距的偏心距检测装置；

用于从放置在所述支撑板上的所述晶圆的边缘部分捕捉第一图像或第二图像的成像装置；

用于以紫外线辐射所述晶圆的所述边缘部分的紫外线辐射装置；和

图像处理装置，所述图像处理装置用于从所述成像装置接收所述第一图像以检测光刻胶移除区域的宽度或用于从所述成像装置接收所述第二图像以检测边缘曝光区域的宽度。

12.根据权利要求11所述的晶圆处理装置，其中所述边缘曝光单元被设置在所述接口部或所述处理部处。