CN102830871A - 耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法，包括以下步骤：一）对玻璃基板进行清洗和干燥；二）形成可去除的局部遮挡层；三）真空镀一层黑色碳化钛薄膜或黑色碳氮化钛薄膜；四）在碳化钛薄膜或碳氮化钛薄膜表面真空镀一层二氧化硅薄膜；五）去除局部遮挡层及其上的薄膜，得到带有金属薄膜导线黑膜遮蔽边框和透明可视区的玻璃基板；六）在玻璃基板的背面，透明可视区上形成透明ITO导电膜，在黑膜遮蔽边框上形成与透明ITO导电膜相连的金属薄膜导线，在金属薄膜导线上形成OC保护层；七）成形触摸屏面板。本发明能够有效地抵抗高温高压，提高了触摸屏面板和柔性线路板的绑定良率，大大降低了OGS电容触摸屏模组的生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种电容式触摸屏面板的制造方法，特别是涉及一种耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法。
背景技术
目前投射式电容式触摸屏市场上出现了一种以单片玻璃触控面板替代触控玻璃（Touch Sensor）与保护玻璃（Cover Glass）整合在一起的产品，大家习惯称之为“OGS”---one glass solution。
电容触摸屏昂贵的生产成本是企业竞争的主要压力，“OGS”方式的电容触摸屏从结构中省去了一片玻璃，大大降低了生产的成本，同时触摸屏面板可以做得更轻更薄，再有，一片玻璃结构可以降低投射光的反射率，从而使触摸屏的显示更清晰。
任何电容式触摸屏都要通过一定宽度和厚度的金属薄膜导线作为信号传输载体，而金属薄膜导线的反射光透过玻璃基材进入人们视野，影响了触摸屏正面的视觉外观。为了遮蔽触摸屏四周的金属薄膜导线，当前的OGS电容式触摸屏都是采用预先涂布一层有机类的黑色光阻剂或者丝网印刷黑色油墨的方式来进行遮蔽的。可是在后续触摸屏模组的制程中需要通过异性导电胶（又称ACF）为介质，在加热150~180度左右、加压2~5Mpa左右的方式下将柔性线路板（又称FPC）和触摸屏的金属薄膜导线绑定在一起。这样的绑定条件往往会引起用来遮蔽金属薄膜导线的有机类黑色光阻层或油墨层无法承受而破裂，使得柔性线路板和触摸屏的金属薄膜导线发生错位，这样触摸屏模组绑定的良率就大大降低了，生产的效率和成本也受到很大影响。
发明内容
本发明为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法，采用该方法制造电容式触摸屏面板，能够在满足对金属薄膜导线形成遮蔽的同时，提高它和柔性线路板（FPC）绑定制程中模组的良率。
本发明为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是：一种耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法，包括以下步骤：一）对触摸屏用玻璃基板进行清洗和干燥；二）在玻璃基板的背面除金属薄膜导线设计遮蔽边框之外的区域形成可去除的局部遮挡层；三）在有局部遮挡层的玻璃基板的背面采用真空镀膜的方法沉积一层黑色碳化钛薄膜或黑色碳氮化钛薄膜；四）在碳化钛薄膜或碳氮化钛薄膜表面采用真空镀膜的方法沉积一层二氧化硅薄膜作为绝缘层；五）去除局部遮挡层及其上的黑色碳化钛薄膜和二氧化硅薄膜或碳氮化钛薄膜和二氧化硅薄膜，得到带有金属薄膜导线黑膜遮蔽边框和透明可视区的玻璃基板；六）进行触摸屏黄光制程处理，在玻璃基板的背面，透明可视区上形成透明ITO导电膜，ITO又称：氧化铟锡；在黑膜遮蔽边框上形成与透明ITO导电膜相连的金属薄膜导线，并在金属薄膜导线上形成OC保护层，OC又称有机光阻，由有机溶剂、树脂、感光剂等组成；七）用数控机床进行外形尺寸加工，形成耐温耐压电容触摸屏面板。
所述步骤二）采用丝印水溶性油墨的方法形成局部遮挡层，所述步骤五）采用去离子水清洗玻璃基板，去除局部遮挡层及其上的黑色碳化钛薄膜和二氧化硅薄膜或碳氮化钛薄膜和二氧化硅薄膜。
所述步骤二）采用丝印可剥离胶的方法形成局部遮挡层，所述步骤五）采用去除可剥离胶的方法，去除局部遮挡层及其上的黑色碳化钛薄膜和二氧化硅薄膜或碳氮化钛薄膜和二氧化硅薄膜。
所述碳化钛薄膜或所述碳氮化钛薄膜的膜厚为50～500埃。
所述二氧化硅薄膜的膜厚为1000～3000埃。
本发明具有的优点和积极效果是：利用碳化钛（TiN）或碳氮化钛（TiCN）薄膜具有高吸收率的特点，将真空镀黑色碳化钛（TiC）或碳氮化钛（TiCN）薄膜作为遮蔽金属薄膜导线的涂层，能够有效地抵抗高温高压，提高了触摸屏面板和柔性线路板（FPC）的绑定良率，大大降低了OGS电容触摸屏模组的生产成本。
附图说明
图1为本发明实施步骤二）的结构示意图；
图2为本发明实施步骤五）的结构示意图；
图3为本发明实施步骤六）的结构示意图；
图4为本发明实施步骤七）的结构示意图；
图5是图4的A-A剖视图；
图6是图5的局部放大图；
图7为采用本发明制造的触摸屏面板与柔性线路板进行贴合制程的结构示意图；
图8为图7中柔性线路板的示意图。
图中：1、玻璃基板，2、金属薄膜导线设计遮蔽边框，3、局部遮挡层，4、黑色碳化钛薄膜或黑色碳氮化钛薄膜，5、二氧化硅薄膜，6、金属薄膜导线黑膜遮蔽边框，7、透明可视区，8、透明ITO导电膜，9、金属薄膜导线，10、OC保护层，11、柔性线路板，12、绑定区域。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下：
请参见图4～图6，一种耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法，包括以下步骤：
一）对触摸屏用玻璃基板1进行清洗和干燥。一般采用通用的玻璃清洗剂或DI去离子水作为清洗液，采用毛刷式清洗机或者超声波清洗机清洗，并在清洗后进行干燥。
二）请参见图1和图4～6，在清洁干燥的玻璃基板1背面除金属薄膜导线设计遮蔽边框2之外的区域形成可去除的局部遮挡层3。局部遮挡层3可以采用丝印水溶性油墨或可剥离胶的方法形成，并在丝印完毕后进行固化，以形成遮挡层3。
三）待遮挡层固化后，在有局部遮挡层3的玻璃基板1的背面，采用真空镀膜的方法沉积一层黑色碳化钛薄膜或黑色碳氮化钛薄膜4，膜厚最好为50～500埃。
通常的方法为：在真空溅射镀膜过程中，通入反应高纯气体乙炔（C2H2）和氮气（N2）来与溅射出来的钛发生化学反应生成TiC薄膜或碳氮化钛（TiCN）薄膜，膜厚控制在50～500埃之间，一般要求透过率≤3%。
四）为了减少碳化钛（TiC）薄膜或碳氮化钛（TiCN）薄膜4对后续触摸屏制程中金属薄膜导线9的电性能干扰，在碳化钛薄膜或碳氮化钛薄膜4表面采用真空镀膜的方法沉积一层绝缘的二氧化硅薄膜5作为绝缘层，起到绝缘保护作用。二氧化硅薄膜5的膜厚最好为1000～3000埃。
五）去除局部遮挡层3及其上的黑色碳化钛薄膜及二氧化硅薄膜5或碳氮化钛薄膜以及二氧化硅薄膜5，得到下一制程中所需要的带有金属薄膜导线黑膜遮蔽边框6和透明可视区7的玻璃基板，请参见图2。
如果局部遮挡层是用水溶性油墨形成的，用DI去离子水进行清洗，就可去除局部遮挡层3及其上的黑色碳化钛薄膜及二氧化硅薄膜或碳氮化钛薄膜及二氧化硅薄膜；如果遮挡层是用可剥离胶形成的，手撕可剥离胶，就可去除局部遮挡层3及其上的黑色碳化钛薄膜及二氧化硅薄膜或碳氮化钛薄膜及二氧化硅薄膜。
六）进行触摸屏黄光制程处理，请参见图3，在玻璃基板1的背面，透明可视区7上形成透明ITO导电膜8，在黑膜遮蔽边框6上形成与透明ITO导电膜8相连的金属薄膜导线9，并在金属薄膜导线9上形成OC保护层10，用于保护金属薄膜导线9，防止其被氧化，请参见图3和图4～6。OC又称有机光阻，由有机溶剂、树脂、感光剂等组成。触摸屏黄光制程处理为现有技术，在此不再赘述。
七）用CNC数控机床进行外形尺寸加工，形成耐温耐压电容触摸屏面板，请参见图4～图6。
请参阅图7和图8，采用上述方法制造的触摸屏面板通过专用的贴合机与柔性线路板（FPC）11进行贴合时，采用异性导电胶（又称ACF）为连接介质，贴合需要在温度为150～180度、压力为2~5Mpa的条件下完成。由于黑色碳化钛（TiC）薄膜或碳氮化钛（TiCN）薄膜和二氧化硅（SiO2）薄膜均属于无机化合物，具有极高的耐温耐压特性，不会发生断裂，也不会造成柔性线路板（FPC）11与金属薄膜导线9错位，因此采用上述方法制造的触摸屏面板能够在满足对金属薄膜导线形成遮蔽的同时，提高OGS电容式触摸屏面板和柔性线路板（FPC）绑定制程中模组的良率，图中用圆圈圈定的区域为绑定区域12。
尽管上面结合附图对本发明的优选实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，并不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可以作出很多形式，这些均属于本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
一）对触摸屏用玻璃基板进行清洗和干燥；
二）在玻璃基板的背面除金属薄膜导线设计遮蔽边框之外的区域形成可去除的局部遮挡层；
三）在有局部遮挡层的玻璃基板的背面采用真空镀膜的方法沉积一层黑色碳化钛薄膜或黑色碳氮化钛薄膜；
四）在碳化钛薄膜或碳氮化钛薄膜表面采用真空镀膜的方法沉积一层二氧化硅薄膜作为绝缘层；
五）去除局部遮挡层及其上的黑色碳化钛薄膜和二氧化硅薄膜或碳氮化钛薄膜和二氧化硅薄膜，得到带有金属薄膜导线黑膜遮蔽边框和透明可视区的玻璃基板；
六）进行触摸屏黄光制程处理，在玻璃基板的背面，透明可视区上形成透明ITO导电膜，在黑膜遮蔽边框上形成与透明ITO导电膜相连的金属薄膜导线，并在金属薄膜导线上形成OC保护层；
七）用数控机床进行外形尺寸加工，形成耐温耐压电容触摸屏面板。
2.根据权利要求1所述的耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法，其特征在于，所述步骤二）采用丝印水溶性油墨的方法形成局部遮挡层，所述步骤五）采用去离子水清洗玻璃基板，去除局部遮挡层及其上的黑色碳化钛薄膜和二氧化硅薄膜或碳氮化钛薄膜和二氧化硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法，其特征在于，所述步骤二）采用丝印可剥离胶的方法形成局部遮挡层，所述步骤五）采用去除可剥离胶的方法，去除局部遮挡层及其上的黑色碳化钛薄膜和二氧化硅薄膜或碳氮化钛薄膜和二氧化硅薄膜。
4.根据权利要求1所述的耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法，其特征在于，所述碳化钛薄膜或所述碳氮化钛薄膜的膜厚为50～500埃。
5.根据权利要求1或4所述的耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的膜厚为1000～3000埃。
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