CN102817005A - 成膜装置和发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及成膜装置和发光装置。其提供一种能形成损伤少且均质的膜的成膜装置和将由该成膜装置形成的膜用作电极的发光装置。成膜装置（1）具备：被配置成包围靶（Ta）的侧方的屏蔽部（6）、配置在靶（Ta）的背面侧并产生磁场的棒状的磁场产生部（4）、以及在作为垂直于靶（Ta）的正反面方向的面的水平面内沿作为垂直于磁场产生部（4）的长尺寸方向的方向的驱动方向来对磁场产生部（4）进行直线往复驱动的驱动部（5）。在磁场产生部（4）位于由驱动部（5）驱动的范围的边界时，磁场产生部（4）与垂直于水平面地对屏蔽部（6）投影时的射影在驱动方向上的距离大于等于10mm。

Description

成膜装置和发光装置

技术领域

本发明涉及用于形成膜的成膜装置和具备由该成膜装置形成的电极的发光装置。

背景技术

近年来，在LED（Light Emitting Diode：发光二极管）和有机EL、液晶显示器、触摸面板等各种光学装置中，利用了由ITO（Indium Tin Oxide：氧化铟锡）等构成的透明电极。作为这样的透明电极的成膜装置，有磁控溅射装置（参照“透明导电膜的技术”日本学术振兴会透明氧化物光/电子材料第166委员会编，OHM社出版局，2008年5月，第218页～第221页（以下作为公知文献1））。

磁控溅射装置通过利用配置于靶的背面侧的磁铁等，使靶的表面附近产生等离子体，从而能迅速地溅射靶。但是，磁控溅射装置存在由于等离子体的产生部位受限，而使靶局部被消耗（侵蚀）的问题。

针对该问题，例如在日本特开平8-199354号公报中，提出了如下这样的磁控溅射装置：其通过能变更磁铁以及靶间的距离，从而使产生的等离子体的状态变化，使靶的消耗均一化，并且实现生成的膜的均质化。

然而，在上述这样的磁控溅射装置中，会根据磁铁所生成的磁场的强度，而使鞘层电压（放电电压）发生变动。对于该细节，参照图6进行说明。图6是表示磁通密度与鞘层电压（sheath voltage）的关系的图表。另外，该图表的横轴是磁通密度（T），纵轴是鞘层电压的绝对值（V）。此外，图6所示的图表基于上述的公知文献1的记载内容。

如图6所示那样，越是使磁通密度变大，鞘层电压的绝对值越变小。其原因是，越是使磁通密度变大，靶上的等离子体密度会越变大。当使鞘层电压的绝对值变小时，能使碰撞到基板或基板上的膜的靶粒子（由靶的溅射产生的粒子。以下相同。）的能量变小。即，能形成损伤少的膜。

但是，在使磁通密度变大并使鞘层电压的绝对值变小的情况下，由于伴随磁铁的大型化或复杂化，装置会大型化或复杂化，或需要装置的大幅的设计变更，所以很是问题。此外，由于即使能减小鞘层电压的绝对值，也是只要其时间上的变动大，形成的膜就会不均质，所以很是问题。

发明内容

本发明鉴于上述问题，其目的在于提供一种能形成损伤少且均质的膜的成膜装置和将由该成膜装置形成的膜用作电极的发光装置。

为了实现上述目的，本发明提供一种成膜装置，其通过利用等离子体对靶进行溅射，从而在配置于所述靶的表面侧的基板上形成包含构成所述靶的材料的膜，所述成膜装置的特征在于，具备：腔室，在内部进行所述膜的形成；屏蔽部，在所述腔室内配置成包围所述靶的侧方；棒状的磁场产生部，产生磁场，并配置于所述屏蔽部的内侧且配置于所述靶的背面侧；以及驱动部，在作为垂直于所述靶的正反面方向的面的水平面内，沿作为垂直于所述磁场产生部的长尺寸方向的方向的驱动方向，对所述磁场产生部进行直线往复驱动，在所述磁场产生部位于由所述驱动部驱动的范围的边界时，所述磁场产生部与垂直于所述水平面地对所述屏蔽部投影时的射影在所述驱动方向上的距离大于等于10mm。

进而，优选上述特征的成膜装置中，在所述磁场产生部位于由所述驱动部驱动的范围的边界时，所述磁场产生部与垂直于所述水平面地对所述屏蔽部投影时的射影在所述驱动方向上的距离大于等于20mm。

进而，优选上述特征的成膜装置中，所述磁场产生部的在所述靶侧且在所述水平面内的外周侧的极性和在所述靶侧且在所述水平面内的中心侧的极性不同。

进而，优选上述特征的成膜装置中，在所述磁场产生部位于由所述驱动部驱动的范围的边界时，所述磁场产生部与垂直于所述水平面地对所述屏蔽部投影时的射影在所述驱动方向上的距离小于等于30mm。

进而，优选上述特征的成膜装置中，所述驱动部以大于等于10mm／秒且小于等于20mm／秒的速度，对所述磁场产生部进行驱动。

进而，优选上述特征的成膜装置中，所述基板以及所述靶间的距离大于等于50mm且小于等于150mm，所述靶以及所述磁场产生部间的距离大于等于15mm且小于等于30mm。

进而，优选上述特征的成膜装置中，所述靶表面内的与所述磁场产生部对置的区域的磁通密度大于等于0.03T且小于等于0.12T。

进而，优选上述特征的成膜装置中，形成所述膜时的所述腔室的内部为大于等于0.4Pa且小于等于1Pa的氩环境。

进而，优选上述特征的成膜装置中，形成所述膜时的所述基板的温度小于等于50℃。

进而，优选上述特征的成膜装置中，在形成所述膜时提供给所述靶的直流功率大于等于200W且小于等于1200W。

此外，本发明提供一种成膜装置，其通过利用等离子体对靶进行溅射，从而在配置于所述靶的表面侧的基板上形成包含构成所述靶的材料的膜，所述成膜装置的特征在于，具备：腔室，在内部进行所述膜的形成；屏蔽部，在所述腔室内配置成包围所述靶的侧方；磁场产生部，产生磁场，并配置于所述屏蔽部的内侧且配置于所述靶的背面侧；以及驱动部，在作为垂直于所述靶的正反面方向的面的水平面内，对所述磁场产生部进行驱动，在所述磁场产生部位于由所述驱动部驱动的范围的边界时，所述磁场产生部与垂直于所述水平面地对所述屏蔽部投影时的射影的距离大于等于10mm。

此外，本发明提供一种发光装置，其特征在于，具备：使用上述特征的成膜装置而形成的由氧化铟锡构成的电极。

根据上述特征的成膜装置，能仅通过限定磁场产生部的驱动范围，来使鞘层电压的绝对值以及变动减小。因此，能形成损伤少且均质的膜。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的成膜装置的构造例的剖视图。

图2是表示图1所示的成膜装置的磁场产生部的驱动方法的俯视图。

图3是表示比较例以及实施例中的磁场产生部的中心位置与鞘层电压的关系的图表。

图4是表示比较例以及实施例中的成膜时间与鞘层电压的关系的图表。

图5是表示具备由应用了比较例以及实施例的各个成膜装置形成的膜的元件的特性的图表。

图6是表示磁通密度与鞘层电压的关系的图表。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式的成膜装置（磁控溅射装置）进行说明。首先，参照图1对本发明的实施方式的成膜装置的构造例进行说明。图1是表示本发明的实施方式的成膜装置的构造例的剖视图。

如图1所示那样，成膜装置1具备：安装基板Sb的工作台2、安装靶Ta的支承板（bucking plate）3、产生磁场的磁场产生部4、驱动磁场产生部4的驱动部5、设置于靶Ta以及支承板3的周围的屏蔽部6、在内部进行膜的形成并且接地的腔室（chamber）7、以及配置于腔室7的外部并且对支承板3供电的电源部8。另外，下面为了说明的具体化，对电源部8对支承板3提供负电压的直流功率的情况进行例示。

工作台2通过与腔室7电连接而接地，成为阳极。支承板3被从电源部8提供负电压的直流功率，成为阴极。此外，在图1所示的成膜装置1中，工作台2的安装基板Sb的面与支承板3的安装靶Ta的面对置。即，基板Sb和靶Ta对置。另外，以下将靶Ta的基板Sb侧（图中上方向）的面记作表面，将相反侧（支承板3侧，图中下方向）的面记作背面。此外，将从靶Ta观察而存在基板Sb的方向表述为表面方向或上方向，并且，将从靶Ta观察而存在支承板3的方向表述为背面方向或下方向。

磁场产生部4由例如永久磁铁或电磁铁等能产生磁场的部件构成。驱动部5在垂直于靶Ta的正反面方向（上下方向）的面（包含图中的左右方向以及纸面的前后方向的面。以下，作为水平面。）内，对磁场产生部4进行驱动。另外，对于利用驱动部5的磁场产生部4的驱动方法的细节，将在后面叙述。此外，磁场产生部4以及驱动部5配置于靶Ta的背面侧（特别是，支承板3与腔室7的壁面之间，并且在屏蔽部6的内侧）。

屏蔽部6通过与腔室7电连接而接地。此外，屏蔽部6配置成包围靶Ta以及支承板3的侧方。进而，屏蔽部6的上侧的端部朝向内侧（朝向靶Ta的上侧）弯曲。由此，可抑制支承板3被在腔室7内产生的等离子体溅射。

虽然在图1中，对屏蔽部6的弯曲的部分的前端向前突出至靶Ta的端边上的构造进行了例示，但该屏蔽部6的弯曲的部分的前端也可以比图1所示的状态更位于内侧，还可以进而更位于外侧。此外，例如在支承板3为与靶Ta大致相等的大小的情况等中，也可以不在屏蔽部6设置上述的弯曲的部分。

腔室7在其内部具备上述的各部（工作台2、支承板3、磁场产生部4、驱动部5以及屏蔽部6）。此外，腔室7具备：用于将用于生成等离子体的气体（例如氩气）导入内部的导入口71、以及用于排出腔室7的内部的气体的排出口72。在导入口71，导入通过例如质量流量控制器等被控制流量的气体。此外，在排出口72连接有真空泵等，从腔室7排出内部的气体。由此，腔室7内的气体的状态保持在所希望的状态。

此外，腔室7具备用于使电源电缆81通过的连接口73，其中，该电源电缆81使配置于腔室7的外部的电源部8和支承板3电连接。电源部8经由该电源电缆81对支承板3提供负电压的直流功率。

电源部8当对支承板3提供负电压的直流功率时，会在作为阴极的支承板3与作为阳极的工作台2之间产生绝缘破坏，使腔室7内的气体电离而产生等离子体。此时，利用磁场产生部4产生的磁场，在靶Ta附近产生等离子体。因此，等离子体内的离子高效地碰撞靶Ta，靶Ta被高效地溅射。而且，通过利用该溅射产生的靶粒子到达基板Sb，从而在基板Sb上形成包含构成靶Ta的材料的膜。

此外，在本发明的实施方式的成膜装置1中，通过驱动部5对磁场产生部4进行驱动，从而使等离子体的产生部位发生变动。由此，使靶Ta的消耗均一化。

此外，本发明的实施方式的成膜装置1作为一个例子可采用以下的成膜条件。该成膜条件是，基板Sb和靶Ta间的距离为90mm，靶Ta和磁场产生部4间的距离为25mm，驱动部5驱动磁场产生部4的速度为16.2mm／秒，与磁场产生部4对置的区域的磁通密度大于等于0.03T且小于等于0.12T，形成膜时的腔室7的内部的压力为0.67Pa（从导入口71导入的氩气的流量为100sccm），基板Sb的温度小于等于50℃（无基板加热），在形成膜时提供给靶Ta（支承板3）的直流功率为300W。另外，在以下的说明中，只要不是特别提及，成膜装置1就采用该成膜条件。

参照图2，对本发明的实施方式的成膜装置1中的磁场产生部4的驱动方法进行说明。图2是表示图1所示的成膜装置的磁场产生部的驱动方法的俯视图。另外，图2是表示从工作台2侧（上侧）观察磁场产生部4被驱动的水平面的状态的俯视图。此外，在图2中，用虚线显示垂直于水平面地对靶Ta的外周端以及屏蔽部6的内周端投影的射影。

图2所例示的磁场产生部4整体上是棒状的形状。进而，该磁场产生部4具备：在水平面内配置于外周的外周部41、以及在水平面内配置于外周部41的内侧（中心侧）的中心部42。外周部41以及中心部42其靶Ta侧（上侧）的极性不同。具体地说例如，外周部41的靶Ta侧的极性为N，中心部42的靶Ta侧的极性为S。

这样，由于当使磁场产生部4的外周部41以及中心部42的极性不同时，可抑制磁场无用地扩展（即，等离子体的产生部位无用地扩展），所以优选。另外，外周部41以及中心部42可以分别由不同磁铁或电磁铁构成，也可以由1个磁铁或电磁铁的不同部分构成。

驱动部5沿垂直于磁场产生部4的长尺寸方向的方向（图中左右方向。以下作为驱动方向。），对磁场产生部4进行直线往复驱动。

在基于如上述那样使靶Ta的消耗均一化的（使靶Ta的表面附近普遍地产生等离子体）观点的情况下，以对磁场产生部4最大限度地进行驱动的方式对驱动部5进行设定。在这种情况下，具体地说，例如，使靶Ta的正下方的区域内（垂直于水平面地对靶Ta投影的射影内，图2所示的虚线的内侧的区域）的整体成为磁场产生部4被驱动的范围（以下作为驱动范围）。即，在这种情况下的磁场产生部4的驱动范围是图2中的A的范围。另外，在以下的说明中，将如上述那样磁场产生部4的驱动范围为A的情况作为“比较例”。

与此相对地，在本发明的实施方式的成膜装置1中，使磁场产生部4的驱动范围比述的比较例窄。具体地说，使磁场产生部4与垂直于水平面地对屏蔽部6投影时的射影（图2所示的虚线的外侧的区域）在驱动方向上的距离为B的位置，为磁场产生部4的驱动范围的边界（驱动方向上的两端）。即，本发明的实施方式的成膜装置1中的磁场产生部4的驱动范围是图2中的C（C＝A-2B）的范围。另外，在以下的说明中，将如上述那样磁场产生部4的驱动范围为C的情况作为“实施例”。

以下参照附图，对比较例以及实施例具体地进行说明。另外，以下的说明中的实施例是使上述的B的值为20mm。

首先，参照图3，对比较例以及实施例中的鞘层电压的大小进行说明。图3是表示比较例以及实施例中的磁场产生部的中心位置与鞘层电压的关系的图表。另外，该图表的横轴是磁场产生部的中心位置（mm），纵轴是鞘层电压的绝对值（V）。

如图3所示那样，当如比较例那样驱动磁场产生部4时，磁场产生部4位于驱动范围的两端（图中的100mm、-100mm）时的鞘层电压的绝对值显著大于其他位置的鞘层电压的绝对值。这是因为，在磁场产生部4位于驱动范围的边界时，在靶Ta的端部产生的等离子体扩展打到接地的屏蔽部6（靶Ta附近的等离子体密度变小）。

而且，当如比较例那样鞘层电压的绝对值变大时，碰撞到基板Sb或基板Sb上的膜的靶粒子的能量会变大。即，会在基板Sb上，形成损伤多的膜。

与此相对地，当如实施例那样驱动磁场产生部4时，能使磁场产生部4位于驱动范围的两端（图中的80mm、-80mm）时的鞘层电压的绝对值，小到与其他位置的鞘层电压的绝对值相同程度。这是因为，通过使磁场产生部4的驱动范围如上述那样变窄，从而即使磁场产生部4位于驱动范围的边界，产生的等离子体也难以打到接地的屏蔽部6（抑制了靶Ta附近的等离子体密度变小）。

而且，通过如实施例那样使鞘层电压的绝对值变小，从而能降低碰撞到基板Sb或基板Sb上的膜的靶粒子的能量。即，能在基板Sb上形成损伤少的膜。

另外，如图3所示那样，通过使上述的实施例中的B的值至少大于等于10mm，从而能有效地减小鞘层电压的绝对值。但是，由于当使B的值大于等于20mm时，能更有效地减小鞘层电压的绝对值，所以优选。

另一方面，如图3所示那样，当上述的实施例中的B的值大到某程度以上时，就无法减小鞘层电压的绝对值。进而，当使B的值过大时，通过对等离子体的产生部位进行限定，从而会产生靶Ta局所被消耗的问题。因此，由于当使B的值小于等于30mm时，能使鞘层电压的绝对值变小，并且，能使靶Ta均匀消耗，所以优选。

接下来，参照图4，对比较例以及实施例中的鞘层电压的时间上的变动进行能够说明。图4是表示比较例以及实施例中的成膜时间与鞘层电压的关系的图表。另外，图4（a）是表示比较例的图表，图4（b）是表示实施例的图表。此外，图4（a）以及图4（b）所示的图表的横轴是成膜时间（秒），纵轴是鞘层电压的绝对值（V）。此外，在图4（a）以及图4（b）的图表中，使成膜中的任意的定时为0秒。

如图4（a）所示那样，在比较例中，按每个规定时间而使鞘层电压的绝对值变大。这是因为，磁场产生部4按每个规定时间而位于驱动范围的边界。如上述那样，当磁场产生部4位于驱动范围的边界时，在靶Ta的端部产生的等离子体打到接地的屏蔽部6，使鞘层电压的绝对值变大。另外，在图4（a）所示的成膜时间中，鞘层电压值的绝对值的偏差为26V，鞘层电压值的绝对值的平均值为240V。

当如比较例那样，鞘层电压的时间上的变动大时，碰撞到基板Sb或基板Sb上的膜的靶粒子的能量会较大地变动。即，在基板Sb上形成了不均质的膜。

与此相对地，如图4（b）所示那样，在实施例中，成膜时间中的鞘层电压的变动变小。这是因为，即使磁场产生部4按每个规定时间而位于驱动范围的边界，产生的等离子体也难以打到接地的屏蔽部6，鞘层电压的绝对值难以变大。另外，在图4（b）所示的成膜时间中，鞘层电压值的绝对值的偏差为5V，鞘层电压值的绝对值的平均值为236V。

当如实施例那样，鞘层电压的时间上的变动小时，能使碰撞到基板Sb或基板Sb上的膜的靶粒子的能量均一化。即，能在基板Sb上形成均质的膜。

如以上所述那样，在本发明的实施方式的成膜装置1中，仅通过限定磁场产生部4的驱动范围，就能使鞘层电压的绝对值以及变动变小。因此，能形成损伤少且均质的膜。

接下来，参照图5，对具备使用应用了比较例以及实施例的各个成膜装置而形成的膜的元件特性进行说明。具体地说，对使用应用了比较例的成膜装置而在p型的GaN上形成了由ITO构成的透明电极的元件（以下作为比较例元件）、以及使用应用了实施例的成膜装置而在p型的GaN上形成了由ITO构成的透明电极的元件（以下作为实施例元件）的接触电阻率进行说明。

图5是表示具备由应用了比较例以及实施例的各个成膜装置形成的膜的元件特性的图表。另外，图5（a）所示的图表的横轴是接触电阻率，纵轴是累积度数（％）。此外，图5（b）所示的图表的横轴是接触电阻率，纵轴是度数（％）。在图5（a）以及图5（b）的图表中，以相对地表现比较例元件以及实施例元件的接触电阻率的大小的方式进行标准化。

如上述那样，实施例元件与比较例元件相比，形成的膜的损伤少且是均质的。进而，实施例元件由于与比较例元件相比膜（电极）的形成时的靶粒子的能量小，所以能使给予基板Sb的损伤变小。因此，如图5（a）以及图5（b）所示那样，实施例元件的接触电阻率的分布与比较例元件的接触电阻率的分布相比，整体上变小。

如以上所述那样，通过使用本发明的实施方式的成膜装置1，形成LED等发光装置所具备的由ITO构成的透明电极，从而能改善该发光装置的特性。具体地说，例如能降低该发光装置的阈值电压。

另外，从形成质量良好的膜的观点出发，优选将本发明的实施方式的成膜装置1按以下进行设定。

例如，优选使基板Sb和靶Ta间的距离大于等于50mm且小于等于150mm，并且，使靶Ta和磁场产生部4间的距离大于等于15mm且小于等于30mm。此外例如，优选驱动部5以大于等于10mm／秒且小于等于20mm／秒的速度对磁场产生部4进行驱动。此外例如，优选使在靶Ta的表面内，与磁场产生部4的对置的区域的磁通密度大于等于0.03T且小于等于0.12T。此外例如，优选使形成膜时的腔室7的内部为大于等于0.4Pa且小于等于1Pa的氩环境。此外例如，优选使形成膜时的基板Sb的温度小于等于50℃（大于等于室温、无基板加热）。此外例如，优选使形成膜时提供给靶Ta（支承板3）的直流功率大于等于200W且小于等于1200W。

例如，使磁场产生部4的磁通密度变大，有能降低鞘层电压的绝对值的优点，但其反面是，伴随着磁铁的大型化或复杂化，装置变大型化或复杂化，需要进行装置的大幅的设计变更，由此有会使成本变高等缺点。因此，优选通过使磁场产生部4的磁通密度收敛到上述的范围内，从而消除该缺点，通过限定磁场产生部4的驱动范围，从而使鞘层电压的绝对值以及变动变小。

此外，这些设定范围内的最佳值能根据成膜装置的构造、生成的膜的种类等而变动。例如，在本发明的实施方式的成膜装置1中，上述的成膜条件为最佳值。

此外，虽然在本发明的实施方式的成膜装置1中，对磁场产生部4与垂直于水平面地对屏蔽部6投影时的射影在驱动方向上的距离进行了规定，但也可以对垂直于驱动方向的方向（磁场产生部4的长尺寸方向）的距离也同样地进行规定。即，也可以使磁场产生部4与垂直于水平面地对屏蔽部6投影时的射影在垂直于驱动方向的方向上的距离大于等于10mm（优选大于等于20mm，此外优选小于等于30mm）。但是，在这种情况下，有时需要使磁场产生部4的长尺寸方向的长度变短等成膜装置的设计变更。

由于如上述的本发明的实施方式的成膜装置1那样，在磁场产生部4为棒状的情况下，等离子体能沿磁场产生部4的长尺寸方向产生，所以磁场产生部4的长尺寸方向的侧面与屏蔽部6的距离会较强地影响鞘层电压。因此，即使仅对磁场产生部4与垂直于水平面地对屏蔽部6投影时的射影在驱动方向上的距离进行规定，也能充分降低鞘层电压。进而，当这样构成时，不需要磁场产生部4等的变更，仅通过对利用驱动部5的磁场产生部4的驱动方法进行变更即可。因此，对以往的成膜装置来说，能容易地应用本发明。

此外，本发明即使对于磁场产生部4被直线式往复驱动的成膜装置1以外的成膜装置，也能够应用。具体地说例如，也能将本发明应用到磁场产生部被旋转驱动的成膜装置中。不管是在哪样的成膜装置中应用本发明的情况，只要在磁场产生部位于驱动范围的边界时（根据情况而总是），磁场产生部与垂直于水平面地对屏蔽部投影时的射影的距离大于等于10mm（优选大于等于20mm，此外优选小于等于30mm）即可。

但是，由于如上述的本发明的实施方式的成膜装置1那样，当对等离子体的产生区域的端边与屏蔽部的端边的重叠大的成膜装置应用本发明时，能有效降低鞘层电压，所以特别优选。

本发明能利用于磁控溅射装置等成膜装置和具备由该成膜装置形成的电极的发光装置。

Claims (12)

1.一种成膜装置，其通过利用等离子体对靶进行溅射，从而在配置于所述靶的表面侧的基板上形成包含构成所述靶的材料的膜，所述成膜装置具备：

腔室，在内部进行所述膜的形成；

屏蔽部，在所述腔室内配置成包围所述靶的侧方；

棒状的磁场产生部，产生磁场，并配置于所述屏蔽部的内侧且配置于所述靶的背面侧；以及

驱动部，在作为垂直于所述靶的正反面方向的面的水平面内，沿作为垂直于所述磁场产生部的长尺寸方向的方向的驱动方向，对所述磁场产生部进行直线往复驱动，

在所述磁场产生部位于由所述驱动部驱动的范围的边界时，所述磁场产生部与垂直于所述水平面地对所述屏蔽部投影时的射影在所述驱动方向上的距离大于等于10mm。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，在所述磁场产生部位于由所述驱动部驱动的范围的边界时，所述磁场产生部与垂直于所述水平面地对所述屏蔽部投影时的射影在所述驱动方向上的距离大于等于20mm。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述磁场产生部的在所述靶侧且在所述水平面内的外周侧的极性和在所述靶侧且在所述水平面内的中心侧的极性不同。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，在所述磁场产生部位于由所述驱动部驱动的范围的边界时，所述磁场产生部与垂直于所述水平面地对所述屏蔽部投影时的射影在所述驱动方向上的距离小于等于30mm。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述驱动部以大于等于10mm／秒且小于等于20mm／秒的速度，对所述磁场产生部进行驱动。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

所述基板以及所述靶间的距离大于等于50mm且小于等于150mm，

所述靶以及所述磁场产生部间的距离大于等于15mm且小于等于30mm。

7.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述靶表面内的与所述磁场产生部对置的区域的磁通密度大于等于0.03T且小于等于0.12T。

8.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，形成所述膜时的所述腔室的内部为大于等于0.4Pa且小于等于1Pa的氩环境。

9.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，形成所述膜时的所述基板的温度小于等于50℃。

10.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，在形成所述膜时提供给所述靶的直流功率大于等于200W且小于等于1200W。

11.一种成膜装置，其通过利用等离子体对靶进行溅射，从而在配置于所述靶的表面侧的基板上形成包含构成所述靶的材料的膜，所述成膜装置具备：

腔室，在内部进行所述膜的形成；

屏蔽部，在所述腔室内配置成包围所述靶的侧方；

磁场产生部，产生磁场，并配置于所述屏蔽部的内侧且配置于所述靶的背面侧；以及

驱动部，在作为垂直于所述靶的正反面方向的面的水平面内，对所述磁场产生部进行驱动，

在所述磁场产生部位于由所述驱动部驱动的范围的边界时，所述磁场产生部与垂直于所述水平面地对所述屏蔽部投影时的射影的距离大于等于10mm。

12.一种发光装置，其具备：使用权利要求1～11的任一项所述的成膜装置而形成的由氧化铟锡构成的电极。

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