CN1027482C - 行消隐电路 - Google Patents

Abstract

具有集成化电子部件的行消隐电路，其特征在于：从送至电路的回扫脉冲中产生行消隐电路，从而利用控制脉冲(phi1和phi2)，阻止产生由回扫脉冲的阻尼振荡引起的其它可能的行消隐脉冲。

Description

本发明涉及在图像重放装置中产生行消隐脉冲电路。

在采用行扫描方式的图像重放装置中，为了避免图像重放时的干扰条纹，在水平回扫期间电子束是消隐的。对于这种消隐来说，就需要一个行消隐脉冲。它通常是由水平回扫脉冲产生的，该水平回扫脉冲经常还附加一些二极管进行高压整流，并且输出一个相应改变了形状的回扫脉冲。回扫脉冲（图1）近似由一个在行回扫期间将正半周正弦波形状的脉冲叠加在负的直流电压上构成，因此半个正弦波的大部分为正电压值。

然而，欠载下的行输出变压器会在回扫脉冲中产生不需要的前冲和后冲（阻尼振荡）。

并已有一些比较电路，例如《汤姆逊半导体数据手册1986.用户IC′S》中的TEA2029这种电路，该电路通过阈值电压和比较器从回扫脉冲得到行消隐脉冲。然而，对于阈值电压的大小，人们通常必须采取一种折衷的办法：如果将阈值电压设定高一些，那么就有利于得到一个干净的但是相对短的开始晚的行消隐脉冲输入信号;如果将 阈值电压设定低一些，那么就有利于得到一个开始早并持续时间较长的行消隐脉冲，然而由于阻尼振荡，会冒后消隐的危险。这意味着比较器的阈值电压在半周正弦波的末尾阻尼振荡的脉冲峰值瞬时超过，并且比较器电路由此产生另外的输出脉冲，该脉冲会将使有效帧的某些边缘消隐。

本发明的目的是给出一种改进的行消隐电路，它能产生一个开始早的行消隐脉冲，而不会另外产生干扰输出脉冲。

这一任务是通过从送至消隐电路的回扫脉冲中产生行消隐脉冲，并利用控制脉冲阻止产生由回扫脉冲的阻尼振荡引起的其它的可能的消隐脉冲完成的。

问题的解决基于这样一个事实，即阈值电压设得较低，并且从半个正弦波的下降边开始时起到阻尼振荡已衰减到安全值止的一段特定的时间内对行消隐进行控制即通过比较器电路中的附加电路，来防止对比较器电路进行新的设定。

下面结合附图对本发明的实施例进行说明。

图1是带有阻尼振荡的回扫脉冲。

图2是本发明的行消隐电路。

图1表示一个典型的回扫脉冲，其幅度为63Vss，因此正向峰值为大约60V。图中画出了OV线。在回扫脉冲的后部可以看到一些阻尼振荡，第一次振荡的峰值超过OV线。回扫脉冲也可以具有相反的极性，并且可相应加以倒相。

图2表示一个具有回扫脉冲输入端21的行消隐电路。回扫脉冲经一个图中未画出的保护电阻与输入端21相连晶体管Q21和Q23构成一个比较器。回扫脉冲送至晶体管Q23的基极，而阈值电压，例如1.3V送至晶体管Q21的基极，作为基准电压。这样，晶体管Q20的发射极电压大约为0.6V。根据上述实例，在行扫描期间，回扫电压为-3V。保护电阻上的电压（大约3.6V）和该电阻的阻值决定流入输入端21的负载独立电流。

出现在图像重放装置中的信号phi1被送至输入端22。

phi1是一个频率为行扫描频率的方波信号，其逻辑电平近似在回扫脉冲中部部分出现的时候发生变化。回扫脉冲期望在例如phi1信号边缘周围±5微秒处出现。

本发明的实质内容如下：在行扫描期间，电容器C1通过输入端21流入的负载独立电流充电，到一定的电平。如果回扫脉冲的上升沿例如比负载独立电流低5%，那么行消隐脉冲是有效的。电容器C1从接下来的第一时刻直至第二时刻都保持充电状态。如果负载电流再次升高电流值，例如达到其在行扫描期间所具有的值的95%以上，那么行消隐脉冲终止。位于回扫脉冲中部的phi1信号的边沿在回扫脉冲持续期间有利于防止由回扫脉冲的阻尼振荡引起的新的行消隐脉冲。这一段时间之后，例如通过phi1信号可以再次开始行消隐脉冲。

电容器的值例如在10-15PF之间。由于电容量小（因此容易 集成化），所以由晶体管Q12提供的充电电流和放电电流也相应地只有大约1微安。输出端23提供一个从回扫脉冲得到的方波phi2，该方波的变换边沿位于将要产生的行隐脉冲之中。phi2信号在内部用来将C1的充放电过程限制在一个特定的时间段。因此，尽管C1的电容量很小，也能得到明显的充放电电压。第一时刻例如与信号phi2的上升沿重合，而第二时刻与其相应的下降沿重合。

回扫脉冲开始之前，行消隐电路中的电容器C1自充电，其电压是由Q13基极的负载独立电流引起的。负载独立电流是由保护电阻和行扫描期间的回扫脉冲的负直流电压决定的。C1上的电压实际上代表一个基准电压。行消隐电路便于自调节，它能将自身自动调节至回扫脉冲容许的范围，因为在行扫描期间它被箝位在该基准电压。调整不再是必需的。由于信号phi2瞬间中断另外的行消隐脉冲，所以行输出变压器中的阻尼振荡不再产生干扰。

晶体管Q10和Q13构成差动放大器;晶体管Q11和Q14代表电流反射器（电流反射镜（current    mirror））。电阻R9与R10的比值（例如500/10，000，即5%）确定为了触发行消隐脉冲Q9的基极电压与电容器C1的电压相比必须上升的幅度。如果Q9的基极电压低于电容器C1的电压，那么中断行消隐脉冲。此时，Q13的基极电压高出电容器C1的电压5%。

晶体管Q20的基极被电阻R7和R8箝在1.3V。一旦回扫脉冲的上升沿超过1.3V，通过比较器Q21和Q23，电阻R6上的电压就 上升。于是，电阻R6上便呈现信号phi2，它部分地位于将要形成的，从回扫脉冲部分得到的行消隐脉冲之中，该回扫脉冲确保没有阻尼振荡。

差动放大器Q10和Q13施加的电流例如为1微安，只有没有信号phi2，电容器C1就分别根据Q10和Q13的基极电压充放电。在行扫描期间，基准电压通过电容器C1自行调整。在回扫脉冲期间仍维持该基准电压。

因此，当信号phi2出现时（第一时刻），差动放大器Q10和Q13的电流切断，存储在电容器C1上的基准电压从行消隐脉冲开始至第一时刻这一段时间内发生改变。如果第二时刻没有准确地和行消隐脉冲的末端重合，那么也会出现相应的变化。然而，由于回扫脉冲的上升沿和下降沿分别都很陡，电容器C1的容量为15PF，电容器C1的1微安的充电电流很小以及漏电流可忽略，所以在这段很短的时间内，由电容器C1存储的基准电压实际上不受影响。

两个晶体管Q13和Q6以及两个电阻R3和R4构成触发器，它由晶体管Q5和经晶体管Q1的phie1信号触发。phi1信号防止因回扫脉冲的阻尼振荡而产生一个不需要的行消隐脉冲。行消隐信号可以在输出端24从触发器的输出信号得到。

输入端21的回扫脉冲反相时，行消隐电路可作相应的修改。

Claims (6)

1、一种具有集成化电子部件的行消隐电路，用于在输出端(24)产生行消隐脉冲，其特征在于该电路在第一输入端(21)接收一个回扫脉冲，在第2输入端(22)接收具有行频的第一控制信号(phi1)，其第一逻辑电平变化被暂时设在所述回扫脉冲的中部左右而其第二逻辑电平变化被暂时设在两个相继的所述的回扫脉冲之间，其特征还是于该电路评测具有行频的第二控制信号(phi2)，其转换边沿被暂的设定的在所述的行消隐脉冲之内；所述电路还包括：

一个比较器(Q10，Q11，Q13，Q14)，伴有一个存储装置(C1)，将存储在存储装置中一个基准值与由所述回扫脉冲的信号特性决定的偏差值(R10，R9)进行比较，

一个切断装置(Q12，R6)，与所述的比较器(Q10，Q11，Q13，Q14)相连，利用所述的第二控制信号(phi2)禁示所述的基准值在相关的转换边沿之间的变化，

转换装置(R1，Q1，Q3，R3，R4，Q6)，与所述的比较器(Q10，Q11，Q13，Q14)相接，接收所述的第一控制信号(phi1)和一个第三控制信号该信号产生与所述基准值之间的偏差并在其输出端产生行消隐脉冲，从而在所述的转换装置(R1，Q1，Q3，R3，R4，Q6)中，利用所述的第一控制信号(phi1)，因所述的与基准值的偏差的重复而另外产生的消隐脉冲得以抑制，这种另外产生的行消隐脉冲是在所述回扫脉冲的后部因阻尼振荡而产生。

2、根据权利要求1的行消隐电路，其特征在于所述的存储装置包括一个电容器（C1）。

3、根据权利要求2的行消隐电路，其特征在于所述的切断装置（Q12，R6）周期性切断提供给比较器（Q10，Q11，Q13，Q13）的电源并向所述的电容器加载电流。

4、根据权利要求2或3的行消隐电路，其特征在于所述的电容器（C1）主要是在行扫描期间被充电的。

5、根据权利要求1-4的行消隐电路，其特征在于所述的第2控制信号（phi2）是由另外的比较器（Q21，Q23）从加到第一输入端（21）的回扫脉冲中产生的，所述比较器（Q21，Q23）的输出端接于所述的切断装置（Q12，R6）。

6、根据权利要求5的行消隐电路，其特征在于所述的比较器（Q21，Q23）的输入端接于所述的提供所述偏差值的装置（R10，R9）。

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