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CN102676105A - 高热传导性膜状接着剂，该接着剂用组合物，使用该接着剂的半导体封装件及其制造方法 - Google Patents

高热传导性膜状接着剂，该接着剂用组合物，使用该接着剂的半导体封装件及其制造方法 Download PDF

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CN102676105A
CN102676105A CN2012100710497A CN201210071049A CN102676105A CN 102676105 A CN102676105 A CN 102676105A CN 2012100710497 A CN2012100710497 A CN 2012100710497A CN 201210071049 A CN201210071049 A CN 201210071049A CN 102676105 A CN102676105 A CN 102676105A
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矢野博之
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Nippon Steel Chemical Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种高热传导性膜状接着剂，该接着剂用组合物，使用该接着剂的半导体封装件及其制造方法，由该高热传导性膜状接着剂用组成物可得到与被着体的密着性优异，加工刀片的磨耗率够小，且硬化后发挥优异热传导性的高热传导性膜状接着剂。该高热传导性膜状接着剂用组成物的特征为含有环氧树脂(A)、环氧树脂硬化剂(B)、无机填充剂(C)及苯氧树脂(D)，所述无机填充剂(C)满足下述(i)～(iii)的所有条件，并且所述无机填充剂(C)的含量为30～70体积％：(i)平均粒径为0.1～5.0μm；(ii)莫氏硬度为1～8；(iii)热传导率为30W/(m·k)以上。

Description

高热传导性膜状接着剂,该接着剂用组合物,使用该接着剂的半导体封装件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种高热传导性膜状接着剂用组成物、高热传导性膜状接着剂、使用该高热传导性膜状接着剂的半导体封装件及其制造方法。 
背景技术
近年，电子机器的小型化及高性能化正进展中，其内部所搭载的半导体封装件的高性能化也有进展，半导体封装件内部的半导体组件的处理速度更加高速化。然而，伴随处理速度的高速化，半导体组件表面容易产生热，所产生的热会造成例如半导体组件的运行速度降低或引起电子机器的故障的问题。 
为了排除这些热所致的不良影响，而对半导体封装件的构成构件要求将产生的热排放到封装件外部的热传导性。此外，对接合半导体组件及配线基板之间或者半导体组件彼此之间的晶粒黏着(die attach)材料，要求有高的热传导性，同时有充分的绝缘性、接着信赖性。 
另外，如此的晶粒黏着材料以往大多是以糊状(paste)形态使用，但因伴随半导体封装件的高性能化而要求封装件内部的高密度安装化，所以，为了防止因树脂流动或树脂攀爬等所致的对半导体组件或导线垫(wire pad)等其它构件的污染，近年则增加使用膜状形态(晶粒黏着膜)。 
然而，在将晶粒黏着膜贴合至晶圆(wafer)背面时，或在将设置有晶粒黏着膜的半导体组件予以安装的所谓晶粒黏着步骤中，因为晶圆背面，尤其是搭载半导体组件的配线基板表面不一定为平滑面状态，所以，若所述贴合时或所述搭载时晶粒黏着膜的黏度低，则晶粒黏着膜与被着体之间的密着性降低，有空气被摄入两者的界面的情形。被摄入的空气不仅使晶粒黏着膜在加热硬化后的接着力降低，并且有成 为封装破裂的原因的问题。 
以往，就可作为所谓晶粒黏着膜而使用的材料而言，例如，专利文献1中记载由氢氧化铝与二氧化硅所构成的热传导性填料、及由硅类树脂所构成的热传导构件的薄片。然而，专利文献1所记载的热传导构件的薄片，虽然具有高到某种程度的热传导性，但是与被着体的间的密着性仍有问题。 
此外，专利文献2中记载由含有氧化硅等无机填料的环氧树脂所构成的接着薄片。然而，专利文献2所记载的接着薄片，虽然具有高的热传导性和绝缘性及某种程度的黏着性，但是对被着体的密着性仍不充分。 
另外，专利文献3中记载由含有环氧树脂、硬化剂、硬化促进剂及特定氧化铝粉末的树脂所构成的膜状接着剂。然而，专利文献3所记载的膜状接着剂，虽然具有高的热传导性及绝缘性，但是对被着体的密着性仍不充分。 
[现有技术文献] 
[专利文献] 
[专利文献1]日本特开2009-286809号公报 
[专利文献2]日本特开2008-280436号公报 
[专利文献3]日本特开2007-246861号公报 
发明内容
(发明所欲解决的问题) 
半导体封装件的制造步骤中，在将晶粒黏着膜与形成有半导体组件的晶圆同时切断的所谓切割(dicing)步骤中，也必须使晶粒黏着膜所致的加工刀片的磨耗率小。 
然而，本发明人们发现，若为了提升晶粒黏着膜的热传导性而使用所述专利文献1～3所记载的氢氧化铝等热传导性的无机填充剂时，晶粒黏着膜所致的加工刀片的磨耗率变大，虽然切断步骤(切割步骤)开始后暂时可如预定进行切断，但是晶粒黏着膜的切断量逐渐变不充分，如图1所示，会产生晶粒黏着膜未被完全切断的部分，而造成加工不良。 
此外，本发明人们发现，若为了不产生这种缺陷而提高刀片的交换频率，则生产性会降低，连带使成本上升，另一方面，若使用摩耗量小的刀片，则会使晶圆缺损，而产生碎屑(chipping)等，所以引起产量降低的问题。 
本发明是有鉴于所述先前技术具有的课题所成者，目的是提供一种高热传导性膜状接着剂用组成物、高热传导性膜状接着剂、使用该高热传导性膜状接着剂的半导体封装件及其制造方法，由该高热传导性膜状接着剂用组成物可得到与被着体的密着性优异，加工刀片的磨耗率够小，且硬化后发挥优异热传导性的高热传导性膜状接着剂。 
(用于解决问题的手段) 
本发明人们为了达成所述目的而重复深入研究，结果发现通过使膜状接着剂于80℃的熔融黏度成为10000Pa·s以下，经由热压接合(thermocompression bonding)而可得到与被着体的优异密着性，另外，发现通过使用含有环氧树脂、环氧树脂硬化剂、苯氧树脂及特定含量的特定无机填充剂的高热传导性膜状接着剂用组成物，可得到具有所述溶融特性，加工刀片的磨耗率够小，且硬化后发挥优异热传导性的高热传导性膜状接着剂，因而完成本发明。 
换句话说，本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物的特征为含有环氧树脂(A)、环氧树脂硬化剂(B)、无机填充剂(C)及苯氧树脂(D)，所述无机填充剂(C)满足下述(i)～(iii)的所有条件，并且所述无机填充剂(C)的含量为30～70体积％： 
(i)平均粒径为0.1～5.0μm； 
(ii)莫氏硬度(Mohs′hardness)为1～8； 
(iii)热传导率为30W/(m·K)以上。 
本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物中，所述环氧树脂(A)优选为下述式(1)所示的三苯基甲烷型环氧树脂，所述无机填充剂(C)更优选为氮化铝： 
Figure BDA0000144176990000041
[式(1)中，n表示0～10的整数]。 
此外，本发明的高热传导性膜状接着剂是通过将所述本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物进行加热干燥而得到，该高热传导性膜状接着剂的厚度为10～150μm，其使用流变计(rheometer)在从20℃以10℃/分钟的升温速度加热时所观测到的于80℃的熔融黏度为10000Pa·s以下，热硬化后的热传导率优选为1.0W/(m·K)以上。 
另外，本发明的半导体封装件的制造方法包含下述步骤： 
第1步骤：将所述本发明的高热传导性膜状接着剂热压接合于表面形成有半导体电路的晶圆的背面而设置接着剂层； 
第2步骤：在将所述晶圆与切割胶带(dicing tape)经由所述接着剂层而接着后，通过将所述晶圆与所述接着剂层同时切割，而得到具备所述晶圆与所述接着剂层的半导体组件； 
第3步骤：使切割胶带从所述接着剂层脱离，将所述半导体组件与配线基板经由所述接着剂层而热压接合；以及 
第4步骤：使所述高热传导性膜状接着剂进行热硬化；并且，本发明的半导体封装件是通过所述本发明的半导体封装件的制造方法而得到者。 
此外，依据本发明的构成而达成所述目的的理由虽不明确，但本发明人们推测如下。换句话说，本发明中，通过使用含有环氧树脂、环氧树脂硬化剂、苯氧树脂及特定含量的特定无机填充剂的高热传导性膜状接着剂用组成物，而可得到在特定温度范围中会成为特定的低熔融黏度的高热传导性膜状接着剂。因此，例如与专利文献2所记载的通过在单纯半硬化状态(B阶段状态)而提升黏着性的接着薄片、或专 利文献3所记载的通过提升抗拉强度等而提升接着性的膜状接着剂作比较，本发明人们推测本发明的高热传导性膜状接着剂是通过在所述特定温度范围进行热压接合而可无缝隙地填补与表面有凹凸的被着体的界面，因此可发挥更优异的密着性。 
此外，本发明人们推测本发明是因为以特定含量含有具有特定硬度及粒径的无机填充剂，所以，使用本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物所得到的高热传导性膜状接着剂可使加工刀片的磨耗率变小。 
(发明效果) 
依据本发明，可提供一种高热传导性膜状接着剂用组成物、高热传导性膜状接着剂、使用该高热传导性膜状接着剂的半导体封装件及其制造方法，由该高热传导性膜状接着剂用组成物可得到与被着体的密着性优异，加工刀片的磨耗率够小，且硬化后发挥优异热传导性的高热传导性膜状接着剂。 
附图说明
图1是表示以往的切割步骤中，因加工刀片摩耗而造成加工不良的相片。 
图2A是表示本发明的半导体封装件的制造方法的第1步骤的适宜的一实施例的概要纵剖面图。 
图2B是表示本发明的半导体封装件的制造方法的第2步骤的适宜的一实施例的概要纵剖面图。 
图2C是表示本发明的半导体封装件的制造方法的第3步骤的适宜的一实施例的概要纵剖面图。 
图2D是表示本发明的半导体封装件的制造方法的将焊线予以连接的步骤的适宜的一实施例的概要纵剖面图。 
图2E是表示通过本发明的半导体封装件的制造方法所制造的半导体封装件的适宜的一实施例的概要纵剖面图。 
主要组件符号说明 
1  晶圆 
2  接着剂层 
3  切割胶带 
4  半导体组件 
5  配线基板 
6  焊线 
7  密封树脂 
8  半导体封装件。 
具体实施方式
以下以适宜的实施例详细说明本发明。 
首先，说明本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物。本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物含有环氧树脂(A)、环氧树脂硬化剂(B)、无机填充剂(C)及苯氧树脂(D)，所述无机填充剂(C)满足下述(i)～(iii)的所有条件，且所述无机填充剂(C)的含量为30～70体积％： 
(i)平均粒径为0.1～5.0μm； 
(ii)莫氏硬度为1～8； 
(iii)热传导率为30W/(m·K)以上。 
本发明的环氧树脂(A)为具有环氧基的热硬化性树脂，就如此的环氧树脂(A)而言，重量平均分子量优选为300～2000，更优选为300～1500。重量平均分子量未达所述下限时，单体或二聚体会增加并且结晶性变强，所以，膜状接着剂有变脆弱的倾向，另一方面，超过所述上限时，膜状接着剂的熔融黏度变高，所以，加压接合于配线基板时无法充分埋入基板上的凹凸，与配线基板的密着性有降低的倾向。另外，本发明中，重量平均分子量是指通过凝胶渗透层析(GPC)(商品名：HLC-82A(TOSOH(株)制)，溶媒：四氢呋喃，管柱：TSKgelG2000HXL(TOSOH(株)制)(2根)、G4000HXL(TOSOH(株)制)(1根)，温度：38℃，速度：1.0ml/分钟)而测定，以标准聚苯乙烯(商品名：A-1000，TOSOH(株)制)换算的值。 
所述环氧树脂(A)可为液体、固体或半固体的任一个。本发明中，所述液体是指软化点未达50℃者，所述固体是指软化点为60℃以上者，所述半固体是指软化点位于所述液体的软化点与固体的软化点之间(50℃以上且未达60℃)者。就所述环氧树脂(A)而言，从得到可于适宜 的温度范围(例如60～120℃)达到低熔融黏度的膜状接着剂的观点来看，软化点优选为100℃以下。另外，本发明中，软化点是指通过软化点试验(环球式)法(测定条件：依据JIS-2817)而测定的值。 
所述环氧树脂(A)中，从因硬化体的交联密度变高，结果使所调配的无机填充剂(C)彼此的接触机率变高且接触面积变广而得到高热传导率的观点来看，环氧当量优选为500g/eq以下，更优选为150～450g/eq。另外，本发明中，环氧当量是指含有1克当量环氧基的树脂的克数(g/eq)。 
所述环氧树脂(A)的骨架可例举酚酚醛(phenol novolac)型、邻甲酚酚醛(o-cresol novolac)型、甲酚酚醛(cresol novolac)型、双环戊二烯型、联苯型、蔸双酚型、三(triazine)型、萘酚型、萘二醇型、三苯基甲烷型、四苯基型、双酚A型、双酚F型、双酚AD型、双酚S型、三羟甲基甲烷型等，从得到树脂的结晶性低且具有良好外观的膜状接着剂的观点来看，优选为三苯基甲烷型、双酚A型、甲酚酚醛型、邻甲酚酚醛型，而从使交联密度变更高，并且在使膜状接着剂硬化时有提升分子结构的秩序性且提升热传导性的倾向的观点来看，所述环氧树脂(A)更优选为下述式(1)所示的三苯基甲烷型环氧树脂： 
Figure BDA0000144176990000071
[式(1)中，n表示0～10的整数]。 
所述环氧树脂(A)可单独使用1种或组合使用2种以上，当组合使用2种以上时，例如，从容易调控组成物的黏度，且即使于低温(优选为40～80℃)实施使膜状接着剂与晶圆进行热压接合的步骤(晶圆积层步骤)时，也有能发挥晶圆与膜状接着剂的密着性的倾向的观点来看，优选为将软化点为50～100℃的环氧树脂(a1)与软化点未达50℃的环氧 树脂(a2)组合使用。 
所述环氧树脂(a1)于室温下为固体或半固体，软化点优选为50～100℃，更优选为50～80℃。软化点未达所述下限时，所得的膜状接着剂黏度降低，所以，常温时有难以保持膜形状的倾向，另一方面，超过所述上限时，所得的膜状接着剂有难以于适宜的温度范围(例如60～120℃)达到低熔融黏度的倾向。 
所述环氧树脂(a1)，重量平均分子量优选为超过500且2000以下，更优选为600～120。重量平均分子量未达所述下限时，单体或二聚体会增加并且结晶性变强，所以，膜状接着剂有变脆弱的倾向，另一方面，超过所述上限时，膜状接着剂的熔融黏度变高，所以，加压接合于配线基板时无法充分埋入基板上的凹凸，与配线基板的密着性有降低的倾向。 
如此的环氧树脂(a1)的骨架，从得到树脂结晶性低且具有良好外观的膜状接着剂的观点来看，优选为三苯基甲烷型、双酚A型、甲酚酚醛型、邻甲酚酚醛型，而从使交联密度变更高，并且在使膜状接着剂进行硬化时有提升分子构造的秩序性且提升热传导性的倾向的观点来看，所述环氧树脂(a1)更优选为三苯基甲烷型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、甲酚酚醛型环氧树脂，再更优选为所述式(1)所示的三苯基甲烷型环氧树脂。 
就所述环氧树脂(a2)而言，从即使于低温(优选为40～80℃)实施使膜状接着剂与晶圆进行热压接合的步骤(晶圆积层步骤)时，也有能发挥晶圆与膜状接着剂的密着性的倾向的观点来看，软化点优选为未达50℃，软化点更优选为40℃以下。如此的环氧树脂(a2)，重量平均分子量优选为300～500，更优选为350～450。重量平均分子量未达所述下限时，单体会增加并且结晶性变强，所以，膜状接着剂有变脆弱的倾向，另一方面，超过所述上限时，熔融黏度变高，所以，在晶圆积层步骤时晶圆与膜状接着剂的密着性有降低的倾向。 
如此的环氧树脂(a2)的骨架，从得到树脂的结晶性低且具有良好外观的膜状接着剂的观点来看，优选为属于寡聚物型的液状环氧树脂的双酚A型、双酚A/F混合型、双酚F型、环氧丙烷(propylene oxide)改质双酚A型，从熔融黏度低而使结晶性更低的观点来看，所述环氧树 脂(a2)更优选为双酚A型环氧树脂、双酚A/F混合型环氧树脂。 
所述环氧树脂(a1)及所述环氧树脂(a2)的比例，优选为质量比(a1∶a2)为95∶5～30∶70，更优选为70∶30～40∶60。环氧树脂(a1)的含量未达所述下限时，膜状接着剂的膜黏性变强而有变得难以从覆膜(cover film)或切割胶带剥离的倾向，另一方面，超过所述上限时，组成物的黏度变高，所得的膜状接着剂的性状有变脆弱的倾向。 
所述环氧树脂(A)，在本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物中的含量优选为5～30质量％，更优选为10～25质量％。所述含量未达所述下限时，硬化时的交联密度变高且树脂成分变少，所以，有膜状接着剂的热传导率不易提升的倾向，另一方面，超过所述上限时，因主成分为寡聚物，所以，有即使只有些微的温度变化，膜状态(膜黏性等)也容易变化的倾向。 
本发明的环氧树脂硬化剂(B)可使用胺类、酸酐类、多元酚类等公知硬化剂，但从使所述环氧树脂(A)及所述苯氧树脂(D)于超过会成为低熔融黏度的温度范围的高温下发挥硬化性，具有速硬化性，并且得到可于室温长期保存的保存安定性高的膜状接着剂用组成物的观点来看，优选为使用潜在性硬化剂。所述潜在性硬化剂可例举如二氰二胺(dicyandiamide)、咪唑类、酰肼(hydrazide)类、三氟化硼-胺错合物、胺酰亚胺、聚胺盐、以及这些的改质物或微胶囊型者。这些可单独使用1种或组合使用2种以上。 
所述环氧树脂硬化剂(B)的含量，相对于所述环氧树脂(A)，通常为0.5～50质量％，优选为1～10质量％。含量未达所述下限时，硬化时间有变长的倾向，另一方面，超过所述上限时，过量的硬化剂残留于膜状接着剂中，残留的硬化剂会吸附水分，所以，将膜状接着剂组入半导体后于信赖性试验中有容易发生不良情形的倾向。 
本发明的无机填充剂(C)，从可高填充化且具有流动性的观点来看，其为粒状，且其平均粒径必须为0.1～5.0μm。平均粒径未达所述下限时，填充剂彼此不易接触，膜状接着剂的热传导率变低。另一方面，平均粒径超过所述上限时，使用辊式刮刀涂布机(roll knife coater)等涂覆机制造薄型膜状接着剂时，填充剂会成为起因而使膜表面容易产生条状，膜状接着剂所致的加工刀片的磨耗率变大。另外，所述无机填 充剂(C)的平均粒径，从边担保热传导性且制作5μm以下的极薄膜的观点来看，优选为0.5～2.0μm。另外，在本发明中，平均粒径是指在通过雷射绕射/散射法(测定条件：分散媒为六偏磷酸钠，雷射波长：780nm，测定装置：Microtrac MT3300EX)而测定的粒子径分布中，以粒子的全体积作为100％时，粒子径的体积分率的累积曲线中累积50％时的粒子径。 
本发明的无机填充剂(C)的莫氏硬度为1～8。莫氏硬度超过所述上限时，膜状接着剂所致的加工刀片的磨耗率变大。此外，所述无机填充剂(C)的莫氏硬度，从通过确保膜状接着剂的适当磨耗性而防止加工刀片刀刃的树脂阻塞的观点来看，优选为3～8。另外，本发明中，莫氏硬度是指使用10阶段莫氏硬度计，对于测定物以从硬度小的矿物依序互相摩擦，以目测观察测定物是否有刮伤，而判断测定物的硬度的值。 
本发明的无机填充剂(C)的热传导率为30W/以上(m·K)。热传导率未达所述下限时，为了担保目的的热传导率而调配许多无机填充剂，结果膜状接着剂的熔融黏度上升，加压接合于配线基板时无法充分埋入基板的凹凸，与配线基板的密着性降低。此外，所述无机填充剂(C)的热传导率，从以少量填充量担保高的热传导率的观点来看，特别优选为100W/(m·K)以上。另外，本发明中，填充剂的热传导率是指通过雷射闪光法(laser flash method)(测定条件：激光脉冲宽度0.4ms，雷射波长1.06μm，测定装置：ULVAC(株)制TC7000型)测定热扩散率，从其值与填料种的密度与比热的乘积所计算出的值。 
本发明的无机填充剂(C)的材质只要是具有电气绝缘性及所述热传导率者即可，可例举如氮化铝、氧化镁、氮化硼、氢氧化铝等。这些中，所述无机填充剂(C)，从在膜状接着剂中于硬化后发挥优异的热传导性的观点来看，优选为氮化铝。此外，所述无机填充剂(C)可单独使用1种或组合使用2种以上，当组合使用2种以上时，从可得到具有更高的热传导率的膜状接着剂的观点来看，更优选为所述无机填充剂(C)中至少1种是氮化铝，再更优选为相对于所述无机填充剂(C)的总量，有50体积％以上为氮化铝。 
本发明的无机填充剂(C)在本发明的高热传导性膜状接着剂用组成 物中的含量为30～70体积％。含量未达所述下限时，膜状接着剂的硬化后的热传导率降低，用于半导体封装件时对封装件外部的放热效率降低。另一方面，超过所述上限时，因作用为黏合剂(binder)的环氧树脂(A)及苯氧树脂(D)的含量相对地变少，所以，膜状接着剂的性状变脆弱。此外，从使热硬化后的膜状接着剂得到高热传导率(优选为1.0W/(m·K)以上)且可抑制膜状接着剂的熔融黏度上升，并且在加压接合于配线基板时充分埋入基板上的凹凸而有可担保与基板的密着性的倾向的观点来看，所述含量特别优选为40～60体积％。 
本发明的苯氧树脂(D)是重量平均分子量为10000以上的热可塑性树脂。通过使用如此的苯氧树脂(D)，在得到的膜状接着剂中，使于室温下的黏性或脆弱性被消除。 
所述苯氧树脂(D)，重量平均分子量优选为30000～100000，更优选为40000～70000。重量平均分子量未达所述下限时，有膜状接着剂的支持性变弱且脆弱性变强的倾向，另一方面，超过所述上限时，熔融黏度有变高的倾向。此外，所述苯氧树脂(D)的玻璃转移温度(Tg)优选为40～90℃，更优选为50～80℃。玻璃转移温度未达所述下限时，膜状接着剂于常温下的膜黏性变强，有变得难以从覆膜或切割胶带剥离的倾向，另一方面，超过所述上限时，膜状接着剂的熔融黏度变高，所以，加压接合于配线基板时无法充分埋入基板上的凹凸，与配线基板的密着性有降低的倾向。 
所述苯氧树脂(D)的骨架，可例举如双酚A型、双酚A/F型、双酚F型、双酚S型、双酚A/S型、二苯基蔸(cardo)骨架型等，由于其与所述环氧树脂(A)的结构相似，所以相溶性佳，此外，从熔融黏度低且接着性也佳的观点来看优选为双酚A型，从得到可于适宜的温度范围(例如60～120℃)达到低熔融黏度的膜状接着剂的观点来看优选为双酚A/F型，从具有高耐热性的观点来看优选为二苯基蔸骨架型。如此的苯氧树脂(D)，可例举如由双酚A与表氯醇(epichlorohydrin)所得的双酚A型苯氧树脂，由双酚A、双酚F与表氯醇所得的双酚A/F型苯氧树脂等。所述苯氧树脂(D)可单独使用其中1种或组合使用2种以上，此外，例如可使用YP-50S(双酚A型苯氧树脂，新日化Epoxy制造(株)制)、YP-70(双酚A/F型苯氧树脂，新日化Epoxy制造(株)制)、FX-316(双酚 F型苯氧树脂，新日化Epoxy制造(株)制)及FX-280S(二苯基蔸骨架型苯氧树脂，新日化Epoxy制造(株)制)等市售苯氧树脂作为所述苯氧树脂(D)。 
所述苯氧树脂(D)，在本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物中的含量优选为1～20质量％，更优选为3～10质量％。所述含量未达所述下限时，膜状接着剂的膜黏性变强，有变得难以从覆膜或切割胶带剥离的倾向，另一方面，超过所述上限时，膜状接着剂的熔融黏度变高，所以，加压接合于配线基板时无法充分埋入基板上的凹凸，有与配线基板的密着性降低的倾向。 
本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物中，除了所述环氧树脂(A)、所述环氧树脂硬化剂(B)、所述无机填充剂(C)及所述苯氧树脂(D)以外，只要在不阻碍本发明的效果的范围内，也可含有例如所述无机填充剂(C)以外的填充剂、偶合剂、抗氧化剂、阻燃剂、着色剂、丁二烯类橡胶或聚硅氧(silicone)橡胶等应力松弛剂等添加剂。本发明中，从可加强所述环氧树脂(A)与所述无机填充剂(B)的界面而得到具有优异的破坏强度及接着性的膜状接着剂的观点来看，优选为含有偶合剂，如此的偶合剂更优选为含有胺基、环氧基者。此外，含有这些添加剂时，其含量在本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物中优选为3质量％以下。 
其次，说明本发明的高热传导性膜状接着剂。本发明的高热传导性膜状接着剂是通过将所述高热传导性膜状接着剂用组成物进行加热干燥而得到。 
本发明的高热传导性膜状接着剂的制造方法中适宜的一实施例，可例举：将所述高热传导性膜状接着剂用组成物溶解于溶媒而制成清漆(varnish)，并将该清漆涂覆于经离型处理的基材后，施以加热干燥的方法。但不特别限于该方法。 
所述溶媒可适宜采用公知溶媒，可例举如甲苯、二甲苯等芳香族烃，甲基异丁基酮(MIBK)、甲基乙基酮(MEK)等酮类，乙二醇二甲醚(monoglyme)、二(乙二醇)二甲醚(diglyme)等醚类，以及这些的混合物等。所述经离型处理的基材，可适宜采用对公知基材进行离型处理者，可例举如经离型处理的聚丙烯(PP)、经离型处理的聚乙烯(PE)、经离型 处理的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等。所述涂覆方法可适宜采用公知方法，可例举如辊式刮刀涂布机、凹版涂布机、模具涂布机(die coater)、反向涂布机(reverse coater)等。 
所述加热干燥是于未达所述高热传导性膜状接着剂用组成物的硬化开始温度(换句话说，开始硬化的温度)的温度下进行。此温度是依使用的树脂的种类而异，无法一概而论，例如优选为40～100℃，更优选为60～100℃。温度未达所述下限时，残留于膜状接着剂的溶媒量多，膜黏性有变强的倾向，另一方面，若为硬化开始温度以上，则所述高热传导性膜状接着剂用组成物会硬化，而使膜状接着剂的接着性有降低的倾向。此外，所述加热干燥的时间是例如优选为10～60分钟。 
如此而得到的本发明的高热传导性膜状接着剂，厚度优选为10～150μm。厚度未达所述下限时，无法充分埋入配线基板表面的凹凸，有变得无法担保充分的密着性的倾向，另一方面，超过所述上限时，在制造时难以去除溶媒，残留溶媒量变多，有膜黏性变强的倾向。 
本发明的高热传导性膜状接着剂，使用流变计从20℃以10℃/分钟的升温速度加热时所观测的于80℃的熔融黏度可为10000Pa·s以下。所述熔融黏度更优选为10～10000Pa·s。熔融黏度未达所述下限时，在与晶圆接着时，因树脂流动或树脂攀爬等而有污染其它构件的倾向，另一方面，熔融黏度超过所述上限时，将膜状接着剂贴合至晶圆背面或具有凹凸的配线基板的表面时，有空气变得容易被摄入与被着体的界面的倾向。 
本发明的高热传导性膜状接着剂，因具有如此的熔融黏度特性，所以，可于适宜的温度范围(例如60～120℃)加压接合至被着体，对于被着体发挥优异的密着性。此外，本发明中，熔融黏度是指测定于预定温度中的溶融树脂的黏性阻力而得到的值，于80℃的熔融黏度是指使用流变计(商品名：RS150，Haake公司制)，于温度范围20～100℃、升温速度10℃/分钟测定黏性阻力的变化，所得的温度-黏性阻力曲线中，温度为80℃时的黏性阻力。 
此外，本发明的高热传导性膜状接着剂在热硬化后，热传导率可为1.0W/(m·K)以上。所述热传导率更优选为1.5W/(m·K)以上。热传导率未达所述下限时，产生的热有变得难以排放到封装件外部的倾向。 由于本发明的高热传导性膜状接着剂在硬化后会发挥如此优异的热传导率，所以，通过使本发明的高热传导性膜状接着剂与晶圆或配线基板等被着体密着且进行热硬化，而提升对半导体封装件外部的放热效率。另外，本发明中，此热硬化后的膜状接着剂的热传导率是指使用热传导率测定装置(商品名：HC-110，英弘精机(株)制)，通过热流计法(依据JIS-A1412)而测定热传导率的值。 
所述热硬化是于所述高热传导性膜状接着剂用组成物的硬化开始温度以上的温度进行。此温度是依使用的树脂的种类而异，无法一概而论，例如优选为120～180℃，更优选为120～140℃。温度未达硬化开始温度时，热硬化未充分进行，热硬化后的膜状接着剂的强度或热传导性有降低的倾向，另一方面，超过所述上限时，在硬化过程中，膜状接着剂中的环氧树脂、硬化剂或添加剂等会挥发而使接着剂层有变容易发泡的倾向。此外，所述硬化处理的时间是例如优选为10～180分钟。另外，所述热硬化，更优选为施加0.1～10MPa左右的压力。 
其次，一边参考附图一边详细说明本发明的半导体封装件的制造方法的适宜的实施例。此外，以下说明及附图中，对相同或相当的要素则注记相同的符号，省略重复说明。图2A～图2E为表示本发明的半导体封装件的制造方法的各个步骤的适宜的一实施例的概要纵剖面图。 
在本发明的半导体封装件的制造方法中，首先，第1步骤是如图2A所示，于表面形成有半导体电路的晶圆1的背面，将所述本发明的高热传导性膜状接着剂进行热压接合，设置接着剂层2。 
晶圆1可适宜使用表面形成有半导体电路的晶圆，可例举如硅晶圆、SiC晶圆、GaS晶圆等。接着剂层2可单独使用1层所述本发明的高热传导性膜状接着剂，也可积层使用2层以上。 
如此的将接着剂层2设置于晶圆1的背面的方法，可适宜采用可将所述高热传导性膜状接着剂积层于晶圆1的背面的方法，可例举如：将所述高热传导性膜状接着剂贴合于晶圆1的背面后，积层2层以上时是依序将高热传导性膜状接着剂积层直到成为期望的厚度为止的方法；或者预先将高热传导性膜状接着剂积层到目标厚度后，再贴合至晶圆1的背面的方法等。此外，将此接着剂层2设置于晶圆1的背面 时使用的装置无特别限制，例如可适宜使用辊式积层机(roll laminator)等公知装置。 
将接着剂层2设置于晶圆1的背面时，优选为于使所述高热传导性膜状接着剂的熔融黏度成为10000Pa·s以下的温度以上并且未达所述高热传导性膜状接着剂的热硬化开始温度的温度范围内的温度，将所述高热传导性膜状接着剂贴合至晶圆1的背面。这些温度条件，依使用的树脂的种类而异，无法一概而论，例如优选为40～100℃，更优选为40～80℃。温度未达所述下限时，有空气变得容易被摄入接着剂层2与晶圆1的界面的倾向，接着剂层2为积层2层以上时，所述高热传导性膜状接着剂的层间的接着有变得不充分的倾向。另一方面，若为热硬化开始温度以上时，所述高热传导性膜状接着剂会进行硬化，接着至配线基板时的接着性有降低的倾向。此外，此热压接合的时间是例如优选为1～180秒左右。 
此外，将接着剂层2设置于晶圆1的背面时，优选为施加0.1～1MPa左右的压力。压力未达所述下限时，为了将接着剂层2贴合于晶圆1而会耗时许久，更甚者有变得无法充分防止空隙(void)产生的倾向，另一方面，超过所述上限时，有变得无法控制接着剂的溢出的倾向。 
继而，在本发明的半导体封装件的制造方法中，第2步骤是如图2B所示，将晶圆1与切割胶带3经由接着剂层2而接着后，同时切割晶圆1与接着剂层2，而得到具备晶圆1与接着剂层2的半导体组件4。 
切割胶带3无特别限制，可使用适宜的公知切割胶带。另外，用以切割的装置也无特别限制，可使用适宜的公知切割装置。 
本发明中，因为接着剂层2是由使用所述本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物所得的高热传导性膜状接着剂所构成者，所以，切割装置的加工刀片的磨耗率够小。例如将厚度为100μm的硅晶圆与由高热传导性膜状接着剂所构成的厚度20μm的接着剂层，使用设置有2轴的切割刀片(Z1：NBC-ZH2030-SE(DD)，DISCO公司制/Z2：NBC-ZH127F-SE(BB)，DISCO公司制)的切割装置(商品名：DFD-6340，DISCO公司制)实施切割而成为3.0×3.0mm大小时，可使切割长度20m的加工刀片的磨耗率成为5.0％以下。磨耗率超过所述上限时，切割步骤中会有高热传导性膜状接着剂未被完全切断的缺陷。此外，加工刀 片的磨耗率和交换频率也变多，产生使成本增加或生产性降低的问题。 
另外，在本发明的半导体封装件的制造方法中，第3步骤是如图2C所示，使切割胶带3从接着剂层2脱离，将半导体组件4与配线基板5经由接着剂层2而热压接合。 
配线基板5可适宜使用表面形成有半导体电路的基板，可例举如：印刷电路板(PCB)、各种引线框架(1ead frame)、以及于基板表面搭载电阻组件或电容器等电子组件者。此外，也可通过使用其它半导体组件作为配线基板5，经由接着剂层2而积层多个半导体组件。 
将半导体组件4安装于这些配线基板5的方法并无特别限制，可适宜采用：可利用接着剂层2而将半导体组件4接着至配线基板5或搭载于配线基板5的表面上的电子组件的以往的方法。如此的安装方法，可例举：利用使用具有来自上部的加热机能的倒装芯片接合器(flip chip bonder)的安装技术的方法；利用具有仅来自下部的加热机能的晶粒接合器(die bonder)的方法；利用积层机的方法等以往公知的加热、加压方法。 
通过如此方式，使用由所述高热传导性膜状接着剂所构成的接着剂层2将半导体组件4安装于配线基板5上，而可使所述高热传导性膜状接着剂追随因电子组件而产生的配线基板5上的凹凸，且同时可使半导体组件4与配线基板5密着并固定。 
使配线基板5与半导体组件4接着时，优选为于所述高热传导性膜状接着剂的熔融黏度成为10000Pa·s以下的温度以上并且未达所述高热传导性膜状接着剂的热硬化开始温度的温度范围内的温度，使配线基板5与半导体组件4接着。于如此的温度条件下使配线基板5与半导体组件4接着，有使空气不易被摄入接着剂层2与配线基板5的界面中的倾向。如此的温度条件、时间条件及压力条件，是如所述第1步骤所述者。 
其次，在本发明的半导体封装件的制造方法中，第4步骤是使所述高热传导性膜状接着剂进行热硬化。所述热硬化的温度，只要是所述高热传导性膜状接着剂的热硬化开始温度以上即无特别限制，其依使用的树脂的种类而异，无法一概而论，例如优选为120～180℃，更优选为120～130℃。温度未达热硬化开始温度时，热硬化未充分进行， 接着层2的强度或热传导性有降低的倾向，另一方面，超过所述上限时，在硬化过程中，膜状接着剂中的环氧树脂、硬化剂或添加剂等会挥发而有变得容易发泡的倾向。此外，所述硬化处理的时间是例如优选为10～180分钟，另外，所述热硬化中，更优选为施加0.1～10MPa左右的压力。本发明中，通过使所述高热传导性膜状接着剂进行热硬化，而得到具有优异的破坏强度及热传导率的接着层2，并可得到使配线基板5与半导体组件4坚固地接着的半导体封装件。 
另外，在本发明的半导体封装件的制造方法中，如图2D所示，优选为将配线基板5与半导体组件4经由焊线(bonding wire)6而连接。如此的连接方法并无特别限制，可适宜采用以往公知的方法，例如打线(wire bonding)方式的方法、TAB(Tape Automated Bonding)方式的方法等。 
继而，如图2E所示，优选为通过密封树脂7而将配线基板5与半导体组件4密封，通过如此方式而可得到半导体封装件8。密封树脂7并无特别限制，可使用可用以制造半导体封装件的适宜的公知密封树脂。此外，使用密封树脂7的方法也无特别限制，可采用适宜的公知方法。 
依据如此的本发明的半导体封装件的制造方法，可使用由高热传导性膜状接着剂所构成的接着剂层2埋入与晶圆1的界面以及配线基板5上的凹凸，所以，晶圆1与接着剂层2之间以及配线基板5与半导体组件4之间不会产生空隙，并可将半导体组件4固定于配线基板5。此外，本发明的半导体封装件的制造方法中，由于是利用使用所述本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物所制成的高热传导性膜状接着剂，所以，可使加工刀片的磨耗率变少。另外，由本发明的制造方法所制造的半导体封装件，其接着层所用的高热传导性膜状接着剂在硬化后发挥优异的热传导性，因此，对封装件外部的放热效率高。 
(实施例) 
以下，依据实施例及比较例更具体地说明本发明，但本发明不受限于以下实施例。另外，各实施例及比较例中，热传导率、熔融黏度及加工刀片磨耗率分别用以下所示的方法测定。 
(热传导率的测定) 
将得到的膜状接着剂裁切成单边长50mm以上的四角形片，以厚度成为5mm以上的方式将切下来的试料积层，放置于直径50mm、厚度5mm的圆盘状模具上，使用压缩加压成型机，于温度150℃、压力2MPa下加热10分钟并取出后，更进一步于干燥机中于温度180℃加热1小时而使膜状接着剂进行热硬化，得到直径50mm、厚度5mm的圆盘状试验片。对于该试验片，使用热传导率测定装置(商品名：HC-110，英弘精机(株)制)，以热流计法(依据JIS-A1412)测定热传导率(W/(m·K))。 
(熔融黏度的测定) 
将得到的膜状接着剂裁切成2.5×2.5cm大小，使用真空积层装置(商品名：MVLP-500，名机制作所(株)制)以温度50℃、压力0.3MPa且贴合时间10秒的条件，将膜状接着剂积层直到成为300μm的厚度为止，得到贴合的试验片。对于该试验片，使用流变计(RS150，Haake公司制)，于温度范围20～100℃、以升温速度10℃/分钟测定黏性阻力的变化，从得到的温度-黏性阻力曲线计算出于80℃的熔融黏度(Pa·s)。 
(加工刀片磨耗率的测定) 
首先，将得到的膜状接着剂使用手动积层机(商品名：FM-114，Technovision公司制)于温度70℃、压力0.3MPa下贴合至仿制(dummy)硅晶圆(8inch大小，厚度100μm)，然后，使用相同的手动积层机，于室温、压力0.3MPa下，在膜状接着剂的与仿制硅晶圆相反的侧贴合切割胶带(商品名：G-11，Lintec(株)制)及切割框架(商品名：DTF2-8-1H001，DISCO公司制)，制成试验片。对于该试验片，使用设置有2轴的切割刀片(Z1：NBC-ZH2030-SE(DD)，DISCO公司制/Z2：NBC-ZH127F-SE(BB)，DISCO公司制)的切割装置(商品名：DFD-6340，DISCO公司制)实施切割而成为3.0×3.0mm大小。在切割前(加工前)与切断20m时(加工后)实施设置(setup)，通过非接触式(雷射式)测定刀片刀刃突出量，计算出加工后的刀片磨耗量(加工前的刀片刀刃突出量-加工后的刀片刀刃突出量)。由此磨耗量，通过下述式计算出加工刀片磨耗率(％)： 
加工刀片磨耗率(％)＝(加工後的刀片磨耗量)÷(加工前的刀片刀刃突出量)×100。 
(实施例1) 
首先，秤量三苯基甲烷型环氧树脂(商品名：EPPN-501H，重量平均分子量：1000，软化点：55℃，固体，环氧当量：167，日本化药(株)制)55质量份、双酚A型环氧树脂(商品名：YD-128，重量平均分子量：400，软化点：25℃以下，液体，环氧当量：190，新日化Epoxy制造(株)制)49质量份、以及双酚A/F型苯氧树脂(商品名：YP-70，重量平均分子量：55000，Tg：70℃，新日化Epoxy制造(株)制)30质量份，将91质量份的甲基异丁基酮(MIBK)作为溶媒而在500ml的可分离式烧瓶中于温度110℃加热搅拌2小时，得到树脂清漆。然后，将此树脂清漆225质量份移至800ml的行星式搅拌机(planetary mixer)，添加氮化铝(商品名：H-Grade，平均粒径1.1μm，莫氏硬度8，热传导率200W/(m·K)，Tokuyama(株)制)355质量份、咪唑型硬化剂(商品名：2PHZ-PW，四国化成(株)制)9质量份，于室温搅拌混合1小时后，进行真空脱泡而得到混合清漆。然后，将得到的混合清漆涂布于厚度50μm的经离型处理的PET膜上并加热干燥(于100℃保持10分钟)，得到厚度20μm的膜状接着剂。测定得到的膜状接着剂的熔融黏度及加工刀片磨耗率以及热硬化后的热传导率。将得到的结果与膜状接着剂的组成一起表示于表1。 
(实施例2) 
除了将氮化铝(商品名：H-Grade，平均粒径1.1μm，莫氏硬度8，热传导率200W/(m·K)，Tokuyama(株)制)的使用量换成489质量份以外，其余与实施例1同样操作，得到膜状接着剂。对得到的膜状接着剂进行与实施例1同样的测定。将得到的结果与膜状接着剂的组成一起表示于表1。 
(实施例3) 
除了将氮化铝(商品名：H-Grade，平均粒径1.1μm，莫氏硬度8，热传导率200W/(m·K)，Tokuyama(株)制)的使用量换成267质量份以外，其余进行与实施例1同样的操作，得到膜状接着剂。对得到的膜状接着剂进行与实施例1同样的测定。将得到的结果与膜状接着剂的组成一起表示于表1。 
(实施例4) 
除了将三苯基甲烷型环氧树脂(商品名：EPPN-501H，重量平均分 子量：1000，软化点：55℃，固体，环氧当量：167，日本化药(株)制)换成甲酚酚醛型环氧树脂(商品名：ECON-1020-80，重量平均分子量：1200，软化点：80℃，固体，环氧当量：200，日本化药(株)制)以外，其余进行与实施例1同样的操作，得到膜状接着剂。对得到的膜状接着剂进行与实施例1同样的测定。将得到的结果与膜状接着剂的组成一起表示于表1。 
(实施例5) 
除了将三苯基甲烷型环氧树脂(商品名：EPPN-501H，重量平均分子量：1000，软化点：55℃，固体，环氧当量：167，日本化药(株)制)换成双酚A型环氧树脂(商品名：YD-011，重量平均分子量：1000，软化点：70℃，固体，环氧当量：450，新日化Epoxy制造(株)制)以外，其余进行与实施例1同样的操作，得到膜状接着剂。对得到的膜状接着剂进行与实施例1同样的测定。将得到的结果与膜状接着剂的组成一起表示于表1。 
(实施例6) 
除了将氮化铝(商品名：5.0μm氮化铝，平均粒径5.0μm，莫氏硬度8，热传导率200W/(m·K)，Tokuyama(株)制)的使用量换成355质量份以外，其余进行与实施例1同样的操作，得到膜状接着剂。对得到的膜状接着剂进行与实施例1同样的测定。将得到的结果与膜状接着剂的组成一起表示于表1。 
(实施例7) 
除了将氮化铝(商品名：5.0μm氮化铝，平均粒径5.0μm，莫氏硬度8，热传导率200W/(m·K)，Tokuyama(株)制)的使用量换成489质量份以外，其余进行与实施例1同样的操作，得到膜状接着剂。对得到的膜状接着剂进行与实施例1同样的测定。将得到的结果与膜状接着剂的组成一起表示于表1。 
(实施例8) 
除了将氮化铝(商品名：5.0μm氮化铝，平均粒径5.0μm，莫氏硬度8，热传导率200W/(m·K)，Tokuyama(株)制)的使用量换成267质量份以外，其余进行与实施例1同样的操作，得到膜状接着剂。对得到的膜状接着剂进行与实施例1同样的测定。将得到的结果与膜状接着 剂的组成一起表示于表1。 
(比较例1) 
除了将氮化铝(商品名：H-Grade，平均粒径1.1μm，莫氏硬度8，热传导率200W/(m·K)，Tokuyama(株)制)355质量份换成使用球状氧化硅(商品名：FB-3SDX，平均粒径3.0μm，莫氏硬度7，热传导率1.0W/(m·K)，电气化学工业(株)制)237质量份以外，其余进行与实施例1同样的操作，得到膜状接着剂。对得到的膜状接着剂进行与实施例1同样的测定。将得到的结果与膜状接着剂的组成一起表示于表1。 
(比较例2) 
除了将氮化铝(商品名：H-Grade，平均粒径1.1μm，莫氏硬度8，热传导率200W/(m·K)，Tokuyama(株)制)355质量份换成使用氧化镁(商品名：Cool Filler，平均粒径40μm，莫氏硬度5.5，热传导率13W/(m·K)，Tateho化学工业(株)制)385质量份以外，其余进行与实施例1同样的操作，得到膜状接着剂。对得到的膜状接着剂进行与实施例1同样的测定。将得到的结果与膜状接着剂的组成一起表示于表1。 
(比较例3) 
除了将氮化铝(商品名：H-Grade，平均粒径1.1μm，莫氏硬度8，热传导率200W/(m·K)，Tokuyama(株)制)355质量份换成使用球状氧化铝(商品名：AX3-15R，平均粒径3.0μm，莫氏硬度9，热传导率36W/(m·K)，新日铁Materials(株)制)409质量份以外，其余进行与实施例1同样的操作，得到膜状接着剂。对得到的膜状接着剂进行与实施例1同样的测定。将得到的结果与膜状接着剂的组成一起表示于表1。 
(比较例4) 
除了将氮化铝(商品名：H-Grade，平均粒径1.1μm，莫氏硬度8，热传导率200W/(m·K)，Tokuyama(株)制)355质量份换成使用氮化硼(商品名：HP-01，平均粒径10μm，莫氏硬度2，热传导率60W/(m·K)，水岛合金铁(株)制)247质量份以外，其余进行与实施例1同样的操作，得到膜状接着剂。对得到的膜状接着剂进行与实施例1同样的测定。将得到的结果与膜状接着剂的组成一起表示于表1。 
表1 
Figure BDA0000144176990000221
如表1表示的结果所示，可确认到实施例1～8所得的高热传导性膜状接着剂于80℃有充分低的熔融黏度，加工刀片的磨耗率够小，且硬化后发挥优异的热传导性。 
(产业实用性) 
如以上的说明，依据本发明的高热传导性膜状接着剂用组成物，可得到与被着体的密着性优异，加工刀片的磨耗率够小，且硬化后发挥优异的热传导性的高热传导性膜状接着剂。 
此外，依据本发明的半导体封装件的制造方法，由于可使用由本发明的高热传导性膜状接着剂所构成的接着剂层埋入与晶圆的界面或配线基板上的凹凸，所以，配线基板与半导体组件之间不产生空隙，可将半导体组件固定于配线基板，此外，可使加工刀片的磨耗率变少。 
另外，本发明的半导体封装件中，接着剂层所用的高热传导性膜状接着剂在硬化后会发挥优异的热传导性，所以，对封装件外部的放热效率高。 
因此，本发明为非常有用于作为用以接合半导体封装件内的半导体组件与配线基板之间以及半导体组件与半导体组件之间的技术。 

Claims (7)

1.一种高热传导性膜状接着剂用组成物，其特征在于，含有环氧树脂A、环氧树脂硬化剂B、无机填充剂C及苯氧树脂D，所述无机填充剂C满足下述i～iii的所有条件，并且所述无机填充剂C的含量为30～70体积％：
i、平均粒径为0.1～5.0μm；
ii、莫氏硬度为1～8；
iii、热传导率为30W/m·K以上。
2.根据权利要求1所述的高热传导性膜状接着剂用组成物，其特征在于，所述环氧树脂A为下述式1所示的三苯基甲烷型环氧树脂：
Figure FDA0000144176980000011
式1
式1中，n表示0～10的整数。
3.根据权利要求1或2所述的高热传导性膜状接着剂用组成物，其特征在于，所述无机填充剂C为氮化铝。
4.一种高热传导性膜状接着剂，其特征在于，通过将权利要求1～3中任一项所述的高热传导性膜状接着剂用组成物进行加热干燥而得到，且厚度为10～150μm。
5.根据权利要求4所述的高热传导性膜状接着剂，其特征在于，使用流变计在从20℃以10℃/分钟的升温速度加热时所观测到的于80℃的熔融黏度为10000Pa·s以下，热硬化后的热传导率为1.0W/m·K以上。
6.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，包含下述步骤：
第1步骤：将权利要求4或5所述的高热传导性膜状接着剂热压接合于表面形成有半导体电路的晶圆的背面而设置接着剂层；
第2步骤：在将所述晶圆与切割胶带经由所述接着剂层而接着后，通过将所述晶圆与所述接着剂层同时切割，而得到具备所述晶圆与所述接着剂层的半导体组件；
第3步骤：使切割胶带从所述接着剂层脱离，将所述半导体组件与配线基板经由所述接着剂层而热压接合；以及
第4步骤：使所述高热传导性膜状接着剂进行热硬化。
7.一种半导体封装件，其特征在于，所述半导体封装件是通过权利要求6所述的半导体封装件的制造方法而得到者。
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