CN102576196A - 反射光学元件和用于操作euv光刻设备的方法 - Google Patents

Abstract

为了减小由EUV光刻设备中的二氧化硅、碳氢化合物和/金属构成的污染物对反射率的不利影响，提出一种用于极紫外波长范围的具有反射表面(59)的反射光学元件(50)，其中该反射表面(59)的多层镀膜具有由氟化物构成的顶端层(56)。在EUV光刻设备的操作期间沉积在反射光学元件(50)上的所提及的污染物通过添加以下所提及的至少一种物质而被转化为挥发性化合物：原子氢、分子氢、全氟化烷烃(例如四氟化甲烷)、氧、氮和/或氦。

Description

反射光学元件和用于操作EUV光刻设备的方法

技术领域

本发明涉及一种用于极紫外(EUV)波长范围的具有反射表面的反射光学元件。而且，本发明涉及一种用于操作EUV光刻设备的方法，该EUV光刻设备包括具有反射表面的反射光学元件。而且，本发明涉及一种包括反射光学元件的EUV光刻设备，涉及一种尤其用于EUV光刻设备的包括反射光学元件的照明系统，还涉及一种尤其用于EUV光刻设备的包括反射光学元件的投射系统。

背景技术

在EUV光刻设备中，用于极紫外(EUV)波长范围(例如大约5nm至20nm之间的波长)的反射光学元件用于半导体组件的光刻成像，该反射光学元件为光掩模或者多层反射镜的形式。由于EUV光刻设备通常具有多个反射光学元件，所以所述反射光学元件必须具有很高的反射率以确保足够高的总反射率。反射光学元件的光学使用的反射表面的污染可减少反射光学元件的反射率和寿命，这是由于工作环境中的短波辐射以及残留气体造成的。由于通常在EUV光刻设备中一个挨着一个布置多个反射光学元件，所以每个单独(individual)反射光学元件上甚至相对较小的污染也在相对较大的程度上影响总反射率。

例如，可以由于潮湿残留而发生污染。在这种情况中，EUV辐射离解水分子，并且因而产生的自由氧基氧化反射光学元件的光学有效(active)表面。在这种情况中，光学有效表面被定义为光学元件的表面的光学上使用的区域。

另一污染源是聚合物(尤其是碳氢化合物)，其可能来源于例如真空环境中所使用的材料，或者来源于EUV光刻设备中所使用的真空泵，或者来源于用在要形成图案的半导体基底上的光刻胶的残留，该光刻胶在工作辐射的影响下导致反射光学元件上的碳污染。首先通过有目标地设置EUV光刻设备中的残留气体环境，其次通过反射光学元件的光学有效表面上的保护层，来努力对抗这些类型的污染。

特别地通过原子氢的处理，即通过原子氢减少氧化污染物或者通过原子氢与含碳残留物相互作用来形成挥发性化合物，通常可以去除氧化物污染和碳污染。在EUV光刻设备中的工作辐射的影响下，由于分子氢离解的结果可形成原子氢。然而，优选使用多个清洁单元，在清洁单元中例如在白炽灯丝(incandescent filament)处将分子氢离解为原子氢。这是因为它们允许控制原子氢的量，并且允许将原子氢引入到EUV光刻设备中，尽可能地靠近反射光学元件的要清洁的光学有效表面。

但是已经发现清洁单元也可导致污染，尤其是主要来源于清洁单元本身的金属或者在与原子氢的化学反应中从EUV光刻设备中的材料或组件提取出的金属(尤其是如挥发性金属氢化物)。

而且，已经发现硅化合物形式的污染与EUV辐射的相互作用在反射光学元件的光学有效表面上导致由二氧化硅(SiO₂)构成的污染层，由于它们在例如钌构成的光学有效表面的顶层上的好粘附力，它们不能通过原子氢或者其它清洁方式清洁，并且会导致光学有效表面的反射率的大大降低。EUV光刻设备的残留气体中的所述硅化合物的一个可能来源是要曝光的半导体基底(晶片)上的光刻胶，从该光刻胶中提取出硅氧烷等。

发明内容

因此，本发明的一个目的是呈现对抗由二氧化硅沉积、碳化氢沉积和/或金属沉积形成的污染物的措施，例如由光刻设备的残留气体的组分与EUV辐射的相互作用和/或由利用原子氢的清洁所产生。

通过用于极紫外波长范围的具有反射表面的反射光学元件实现该目的，其中该反射表面具有多层镀膜，该多层镀膜包括由氟化物构成的顶端层。

已经发现可以源自氢清洁单元的金属污染例如是锌、锡、铟、碲、锑、铋、铅、砷、硒、锗、银、镉、汞、硫、金、铜、钨或者它们的合金，等等。而且已经发现如果暴露到所述污染物的反射光学元件具有由氟化物构成的顶端层，则这些金属的污染对反射率的影响较小。这是因为首先这种层用作对光学元件的下层反射表面的保护，以对抗其它类型的污染，例如氧化物污染或碳污染。其次，由氟化物构成的顶端层具有以下效果：操作时，金属污染更小程度地粘附到顶端层上。这具有以下优点：例如可以通过清洁气体更简单地将金属污染从表面移除。而且，已经发现这同样适用于由二氧化硅构成的污染层，由于氟化层上的低粘附力，也可以通过清洁气体相对简单地移除二氧化硅。

在一个实施例中，反射光学元件的多层镀膜在顶端层下方具有阻挡层，该阻挡层阻止顶端层与位于下方的层的相互扩散或者混合。这种阻挡层优选由选自以下组的至少一种材料构成，所述组包括：氮化硅(Si_xN_y)、氧化硅(Si_xO_y)、氮化硼(BN)、碳和碳化物，尤其是碳化硼(B₄C)。

在另一实施例中，反射光学元件的多层镀膜在顶端层下方具有中间层，该中间层保护反射光学元件不受环境影响，特别是在由氟化物构成的顶端层的厚度较小的情况下。这种中间层优选由选自以下的组的至少一种材料构成，所述组包括：钼、钌、贵金属(金、银或者铂)、硅、氧化硅、氮化硅、碳化硼、氮化硼、碳化合物以及它们的组合。

在另一实施例中，由氟化物构成的顶端层下方的阻挡层或者中间层具有0.1nm到5nm的范围中的厚度。结果，首先可获得对反射光学元件的充分的保护，并且其次由于附加层而导致的反射率损失可减少到最小量。

在一个实施例中，反射光学元件的多层镀膜包括多层系统，该多层系统基于交替的硅和钼层或者基于交替的硅和钌层。特别是在大约13.5nm波长的情况下，可以将这种反射光学元件优化到以下效果：其具有特别高的反射率值。在这种情况中，在本发明的上下文中，交替层被用于阻止交替层的相互扩散的阻挡层分开的多层系统也被理解为由交替层构成的多层系统，而不需要明确地指明阻挡层或者阻挡层的材料组成。

在另一实施例中，由氟化物构成的顶端层具有0.1nm到2.5nm范围中的厚度。结果，首先，顶端层上的污染(特别是由二氧化硅构成的污染)的粘附力可被充分地减小，并且其次，由于由氟化物构成的顶端层而导致的反射率损失可被减小到最小量。而且，因此可以产生如下的顶端层，其相对于环境影响或者相对于清洁方法，展现出足够的长期稳定性。

在一个实施例中，顶端层的氟化物包括氟化金属。可以在反射光学元件上通过热蒸发或者通过电子束蒸发简单地生长这种氟化金属。

在另一实施例中，氟化金属从包括以下的组中选择：氟化镧(LaF₃)、氟化镁(MgF₂)、氟化铝(AlF₃)、冰晶石(Na₃AlF₆)和锥冰晶石(Na₅Al₃F₁₄)。关于这些氟化物金属，关于镀膜行为有足够的经验可用，因此导致对于相应的反射光学元件的制造有足够的处理可行性。例如，已知氟化镁和氟化镧优选以多晶形式生长，然而氟化铝和锥冰晶石则以非晶形式生长。结果，取决于氟化金属的使用或混合，通过镀膜工艺参数，可建立特定的表面特性，例如微粗糙度。氟化物从毒理学的角度也是无害的，因此在镀膜工艺中可容易地处理这些氟化物。

此外，通过操作EUV光刻设备的方法来实现本发明的目的，该EUV光刻设备包括具有反射表面的反射光学元件，该方法包括以下步骤：

-提供至少一个具有反射表面的反射光学元件，该反射光学元件具有由氟化物构成的顶端层，以及

-添加至少一种选自包括以下的组的清洁气体：原子氢、分子氢(H₂)、全氟化烷烃(perfluorinated alkanes)(例如四氟化甲烷(CF₄))、氧、氮、氩、氪和/或氦。

在这种情况中，通过原子氢和金属起反应形成挥发性氢化物，将金属污染物从由氟化物构成的顶端层移除。通过原子氢，将碳氢化合物的污染物也从由氟化物构成的顶端层移除。在这种情况中，可以在反射表面处通过与EUV辐射的相互作用而从分子氢形成原子氢，或者可以已经作为原子氢而提供给顶端层。相应的，例如，可通过EUV辐射在反射表面处分解氧，并因此可以类似地通过氧化过程使用氧，用于将由碳氢化合物构成的污染从顶端层移除。

由二氧化硅构成的污染层可通过与清洁气体(例如全氟化烷烃、氧、氮、氩、氪和/或氦)的相互作用而移除。在氦的情况中，这里也可以激发等离子体，用于反射表面上的清洁。也可在清洁气体氩、氧、氮、氪、氢或者它们的混合的情况下，执行等离子体清洁。

已经发现：当反射表面具有由氟化物构成的顶端层时，通过清洁气体，可以从反射表面特别简单地移除所提及的污染物。具体的，通过清洁气体，可将由二氧化硅构成的污染层从具有由氟化物构成的顶端层的反射表面移除，通过清洁气体，不能将所述污染层例如从具有由钌构成的顶端层的反射表面移除。因此通过污染物的移除可以逆转由污染导致的反射率损失。

在一个实施例中，设置清洁气体的提供，使得由氟化物构成的顶端层的层厚度不随时间变化，从而针对周围环境永久地保护反射表面。

在另一实施例中，在反射表面上尽可能均匀地添加清洁气体，以便均匀地清洁反射表面，并且以便因此避免反射表面上的不同反射率值。反射表面上的不同反射率值导致光刻设备的成像像差。

此外，通过包括至少一个根据本发明的反射光学元件的EUV设备实现本发明的目的。

而且，通过包括至少一个根据本发明的反射光学元件的照明系统或者投射系统实现本发明的目的。

附图说明

将参考优选示例实施例更详细地解释本发明。为了这个目的：

图1示意地示出EUV光刻设备的实施例，该EUV光刻设备包括照明系统和投射系统；

图2a-c示出反射光学元件的不同实施例的示意图；

图3、4、5示出反射光学元件的不同实施例的反射率值相对于波长的绘图；

图6a、6b示出涉及用于操作EUV光刻设备的方法的两个实施例的流程图。

具体实施方式

图1示意地示出EUV光刻设备10。主要的组件是光束成形系统11、照明系统14、光掩模17以及投射系统20。EUV光刻设备10在真空条件下工作以便EUV辐射在其内部被尽可能少地吸收。

光束成形系统11包括辐射源12、准直器13b以及单色仪(monochromator)13a。例如，等离子体光源或者同步加速器(synchrotron)可用作辐射源12。在大约5nm到20nm的波长范围中的辐射首先被聚集到准直器13b中。此外，通过单色仪13a滤出期望的工作波长。在所提及的波长范围中，准直器13b和单色仪13a通常被实施为反射光学元件。在准直器的情况中，在所谓的垂直入射准直器和所谓的掠入射准直器之间进行区分，其中垂直入射准直器的反射光学元件依赖于多层镀膜以确保在光基本垂直入射的情况下具有高反射率。以掠入射光工作的掠入射准直器通常是被实施为壳形(shell-shapedfashion)的反射光学元件，以获得聚焦或准直效果。掠入射光辐射的反射发生在所述准直器的壳的凹表面处，其中为了反射的目的，通常在凹表面上不使用多层系统，这是因为想要反射最宽的波长范围。因此通常借助于光栅结构或者多层系统，在单色仪处通过反射滤出窄波长带。

光光束成形系统11中关于波长和空间分布调整的工作光束接着被引入照明系统14中。在图1所示的示例中，照明系统14具有两个反射镜15、16。反射镜15、16指引光束到光掩模17上，该光掩模具有想要成像到晶片21上的结构。光掩模17也是用于EUV和软(soft)波长范围的反射光学元件，根据制造过程更换所述元件。通过投射系统20，从光掩模17反射的光束投射到晶片21上并且光掩模的结构因此被成像到所述晶片上。在所示示例中，投射系统20具有两个反射镜18、19。应指出投射系统20和照明系统14同样可以分别具有仅一个或者三个、四个、五个或者更多反射镜。

在这里所示的示例中，为了清洁来自照明系统14和投射系统20在光束路径中的各自第一个反射镜15、18的污染，提供清洁头22、23。由于最高的辐射负载分别发生在模块在光路中的第一个反射镜上，所以那里应该预期最高的污染程度，特别是在包含碳污染的情形中。可替代的，清洁头还可提供在每个反射镜处。相应地，在反射镜靠近晶片21的情况中，应预期增加的例如硅化合物污染(例如硅氧烷)，其在EUV辐射下作为二氧化硅污染物而沉积在反射表面上。因此，可在这些反射镜处设置类似的清洁头，由于不同的危害情形，不同的清洁气体或者清洁气体的不同混合被用在所述清洁头的情况中。

清洁头22、23提供例如分子氢，以及还提供例如白炽灯丝，分子氢被引导经过该白炽灯丝，以便通过炽热的白炽灯丝的高温而将分子氢离解为原子氢。在要清洁的反射镜15、18的附近，生成的原子氢穿过EUV光刻设备10的残留气体环境，更精确的，优选直接指引到要清洁的反射镜的反射表面上，以便原子氢将反射镜15、18上的包含碳的污染物转换成挥发性的碳氢化合物。由于EUV光刻设备的操作期间所使用的EUV辐射或所述辐射所产生的离子与包含在残留气体环境中的分子氢的相互作用而产生原子氢。而且，原子氢还可产生在EUV光刻设备的外部并且随后通过清洁头22、23而被指引到反射表面上。

相应地，通过类似的清洁头，其它清洁气体也可被类似地指引到反射表面上，并且对于清洁过程，所述其它清洁气体也可被白炽灯丝、EUV辐射或者等离子体激活而激活。

在清洁头22、23的工作期间，通过生成的自由氢基或者其它高能量的粒子，金属(尤其是锌、锡、铟、碲、锑、铋、铅、砷、硒、锗、银、镉、汞、硫、金、铜、钨或者它们的合金)可出现在残留气体中或者从EUV光刻设备10内的组件(例如，清洁头22、23的外壳、反射镜支架、反射镜基板、接触连接等)溅射出。在很大程度上，它们被通过化学处理而出现的原子氢提取出来，例如以挥发氢化物的形式。因此，例如，锌或者钨通常源自清洁头本身，而锡和铟可源自例如接触连接，例如焊接连接。这些金属可继而沉积在反射光学元件的光学有效表面上并且因而在所发射的范围上，损害反射率的大小和均匀性，其导致传输损耗并且导致照明系统和投射系统中的成像像差。

为了限制所提及的污染对反射率的不利影响，在EUV光刻设备10中使用在反射表面上具有由氟化物构成的顶端层的反射光学元件。

图2a-b示意地示出这种反射光学元件50的示例实施例的结构。所示的示例涉及基于多层系统51的反射光学元件。其包括交替施加的、在工作波长处具有较高的反射率实部的材料的层(也称为间隔体55)以及在工作波长处具有较低的反射率实部的材料的层(也称为吸收体54)，吸收体-间隔体对形成层堆53。在这个情况中，术语反射率的较高实部和较低实部是相对于吸收体-间隔体对中的相应合作材料的相对术语。吸收体-间隔体对的序列在一定程度上模仿晶体，晶体的网状平面对应于发生布拉格反射的吸收体层。取决于想要获得哪种反射分布，单独层54、55的厚度以及重复层堆53的厚度在整个多层系统51上是恒定的或者也可以变化。也可通过由吸收体54和间隔体55构成的基本结构并补充其它多少具有吸收力的材料，从而以有目标的方式影响反射分布，以便提高相应工作波长处的最大可能反射率。为了这个目的，在一些层堆中，吸收体和/或间隔体材料可相互交换，或者可由多于一种吸收材料和/或间隔体材料构造层堆。吸收材料和间隔体材料在所有层堆上可具有恒定或者变化的厚度，以便优化反射率。

多层系统51被应用在基底52上，并且是反射表面59的多层镀膜的组成部分。优选具有较低热膨胀系数的材料作为基底材料。例如玻璃陶瓷是适合的。然而，在EUV辐射下，或者特别地在用于清洁光学表面的原子氢的影响下，他们也可能是污染源。

由氟化物构成的顶端层被作为保护层56而施加在反射表面59上。在制造反射光学元件50期间优选应用顶端层56。这确保顶端层56连续地覆盖整个反射表面59或者至少覆盖反射表面59的使用期间发生反射的区域，以便避免表面上的不均匀性。而且，可以以有目标的方式设置顶端层56的具体厚度，该已经实施了保护效果但不很大地损害反射率。使用热蒸发、电子束、磁控溅射或者离子束溅射的方法特别适用于制造这种反射光学元件。

图2a示出了由氟化物构成的顶端层直接施加在多层系统51的最后层(在本例子中为间隔体层55)上的实施例。然而，在某些材料组合的情况下可发生：在多层系统51的顶端层59和下面的最后层的边界层处发生扩散或者化学反应，其改变了多层系统的此区域中的构造和厚度，从而反射率变坏，尤其是反射率在反射光学元件50的整个寿命上下降。为了对抗该问题，在图2b中所示的例子中，提供附加层57作为扩散阻挡和/或针对化学反应的保护。然而，这种阻挡层还可设置在多层系统51内单独层或者层堆之间，以便反射率不由于结构变化而随时间下降。特别地，碳、碳化硼、(普遍而言)碳化物、氮化硅或者氧化硅适合作为这种扩散阻挡的材料。

图2c中示出的变型涉及如下实施例，其中在由氟化物构成的顶端层之间提供由诸如通常用作基于多层的反射光学元件的保护层的材料构成的中间层58。这具有以下优点：在非常薄的氟化物层的情形下，在氟化物层被改变或者磨损时，下面的多层系统依然被持续地保护。例如通过使用钼作为吸收体以及硅作为间隔体，由于硅可能被原子氢转化为硅烷，所以尤其是硅表面被损坏。具体的，钼、钌、贵金属(例如金、银或者铂)、硅、氧化硅、氮化硅、碳化硼、氮化硼或者碳化合物适合用作这种保护层的材料。

而且，在为中间层58合适地选择材料的情况下，可稍微提高反射率。而且，在所示的例子中，在中间层58和多层系统51之间提供对抗扩散和/或化学反应的阻挡层57。

图3、4和5针对根据本发明的三个不同实施例示出反射率值(单位：％)相对于波长(单位：nm)的绘图，根据图2a和2c，每个反射镜分别具有由2nm厚度的MgF₂构成的顶端层56。在这种情况中，图3、4和5中的三个实施例的不同之处仅在于多层系统51与由MgF₂构成的顶端层56之间的层。

关于图3、4和5的多层系统51由交替的硅和钼层的50个周期构成，硅层的厚度为3.78nm并且钼层的厚度为2.37nm，并且硅和钼层通过作为扩散阻挡的碳化硼层彼此分开，碳化硼层的厚度分别为0.4nm。在这种情况中，关于图3、4和5的多层系统51被应用到4nm厚的石英层上，该石英层用作基底52上的抛光层，以便改善表面的粗糙度。可选择的，根据图2a和2c也可省略由石英构成的抛光层，其中多层系统51被直接施加在基底52上。由于由石英构成的抛光层，关于图3、4和5的多层系统51在基底之上始于作为间隔体层55的硅层，并且终于作为吸收体层54的钼层上的作为扩散阻挡的碳化硼层。

根据关于图3的示例实施例，由硅构成的1.4nm厚的间隔体层55、由钼构成的2nm厚的吸收体层54、由钌构成的1.5nm厚的中间层58以及由MgF₂构成的2nm厚的最后顶端层56被以这里所给出的顺序应用到所述多层系统51上。因此，关于图3的示例实施例在中间层58上的由氟化物构成的作为保护层的顶端层56方面构成根据图2c的示例实施例的变型。关于图3的示例实施例在13.6nm波长处提供63％的最大反射率。而且，对于13.5nm和13.7nm之间的波长，图3中的反射率值位于60％之上。

根据关于图4的示例实施例，由硅构成的3.5nm厚的间隔体层以及由MgF₂构成的2nm厚的最后的顶端层被应用到多层系统51上。因此，关于图4的示例实施例在间隔体层55上的由氟化物构成的顶端层56方面构成根据图2a的示例实施例的变型。关于图4的示例实施例在13.6nm波长处提供72％的最大反射率。而且，对于大约13.3nm和13.7nm之间的波长，图4中的反射率值位于60％之上。

根据关于图5的示例实施例，由硅构成的1.7nm厚的间隔体层、由钼构成的2nm厚的吸收体层54以及由MgF₂构成的2nm厚度的最后的顶端层56被应用到多层系统51上。因此，关于图5的示例实施例在吸收体层54上的由氟化物构成的顶端层56方面构成示例实施例的变形。关于图5的示例实施例在13.6nm波长处提供68％的最大反射率。而且，对于大约13.4nm和13.7nm之间的波长，图5中的反射率值位于60％之上。

参照图6a和6b更详细地说明在EUV光刻设备中使用这里所说明的反射光学元件，图6a和6b示意地示出了用于操作包括这种反射光学元件的EUV光刻设备的方法的两个实施例。

第一步骤101、111包括首先在光刻设备中提供至少一个反射光学元件，该反射光学元件具有由氟化物构成的顶端层。

进一步的步骤103、113包括例如通过清洁单元(例如以清洁头的形式)添加清洁气体。在这种情况中，注意确保在反射表面上尽可能均匀地添加清洁气体，以便例如在污染物与清洁气体反应而形成挥发性化合物(例如氢化物)的事件中，在由氟化物构成的顶端层上不出现不均匀性。

在第三步骤105中，在根据图6a的实施例中，通过提供EUV辐射形式的能量，在反射表面的表面处激活清洁气体，使得清洁气体可与反射表面上的污染物起反应。例如，对于清洁气体分子氢和分子氧，可以考虑这种类型的激活。相对的，如以上已经关于清洁头22和23深入说明的，可以通过清洁头中的白炽灯丝或者在光刻设备外部以其他方式产生原子氢。

在根据图6b的实施例中，通过激发等离子体来实现用于在反射表面处激活清洁气体的该第三步骤115。在这种情况中，在设计用于馈入操作等离子体的高频电磁辐射的电极时，需要注意在反射表面上确保等离子体尽可能均匀地分布。例如其可以通过相应的电极设计实现。

特别地，对于清洁气体氦，这种形式的激活很有利，这是因为可因此从反射光学元件的由氟化物构成的顶端层非常快速地移除二氧化硅污染物。

第四步骤107、117包括调节清洁气体的添加103、113以及用于激活清洁气体的能量的提供105、115，使得：一方面，反射表面上的污染物被从反射表面移除到期望的清洁度，并且另一方面，甚至在重复清洁循环的情况下，清洁本身对反射表面的顶端层的侵袭也仅在保证反射光学元件的期望的长期稳定性的范围中。

例如，如果反射率落到预定阈值之下，则EUV光刻设备的操作的另一可能性包括在常规曝光操作期间不时地添加清洁气体。

另一可能性包括设置清洁气体的添加，使得大约一个单层作为污染层形成在由氟化物构成的顶端层上，该单层保护由氟化层构成的顶端层。

附图标记

10    EUV光刻设备

11    光束成形系统

12    EUV辐射源

13a   单色仪

13b   准直器

14    照明系统

15    第一反射镜

16    第二反射镜

17    掩模

18    第三反射镜

19    第四反射镜

20    投射系统

21    晶片

22    清洁头

23    清洁头

50    反射光学元件

51    多层系统

52    基底

53    层对

54    吸收体

55    间隔体

56    保护层

57    阻挡层

58    中间层

59    反射表面

101-107 方法步骤

111-117 方法步骤

Claims (13)

1.一种用于极紫外波长范围的反射光学元件，所述反射光学元件具有反射表面，其中所述反射表面(59)具有多层镀膜，所述多层镀膜包括由氟化金属构成的顶端层(56)，其特征在于所述氟化金属从以下组中选择：氟化镧、氟化铝、冰晶石以及锥冰晶石。

2.如权利要求1所述的反射光学元件，其特征在于所述多层镀膜在所述顶端层(56)下方具有中间层(58)，所述中间层(58)由选自以下的组的至少一种材料构成，所述组包括：钼、钌、贵金属、硅、氧化硅、氮化硅、碳化硼、氮化硼、碳化合物以及它们的组合。

3.如权利要求1所述的反射光学元件，其特征在于所述多层镀膜在所述顶端层(56)下方具有阻挡层(57)，所述阻挡层(57)由选自以下的组的至少一种材料构成，所述组包括：碳化硅、氧化硅、碳化硼、碳、以及碳化物，尤其是碳化硼。

4.如权利要求2或3所述的反射光学元件，其特征在于所述顶端层(56)下方的所述中间层(58)或者所述阻挡层(57)具有大约0.1nm到5nm范围的厚度。

5.如权利要求1所述的反射光学元件，其特征在于所述反射表面(59)的所述多层镀膜包括多层系统(51)，所述多层系统(51)基于交替的硅和钼层(55，54)或者交替的硅和钌层(55，54)。

6.如权利要求1所述的反射光学元件，其特征在于所述顶端层(56)具有大约0.1nm到2.5nm范围的厚度。

7.一种用于操作EUV光刻设备的方法，所述EUV光刻设备包括具有反射表面的反射光学元件，包括以下步骤：

-提供至少一个根据权利要求1到6中任一项的具有反射表面的反射光学元件，以及

-添加至少一种清洁气体，所述清洁气体选自包括以下的组：原子氢、分子氢、全氟化烷烃、氧、氮、氩、氪和氦。

8.如权利要求7所述的用于操作EUV光刻设备的方法，还包括另一步骤：

-以极紫外波长范围中的辐射的形式和/或通过激发等离子体，提供用于激活清洁气体的能量。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于设置所述清洁气体的添加，使得所述反射光学元件的由氟化物构成的所述顶端层(56)的层厚度保持基本恒定。

10.如权利要求7到9中的任一项所述的方法，其特征在于在所述反射表面上尽可能均匀地添加所述清洁气体。

11.一种EUV光刻设备，包括如权利要求1到6中的任一项所述的反射光学元件。

12.一种照明系统，尤其是用于EUV光刻设备中的照明系统，包括如权利要求1到6中的任一项所述的反射光学元件。

13.一种投射系统，尤其是用于EUV光刻设备中的投射系统，包括如权利要求1到6中的任一项所述的反射光学元件。

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