CN102543812B

CN102543812B - 晶圆支架制作方法

Info

Publication number: CN102543812B
Application number: CN201110332602.3A
Authority: CN
Inventors: 山本雅之; 宫本三郎
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2010-12-24
Filing date: 2011-10-25
Publication date: 2016-09-21
Anticipated expiration: 2031-10-25
Also published as: CN102543812A; TW201234470A; TWI523091B; JP5714318B2; US20120160397A1; JP2012138402A

Abstract

本发明提供一种晶圆支架制作方法。向半导体晶圆的电路面上涂布液态的粘接剂，将支承板贴合在涂布面上，在保持该支承板的状态下磨削半导体晶圆的背面，借助支承用的粘合带将半导体晶圆支承在环框上，从半导体晶圆分离支承板，然后向在半导体晶圆上成为膜状的粘接剂上粘贴宽度大于等于半导体晶圆直径的剥离带，通过剥离该剥离带而从半导体晶圆一体地剥离该粘接剂与该剥离带。

Description

晶圆支架制作方法

技术领域

本发明涉及一种晶圆支架制作方法，在该晶圆支架的制作方法中，在借助粘接剂贴合有支承板而进行了强化的半导体晶圆上粘贴支承用的粘合带后，从半导体晶圆除去该支承板和粘接剂。

背景技术

近年来，伴随着高密度安装的要求，具有将半导体晶圆(以下，酌情称为“晶圆”)的厚度背磨处理到数十μm的倾向。由于薄型化的晶圆刚性下降，因此，在背磨前要借助具有加热剥离性粘合层的双面粘合带在晶圆上贴合能够完全覆盖晶圆表面那样大小的支承板。

经过背磨处理的带有支承板的晶圆借助支承用的粘合带被粘接在环框上。之后，用内置有加热设备的上部吸附台从支承板侧吸附保持原来被下部吸附台从背面侧吸附保持的晶圆，一边加热该支承板一边使上部吸附台上升。此时，双面粘合带的呈加热剥离性粘合层发泡膨胀而丧失粘接力。于是，可以使支承板和双面粘合带一体地从晶圆表面分离，或者将双面粘合带残留在晶圆侧而分离支承板(参照日本特开2005-116679号公报)。

在晶圆的电路面上形成有凸块等台阶。与在基材的单面上具有粘合层的粘合带相比，在双面上具有粘合层的双面粘合带较厚。由此，为了使双面粘合带的粘合剂进入并填充由晶圆表面的台阶所形成的间隙而对双面带施加的按压力，要大于对只在单面上具有粘合层的粘合带所施加的按压力。因此，在以往的方法中可能会使凸块变形或者破损。

此外，双面粘合带具有特殊的特性，因此也会产生成本较高的不良情况。

发明内容

本发明是鉴于以上情况而完成的，主要目的在于提供一种能够用廉价的结构精度良好地制作晶圆支架的晶圆支架制作方法。

为了达到上述目的，本发明是这样构成的。

即，一种借助支承用的粘合带将半导体晶圆支承于环框上的晶圆支架制作方法，上述方法包含以下过程：

涂布过程，其用于向上述半导体晶圆的电路面上涂布液态的粘接剂；

贴合过程，其用于向上述半导体晶圆的粘接剂的涂布面上贴合能够完全覆盖晶圆表面那样大小的支承板；

磨削过程，其用于在保持上述支承板的状态下对半导体晶圆的背面进行磨削；

支承过程，其用于借助支承用的上述粘合带将半导体晶圆支承于环框上；

分离过程，其用于从上述半导体晶圆分离支承板；

剥离过程，其用于向在上述半导体晶圆上成为膜状的粘接剂上粘贴宽度大于等于半导体晶圆直径的剥离带，通过剥离该剥离带而从半导体晶圆一体地剥离该粘接剂与该剥离带。

采用上述方法，涂布在电路面上的液态的粘接剂会快速地进入到由晶圆表面的台阶所形成的间隙，并且粘接剂的表面变得平坦。即，不用对晶圆表面进行按压，用少量的粘接剂就能够严密地覆盖晶圆的整个表面。此外，在向粘接剂的表面贴合支承板时，也能够在不施加过度的按压力的情况下使支承板粘接在粘接剂表面。因此，能够避免由于按压使晶圆表面的凸块变形或者破损的情况。

此外，残留在分离支承板后的晶圆表面上的粘接剂以薄于粘合带的膜状固化。由于向该粘接剂上粘贴宽度大于晶圆直径的剥离带，所以粘接剂的整个表面都被剥离带覆盖。因此，在剥离过程中，在粘接剂的剥离部位上作用有大致均等的拉力，因此能够避免粘接剂局部撕裂而残留在晶圆表面上。

此外，在上述方法的剥离过程中，优选用不同的吸附台分别吸附保持半导体晶圆和环框，

在上述半导体晶圆的表面比环框的表面突出的状态下向半导体晶圆上的粘接剂上粘贴剥离带。

采用上述方法，与粘合带的厚度相比，膜状的粘接剂的厚度极薄。因此，从在半导体晶圆外周和环框之间露出的支承用的粘合带的粘合面到粘接剂的表面的间隔(高度)也变得极小。因此，通过使半导体晶圆的表面从环框的表面突出，能够增大该间隔。其结果，在向粘接剂的表面上粘贴剥离带时，即使剥离带松弛而超出半导体晶圆外周，也能够避免该剥离带和粘合带的粘接。换言之，能够避免由带与带之间的粘接而引起的剥离故障。

此外，在上述的剥离过程中，进一步优选在使经过离型处理的板接近半导体晶圆的外周的状态下向半导体晶圆上的粘接剂上粘贴剥离带。

若采用上述方法，则可以利用板挡住因松弛而超出半导体晶圆外周的剥离带。因此，能够可靠地避免带与带之间的粘接。

此外，在上述方法中，优选粘接剂是紫外线固化型粘接剂，

在上述分离过程中，从玻璃制的支承板侧照射紫外线，使粘接剂固化后从粘接剂分离支承板。

若采用该方法，利用紫外线的照射促进半导体晶圆和支承板间的粘接剂的聚合反应，使粘接剂完全地固化。于是，粘接剂丧失粘接力，因此在分离支承板时不用对半导体晶圆作用不必要的拉力。

此外，为了达成上述目的，本发明是这样构成的。

一种借助支承用的粘合带将半导体晶圆支承于环框上的晶圆支架制作方法，上述方法包含以下过程：

分离过程，其用于从上述半导体晶圆分离支承板；

粘贴过程，其用于向在上述半导体晶圆上成为膜状的粘接剂上粘贴预先切割成能够完全覆盖晶圆表面那样大小的粘合带；

剥离过程，其用于向上述预先切割成能够完全覆盖晶圆表面那样大小的粘合带上粘贴剥离带，通过剥离该剥离带而从半导体晶圆一体地剥离该粘合带和粘接剂以及该剥离带。

采用该方法，向半导体晶圆上的粘接剂上粘贴能够完全覆盖晶圆表面那样大小的粘合带。也就是说，增大了从支承用的粘合带的粘合面到粘贴有剥离带的面的间隔(高度)。因此，在向粘合带上粘贴剥离带时，即使剥离带松弛而超出半导体晶圆的外周，带与带之间也不易粘接。换言之，能够抑制由带与带之间的粘接导致的剥离故障。

此外，在上述方法中，例如，在剥离过程也可以在粘接剂上粘贴宽度小于半导体晶圆直径的剥离带。

即，通过向形成为膜状的粘接剂上粘贴晶圆形状的粘合带，该粘接剂得到了强化。因此，即使粘贴宽度小于半导体晶圆的剥离带，也能够用构成粘合带的基材吸收局部的拉力，因此，能够避免膜状的粘接剂局部撕裂而残留在半导体晶圆上。

此外，在上述方法中，优选粘接剂为紫外线固化型粘接剂，

附图说明

为了说明本发明而在附图中示出了几个目前认为优选的实施方式，但是本发明并不限定于附图所示的结构及方法。

图1是实施例1所示的晶圆支架制作的流程图。

图2是表示粘接剂涂布工序中的动作的主视图。

图3～图4是表示支承板贴合工序中的动作的主视图。

图5～图6是表示背磨工序中的动作的主视图。

图7是表示支承工序中的动作的主视图。

图8是表示支承工序的概略结构的主视图。

图9是表示支承工序中的动作的主视图。

图10是带切割机构的俯视图。

图11～图12是表示支承工序中的动作的主视图。

图13～图14是表示分离工序中的动作的主视图。

图15是表示剥离工序的概略结构的主视图。

图16～图18是表示剥离工序中的动作的主视图。

图19是表示剥离动作的立体图。

图20是表示剥离工序中的动作的主视图。

图21是晶圆支架的立体图。

图22是实施例2所示的晶圆支架制作的流程图。

图23是表示粘贴工序的概略结构的主视图。

图24是表示粘贴工序中的动作的立体图。

图25是表示粘贴工序中的动作的主视图。

图26是表示剥离工序的概略结构的主视图。

图27是表示剥离工序的动作的立体图。

图28是表示变形例的剥离工序中的剥离带的粘贴动作的主视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的一实施例进行说明。

实施例1

如图1所示，本实施例包括粘接剂涂布工序S1、支承板贴合工序S2、背磨工序S3、支承工序S4、分离工序S5及剥离工序S6。

在粘接剂涂布工序S1中，向表面形成有电路的半导体晶圆W(以下，简称“晶圆W”)上涂布粘接剂。例如，如图2所示，在粘接剂涂布工序中配备有旋转卡盘1、旋转轴2、电动马达3、喷嘴4及飞散防止容器5等。

即，一边利用电动马达3的旋转使以电路面朝上的状态保持着晶圆W的旋转卡盘1旋转，一边从喷嘴4朝向晶圆W的中心涂布液体粘接剂6。被涂布在晶圆W上的粘接剂6在离心力的作用下朝向晶圆W的外周呈放射状逐渐扩散。多余的粘接剂6被旋转卡盘1甩出，并由配置在旋转卡盘1的外周的飞散防止容器5回收。此时，粘接剂6逐渐进入到晶圆W的表面的由电路、凸块等台阶形成的间隙中。

在使旋转卡盘1停止旋转时，晶圆W的整个表面由不滴落液体程度的均匀厚度的粘接剂所覆盖。此外，覆盖晶圆W的粘接剂6的厚度例如为数μm左右。该厚度可根据粘接剂6的特性适当改变。也就是说，粘接剂6的涂布量根据使用的晶圆W、粘接剂的种类，反复进行实验、模拟而预先决定。

在本实施例中使用的粘接剂6是具有耐酸性、耐碱性及抗药性的紫外线固化型粘接剂。

如图3所示，涂布了粘接剂6的晶圆W在由前端具有马蹄铁形臂的输送机器人7等从背面吸附保持的状态下，被输送到支承板贴合工序S2。

在支承板贴合工序S2中，包括例如由具有对准功能的下部吸附台8和上部吸附台9构成的支承板贴合机构。

在下部吸附台8的中央配备有能够升降及旋转的吸附盘10。首先，利用输送机器人7将能够完全覆盖晶圆W的表面那样大小的玻璃制的支承板11输送到下部吸附台8，用上升的吸附盘10接收该支承板11。使吸附了支承板11的吸附盘10旋转，在此期间检测支承板11的外周的位置(坐标)，基于该检测结果寻找支承板11的中心位置。

当寻找到支承板11的中心位置时，使吸附盘10下降，并且使上部吸附台9下降并吸附保持支承板11，然后，如图4所示，使上部吸附台9向上方退避。

接下来，利用输送机器人7将晶圆W输送到下部吸附台8，用上升的吸附盘10接收晶圆W。使吸附了晶圆W的吸附盘10旋转，在此期间检测形成在晶圆W的外周上的定向平面(orientation flat)、槽口(notch)，并且寻找中心位置。基于上述获得的信息，在进行晶圆W的对准后使吸附盘10下降。

当完成晶圆W的对准时，如图5所示，使上部吸附台9下降且使支承板11的背面抵接于粘接剂6或者稍微进行按压而贴合支承板11。当使支承板11与晶圆W进行对心并完成支承板11的贴合时，用输送机器人吸附保持支承板11的表面，将其输送到背磨工序S3。

如图6及图7所示，在背磨工序S3中配备有吸附台12和研磨机13。

在用吸附台12吸附保持着支承板11的表面的状态下，利用研磨机13将晶圆W的背面磨削到规定的厚度。对达到规定厚度的晶圆W实施用于除去附着的尘埃等的除去处理。之后，利用输送机器人将晶圆W输送到支承工序S4。

如图8所示，在支承工序S4中例如包括带供给部、吸附台14、框保持部15、带粘贴机构、带切割机构17及带回收部等。

首先，使能够升降的吸附台14升高到稍微高于框保持部15的位置，在该位置从输送机器人处接收晶圆W。此时，晶圆W的背面朝上。使吸附保持了晶圆W的吸附台14下降到，在将环框f载置于框保持部15的台阶部18上时环框f的表面(图9中的环框f的下表面)和晶圆W的背面处于相同高度的位置。

接下来，利用输送机器人将环框f载置在框保持部15上。

当完成晶圆W和环框f的定位时，将从带供给部通过晶圆W和环框f的上方并绕挂在带回收部上的支承用的粘合带19粘贴在环框f和晶圆W上。也就是说，如图9所示，使粘贴辊21在粘合带19上从带供给方向的下游侧朝上游侧滚动而将粘合带19粘贴在环框f上，其中，粘合带19在下游侧被夹紧辊20把持而被施以规定的张力。此时，为了恒定地向粘合带19施以张力，与粘贴辊21的滚动同步地从带供给部放出规定量的粘合带19。

当粘贴辊21通过环框f而到达终端位置时，使带切割机构17下降，如图11所示，带切割机构17一边绕环框f的中心旋转，一边将粘合带19切割成环框f的形状。此时，如图10所示，利用与切刀22同轴配备的三条臂23的各个辊24，对粘合带19的被切刀22切割而发生上浮的部位进行按压从而将粘合带19的上浮部位粘贴在环框f上。

当完成粘合带19的切割时，使带切割结构17返回到上方的待机位置，并且解除夹紧辊20的把持而卷取回收裁剩的粘合带19。

接下来，使吸附台14上升到规定高度。也就是说，使晶圆W的背面对着粘合带19、接近粘合带19。该状态下，如图12所示，使另一粘贴辊21a从带供给方向的上游侧向下游侧滚动，粘贴辊21a按压粘合带19而将其粘贴在晶圆W的背面。被支承在粘贴了粘合带19的环框f上的晶圆W由输送机器人输送到分离工序S5。

如图13所示，在分离工序S5中例如包括下部吸附台25、紫外线照射单元及上部吸附台26等。

利用下部吸附台25从晶圆W和环框f的背面吸附保持晶圆W和环框f。以能够进退移动的方式配备在支承板11的上方位置的紫外线照射单元从支承板11侧照射紫外线。以利用透过支承板11的紫外线促进粘接剂6的聚合反应而使粘接剂6丧失粘接力为准，预先设定紫外线的照射时间。此外，紫外线照射单元可以是紫外线灯、紫外线LED或者紫外线激光装置。在利用紫外线激光装置的情况下，将焦深设定在粘接剂6与支承板11的粘接界面上。

当完成紫外线处理时，使紫外线照射单元返回待机位置，使上部吸附台26下降而吸附支承板11。当确认了上部吸附台26对支承板11的吸附时，如图14所示，使上部吸附台26上升而从粘接剂6分离支承板11。分离支承板11后的晶圆W被输送到剥离工序S6。

如图15所示，在输送工序S6中例如包括剥离带供给部、吸附台27、框保持部28、粘贴单元29、剥离单元30及带回收部等。

利用框保持部28和吸附台27吸附保持环框f和晶圆W。此时，使环框f的表面和晶圆W的表面共面。接下来，如图16所示，使能够升降的吸附台27上升。于是，粘合带19的从环框f和晶圆W外周之间露出的粘合面到膜状的粘接剂6的表面的间隔变得大于正常状态。

当完成晶圆W和环框f的定位时，将从带供给部通过晶圆W和环框f的上方并绕挂在带回收部上的、宽度大于晶圆W的直径的剥离带31粘贴在晶圆W上的粘接剂6上。也就是说，使粘贴单元29所包含的粘贴辊32在剥离带31上从带供给方向的下游侧向上游侧滚动，其中，剥离带31在下游侧被剥离单元30内的夹紧辊把持而被施以规定的张力。此时，为了恒定地对粘合带31施以张力，与粘贴辊32的滚动同步地从带供给部放出规定量的剥离带31。

当粘贴辊32通过环框f而到达终端位置时，如图17～图19所示，解除夹紧辊对剥离带31的把持并使剥离单元30移动到上游侧。此时，如图20所示，使剥离带31在剥离单元30所包括的刃口构件33的顶端处折回地剥离剥离带31，并且与该剥离动作同步地利用带回收部卷取回收与粘接剂6一体地被剥离的剥离带31。

当剥离单元30到达终端位置时，使吸附台27下降，之后使剥离单元30和粘贴单元29回归到初始位置。至此，制作晶圆支架的一系列动作便结束了，如图21所示，晶圆支架MF制作完成。

若采用上述晶圆支架制作方法，仅通过向被旋转卡盘1保持并进行旋转的晶圆W的电路面上仅仅涂布规定量的液态的粘接剂6，就能够使该粘接剂6进入到形成在电路面上的间隙中而填充该间隙。即，能够使粘接剂6的表面变平坦。也就是说，无论是用粘接剂6覆盖晶圆W的电路面时，还是将支承板11贴合在该粘接剂6上时，都不会产生由过度按压所致的应力。因此，不会使晶圆W的电路、凸块等产生破损。

此外，在上述实施例中，能够解决下述问题。即，在以往的方法中，通常将宽度小于晶圆W的直径的剥离带粘贴在残留于晶圆W上的双面粘合带上而进行剥离。然而，当利用该剥离带时，膜状的强度低粘接剂6局部受到拉力作用。因此，产生了伴随着剥离带的剥离动作，粘接剂6从剥离带的剥离部位沿带侧缘撕裂而残留在晶圆W上的问题。

因此，在该实施例中，由于是以覆盖该粘接剂6整个表面的状态粘贴剥离带31而进行剥离的，因此即使是厚度小于单面具有粘合层的粘合带及双面粘合带的厚度、形成为薄膜状的粘接剂6，也能够抑制在晶圆W的电路面上残留粘接剂6的情况。

此外，由于在将剥离带31粘贴在粘接剂6上时使吸附台27上升，因此与将环框f和晶圆W保持在同一平面上的情况相比，能够增大从粘合带19的粘合面到粘接剂6的表面的间隔。也就是说，即使剥离带31发生松弛而超出晶圆W的外周，也能够避免带与带之间的粘接。因此，不需要为了解除带与带之间的粘接而作用较强的拉力。换言之，能够避免由过度的拉力引起的晶圆W的破损及剥离故障。

实施例2

如图22所示，本实施例包括粘接剂涂布工序S10、支承板贴合工序S20、背磨工序S30、支承工序S40、分离工序S50、粘贴工序S60及剥离工序S70。此外，从粘接剂涂布工序S10到支承板分离工序S50进行与上述实施例1相同的处理，因此对使用不同处理的粘贴工序S60及其后的工序进行说明。

将分离了支承板11的晶圆W输送到粘贴工序S60。如图23及图26所示，该粘贴工序60例如包括带供给部、吸附台40、框保持部41、粘贴单元、剥离单元及带回收部等。

利用配备在能够沿导轨44移动的可动台45上的框保持部41和吸附台40吸附保持环框f和晶圆W。此时，使环框f的表面和晶圆W的表面共面。

当完成晶圆W和环框f的定位时，如图24所示，从带供给部向晶圆W供给以规定间距添设在带状的载带47上的被预先切割成能够完全覆盖晶圆W的表面那样大小粘合带48(预切割带)。

载带47在配备于粘贴位置的刃口构件49处折回，从而使粘合带48从载带47逐渐被剥离。如图25所示，使待机于粘贴位置的上方的粘贴单元42的粘贴辊50下降而对粘合带48的与晶圆W上的粘接剂6的粘贴端部接近的部分进行按压从而使该部分粘贴在粘接剂6上。接下来，与载带47的供给速度同步地移动可动台45，从而使粘贴辊50滚动。此时，将粘合带48逐渐粘贴在粘接剂6上。当完成粘合带48的粘贴时，将晶圆W输送到剥离工序S70。

如图26所示，在剥离工序S70中例如包括剥离带供给部、吸附台51、粘贴单元52、剥离单元53及带回收部等。

利用吸附台51吸附保持环框f及晶圆W。此时，使环框f的表面和晶圆W的表面共面。

当完成晶圆W和环框f的定位时，如图27所示，将从带供给部通过晶圆W和环框f的上方绕挂在带回收部上的宽度小于晶圆W的直径的剥离带54粘贴在晶圆W上的粘合带48上。也就是说，使粘贴单元52所包含的粘贴辊32a在剥离带54上从带供给方向的下游侧朝向上游侧滚动，其中，剥离带54在下游侧被剥离单元53内的夹紧辊把持而被施以规定的张力。此时，为了恒定地对剥离带54施以张力，与粘贴辊32a的滚动同步地从带供给部放出规定量的剥离带54。

当粘贴辊32a通过环框f到达终端位置时，解除夹紧辊对剥离带54的把持并使剥离单元53移动到上游侧。此时，使剥离带54在剥离单元53所包含的刃口构件33a的顶端处折回地剥离该剥离带54，并且与该剥离动作同步地利用带回收部卷取回收与粘接剂6及粘合带48一体地被剥离的剥离带54。

当剥离单元53到达终端位置时，使剥离单元53和粘贴单元52回归到初始位置。至此，制作晶圆支架的一系列动作结束，如图21所示，晶圆支架MF制作完成。

采用上述晶圆支架制作方法，在粘接剂6上粘贴能够完全覆盖晶圆W的表面那样大小的粘合带48，因此与将环框f和晶圆W保持在同一平面上的情况相比，能够增大从粘合带19的粘合面到粘合带48的表面的间距。也就是说，即使剥离带54发生松弛而超出晶圆W的外周，也可以避免带与带之间的粘接。因此，不需要为了解除带与带之间的粘接而作用较强的拉力。也就是说，能够避免由过度的拉力导致的晶圆W的破损及剥离故障。

此外，本发明也可以按以下方式实施。

(1)在上述实施例2的剥离工序S70中，也可以与实施例1相同地将晶圆W保持在能够升降的吸附台上，将环框f保持在框保持部上，在粘贴剥离带54时使该吸附台上升后将剥离带54粘贴在粘合带48上。

(2)在上述两个实施例及变形例中，在粘贴剥离带31、54时，如图28所示，也可以在晶圆W的作为带粘贴的开始端及终止端侧的外周配备经过离型处理的板55。若采用该结构，则能够接收因松弛而超出晶圆W的外周的剥离带。因此，可靠地避免了粘合带19和剥离带31、54的粘接。

(3)在上述实施例2的粘贴工序中，也可以多重地粘贴两张以上的粘合带48。

(4)在上述各实施例的支承板贴合工序中，也可以在上部吸附台26及下部吸附台25中的至少任一方中内置加热器，一边加热粘接剂6一边粘贴支承板11。

本发明可以在不脱离其思想或者本质的范围内以其他的具体形式实施，因此，发明的保护范围不限于以上说明，而应当参照所附权利要求书。

Claims

1.一种晶圆支架制作方法，在该晶圆支架制作方法中，借助支承用的粘合带将半导体晶圆支承于环框上，其中，上述方法包含以下过程：

分离过程，其用于从上述半导体晶圆分离支承板；

剥离过程，其用于向在上述半导体晶圆上成为膜状的粘接剂的整个表面上粘贴宽度大于等于半导体晶圆直径的剥离带，通过剥离该剥离带而从半导体晶圆一体地剥离该粘接剂与该剥离带，

在上述剥离过程中，用不同的吸附台分别吸附保持半导体晶圆和环框，

2.根据权利要求1所述的晶圆支架制作方法，其中，

在上述剥离过程中，进一步在使经过离型处理的板接近半导体晶圆的外周的状态下向半导体晶圆上的粘接剂上粘贴剥离带。

3.根据权利要求1所述的晶圆支架制作方法，其中，

上述粘接剂是紫外线固化型粘接剂，

4.一种晶圆支架制作方法，在该晶圆支架制作方法中，借助支承用的粘合带将半导体晶圆支承于环框上，其中，上述方法包含以下过程：

分离过程，其用于从上述半导体晶圆分离支承板；

5.根据权利要求4所述的晶圆支架制作方法，其中，

在上述剥离过程中，粘贴宽度小于半导体晶圆直径的剥离带。

6.根据权利要求4所述的晶圆支架制作方法，其中，

上述粘接剂是紫外线固化型粘接剂，

在上述分离过程中，向玻璃制的支承板照射紫外线，使粘接剂固化后从粘接剂分离支承板。