[go: up one dir, main page]

CN102544028A - 包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板 - Google Patents

包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板 Download PDF

Info

Publication number
CN102544028A
CN102544028A CN2011104613434A CN201110461343A CN102544028A CN 102544028 A CN102544028 A CN 102544028A CN 2011104613434 A CN2011104613434 A CN 2011104613434A CN 201110461343 A CN201110461343 A CN 201110461343A CN 102544028 A CN102544028 A CN 102544028A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
thin film
film transistor
ultraviolet light
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011104613434A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102544028B (zh
Inventor
林训
金大焕
崔秉国
李瑟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN102544028A publication Critical patent/CN102544028A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102544028B publication Critical patent/CN102544028B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/01—Manufacture or treatment
    • H10D48/07—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising cuprous oxide [Cu2O] or cuprous iodide [CuI]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H10D86/423—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer comprising semiconductor materials not belonging to the Group IV, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本申请公开一种包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板，其用于平板显示设备。所述薄膜晶体管基板包括：透明基板；设置在该透明基板上的具有氧化物半导体材料的薄膜晶体管层；设置在该薄膜晶体管层的整个表面上的钝化层；像素电极，该像素电极形成在该钝化层上并通过形成在该钝化层上的接触孔接触该薄膜晶体管层；以及设置在该像素电极的整个表面上的第一紫外光吸收层。

Description

包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板
本申请要求2010年12月29日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2010-0138284的优先权，在此为了所有的目的将其全部内容引入作为参考，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种包括氧化物半导体的用于平板显示装置的薄膜晶体管基板。尤其是，本发明涉及一种包括n型氧化物半导体材料并能增强对于紫外光的稳定性的薄膜晶体管基板。
背景技术
如今，随着如个人电脑、PDA(个人数字助理)、智能电话、蜂窝或移动电话等数据处理设备的发展，对重量轻、外形薄且尺寸小的显示设备的需求不断增加，为满足这些市场趋向，开发了各种平板显示设备。平板显示设备包括液晶显示设备(或“LCD”)、场致发射显示器(或称“FED”)、等离子体显示面板(或称“PDP”)、电致发光器件(或“ELD”)等。为了实现大规模生产、驱动简便、高清晰度的视频质量和低功耗，通常使用以矩阵形式布置有薄膜晶体管的LCD或OLED(有机发光二极管显示设备)。
特别是，有源矩阵型液晶显示装置(或“AMLCD”)采用薄膜晶体管(或“TFT”)作为开关元件来呈现视频数据。有源矩阵型薄膜晶体管基板使用非晶硅薄膜晶体管(或“a-Si TFT”)驱动显示设备的像素。由于a-Si TFT以低成本并且在低温处理条件下制造，因而主要采用a-Si TFT来制造平板显示设备的薄膜晶体管基板。
然而，由于a-Si TFT具有低灵活性和差的静电特性，当它应用于大面积显示设备时，很难保证良好的显示质量。为了克服这个问题，提出采用多晶硅薄膜晶体管(或“p-Si TFT”)来制造大面积显示设备。不过，也有一些其他的问题。例如，生产多晶硅TFT基板的成本是非常高的。制造工艺需要是在高温下执行。此外，对于大面积显示设备，多晶硅薄膜晶体管难以实现均匀的特性。在这种情况下，静电特性也相应恶化。
为了克服这些问题，提出了氧化物薄膜晶体管。氧化物薄膜晶体管不仅可在低温处理条件下制造，并且其具有比a-Si TFT或p-Si TFT具有更好的静电特性。因此，可以以低成本制造在大面积显示区域上具有均匀特性的薄膜晶体管基板。
对于氧化物半导体材料，包括非晶铟镓锌氧化物(a-InGaZnO4：a-IGZO)。由于a-IGZO TFT在使用用于a-Si TFT的传统制造设备时具有优良的特性，因此不需要用于开发a-IGZO TFT的制造设备的额外费用。例如，溅射设备可用于沉积a-IGZO层。对于包括这种氧化物半导体的薄膜晶体管的结构，可考虑背沟道蚀刻型(back channel etch type)和蚀刻阻挡型(etch stopper type)。特别是，为达到更好的特性，蚀刻阻挡型是用于氧化物TFT的最佳结构。
当使用a-IGZO半导体材料时，单独满足偏置温度应力(BTS)特性或光特性，估计不会出现特别的问题。然而，当同时满足这两种特性时，氧化物TFT的稳定性严重降低。这是氧化物半导体应用于最为关注透明特性的显示设备时的重要障碍。
发明内容
为了克服上述问题而提出本发明。本发明的一个目的是提出一种用于平板显示设备的氧化物半导体薄膜晶体管基板，其对于紫外光具有良好的光热特性的。本发明的另一目的是提出一种用于平板显示设备的氧化物半导体薄膜晶体管基板，其不仅具有良好的光热特性，还具有良好的透明特性。
为了实现上述目的，本发明提出一种用于平板显示设备的薄膜晶体管基板，包括：透明基板；设置在该透明基板上的具有氧化物半导体材料的薄膜晶体管层；设置在该薄膜晶体管层的整个表面上的钝化层；像素电极，该像素电极形成在该钝化层上并通过形成在该钝化层上的接触孔接触该薄膜晶体管层；以及设置在该像素电极的整个表面上的第一紫外光吸收层。
优选地，所述第一紫外光吸收层包含用于吸收所有紫外光并使所有可见光通过的材料。
优选地，所述第一紫外光吸收层包含氧化铟、氧化锡、氧化镓和氧化锌中的至少一种。
优选地，所述设备还包括：设置在该透明基板和该薄膜晶体管层之间的第二紫外光吸收层。
优选地，所述第一紫外光吸收层和所述第二紫外光吸收层包含用于吸收所有紫外光并使所有可见光通过的材料。
优选地，所述第一紫外光吸收层和所述第二紫外光吸收层包含氧化铟、氧化锡、氧化镓和氧化锌中的至少一种。
优选地，所述氧化物半导体材料包括铟镓锌氧化物材料。
优选地，所述薄膜晶体管层包括：在该透明基板上沿水平方向延伸的栅极线；从所述栅极线分支而来的栅极；覆盖所述栅极线和所述栅极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的与所述栅极重叠的沟道层，所述沟道层包含氧化物半导体材料；在该透明基板上沿垂直方向延伸的数据线；从所述数据线分支而来并接触所述沟道层的一侧的源极；以及与所述源极相对并接触所述沟道层的另一侧的漏极。
优选地，所述栅极绝缘层包含用于吸收所有紫外光并使所有可见光通过的材料。
优选地，所述栅极绝缘层包括氧化铟、氧化锡、氧化镓和氧化锌中的至少一种。
由于具有氧化物半导体的薄膜晶体管基板在氧化物半导体层之下和之上包括用于吸收紫外光并具有透明特性的材料层，因此几乎所有来自外部的紫外光都被吸收，从而增强了氧化物半导体的光热特性。在可见光透过材料层的同时，作为平板显示设备的最重要特性之一的透明特性不会恶化。
附图说明
所包括的附图提供对本发明的进一步的理解，附图合并到本申请中并构成本申请的一部分。附图示出了本发明的多个实施方式，并且连同说明书一起用来解释本发明的原理。
在附图中：
图1是示出根据本发明包括氧化物半导体的薄膜晶体管基板的结构的平面视图。
图2是示出根据本发明第一实施方式的包括氧化物半导体的薄膜晶体管基板的结构的横截面视图。
图3是示出根据本发明第二实施方式的包括氧化物半导体的薄膜晶体管基板的结构的横截面视图。
具体实施方式
现在将详细参照图1-3来说明本发明的优选实施方式。图1是示出根据本发明包括氧化物半导体的薄膜晶体管基板的结构的平面视图。
根据本发明的用于平板显示设备的薄膜晶体管基板可用于液晶显示设备或有机发光二极管显示设备。平板显示设备可进一步包括与薄膜晶体管基板相对的滤色器基板。由于本发明是关于薄膜晶体管基板，因此下文将围绕具有以矩阵图案设置的用于驱动像素的多个薄膜晶体管的基板进行描述。
图2是示出根据本发明第一实施方式的包括氧化物半导体的薄膜晶体管基板的结构的横截面视图。图2是沿着图1的I-I’线切割所得的横截面视图。参照图1和2，根据本发明第一实施方式的薄膜晶体管基板包括在透明基板SUB上彼此交叉地布置的多条栅极线GL和多条数据线DL、设置在透明基板上的具有氧化物半导体材料的薄膜晶体管层、设置在薄膜晶体管层的整个表面上的钝化层、形成在钝化层上并且通过形成在钝化层上的接触孔接触薄膜晶体管层的像素电极以及设置在像素电极整个表面上的紫外光吸收层。优选地，所述薄膜晶体管层包括下文将要描述的栅极线、栅极、栅极绝缘层、沟道层、数据线、源极和漏极。作为优选实施方式，根据本发明第一实施方式的薄膜晶体管基板包括在通过栅极线GL和数据线DL的交叉结构限定的像素区域中的薄膜晶体管T和像素电极PXL。
在透明基板SUB的整个表面上，沉积下紫外光吸收层UV1。下紫外光吸收层UV1包含用于吸收紫外光的材料。特别是，下紫外光吸收层UV1可在吸收所有紫外光的同时使所有的可见光通过，以便对于可见光与透明基板SUB具有相同的透明度。为此，下紫外光吸收层UV1可以是如铟(In)、锡(Sn)、镓(Ga)或锌(Zn)等的氧化物材料。例如，下紫外光吸收层UV1包括氧化铟、氧化锡、氧化镓和氧化锌中的至少一种。
在下紫外光吸收层上，多条栅极线GL沿水平方向延伸并且在垂直方向上具有预定距离。栅极G是从栅极线GL分支而来，并伸入到像素区域中。尽管图中未示出，可在栅极线GL的一端形成栅极焊盘。
在具有栅极G的透明基板SUB上，沉积栅极绝缘层GI。在栅极绝缘层GI上，形成具有半导体材料并与栅极G重叠的沟道层A。沟道层A可包含氧化物半导体材料。例如，沟道层A可包含非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)。
在具有沟道层A的透明基板SUB上，形成与栅极线GL交叉的沿垂直方向延伸的多条数据线DL。沟道层A的一侧接触从数据线DL分支而来的源极S。沟道层A的另一侧接触以预定距离与源极相对的漏极D。在源极S和沟道层A之间，以及在漏极D和沟道层A之间，设置有欧姆接触层n。欧姆接触层n不应形成在位于源极S和漏极D之间的沟道层A的部分上。为此，在设置欧姆接触层n之后，所述部分通过蚀刻工艺被去除。在蚀刻工艺中，沟道层A不应被蚀刻剂损坏。为了保护沟道层A，在位于源极S和漏极D之间的沟道层A的中部，可进一步包括蚀刻阻挡部ES。最后，包括源极S、漏极D、沟道层A和栅极G的薄膜晶体管T完成。
在具有源极S和漏极D的透明基板SUB上，设置覆盖整个表面的钝化层PAS。通过图案化钝化层PAS，形成暴露漏极D的多个部分的漏极接触孔DH。在钝化层PAS上，形成通过漏极接触孔DH接触漏极D的像素电极PXL。
在具有像素电极PXL和薄膜晶体管T的透明基板SUB上，设置覆盖整个表面的上紫外光吸收层UV2。与下紫外光吸收层UV1类似，上紫外光吸收层UV2在使所有可见光通过的同时吸收所有紫外光，以与透明基板SUB具有相同的透明特性。例如，上紫外光吸收层UV2包含氧化铟、氧化锡、氧化镓和氧化锌中的至少一种。
根据第一实施方式，用于平板显示设备的薄膜晶体管基板包括分别设置在薄膜晶体管T之下和之上的下紫外光吸收层UV1和上紫外光吸收层UV2。结果，可以保护可从外部入射到包括氧化物半导体沟道层A的薄膜晶体管T中的所有紫外光。然而，由于所有的可见光都可以通过下紫外光吸收层UV1和上紫外光吸收层UV2，这种基板可用作显示面板。
在下文中，将参照图1和3解释本发明的第二实施方式。图3是示出根据本发明第二实施方式的包括氧化物半导体的薄膜晶体管基板的结构的横截面视图。图3是沿着图1的I-I’线切割所得的横截面视图。
参照图1和3，根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管基板包括在透明基板SUB上彼此交叉地布置的多条栅极线GL和多条数据线DL。此外，还包括在通过栅极线GL和数据线DL的交叉结构限定的像素区域中的薄膜晶体管T和像素电极PXL。
在透明基板SUB上，多条栅极线GL沿水平方向延伸并且在垂直方向上具有预定距离。栅极G是从栅极线GL分支而来，并伸入到像素区域中。尽管图中未示出，可在栅极线GL的一端形成栅极焊盘。
在具有栅极G的透明基板SUB上，沉积栅极绝缘层GI。栅极绝缘层GI包括用于吸收紫外光的材料。特别是，栅极绝缘层GI可在吸收紫外光的同时使所有的可见光通过，以便对于可见光与透明基板SUB具有相同的透明度。为此，栅极绝缘层GI可以是如铟(In)、锡(Sn)、镓(Ga)或锌(Zn)等的氧化物材料。例如，栅极绝缘层GI包含氧化铟、氧化锡、氧化镓和氧化锌中的至少一种。
在栅极绝缘层GI上，形成具有半导体材料并与栅极G重叠的沟道层A。沟道层A可包含氧化物半导体材料。例如，沟道层A可包含非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)。
在具有沟道层A的透明基板SUB上，形成与栅极线GL交叉的多条数据线DL。沟道层A的一侧接触从数据线DL分支而来的源极S。沟道层A的另一侧接触以预定距离与源极相对的漏极D。在源极S和沟道层A之间，以及在漏极D和沟道层A之间，设置有欧姆接触层n。欧姆接触层n不应形成在位于源极S和漏极D之间的沟道层A的部分上。为此，在设置欧姆接触层n之后，所述部分通过蚀刻工艺被去除。在蚀刻工艺中，沟道层A不应被蚀刻剂损坏。为了保护沟道层A，在位于源极S和漏极D之间的沟道层A的中部，可进一步包括蚀刻阻挡部ES。最后，包括源极S、漏极D、沟道层A和栅极G的薄膜晶体管T完成。
在具有源极S和漏极D的透明基板SUB上，设置覆盖整个表面的钝化层PAS。通过图案化钝化层PAS，形成暴露漏极D的多个部分的漏极接触孔DH。在钝化层PAS上，形成通过漏极接触孔DH接触漏极D的像素电极PXL。
在具有像素电极PXL和薄膜晶体管T的透明基板SUB上，设置覆盖整个表面的紫外光吸收层UV。紫外光吸收层UV在使所有可见光通过的同时吸收紫外光，以与透明基板SUB具有相同的透明特性。例如，紫外光吸收层UV包含氧化铟、氧化锡、氧化镓和氧化锌中的至少一种。
根据本发明的第二实施方式，用于平板显示设备的薄膜晶体管基板包括薄膜晶体管T的具有紫外光吸收材料的栅极绝缘层以及在薄膜晶体管T上方的紫外光吸收层UV。结果，可以保护可从外部入射到包括氧化物半导体沟道层A的薄膜晶体管T中的所有紫外光。然而，由于所有的可见光都可以通过具有紫外光吸收材料的栅极绝缘层和紫外光吸收层UV，这种基板可用作显示面板。
虽然已经参照附图详细描述了本发明的实施方式，但是所属领域的普通技术人员应当理解，在不改变本发明的技术精神或实质特点的条件下本发明可以以其它具体形式来实现。因此，应当意识到，前述实施方式在所有方面仅为示例性的，并非用以限制本发明。本发明的范围由所附权利要求书而不是具体实施方式来限定。在权利要求书的含义和范围之内进行的所有变化或改型及其等效物都应视为落入本发明的范围之内。

Claims (10)

1.一种用于平板显示设备的薄膜晶体管基板，该设备包括：
透明基板；
设置在该透明基板上的具有氧化物半导体材料的薄膜晶体管层；
设置在该薄膜晶体管层的整个表面上的钝化层；
像素电极，该像素电极形成在该钝化层上并通过形成在该钝化层上的接触孔接触该薄膜晶体管层；以及
设置在该像素电极的整个表面上的第一紫外光吸收层。
2.根据权利要求1的设备，其中所述第一紫外光吸收层包含用于吸收所有紫外光并使所有可见光通过的材料。
3.根据权利要求1的设备，其中所述第一紫外光吸收层包含氧化铟、氧化锡、氧化镓和氧化锌中的至少一种。
4.根据权利要求1的设备，还包括：
设置在该透明基板和该薄膜晶体管层之间的第二紫外光吸收层。
5.根据权利要求4的设备，其中所述第一紫外光吸收层和所述第二紫外光吸收层包含用于吸收所有紫外光并使所有可见光通过的材料。
6.根据权利要求4的设备，其中所述第一紫外光吸收层和所述第二紫外光吸收层包含氧化铟、氧化锡、氧化镓和氧化锌中的至少一种。
7.根据权利要求1的设备，其中所述氧化物半导体材料包括铟镓锌氧化物材料。
8.根据权利要求1的设备，其中所述薄膜晶体管层包括：
在该透明基板上沿水平方向延伸的栅极线；
从所述栅极线分支而来的栅极；
覆盖所述栅极线和所述栅极的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上的与所述栅极重叠的沟道层，所述沟道层包含氧化物半导体材料；
在该透明基板上沿垂直方向延伸的数据线；
从所述数据线分支而来并接触所述沟道层的一侧的源极；以及
与所述源极相对并接触所述沟道层的另一侧的漏极。
9.根据权利要求6的设备，其中所述栅极绝缘层包含用于吸收所有紫外光并使所有可见光通过的材料。
10.根据权利要求7的设备，其中所述栅极绝缘层包括氧化铟、氧化锡、氧化镓和氧化锌中的至少一种。
CN201110461343.4A 2010-12-29 2011-12-28 包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板 Expired - Fee Related CN102544028B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100138284A KR101800888B1 (ko) 2010-12-29 2010-12-29 산화물 반도체를 포함한 박막 트랜지스터 기판
KR10-2010-0138284 2010-12-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102544028A true CN102544028A (zh) 2012-07-04
CN102544028B CN102544028B (zh) 2015-05-06

Family

ID=46350506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110461343.4A Expired - Fee Related CN102544028B (zh) 2010-12-29 2011-12-28 包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8803144B2 (zh)
KR (1) KR101800888B1 (zh)
CN (1) CN102544028B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105093667A (zh) * 2015-09-25 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105182595A (zh) * 2015-08-28 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及其制作方法
CN111584594A (zh) * 2020-05-25 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及其制造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104332478A (zh) * 2014-11-17 2015-02-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104952881A (zh) * 2015-05-06 2015-09-30 合肥京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
KR102516936B1 (ko) * 2021-06-11 2023-03-31 숭실대학교산학협력단 향상모드 동작이 가능한 전계 효과 트랜지스터 소자

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5994157A (en) * 1998-01-22 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Method of making a large area imager with UV Blocking layer, and corresponding imager
CN1542708A (zh) * 2003-03-27 2004-11-03 ������������ʽ���� 电光装置的制造方法、电光装置、电子设备
JP2007128117A (ja) * 2007-02-22 2007-05-24 Advanced Display Inc 液晶表示装置およびその製造方法
CN101719514A (zh) * 2008-10-08 2010-06-02 佳能株式会社 场效应晶体管及其制造工艺
CN101789443A (zh) * 2010-03-08 2010-07-28 友达光电股份有限公司 像素结构及其制造方法以及电子装置的制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001111076A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Tdk Corp コーティング体および太陽電池モジュール
WO2002016679A1 (en) * 2000-08-18 2002-02-28 Tohoku Techno Arch Co., Ltd. Polycrystalline semiconductor material and method of manufacture thereof
JP2009037809A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5994157A (en) * 1998-01-22 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Method of making a large area imager with UV Blocking layer, and corresponding imager
CN1542708A (zh) * 2003-03-27 2004-11-03 ������������ʽ���� 电光装置的制造方法、电光装置、电子设备
JP2007128117A (ja) * 2007-02-22 2007-05-24 Advanced Display Inc 液晶表示装置およびその製造方法
CN101719514A (zh) * 2008-10-08 2010-06-02 佳能株式会社 场效应晶体管及其制造工艺
CN101789443A (zh) * 2010-03-08 2010-07-28 友达光电股份有限公司 像素结构及其制造方法以及电子装置的制造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105182595A (zh) * 2015-08-28 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及其制作方法
CN105182595B (zh) * 2015-08-28 2019-10-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及其制作方法
CN105093667A (zh) * 2015-09-25 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
US10459279B2 (en) 2015-09-25 2019-10-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, method for manufacturing the same, display panel and display device
CN111584594A (zh) * 2020-05-25 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及其制造方法
CN111584594B (zh) * 2020-05-25 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102544028B (zh) 2015-05-06
US8803144B2 (en) 2014-08-12
KR101800888B1 (ko) 2017-11-24
KR20120076221A (ko) 2012-07-09
US20120168746A1 (en) 2012-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113257840B (zh) 显示设备
CN102576736B (zh) 半导体器件及其制造方法
US10303021B2 (en) BOA liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
US8405085B2 (en) Thin film transistor capable of reducing photo current leakage
US20190204668A1 (en) Array substrate, manufacturing method, display panel and display device
CN104241298B (zh) Tft背板结构及其制作方法
WO2017054271A1 (zh) 低温多晶硅tft基板
CN102544028B (zh) 包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板
TWI423448B (zh) 影像顯示系統
CN103018989A (zh) 一种阵列基板及其制造方法和液晶显示装置
US8242503B2 (en) Multi-gate thin film transistor device
US8748892B2 (en) Thin film transistor and method for fabricating the same
CN103531610A (zh) 一种底发射基板、显示装置及该基板的制造方法
CN105514034A (zh) Tft基板的制作方法
US11411101B2 (en) Manufacturing method of TFT substrate
CN108305879A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置
JP2021034578A (ja) 半導体装置
CN106252364A (zh) 一种goa阵列基板的制作方法及goa阵列基板
CN108388057B (zh) 阵列基板
US10043829B2 (en) TFT backplate structure and manufacture method thereof
US10109659B2 (en) TFT backplate structure comprising transistors having gate isolation layers of different thicknesses and manufacture method thereof
US20130106679A1 (en) Lcd panel and method of manufacturing the same
KR20140145845A (ko) 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법
US9899421B2 (en) Manufacture method of TFT substrate and sturcture thereof
KR20120075803A (ko) 산화물 반도체를 포함한 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150506

Termination date: 20211228

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee