CN102479909B - 发光二极管 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管，包括基座、安装基座上的第一引脚及第二引脚及与第一引脚及第二引脚电连接的发光芯片，所述基座包括基底及形成于该基底上的环状反射杯，所述发光芯片设置于基底的表面上，所述反射杯的内侧壁面围绕发光芯片设置，所述反射杯的内侧壁面上覆盖有保护膜。该发光二极管由于采用了保护膜对基座的反射杯进行保护，使得反射杯可以不受发光芯片照射影响，因此可防止光线对反射杯照射所带来的黄化及脆裂等问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体元件，特别是指一种发光二极管。
背景技术
发光二极管凭借其高光效、低能耗、无污染等优点，已被应用于越来越多的场合之中，大有取代传统光源的趋势。
发光二极管是通过采用电流激发其发光芯片的方式进行发光。根据所选用的材料，发光二极管的芯片能够辐射出各种相应的可见光以及不可见光，范围涵盖紫外至红外波段。对于紫外发光芯片而言，其既可搭配RGB(红绿蓝)三色荧光粉使用来合成白光以进行照明，也可以单独使用来达到杀菌、净化、探测、固化等目的。
发光二极管基座通常是由合成高分子材料如PPA(聚己二酸丙二醇酯)或者PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)制成，这样制造成本低且易成型。然而，这些材质对于某些光线的耐性较低，在经过长时间照射之后容易发生黄化甚至于脆裂，造成发光二极管的使用寿命降低。
发明内容
因此，有必要提供一种不易黄化及脆裂的发光二极管。
一种发光二极管，包括基座、安装基座上的第一引脚及第二引脚及与第一引脚及第二引脚电连接的发光芯片，所述基座包括基底及形成于该基底上的环状反射杯，所述发光芯片设置于基底的表面上，所述反射杯的内侧壁面围绕发光芯片设置，所述反射杯的内侧壁面上覆盖有保护膜。
该发光二极管由于采用了保护膜对基座的反射杯进行保护，使得反射杯可以不受发光芯片照射影响，因此可防止光线对反射杯照射所带来的黄化及脆裂的问题。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1是本发明一实施例的发光二极管的剖面示意图。
主要元件符号说明
| 基座 | 10 |
| 基底 | 11 |
| 反射杯 | 12 |
| 第一引脚 | 20 |
| 第二引脚 | 30 |
| 接线段 | 22、32 |
| 接触段 | 24、34 |
| 连接段 | 26、36 |
| 发光芯片 | 40 |
| 金线 | 42 |
| 保护膜 | 50 |
| 第一保护膜 | 51 |
| 第二保护膜 | 52 |
| 封装体 | 60 |
| 荧光粉颗粒 | 70 |
| 反射颗粒 | 80 |
具体实施方式
请参阅图1，示出了本发明一实施例的发光二极管。该发光二极管包括基座10、分别固定于基座10相对两端的第一引脚20及第二引脚30、安装于第一引脚20上的发光芯片40、覆盖基座10内表面的保护膜50及覆盖发光芯片40的封装体60。
上述基座10包括基底11及形成基底11上的反射杯12。所述反射杯12呈环状，其中部形成一凹陷部(未标示)。所述第一引脚20及第二引脚30均由金属材料制成，并弯折成U型，分别穿置于基座10的基底11的相对两端。第一引脚20与第二引脚30相互隔开以避免短路。第一引脚20及第二引脚30均包括位于基底11底面的接触段24、34、位于基底11顶面且暴露于凹陷部内的接线段22、32及连接接触段24、34及接线段22、32的连接段26、36。该接触段24、34用于与外部的电路(图未示)连接以将电能输入进发光二极管内。该接线段22、32用于与发光芯片40电连接，以驱动发光芯片40发光。该接线段22、32平行于接触段24、34且垂直于连接段26、36。所述基座10可以由LCP(Liquid Crystal Polymer，即液晶高分子)材料一体制成，也可以为不同材料分开制造，比如所述基座10的反射杯12由LCP材料制成，而基底11为硅基板、塑料基板或陶瓷基板。另外，在制作中，所述LCP材料中可以混入塑胶(Plastic)粒子、陶瓷(Ceramic)粒子或者高挥发性溶液。
上述发光芯片40容置于所述基座10的反射杯12内，并固定于第一引脚20的接线段22表面上，其是由氮化镓、氮化铟镓等半导体化合材料所制成。所述发光芯片40在通电之后可发射出各种可见光或者不可见光，如黄光、蓝光及紫外光等。该发光芯片40通过二金线42分别连接至第一引脚20及第二引脚30的接线段22、32以实现电性导通。当然，发光芯片40也可采用倒装(flip-chip)的方式直接固定于第一引脚20及第二引脚30的接线段22、32表面，而无需使用金线42。
上述保护膜50包括覆盖于反射杯12的内侧壁面上的第一保护膜51，及贴设于基底11顶面上的第二保护膜52。所述第一保护膜51覆盖反射杯12的整个内侧壁面。所述第二保护膜52围绕所述发光芯片40设置，并由第一引脚20表面延伸至第二引脚30的表面以覆盖第一引脚20与第二引脚30之间暴露出的基底11顶面。该保护膜50是一种反射膜，其优选地由二氧化钛制成，也可以由二氧化硅、氮化硅等玻璃类或陶瓷类材料所制成。在本实施例中，所述保护膜50将直接暴露在发光芯片40照射范围内的基座10的表面均对应覆盖。在其他实施例中，可以理解地，根据具体情况需要，所述保护膜50可以仅包括覆盖于反射杯12的内侧壁面上的第一保护膜51，或者仅包括贴设于基底11顶面上的第二保护膜52。经由保护膜50的反射，发光芯片40朝向基座10发出的光线可被有效地被反射而最终射出，进而提升光利用率。并且，采用上述材料制成的保护膜50对于紫外波段的光线有着较高的反射率，因此可将发光芯片40发出光线中的紫外线有效地进行反射，从而保护位于反射膜50背面的基座10。特别地，当基座10采用上述LCP材料制造时，其对于紫外线的耐性较低，因此更需要保护膜50的保护作用。由于保护膜50的反射率较高(可达到99％以上)，因此仅有非常少量的光透射过该保护膜50到达至基座10表面，从而确保基座10基本不会受光线影响而致黄化或者脆裂。另外，采用LCP材料制成的基座10的耐热性较好，可进一步延长基座10的使用寿命。
上述封装体60填满反射杯12的凹陷部内以保护位于凹陷部内的发光芯片40。封装体60由聚碳酸酯或者聚甲基丙烯酸甲酯等透明材料所制成。封装体60内可以均匀地掺杂有荧光粉颗粒70。该荧光粉颗粒70可由钇铝石榴石、氮化物、氮氧化物、硅酸盐等荧光材料所制成，具体取决于实际的光色需求。
为进一步提升光利用率，使更多的光线能够照射到荧光粉颗粒70上，所述封装体60内还掺杂有反射颗粒80。所述反射颗粒80可由云母、二氧化钛、氧化锌等对于光线有较高反射率的材料制成，其粒径介于0.1μm～0.3μm之间。通过反射颗粒80的反射，可改变原本未经过荧光粉颗粒70的光线的光路，使其有一定几率照射到荧光粉颗粒70上。因此，发光二极管的出光效率相应地得到了提升。
Claims (9)
1.一种发光二极管，包括基座、安装基座上的第一引脚及第二引脚及与第一引脚及第二引脚电连接的发光芯片，所述基座包括基底及形成于该基底上的环状反射杯，所述发光芯片设置于基底的表面上，所述反射杯的内侧壁面围绕发光芯片设置，其特征在于：所述反射杯的内侧壁面上覆盖有保护膜,所述基底对应设置发光芯片的表面上设置有另一保护膜，该另一保护膜覆盖第一引脚与第二引脚之间暴露出的基底表面，该保护膜及另一保护膜将直接暴露在该发光芯片照射范围内的该基座的表面均对应覆盖，该保护膜及另一保护膜均为反射膜。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述另一保护膜围绕发光芯片设置。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一引脚与第二引脚间隔设置。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包括覆盖发光芯片的封装体，该封装体填充于所述反射杯内。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述封装体内掺杂有荧光粉颗粒。
6.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述封装体内掺杂有反射颗粒，反射颗粒由二氧化钛、云母或氧化锌制成。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护膜及另一保护膜由二氧化钛制成。
8.如权利要求1至7任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述基座由液晶高分子材料一体制成。
9.如权利要求1至7任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述反射杯由液晶高分子材料一体制成。
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