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CN102468406B - 发光二极管封装结构及其制造方法 - Google Patents

发光二极管封装结构及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板上的发光二极管芯片及通过打线与发光二极管芯片电连接的第一电连接部和第二电连接部，该第一电连接部由该基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面，该第二电连接部由该基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面，所述第一电连接部和第二电连接部覆盖有一层防氧化层。在第一电连接部和第二电连接部上形成防氧化层，有效防止第一电连接部和第二电连接部被氧化，从而保证了发光二极管封装结构正常工作。本发明还提供一种制造上述发光二极管封装结构的方法。

Description

发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件及其制造方法，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
在现有的发光二极管封装结构中，其金属电极大都采用银或银镍合金制成，但金属银容易被氧化而导致元件功能丧失。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种防止金属电极被氧化的发光二极管封装结构及其制造方法。
一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板上的发光二极管芯片及通过打线与发光二极管芯片电连接的第一电连接部和第二电连接部，该第一电连接部由该基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面，该第二电连接部由该基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面，所述第一电连接部和第二电连接部覆盖有一层防氧化层,该发光二极管封装结构还包括设置于所述基板上的反射部及包覆该反射部的绝缘层，该反射部通过绝缘层与第一电连接部和第二电连接部相互绝缘，所述发光二极管芯片设置于该绝缘层上,该反射部自基板的第一表面贯穿延伸至基板的第二表面以增加热传导。
一种发光二极管封装结构制造方法，包括步骤：
1)提供一基板，该基板上形成有多对电极，每对电极之间形成与电极相互绝缘的反射部，每一反射部均自基板的第一表面贯穿延伸至基板的第二表面以增加热传导；
2)提供多个绝缘层，每一绝缘层盖在相应的反射部上；
3)在电极上电镀有防氧化层；
4)放置发光二极管芯片在每一绝缘层上，并通过导线将发光二极管芯片与相应的防氧化层电连接；
5)形成多个相互间隔的封装体，每一封装体覆盖一对电极上的防氧化层及该对电极之间的绝缘层上，并将相应的发光二极管芯片与导线包裹，从而在基板上形成多个发光二极管封装结构；
6)将多个发光二极管封装结构彼此分离。
在第一电连接部和第二电连接部(即电极)上形成防氧化层，有效防止第一电连接部和第二电连接部被氧化，从而保证了发光二极管封装结构正常工作。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的截面示意图。
图2为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的截面示意图。
图3为本发明第三实施例的发光二极管封装结构的截面示意图。
图4为制造图1的发光二极管封装结构的第一个步骤。
图5为制造图1的发光二极管封装结构的第二个步骤。
图6为制造图1的发光二极管封装结构的第三个步骤。
图7为制造图1的发光二极管封装结构的第四个步骤。
图8为制造图1的发光二极管封装结构的第五个步骤。
主要元件符号说明
基板         10
第一电连接部 11
第二电连接部 12
反射部       13、13a
绝缘层       14
防氧化层       15、15b
发光二极管芯片 16
封装体         17
导线           18
第一表面       101
第二表面       102
具体实施方式
如图1所示，本发明第一实施例的发光二极管封装结构包括基板10、贴于基板10上的相互绝缘的第一电连接部11和第二电连接部12、反射部13、包覆反射部13的绝缘层14、形成于第一电连接部11和第二电连接部12的防氧化层15、设置于绝缘层14上的发光二极管芯片16、以及设置于发光二极管芯片16的出光方向上的封装体17。所述反射部13通过绝缘层14分别与第一电连接部11和第二电连接部12绝缘。所述发光二极管芯片16通过打线分别与第一电连接部11和第二电连接部12上的防氧化层15电连接。
所述基板10可以是塑料基板或陶瓷基板如氧化铝基板、氧化锌基板或者硅基板等。该基板10呈平板状，其具有一第一表面101以及与其相对的第二表面102。第一电连接部11的一端形成于该基板10的第一表面101上，其另一端延伸至该基板10的第二表面102。第二电连接部12的一端形成于该基板10的第一表面101上，其另一端延伸至该基板10的第二表面102。该第一电连接部11和第二电连接部12为一金属层，该金属层可以为银、银镍合金或其他导电金属。
所述反射部13与第一电连接部11和第二电连接部12相互绝缘。在第一实施例中，该反射部13仅贴设于所述基板10的第一表面101上。该反射部13可为其他结构，如图2所示的结构，该反射部13a自基板10的第一表面101延伸至基板10的第二表面102上，以增加热传导。在第一、第二实施例中，反射部13、13a为一金属层，该金属层可以为银、银镍合金或其他导电金属。
在第一实施例中，所述绝缘层14覆盖于所述反射部13的顶面和外围侧面，以防止反射部13被氧化。该绝缘层14为透明的材质，例如SiO2。在第一实施例中，该绝缘层14的侧部刚好填充反射部13与第一电连接部11和第二电连接部12之间的空隙。在其他实施例中，该绝缘层14只要包裹好反射部13即可。
所述防氧化层15分别覆盖于所述第一电连接部11和第二电连接部12，以防止第一电连接部11和第二电连接部12被氧化。该防氧化层15可通过电镀的方法形成于第一电连接部11和第二电连接部12上。该防氧化层15为不易氧化的金属层，例如Au(金)层。防氧化层15b可同时覆盖位于所述基板10的第二表面102上的第一电连接部11和第二电连接部12，如图3所示。
在第一实施例中，所述发光二极管芯片16贴于所述绝缘层14的顶面，并通过打线分别与覆盖于第一电连接部11和第二电连接部12上的防氧化层15电连接，使得发光二极管芯片16通过导线18和防氧化层15分别与第一电连接部11和第二电连接部12电连接。该防氧化层15不仅可以防止第一电连接部11和第二电连接部12氧化，而且可以增加热应力避免导线18受热时断裂。
所述封装体17覆盖所述防氧化层15与所述绝缘层14上，并将发光二极管芯片16与导线18包裹。该封装体17为掺杂有荧光粉的封装树脂。在本实施例中，该封装体17的两侧分别与第一电连接部11和第二电连接部12的侧部平齐。发光二极管芯片16发出光线，透过封装体17射出。发光二极管芯片16发出的光线激发荧光粉产生波长不同的光线，该二种光线在封装体17内充分混光后射出。所述反射部13反射发光二极管芯片16发出的光线。
图4至图8示出了制造本发明第一实施例的发光二极管封装结构的方法，包括如下步骤：
步骤1，如图4所示，提供一基板10，在基板10的第一表面101上镀上一层反射部13，并由第一表面101延伸至基板10的第二表面102镀上的第一电连接部11和第二电连接部12。第一电连接部11和第二电连接部12即是发光二极管封装结构的一对电极。假设反射部13、第一电连接部11和第二电连接部12为一组，该基板10上形成多组，在后续步骤中，在一个基板10上形成多个发光二极管封装结构。步骤2至步骤5中以其中一个发光二极管封装结构为例进行说明，其他实施例的发光二极管封装结构的制造方法同理。
步骤2，如图5所示，预先制作一绝缘层14，并将该绝缘层14盖在反射部13上。绝缘层14可增加反射效果，也防止反射部13氧化。
步骤3，如图6所示，利用电镀技术覆盖一层防氧化层15在位于所述基板10的第一表面101上的第一电连接部11和第二电连接部12上，所述防氧化层15的顶面与绝缘层14的顶面平齐。
步骤4，如图7所示，放置发光二极管芯片16在所述绝缘层14上，并通过导线18将发光二极管芯片16与防氧化层15电连接。
步骤5，如图8所示，形成一封装体17，该封装体17覆盖所述防氧化层15与所述绝缘层14上，并将发光二极管芯片16与导线18包裹。
步骤6，将通过上述步骤形成的多个发光二极管封装结构彼此分离。在本实施例中，采用蚀刻方式分离。
制造本发明第二实施例的发光二极管封装结构的方法与第一实施例的大致相同，不同之处在于：第二实施例的反射部13a自基板10的第一表面101延伸至基板10的第二表面102上。可以理解地，在第二实施例中，防氧化层15也可以同时形成于位于所述基板10的第二表面102上的第一电连接部11和第二电连接部12上。
制造本发明第三实施例的发光二极管封装结构的方法与第一实施例的大致相同，不同之处在于：防氧化层15b同时覆盖位于所述基板10的第二表面102上的第一电连接部11和第二电连接部12上。可以理解地，在第三实施例中，反射部13可以自基板10的第一表面101延伸至基板10的第二表面102上。
综上所述，利用选镀的技术在第一电连接部11和第二电连接部12上形成防氧化层15(15b)，有效防止第一电连接部11和第二电连接部12被氧化，从而保证了发光二极管封装结构正常工作。
另外，在发光二极管芯片16的下面形成有反射部13与绝缘层14，使得所述基板10的表面形成调光结构，以将发光二极管芯片16发出的光线聚集向发光二极管芯片16的上方。
应该指出，上述实施方式仅为本发明的较佳实施方式，本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化。这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (8)

1.一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板上的发光二极管芯片、与发光二极管芯片电连接的第一电连接部和第二电连接部，该第一电连接部由该基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面，该第二电连接部由该基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面，其特征在于：所述第一电连接部和第二电连接部覆盖有一层防氧化层,该发光二极管封装结构还包括设置于所述基板上的反射部及包覆该反射部的绝缘层，该反射部通过绝缘层与第一电连接部和第二电连接部相互绝缘，所述发光二极管芯片设置于该绝缘层上,该反射部自基板的第一表面贯穿延伸至基板的第二表面以增加热传导。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述防氧化层为一层不易氧化的金属层。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘层由透明的材质制成。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括覆盖于所述防氧化层与所述绝缘层上的封装体，该封装体包裹所述发光二极管芯片。
5.一种发光二极管封装结构制造方法，包括步骤：
1)提供一基板，该基板上形成有多对电极，每对电极之间形成与电极相互绝缘的反射部，每一反射部均自基板的第一表面贯穿延伸至基板的第二表面以增加热传导；
2)提供多个绝缘层，每一绝缘层盖在相应的反射部上；
3)在电极上电镀有防氧化层；
4)放置发光二极管芯片在每一绝缘层上，并通过导线将发光二极管芯片与相应的防氧化层电连接；
5)形成多个相互间隔的封装体，每一封装体覆盖一对电极上的防氧化层及该对电极之间的绝缘层上，并将相应的发光二极管芯片与导线包裹，从而在基板上形成多个发光二极管封装结构；
6)将多个发光二极管封装结构彼此分离。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于：步骤3)中的防氧化层为一层不易氧化的金属层。
7.如权利要求5所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于：步骤4)中的绝缘层由透明的材质制成。
8.如权利要求5至7中任一项所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于：所述电极由所述基板的第一表面延伸至与第一表面相对的第二表面。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104737310B (zh) * 2012-10-15 2017-09-01 首尔伟傲世有限公司 半导体装置及其制造方法
DE102012113003A1 (de) * 2012-12-21 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR102608418B1 (ko) * 2016-07-13 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2021217418A1 (zh) * 2020-04-28 2021-11-04 南昌欧菲显示科技有限公司 发光模组和ar眼镜

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1722478A (zh) * 2004-07-14 2006-01-18 凯鼎科技股份有限公司 发光二极管封装体
CN101110408A (zh) * 2006-07-18 2008-01-23 启萌科技有限公司 发光二极管模组
CN101246879A (zh) * 2007-02-16 2008-08-20 探微科技股份有限公司 具硅质基板的白光发光二极管封装结构与其制作方法
CN101364627A (zh) * 2007-08-07 2009-02-11 李克新 一种发光二极管的制造方法
CN101761804A (zh) * 2009-12-11 2010-06-30 无锡爱迪信光电科技有限公司 高性能防眩光的led日光灯
CN201621636U (zh) * 2010-01-08 2010-11-03 广州市鸿利光电股份有限公司 一种led灯金银板支架

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101241650B1 (ko) * 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
JP2008163260A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Showa Denko Kk 発光素子封止用樹脂組成物およびランプ
CN101459211B (zh) * 2007-12-11 2011-03-02 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光器件
US7948076B2 (en) * 2008-03-25 2011-05-24 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and vertical signal routing
US8354688B2 (en) * 2008-03-25 2013-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base/ledge heat spreader, dual adhesives and cavity in bump
JP5526698B2 (ja) * 2009-10-16 2014-06-18 デクセリアルズ株式会社 光反射性導電粒子、異方性導電接着剤及び発光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1722478A (zh) * 2004-07-14 2006-01-18 凯鼎科技股份有限公司 发光二极管封装体
CN101110408A (zh) * 2006-07-18 2008-01-23 启萌科技有限公司 发光二极管模组
CN101246879A (zh) * 2007-02-16 2008-08-20 探微科技股份有限公司 具硅质基板的白光发光二极管封装结构与其制作方法
CN101364627A (zh) * 2007-08-07 2009-02-11 李克新 一种发光二极管的制造方法
CN101761804A (zh) * 2009-12-11 2010-06-30 无锡爱迪信光电科技有限公司 高性能防眩光的led日光灯
CN201621636U (zh) * 2010-01-08 2010-11-03 广州市鸿利光电股份有限公司 一种led灯金银板支架

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