[go: up one dir, main page]

CN102397859A - 石墨舟（框）干式清洗机 - Google Patents

石墨舟（框）干式清洗机 Download PDF

Info

Publication number
CN102397859A
CN102397859A CN2011103722025A CN201110372202A CN102397859A CN 102397859 A CN102397859 A CN 102397859A CN 2011103722025 A CN2011103722025 A CN 2011103722025A CN 201110372202 A CN201110372202 A CN 201110372202A CN 102397859 A CN102397859 A CN 102397859A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphite boat
reaction chamber
frame
dry
graphite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011103722025A
Other languages
English (en)
Inventor
黄冲
蒋维楠
季高明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhenjiang Daqo Solar Co Ltd
Original Assignee
Zhenjiang Daqo Solar Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhenjiang Daqo Solar Co Ltd filed Critical Zhenjiang Daqo Solar Co Ltd
Priority to CN2011103722025A priority Critical patent/CN102397859A/zh
Publication of CN102397859A publication Critical patent/CN102397859A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于硅晶太阳能电池生产设备维护的装置，具体是一种石墨舟（框）干式清洗机。该石墨舟（框）干式清洗机包括有一个内部可安置石墨舟或石墨框的反应腔，反应腔的入口通过进气管与NF3气体源连接，反应腔的出口通过排气管与干式真空泵连接；所述进气管上安装有等离子体发生器。本发明可以利用等离子体氮化硅的反应将石墨舟表面的氮化硅去除，不仅清洗效果好，并且结构简单制造、操作方便、清洗效率高；与传统的湿法槽式清洗相比，清洗过程中不用将石墨舟拆分，不用额外的烘干，效率高并能避免石墨舟的机械损伤。

Description

石墨舟(框)干式清洗机
技术领域
本发明涉及一种用于硅晶太阳能电池生产设备维护的装置，具体是一种石墨舟（框）干式清洗机。
背景技术
在晶硅太阳能电池生产过程中，有一个关键的氮化硅减反射膜沉积工艺。在该氮化硅减反射膜沉积过程中，晶硅电池片的承载物为石墨舟或者石墨框。一般在工艺生产过程中，石墨舟（框）也会被沉积到氮化硅薄膜，到一定厚度以后（一般大于10um），需要对石墨舟（框）做清洗处理。目前业界普遍采用的传统清洗方法是使用HF/HCl混合液湿法槽式清洗，即将石墨舟浸泡在存有HF/HCl的槽中4-8小时，再用清水漂洗，再高温烘箱烘4-8小时烘干。这种方法要想完全清洗干净，必须较长的浸泡时间和较高浓度的HF/HCl，同时需要将石墨舟拆分开来，以避免有清洗死角，清洗完后，还必须经过长时间的高温烘干（400度，4-8小时），才能将石墨舟上的水气去除掉。因而其存在以下缺点：1、清洗效率偏低，耗时长；2、使用高浓度的HF/HCl，存在一定的危险性；3、需要拆分石墨舟，存在额外机械损伤的风险。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种结构简单、清洗效率高、清洗效果好、不操损伤设备的石墨舟（框）干式清洗机。
本发明的的一个方案是：该石墨舟（框）干式清洗机包括有一个内部可安置石墨舟或石墨框的反应腔，反应腔的入口通过进气管与NF3气体源连接，反应腔的出口通过排气管与干式真空泵连接；所述进气管上安装有等离子体发生器。
本发明的的另一个方案是：该石墨舟（框）干式清洗机包括有一个内部可安置石墨舟或石墨框的反应腔，反应腔的入口通过进气管与NF3气体源连接，反应腔的出口通过排气管与干式真空泵连接；反应腔外设置有射频发生器，射频发生器的引出电极连接到反应腔内的石墨舟或石墨框上。
上述两个方案中，反应腔的入口处还可设置有匀流板，以使进入的气流分布更加均匀，提高清洗效果。
本发明可以利用等离子体氮化硅的反应将石墨舟表面的氮化硅去除，不仅清洗效果好，并且结构简单制造、操作方便、清洗效率高；与传统的湿法槽式清洗相比，清洗过程中不用将石墨舟拆分，不用额外的烘干，效率高并能避免石墨舟的机械损伤。
附图说明
图1是本发明一个实施例的结构示意图；
图2是本发明另一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
图1所示的实施例中，石墨舟（框）干式清洗机包括有一个内部可安置石墨舟或石墨框的反应腔1，反应腔的入口通过进气管2与NF3气体源连接，反应腔入口处还设置有匀流板3，反应腔的出口通过排气管与干式真空泵4连接；所述进气管上安装有等离子体发生器5。
图2所示的实施例中，该石墨舟（框）干式清洗机包括有一个内部可安置石墨舟或石墨框的反应腔1，反应腔的入口通过进气管2与NF3气体源连接，反应腔入口处还设置有匀流板3，反应腔的出口通过排气管与干式真空泵4连接；反应腔外设置有射频发生器6，射频发生器的引出电极连接到反应腔内的石墨舟或石墨框上。

Claims (4)

1.一种石墨舟（框）干式清洗机，其特征是：它包括有一个内部可安置石墨舟或石墨框的反应腔（1），反应腔的入口通过进气管（2）与NF（3）气体源连接，反应腔的出口通过排气管与干式真空泵（4）连接；所述进气管上安装有等离子体发生器（5）。
2.根据权利要求1所述的石墨舟（框）干式清洗机，其特征是：反应腔入口处设置有匀流板（3）。
3.一种石墨舟（框）干式清洗机，其特征是：它包括有一个内部可安置石墨舟或石墨框的反应腔（1），反应腔的入口通过进气管（2）与NF3气体源连接，反应腔的出口通过排气管与干式真空泵（4）连接；反应腔外设置有射频发生器（6），射频发生器的引出电极连接到反应腔内的石墨舟或石墨框上。
4.根据权利要求3所述的石墨舟（框）干式清洗机，其特征是：反应腔入口处还设置有匀流板（3）。
CN2011103722025A 2011-11-22 2011-11-22 石墨舟（框）干式清洗机 Pending CN102397859A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011103722025A CN102397859A (zh) 2011-11-22 2011-11-22 石墨舟（框）干式清洗机

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011103722025A CN102397859A (zh) 2011-11-22 2011-11-22 石墨舟（框）干式清洗机

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102397859A true CN102397859A (zh) 2012-04-04

Family

ID=45880739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011103722025A Pending CN102397859A (zh) 2011-11-22 2011-11-22 石墨舟（框）干式清洗机

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102397859A (zh)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103579057A (zh) * 2012-08-07 2014-02-12 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 一种提高石墨舟处理效果的方法
CN108787634A (zh) * 2018-07-19 2018-11-13 深圳市神州天柱科技有限公司 一种等离子清洗机
CN112670377A (zh) * 2020-12-29 2021-04-16 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 异质结太阳能电池处理工艺
CN112725766A (zh) * 2020-12-29 2021-04-30 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式pecvd沉积设备的生产方法
CN112725768A (zh) * 2020-12-29 2021-04-30 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式pecvd沉积设备的处理方法
CN112795903A (zh) * 2020-12-29 2021-05-14 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式镀膜设备的生产工艺
CN112795904A (zh) * 2020-12-29 2021-05-14 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式设备的生产工艺
CN112813412A (zh) * 2020-12-29 2021-05-18 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于镀膜设备的处理方法
CN112813413A (zh) * 2020-12-29 2021-05-18 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式pecvd沉积设备的生产工艺
CN112813420A (zh) * 2020-12-29 2021-05-18 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式镀膜设备的处理方法
CN113000487A (zh) * 2021-02-24 2021-06-22 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 管式清洗设备以及光伏镀膜系统
CN115354298A (zh) * 2022-07-05 2022-11-18 湖南红太阳光电科技有限公司 一种pecvd设备石墨舟清洗系统
CN116251803A (zh) * 2023-04-12 2023-06-13 东莞市晟鼎精密仪器有限公司 基于微波等离子干法清洗氮化硅涂层的石墨舟清洗设备
CN116550689A (zh) * 2023-04-27 2023-08-08 东莞市晟鼎精密仪器有限公司 一种用于干法去除石墨舟氮化硅涂层的工艺
CN118841304A (zh) * 2023-04-25 2024-10-25 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及载片舟清洗方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799174A (ja) * 1993-09-29 1995-04-11 Central Glass Co Ltd 薄膜形成装置のクリーニング方法
CN1386299A (zh) * 2000-07-18 2002-12-18 昭和电工株式会社 用于半导体生产设备的净化气
US6584987B1 (en) * 2001-03-16 2003-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for improved cleaning in HDP-CVD process with reduced NF3 usage
CN1644251A (zh) * 2004-01-20 2005-07-27 台湾积体电路制造股份有限公司 清洁反应室的方法
CN102085521A (zh) * 2009-12-04 2011-06-08 中国科学院微电子研究所 常压介质阻挡型活性自由基清洗系统
CN202461054U (zh) * 2011-11-22 2012-10-03 镇江大全太阳能有限公司 石墨舟干式清洗机

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799174A (ja) * 1993-09-29 1995-04-11 Central Glass Co Ltd 薄膜形成装置のクリーニング方法
CN1386299A (zh) * 2000-07-18 2002-12-18 昭和电工株式会社 用于半导体生产设备的净化气
US6584987B1 (en) * 2001-03-16 2003-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for improved cleaning in HDP-CVD process with reduced NF3 usage
CN1644251A (zh) * 2004-01-20 2005-07-27 台湾积体电路制造股份有限公司 清洁反应室的方法
CN102085521A (zh) * 2009-12-04 2011-06-08 中国科学院微电子研究所 常压介质阻挡型活性自由基清洗系统
CN202461054U (zh) * 2011-11-22 2012-10-03 镇江大全太阳能有限公司 石墨舟干式清洗机

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103579057A (zh) * 2012-08-07 2014-02-12 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 一种提高石墨舟处理效果的方法
CN108787634A (zh) * 2018-07-19 2018-11-13 深圳市神州天柱科技有限公司 一种等离子清洗机
CN112795904A (zh) * 2020-12-29 2021-05-14 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式设备的生产工艺
CN112725766A (zh) * 2020-12-29 2021-04-30 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式pecvd沉积设备的生产方法
CN112725768A (zh) * 2020-12-29 2021-04-30 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式pecvd沉积设备的处理方法
CN112795903A (zh) * 2020-12-29 2021-05-14 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式镀膜设备的生产工艺
CN112813413B (zh) * 2020-12-29 2023-04-11 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式pecvd沉积设备的生产工艺
CN112813412A (zh) * 2020-12-29 2021-05-18 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于镀膜设备的处理方法
CN112813413A (zh) * 2020-12-29 2021-05-18 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式pecvd沉积设备的生产工艺
CN112813420A (zh) * 2020-12-29 2021-05-18 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 应用于管式镀膜设备的处理方法
CN112670377A (zh) * 2020-12-29 2021-04-16 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 异质结太阳能电池处理工艺
CN117286479A (zh) * 2020-12-29 2023-12-26 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 管式镀膜设备
CN117230435A (zh) * 2020-12-29 2023-12-15 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 管式镀膜设备
CN113000487A (zh) * 2021-02-24 2021-06-22 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 管式清洗设备以及光伏镀膜系统
CN113000487B (zh) * 2021-02-24 2022-04-26 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 管式清洗设备以及光伏镀膜系统
CN115354298A (zh) * 2022-07-05 2022-11-18 湖南红太阳光电科技有限公司 一种pecvd设备石墨舟清洗系统
CN116251803A (zh) * 2023-04-12 2023-06-13 东莞市晟鼎精密仪器有限公司 基于微波等离子干法清洗氮化硅涂层的石墨舟清洗设备
CN116251803B (zh) * 2023-04-12 2023-09-22 东莞市晟鼎精密仪器有限公司 基于微波等离子干法清洗氮化硅涂层的石墨舟清洗设备
CN118841304A (zh) * 2023-04-25 2024-10-25 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及载片舟清洗方法
CN118841304B (zh) * 2023-04-25 2025-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及载片舟清洗方法
CN116550689A (zh) * 2023-04-27 2023-08-08 东莞市晟鼎精密仪器有限公司 一种用于干法去除石墨舟氮化硅涂层的工艺
CN116550689B (zh) * 2023-04-27 2024-02-09 东莞市晟鼎精密仪器有限公司 一种用于干法去除石墨舟氮化硅涂层的工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102397859A (zh) 石墨舟（框）干式清洗机
KR20110138142A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN202461054U (zh) 石墨舟干式清洗机
TW200538565A (en) Method and processing system for plasma-enhanced cleaning of system components
CN203030566U (zh) 一种再利用硅片清洗机
CN102496592B (zh) 半导体硅片的去胶工艺腔及去胶方法
CN104752565B (zh) 多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法
CN105195469B (zh) 一种超声波清洗石墨舟及工艺卡点的方法
CN103579057A (zh) 一种提高石墨舟处理效果的方法
CN109518177B (zh) 一种基于Plasma羟基化提升涂层抗弛豫性能的碱金属气室制作方法
CN102522358B (zh) 半导体硅片的去胶工艺腔及去胶方法
CN104259160B (zh) 一种干法清洗多晶硅还原炉的方法
CN104282519B (zh) 等离子体处理装置的清洁方法
CN112813413B (zh) 应用于管式pecvd沉积设备的生产工艺
WO2011079699A1 (zh) 去除工艺过程中产生的薄膜污染物的方法及pecvd系统
CN105977342A (zh) 一种多晶硅背钝化电池背面原子层沉积制备氧化铝薄膜退火合成工艺
CN111477537B (zh) 一种晶圆清洗方法及晶圆清洗设备
CN102615068B (zh) Mocvd设备的清洁方法
CN107541714A (zh) 一种大尺寸石墨烯玻璃的快速生长方法
CN118904829A (zh) 远程等离子体清洗设备及清洗方法
CN105525278A (zh) 用于pecvd镀硅或硅化物膜的真空腔体的清洗方法
CN103243308B (zh) 抽气装置、低压化学气相沉积设备以及化学气相沉积方法
CN118600545A (zh) 一种碳化硅外延设备及延长设备保养周期的方法
CN210001929U (zh) 一种远程等离子清洁pecvd腔室的设备
CN116618384A (zh) 一种立式石墨舟清洗设备及清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120404