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CN102321911B - 一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法 - Google Patents

一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法 Download PDF

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CN102321911B
CN102321911B CN201110308209.0A CN201110308209A CN102321911B CN 102321911 B CN102321911 B CN 102321911B CN 201110308209 A CN201110308209 A CN 201110308209A CN 102321911 B CN102321911 B CN 102321911B
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zone melting
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distance
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张雪囡
康冬辉
李建弘
王彦君
高树良
沈浩平
刘嘉
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Tianjin Zhonghuan Advanced Material Technology Co Ltd
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Tianjin Huanou Semiconductor Material Technology Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法。系统包括与偏移电机连接的区熔炉运动控制器、至少三个测距仪和一个PLC控制器，三个测距仪分别与PLC控制器连接，PLC控制器与区熔炉运动控制器连接。PLC控制器实时将区熔炉上轴的偏移向量数据传输给区熔炉运动控制器，区熔炉运动控制器控制偏移电机驱动区熔炉上轴的X轴和Y轴进行偏移，使整个异形多晶料的任意截面在到达固液交界面时得圆心都是居中的。采用改造后的本控制系统及控制方法，解决了在区熔硅单晶的生产中，使用异形多晶料棒容易导致熔区的偏心，进而导致由于熔区与线圈的接触容易引起打火，以及还易导致区熔硅单晶的断苞的问题，从而确保产品质量的稳定。

Description

一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法
技术领域
本发明涉及区熔炉控制系统，特别涉及一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法。
背景技术
在实际生产中，区熔硅单晶生产中所使用的多晶料棒并不都是标准的圆柱形，它有一定程度的弯曲，这样的多晶料称为异形多晶料。甚至可以这样说，大多数多晶料棒都有一定程度的弯曲。在区熔硅单晶的生产中，弯曲的多晶料棒容易导致熔区的偏心，进而导致由于熔区与线圈的接触容易引起打火，同时还易导致区熔硅单晶的断苞。
发明内容
本发明的目的就在于对现有区熔炉进行改造，使之在使用异形多晶料时可以自动调节，使多晶料棒的固液界面始终居中，从而避免各种问题的出现。
为达到以上目的，需对区熔炉的硬件和软件两个部分进行改造。硬件方面增加三个测距仪来确定异形多晶料棒圆截面的中心点坐标，以及一个PLC控制器来进行数据计算的控制。软件方面，对新增加的PLC控制器进行编程，处理输入数据计算得出偏移量，即通过三个测距仪距离多晶料棒边缘的水平距离、测距仪距离多晶料棒固液交界面的竖直距离、测距仪距离炉膛中心O的水平距离、区熔炉上轴实时偏移向量、上轴速度、上轴转速、计算得出t时间后区熔炉上轴应该偏移的向量，从而使多晶料棒截面居中。
本发明采取的技术方案是：一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统，包括与区熔炉上轴的X轴和Y轴偏移电机相连接的区熔炉运动控制器，其特征在于，还包括至少三个测距仪和一个PLC控制器，三个测距仪分别为第一测距仪、第二测距仪和第三测距仪，三个测距仪固定在区熔炉壁同一高度上，且分别与PLC控制器连接，PLC控制器与区熔炉运动控制器连接。
一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制方法，其特征在于，包括如下步骤：
（一）、三个测距仪距离炉膛中心O的水平测量距离L0 数据和三个测距仪距离多晶料棒固液交界面的竖直距离L数据通过手动输入到PLC控制器，在控制系统启动时，PLC控制器读取区熔炉运动控制器的上轴速度v和上轴转速r两个数据；控制系统启动后，根据采样周期，三个测距仪实时将自身距离多晶料棒边缘的水平距离l1、l2、l3 数据通过区熔炉以太网输入到PLC控制器；
（二）、PLC控制器通过三个测距仪输入的距离多晶料棒边缘的水平距离l1、l2、l3 ；三个测距仪距离炉膛中心O的水平测量距离L0计算得出三个测量点的坐标为a(0，L0-l1)、b(L0-l2，0)、c(l3-L0，0)；
（三）、根据计算的三个测量点坐标数据，首先计算此时多晶料棒截面中心点的坐标P(x0,y0)，其中：x0=                                               
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE002
，y0=
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE004
，则此时多晶料棒截面中心向量
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE006
=；
（四）、用此时多晶料棒截面中心向量
Figure 63222DEST_PATH_IMAGE006
减去当前区熔炉上轴的偏移向量得出区熔炉上轴无偏移时此多晶料棒截面中心的中心向量
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE010
（x，y），的长度=
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE012
；
（五）、PLC控制器根据上轴速度v和三个测距仪距离多晶料棒固液交界面的竖直距离L 计算多晶料棒截面到达固液界面所需的时间t=；
（六）、计算时间t后区熔炉上轴无偏移时此多晶料棒截面中心的中心向量[
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE018
]；
其中：，，
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE022
，
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE024
，
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE026
；
（七）、最后计算得出：时间t后区熔炉上轴的偏移向量
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE028
=-
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE030
=（-
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE032
，-
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE034
）；
（八）、PLC控制器实时将区熔炉上轴的偏移向量
Figure 275733DEST_PATH_IMAGE028
数据传输给区熔炉运动控制器，区熔炉运动控制器控制偏移电机驱动区熔炉上轴的X轴和Y轴进行偏移，使整个异形多晶料棒的任意截面在到达固液交界面时得圆心都是居中的。
本发明所产生的有益效果是：采用改造后的本控制系统及控制方法，解决了在区熔硅单晶的生产中，使用异形多晶料棒容易导致熔区的偏心，进而导致由于熔区与线圈的接触容易引起打火，以及还易导致区熔硅单晶的断苞的问题，从而确保产品质量的稳定。
附图说明
图1为区熔炉炉体结构俯视图；
图2为区熔炉炉体结构主视图；
图3为计算多晶料棒截面中心坐标P(x0,y0)方法示意图；
图4为计算时间t后多晶料棒截面中心偏移向量
Figure 98196DEST_PATH_IMAGE016
方法示意图；
图5为直角坐标系中，
Figure 365229DEST_PATH_IMAGE006
、
Figure 439496DEST_PATH_IMAGE010
、
Figure 108374DEST_PATH_IMAGE016
、
Figure 977104DEST_PATH_IMAGE008
和五个向量之间的运算关系示意图；
图6为区熔炉控制系统连接原理框图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明作进一步说明：参照图1、图2和图6，一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统包括与区熔炉上轴的X轴和Y轴偏移电机相连接的区熔炉运动控制器，还包括至少三个测距仪和一个PLC控制器，三个测距仪分别为第一测距仪1、第二测距仪2和第三测距仪3，三个测距仪固定在区熔炉壁同一高度上，且分别与PLC控制器连接，PLC控制器与区熔炉运动控制器连接。
一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制方法包括如下步骤：
（一）、在安装控制系统时，将三个测距仪距离炉膛中心O的水平测量距离L0数据和三个测距仪距离多晶料棒固液交界面的竖直距离L数据通过手动输入到PLC控制器，（每个区熔炉的L0和L数据恒定不变）；在控制系统启动时，PLC控制器读取区熔炉运动控制器的上轴速度v和上轴转速r两个数据；控制系统启动后，根据采样周期，三个测距仪实时将自身距离多晶料棒边缘的水平距离l1、l2、l3 数据通过区熔炉以太网输入到PLC控制器；
（二）、PLC控制器通过三个测距仪输入的距离多晶料棒边缘的水平距离l1、l2、l3 ；三个测距仪距离炉膛中心O的水平测量距离L0计算得出三个测量点的坐标为a(0，L0-l1)、b(L0-l2，0)、c(l3-L0，0)；
（三）、根据计算的三个测量点坐标数据，首先计算此时多晶料棒截面中心点的坐标P(x0,y0)，其中：x0=，y0=
Figure 343812DEST_PATH_IMAGE004
，则此时多晶料棒截面中心向量=；
（四）、用此时多晶料棒截面中心向量
Figure 172408DEST_PATH_IMAGE006
减去当前区熔炉上轴的偏移向量
Figure 414033DEST_PATH_IMAGE008
得出区熔炉上轴无偏移时此多晶料棒截面中心的中心向量
Figure 564523DEST_PATH_IMAGE010
（x，y），的长度=
Figure 418526DEST_PATH_IMAGE012
；
（五）、PLC控制器根据上轴速度v和三个测距仪距离多晶料棒固液交界面的竖直距离L 计算多晶料棒截面到达固液界面所需的时间t=
Figure 147448DEST_PATH_IMAGE014
；
（六）、计算时间t后区熔炉上轴无偏移时此多晶料棒截面中心的中心向量
Figure 101629DEST_PATH_IMAGE016
[
Figure 599606DEST_PATH_IMAGE018
]；
其中：
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE036
，
Figure 246619DEST_PATH_IMAGE020
，
Figure 72624DEST_PATH_IMAGE022
，
Figure 830495DEST_PATH_IMAGE024
，
Figure 182979DEST_PATH_IMAGE026
；
（七）、最后计算得出：时间t后区熔炉上轴的偏移向量
Figure 894DEST_PATH_IMAGE028
=-
Figure 438828DEST_PATH_IMAGE030
=（-
Figure 734812DEST_PATH_IMAGE032
，-
Figure 207381DEST_PATH_IMAGE034
）；
（八）、PLC控制器实时将区熔炉上轴的偏移向量
Figure 196197DEST_PATH_IMAGE028
数据传输给区熔炉运动控制器，区熔炉运动控制器控制偏移电机驱动区熔炉上轴的X轴和Y轴进行偏移，使整个异形多晶料棒的任意截面在到达固液交界面时得圆心都是居中的。
本发明工作原理：区熔炉壁同一高度焊接有三个指向炉室中心的测距仪，通过三个测距仪距离多晶料棒边缘的水平距离、测距仪距离多晶料棒固液交界面的竖直距离、测距仪距离炉膛中心O的水平距离、上轴实时偏移向量、上轴速度、上轴转速、计算得出t时间后上轴应该偏移的向量，从而使多晶棒截面居中。PLC控制器对输入数据进行计算处理，将多晶料棒截面中心偏移结果输出到区熔炉的运动控制器，从而区熔炉的运动控制器控制偏移电机对上轴在x轴、y轴两个方向上进行偏移，通过实时连续控制上轴的偏移量，即每隔1s或者一个时间段对该处多晶料棒截面中心进行计算，那么就可以保证整个异形多晶料的任意截面在到达固液交界面时圆心都是居中的。
本控制系统在单晶等径生长后开始启动，启动时间t后开始发挥控制作用。
以下为本发明控制方法中用到的物理量：
L0为测距仪距离炉膛中心O的水平距离，此距离通过手动输入到PLC控制器中；
L为测距仪距离多晶料棒固液交界面的竖直距离，此距离通过手动输入到PLC控制器中；
l1、l2和l3分别为三个测距仪距离多晶料棒边缘的水平距离；
v为上轴速度，此数据可以在区熔炉的运动控制器中读取；
r为上轴转速，此数据可以在区熔炉的运动控制器中读取；
t=
Figure 121428DEST_PATH_IMAGE014
，为多晶料棒截面到达固液界面所需的时间；
Figure 221102DEST_PATH_IMAGE006
为此时多晶料棒截面的中心向量；
Figure 282599DEST_PATH_IMAGE010
为上轴无偏移时此时多晶料棒截面的中心向量；
为时间t后此多晶料棒截面的中心向量；
Figure 442316DEST_PATH_IMAGE008
为当前区熔炉上轴的偏移向量；
Figure 854842DEST_PATH_IMAGE028
为时间t后区熔炉上轴的偏移向量。
实施例：本实施例采用的区熔炉型号为PVA FZ-30。以炉膛中心为坐标原点建立坐标系。测距仪距离炉膛中心O的水平距离L0 为500mm；测距仪距离多晶料棒固液交界面的竖直距离L为10mm；单晶等径生长后，上轴转速r为0.2rpm；上轴速度v为2mm/min；多晶料棒截面到达固液界面所需的时间t为5 min。
本实施例的采样周期为1min，即每隔1min进行一次测距和计算。16：05开始启动本系统，进行到16：15时的数据具体数据见下表。其中16：10时的偏移向量为16：05时计算得出的t时间后偏移向量
Figure 939790DEST_PATH_IMAGE028
。16：11至16：15的偏移向量
Figure 4829DEST_PATH_IMAGE008
为16：06至16：10计算得出的t时间后偏移向量
Figure 904652DEST_PATH_IMAGE028
。
Time 偏移向量 中心向量 t后偏移向量
16:05 （0，0） （1，1） （-1，-1）
16:06 （0，0） （0，1） （0，-1）
16:07 （0，0） （1，0） （-1，0）
16:08 （0，0） （0，0） （0，0）
16:09 （0，0） （0，0） （0，0）
16:10 （-1，-1） （-
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE038
，
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE040
）		 （-
Figure 759104DEST_PATH_IMAGE038
，-
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE042
）
16:11 （0，-1）    
16:12 （-1，0）    
16:13 （0，0）    
16:14 （0，0）    
16:15 （-
Figure 21589DEST_PATH_IMAGE038
，-
Figure 391391DEST_PATH_IMAGE042
）		    
本实施例中，第一测距仪1位于y轴正方向，第二测距仪2和第三3位于x轴，以y轴为对称轴呈左右轴对称分布，参见图1。
为了进一步理解计算过程，现给出16：10时，测距仪测距后的计算过程。
首先通过计算此时多晶料棒截面中心点的坐标P(x0,y0)计算出中心向量[
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE044
]，具体方法如下：
参见图1至图5，1、2、3号测距仪的三个测量点分别为a、b、c，三个测距仪测得自身距离多晶料棒边缘的水平距离l1、l2、l3分别为497mm、499mm和498mm，已知测距仪到炉膛中心O的距离L0为500mm，则三个点的坐标分别为a(0，3)、b(1，0)、c(-2，0)。
通过b、c两点直线的方程为：y=0；
通过a、b两点直线的方程为：x+
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE046
y－1=0；
bc两点中垂线的方程为：x= 
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE048
=－；
ab两点中垂线的方程为：x-3y+4=0；
两个中垂线方程联立求解，即可得到中心点坐标P(x0,y0)，其中：
x0=
Figure 649913DEST_PATH_IMAGE002
=－，y0==
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE052
；
则多晶料棒截面中心向量
Figure 584819DEST_PATH_IMAGE006
==
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE054
。
上轴没有偏移时多晶料棒截面的中心向量
Figure 428141DEST_PATH_IMAGE010
（x，y）=，16：10时区熔炉上轴的偏移向量
Figure 399639DEST_PATH_IMAGE008
等于，即（x，y）=
Figure 986610DEST_PATH_IMAGE054
－
Figure 727164DEST_PATH_IMAGE058
=。
假设上轴没有偏移，计算经过t时间后，此多晶料棒截面的中心向量
Figure 866021DEST_PATH_IMAGE016
[
Figure 324815DEST_PATH_IMAGE018
]：的长度=
Figure 574531DEST_PATH_IMAGE012
=
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE060
， 因为
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE062
，所以在直角坐标系中的角度为
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE064
=77°。
时间t后，的角度
Figure 310537DEST_PATH_IMAGE022
=77°+360°。
则
Figure 495662DEST_PATH_IMAGE036
=
Figure 566386DEST_PATH_IMAGE050
，=
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE066
。
则可以得出，时间t后，上轴偏移向量（-
Figure 370525DEST_PATH_IMAGE032
，-）=
Figure 2011103082090100002DEST_PATH_IMAGE070
，此偏移向量5min后，即16：15时，作为偏移向量
Figure 210305DEST_PATH_IMAGE008
发挥偏移作用，偏移电机按照偏移向量进行偏移。

Claims (2)

1.一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统，包括与区熔炉上轴的X轴和Y轴偏移电机相连接的区熔炉运动控制器，其特征在于，还包括至少三个测距仪和一个PLC控制器，三个测距仪分别为第一测距仪（1）、第二测距仪（2）和第三测距仪（3），三个测距仪固定在区熔炉壁同一高度上，且分别与PLC控制器连接，PLC控制器与区熔炉运动控制器连接。
2.一种如权利要求1所述的使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统的控制方法，其特征在于，包括如下步骤：
（一）、三个测距仪距离炉膛中心O的水平测量距离L0 数据和三个测距仪距离多晶料棒固液交界面的竖直距离L数据通过手动输入到PLC控制器；在控制系统启动时，PLC控制器读取区熔炉运动控制器的上轴速度v和上轴转速r两个数据；控制系统启动后，根据采样周期，三个测距仪实时将自身距离多晶料棒边缘的水平距离l1、l2、l3 数据通过区熔炉以太网输入到PLC控制器；
（二）、PLC控制器通过三个测距仪输入的距离多晶料棒边缘的水平距离l1、l2、l3 ；三个测距仪距离炉膛中心O的水平测量距离L0计算得出三个测量点的坐标为a(0，L0-l1)、b(L0-l2，0)、c(l3-L0，0)；
（三）、根据计算的三个测量点坐标数据，首先计算此时多晶料棒截面中心点的坐标P(x0,y0)，其中：x0=                                                
Figure 756638DEST_PATH_IMAGE001
， 
Figure 93073DEST_PATH_IMAGE002
，则此时多晶料棒截面中心向量
Figure 585234DEST_PATH_IMAGE003
；
（四）、用此时多晶料棒截面中心向量
Figure 639909DEST_PATH_IMAGE004
减去当前区熔炉上轴的偏移向量
Figure 977349DEST_PATH_IMAGE005
得出区熔炉上轴无偏移时此多晶料棒截面中心的中心向量
Figure 430940DEST_PATH_IMAGE006
（x，y），
Figure 828423DEST_PATH_IMAGE007
的长度=
Figure 2011103082090100001DEST_PATH_IMAGE008
；
（五）、PLC控制器根据上轴速度v和三个测距仪距离多晶料棒固液交界面的竖直距离L 计算多晶料棒截面到达固液界面所需的时间t=
Figure 868929DEST_PATH_IMAGE009
；
（六）、计算时间t后区熔炉上轴无偏移时此多晶料棒截面中心的中心向量
Figure 10061DEST_PATH_IMAGE010
[
Figure 321087DEST_PATH_IMAGE011
]；
其中：
Figure 2011103082090100001DEST_PATH_IMAGE012
，
Figure 968100DEST_PATH_IMAGE013
，
Figure 981056DEST_PATH_IMAGE014
，
Figure 697118DEST_PATH_IMAGE015
，
Figure 111919DEST_PATH_IMAGE016
；
（七）、最后计算得出：时间t后区熔炉上轴的偏移向量
Figure 867517DEST_PATH_IMAGE017
=-
Figure 367768DEST_PATH_IMAGE018
=（-
Figure 663751DEST_PATH_IMAGE019
，-）；
（八）、PLC控制器实时将区熔炉上轴的偏移向量数据传输给区熔炉运动控制器，区熔炉运动控制器控制偏移电机驱动区熔炉上轴的X轴和Y轴进行偏移，使整个异形多晶料棒的任意截面在到达固液交界面时的圆心都是居中的。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012213715A1 (de) 2012-08-02 2014-02-06 Siltronic Ag Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls an einer Schmelzenzone
CN106989692B (zh) * 2017-04-20 2019-03-15 浙江富通光纤技术有限公司 光纤预制棒的测量方法及装置
CN110727238A (zh) * 2019-11-07 2020-01-24 府谷县旭丽机电技术有限公司 一种双工位等离子熔敷设备控制系统及方法

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Φ105mm区熔硅单晶的生长工艺研究;郭立洲;《稀有金属》;20021110(第06期);第514-516页 *
我国人工晶体生长设备的回顾与展望;李留臣等;《人工晶体学报》;20020630(第03期);第328-331页 *
李留臣等.我国人工晶体生长设备的回顾与展望.《人工晶体学报》.2002,(第03期),
沈浩平，李翔，昝兴利，汪雨田等.CFZ单晶的生产及特点.《半导体杂志》.1998,(第03期), *
郭立洲.Φ105mm区熔硅单晶的生长工艺研究.《稀有金属》.2002,(第06期),

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