CN102318102A - 电光器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种电光器件(501)，包括：基底(570)，所述基底支撑以下部件：第一电极和第二电极(515，536)，包括至少一个功能层(532，534)的功能结构(530)，所述功能结构(530)电耦合至所述电极，刻蚀的金属结构(512)，电耦合至所述电极中的至少一个电极(515)。

Description

电光器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及电光器件。

本发明还涉及用于制造电光器件的方法。

背景技术

电光器件是响应于电信号而提供光效应，或响应于光刺激而生成电信号的器件。第一种的范例是发光二极管，诸如有机发光二极管和电致变色器件。第二种的范例是光伏电池。

对于柔性塑料基底上的大面积OLED照明，需要大电流来驱动系统。用于阳极(例如ITO)和阴极(例如Ba/Al)的当前薄膜材料具有大的电阻率并且大的电流引起大的电压降，这确定了光发射不均匀。为了在塑料基底上生产大面积柔性OLED器件，需要塑料基底的附加金属化结构。为减小制造成本，优选地使用在线(inline)卷到卷(roll-to-roll)网涂覆工艺将该构成的金属化涂层施加于塑料箔的滚筒上。

相应地，对于电光器件，诸如发光器件和电致变色器件，而且也对于光伏产品，存在对金属化结构的需求，该金属化结构一方面具有好的电导率，且另一方面对辐射具有高的透射。WO2007/036850描述了有机二极管器件，其包括有机二极管结构，该结构具有阳极层、阴极层以及有机层。阳极层和阴极层之一具有分布在所述结构的表面上的一组接触区。阻挡层气密地覆盖所述结构并设置有与所述组接触区对准的一组开口。金属导体已经电镀于所述阻挡层上并经由所述组开口与所述组接触区接触。

电镀的金属导体对阳极和阴极进行分支，并且用以在大的有机二极管器件的区域上提供均匀的电压分布，并用以提供均匀的亮度。

发明内容

本发明的目的是提供改善的电光器件。

本发明的另一目的是提供用于制造电光器件的改善的方法。

根据第一方面，提供了一种电光器件，所述电光器件包括：

-基底，所述基底支撑以下部件：

-第一电极和第二电极，

-包括至少一个功能层的功能结构，所述功能结构电耦合至所述第一电极和所述第二电极，

-刻蚀的金属结构，电耦合至所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极。

根据第二方面，提供了一种制造电光器件的方法，所述方法包括以下相继的步骤：

-提供第一金属基底，

-提供第二基底，

-选择性地刻蚀所述金属基底以形成刻蚀的金属结构，

-沉积功能结构。

词语“相继的”理解为意指标识的步骤按它们以上提到的顺序执行。然而，可以在执行两个相继的步骤之间执行一个或多个附加的步骤。

刻蚀的金属结构用作用于所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个电极的分支。以此方式，在发光二极管的情况下，实现了均匀的电压分布。在选择性地刻蚀前，金属基底用作承载物，使得能够实现电光器件的各层的沉积。金属基底容许高温处理，这使得可能从较大的处理技术库中选择就处理速度和质量来说最佳的那些处理技术。

通过选择性地刻蚀金属基底，能够形成能够用于对器件的阴极和/或阳极进行分支的辅助导电结构。随着金属结构被刻蚀，形成具有如下元件的构图是相对容易的：该元件在其高度和宽度之间就具有相对高的纵横比。刻蚀的金属结构可以例如具有导电线的构图，该导电线具有该相对高的纵横比。因此，刻蚀的金属结构能够具有高电导率，另一方面，其基本是不可见的。

能够从为基本连续的层的剩余物的金属结构中的剩余金属的颗粒结构识别出这个。金属箔具有此颗粒结构，因为它们是从金属颗粒碾压而成的。此外，能够看到，剩余金属结构具有的形态特征的特征在于使用的刻蚀的类型，而不是源自沉积方法。

需要注意，WO2007/002376描述了用于制造光伏电池的方法。该方法包括使芯片与第一层接触，第一层支撑金属层，使得金属层的至少一部分转移至第二层以形成具有多个开口区域的网眼形式的光伏电池电极。

根据WO2007/002376，能够通过如下方法在层上压印来形成网眼电极。能够使得表面中加工有图案(例如网眼图案)的芯片(例如热压印芯片)与第一层(例如柔性基底)的背面接触。第一层的正面能够涂覆有连续金属层。然后能够使第一层的正面与第二层接触，第二层用作接收层。当压力施加于芯片上时，第一层的正面上的金属层转移并粘合到第二层上。施加到芯片的压力能够至少约为100psi(例如，至少约为1000psi，或至少约为5000psi)。在一些实施例中，能够在芯片接触第一层的背面之前，使得第一层的正面与第二层接触。

根据另一方法，能够通过化学刻蚀来制备网眼。然而，WO2007/002376没有公开刻蚀金属基底的步骤跟随提供第二基底的步骤。通过在发生刻蚀步骤之前首先提供第二基底，第一金属基底能够用作承载物，在制造工艺期间，电光器件的各个层能够沉积于该承载物上，诸如第二基底和透明导电氧化物层。

在电光器件的实施例中，至少一个电极作为层形成，其中，刻蚀的金属结构的表面直接接触该层。在此实施例中，在所述电极中的所述至少一个电极和所述刻蚀的金属结构之间实现了非常可靠的电接触。

在电光器件的另一实施例中，刻蚀的金属结构电耦合至至少一个电极，因为刻蚀的金属结构的部分形成所述电极中的所述至少一个电极。还有，在此实施例中，因为电极与刻蚀的金属结构形成整体，所以实现了非常可靠的电接触。

在方法的实施例中，在选择性地刻蚀所述金属基底的步骤之前，存在均匀地减小所述金属基底的厚度的步骤。在处理的初始阶段，金属基底用于支撑形成于其上的结构。一旦施加了(临时)第二基底，则金属基底不再具有支撑功能。辅助导电结构的厚度能够基本上更小。因此，在均匀地减小的步骤中，能够将金属基底的厚度减小至待形成的导电结构的厚度。

在方法的另一实施例中，选择性地刻蚀金属基底的步骤后跟着均匀地减小金属基底的厚度的步骤。以此方式，获得了具有不同图案的刻蚀的金属结构。概括地，刻蚀的金属结构的轮廓现在更圆滑。如果期望在刻蚀的金属结构上共形地沉积另一层作为进一步的处理步骤，则这有助于处理。

均匀地减薄金属基底的该步骤优选地导致以至少2的因子减小层的厚度。实践中，金属基底可以具有例如50-200μm的厚度，而导电结构具有例如1-50μm的范围的厚度。

在方法的实施例中，功能结构毯式地沉积于刻蚀的金属结构上。利用例如印刷和狭缝模具技术能够实现功能结构的此沉积方式，其是有吸引力的。在相对强地刻蚀金属结构后毯式地沉积功能结构是可能的，因为在该情况下，得到的刻蚀的金属结构具有平滑地弯曲的细节。这是例如在选择性地刻蚀的步骤后跟随均匀地减小金属基底的厚度的步骤时的情况。

在根据本发明的方法的实施例中，在刻蚀的金属结构嵌入到第三基底后，去除第二基底，并且其中，功能结构施加于第二基底的位置。本实施例的优点是，不考虑导电结构的厚度，能够毯式地施加功能层。

在此实施例中，通过临时粘合物例如临时联接第二基底。临时粘合物可以是弱化的粘合物，其一方面在制造工艺的第一阶段提供足够的支撑，其中金属层被处理并嵌入第三基底中，同时粘合物另一方面足够地不牢固，以容许从具有第三基底的叠层剥离。

根据本发明的方法得到一种电光器件，包括：

-基底，所述基底支撑以下部件：

-第一电极和第二电极，

-包括至少一个功能层的功能结构，所述功能结构电耦合至所述第一电极和所述第二电极，

-刻蚀的金属结构，电耦合至所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极。

在电光器件的特定实施例中，至少一个电极作为层形成，其中，刻蚀的金属结构的表面直接接触该层。在此实施例中，在所述电极的所述至少一个电极和所述刻蚀的金属结构之间实现了非常可靠的电接触。在此情况下，电极和刻蚀的金属结构之间的接触表面与肋部的宽度和长度的乘积成比例。实践中，肋部可以具有10至100μm的量级的宽度。

电极沉积在刻蚀的金属结构形成的开口中，即在肋部之间，如WO2007/002376中公开的，接触表面仅与肋部的长度和电极的高度的乘积成比例。在所述电极为透明导电电极的情况下，其高度应当限制于例如100nm至1μm。

因此，如在本发明的特定实施例中，将透明导电电极作为层施加于刻蚀的金属结构的表面处，而不是在其开口中，在透明导电电极和刻蚀的金属结构之间获得了基本上更好的电接触。

在电光器件的另一实施例中，刻蚀的金属结构电耦合至所述电极中的所述至少一个电极，因为所述刻蚀的金属结构的部分形成所述电极中的所述至少一个电极。还有，在此实施例中，实现了非常可靠的电接触，因为电极与刻蚀的金属结构形成整体。

附图说明

参照附图更详细地描述这些和其它方面。其中：

图1A示意性地示出了电光器件；

图1B-1F在顶视图中示出了根据本发明的器件的各种实施例的刻蚀的金属结构；

图2A-2I示出了根据本发明的方法的实施例的步骤，其中

图2I示出了利用该方法获得的根据本发明的器件；

图2J示出了利用替代方法获得的根据本发明的替代器件；

图3示出了根据本发明的器件的另一实施例；

图3A示出了制造图3的器件的方法中的中间产品；

图4A-4D示出了替代方法的步骤；

图5A-5B示例了另一替代方法，

其中图5B示例利用另一替代方法获得的器件；

图6A-6E示例另一替代方法，

其中图6E示例利用另一替代方法获得的器件；

图7A示例根据本发明的器件的另一实施例；

图7B示例根据本发明的器件的另一实施例；

图8示例本发明的另一实施例的方面；

图8A示出了根据图8中A-A的图8的横截面。

具体实施方式

在以下详细描述中，阐明了许多具体细节，以提供对本发明的彻底的理解。然而，本领域技术人员应当理解，可以实施本发明，而无需这些具体细节。在其它示例中，没有详细描述公知的方法、程序、以及部件，以便不使得本发明的方面模糊。

于此使用的术语仅为描述具体实施例的目的并且不是意在限制本发明。如于此使用的，单数形式的“一”、“一个”以及“所述”意在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指明。还应当理解，于此说明书中使用的术语“包括”指定了存在阐明的特征、整数、步骤、操作、元件、和/或部件，但是不排除存在或增加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组。

此外，除非相反地清楚地阐明，“或”指包含的或且不排斥的。例如，条件A或B由以下任何之一得到满足：A为真(或存在)且B为假(或不存在)，A为假(或不存在)且B为真(或存在)，以及A和B均为真(或存在)。

以下参照附图更充分地描述本发明，其中，示出了本发明的实施例。然而，此发明可以以许多不同形式实施，且不应当视为限制于于此阐明的实施例。相反，提供这些实施例是为了此公开将彻底且完整，并且将充分地将本发明的范围传送给本领域技术人员。在附图中，为清楚，可以夸大层和区域的大小和相对大小。

应当理解，当提及元件或层“在另一元件或层上”、“连接至”或“耦合至”另一元件或层时，其能够直接在另一元件或层上、直接连接或耦合至另一元件或层，或可以存在插入元件或层。相反，当提及元件“直接在另一元件或层上”、“直接连接至”或“直接耦合至”另一元件或层时，不存在插入元件或层。还应当理解，当提及方法的特定步骤在另一步骤之后时，其能够直接在所述另一步骤之后，或者在执行该特定步骤之前可以执行一个或多个中间步骤。类似的数字始终指类似的元件。如于此使用的，术语“和/或”包括一个或多个关联的列出项中的任何一个或它们的所有组合。

应当理解，虽然可以于此使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、部件、区域、层、和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层、和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层、或部分与另一区域、层、和/或部分相区别。从而，以下讨论的第一元件、部件、区域、层、或部分可以称做第二元件、部件、区域、层、或部分，而不会脱离本发明的教导。

空间相对术语，诸如“在...之下”、“在...以下”、“低于”、“在...以上”、“上部”等于此可以用于便于描述如附图中示例的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。

应当理解，除附图中描绘的取向外，空间相对术语意在涵盖使用或操作中的器件的不同取向。例如，如果翻转附图中的器件，描述为“在其它元件或特征以下”或“在其它元件或特征之下”的元件于是将取向为在所述其它元件或特征以上。从而，范例术语“在...以下”能够涵盖“在...以上”和“在...以下”两种取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且于此使用的空间相对描述符相应地被解释。

于此参照为本发明的理想化实施例(以及中间结构)的示意性示例的横截面示例来描述本发明的实施例。同样，预期会存在由例如制造技术和/或公差导致的从示例的形状的变化。从而，本发明的实施例不应视为限制于于此示例的区域的特定形状，而是应包括由于例如制造导致的形状中的偏离。

除非另外规定，于此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的相同意思。还应当理解，诸如在公共使用的词典中定义的那些术语应当解释为具有与它们在相关技术的环境中的意思一致的意思，并且不应以理想化或过于刻板的意义进行解释，除非于此明确地规定。于此通过引用并入了于此提到的所有公开、专利申请、专利、以及其它参考文献的整体。在冲突的情况下，本说明书，包括定义，将控制。另外，材料、方法、以及范例仅是示例性的，而不是意在限制。

图1A示意性地示出了电光器件1。该器件包括基底20，基底20支撑第一和第二电极15、36以及功能结构30，功能结构30包括电耦合到电极的至少一个功能层32、34。虽然实际中，使用多个功能层，例如10个，但是为简化，假定多个为2个。该器件还包括刻蚀的金属结构12，该金属结构电耦合至至少一个电极15。

图1B示出了根据A的图1A的器件的顶视图的刻蚀的金属结构。同样地，图1C至1F示出了各种替代布局。为清楚，在这些图中，仅示出了由刻蚀的金属结构形成的导电结构。

图1B的刻蚀的金属结构12包括相对窄的金属分支线12a和相对宽的金属母线12b。分支线例如具有10至100μm的范围的宽度，例如50μm，并用作用于至少一个电极的分支，这里该至少一个电极为阳极15。母线12b具有1至5mm的范围的宽度，例如1mm，以促进与器件1的电接触

图1C至1F示出了刻蚀金属结构12的各种其它布局。

图1C中，至少一个导电结构12c为梳状结构。

图1D中，示出了均为梳状结构形式并啮合到彼此之中的导电结构12d、12e。

图1E示出了类似迷宫的导电结构12f的另一范例。其它结构也是可能的，例如为蜂房形式。

图1F示出了其中布置了多个曲折导电结构12g、12h的范例。在该范例中，示出了一对导体，该对导体例如均承载电源的极。然而，可以存在附加导电结构，流入以承载控制信号。

现在将参照图1C的实施例更详细地描述本发明。

图2I示出了根据本发明的电光器件的第一范例实施例。在根据图1C中的II-II的横截面中示出了该器件。在示出的实施例中，器件1是有机发光二极管。该器件包括嵌于阳极层15和阴极层36之间的功能结构30。各种材料可以用于发射辐射的目的。功能结构可以典型地包括任何有机电致发光(“EL”)材料，包括，但不限于，小分子有机荧光化合物、荧光和磷光金属络合物、共轭聚合物、及其组合物或混合物。

荧光化合物的范例包括，但不限于芘(pyrene)、二萘嵌苯、红荧烯、二氯甲烷(dcm)、香豆素、其衍生物、及其混合物。金属络合物的范例包括，但不限于，金属螯合类咢辛化合物(metal chelated oxinoid compound)，诸如三(8-羟基喹啉)合铝(tris(8-hydroxyquinolato)aluminum，Alq3)；环金属铱(cyclometalated iridium)和铂电荧光化合物，诸如具有苯基吡啶(phenylpyridine)、苯基喹啉(phenylquinoline)、或苯基嘧啶(phenylpyrimidine)配位体的络合物，如Petrov等的美国专利6670645号、公开的PCT申请WO03/063555、以及WO2004/016710中所公开的，以及例如公开的PCT申请WO03/008424、WO03/091688、以及WO03/040257中描述的有机金属络合物，及其混合物。Thompson等的美国专利6303238号以及Burrows和Thompson在公开的PCT申请WO00/70655和WO01/41512中描述了包括电荷携带基质材料(host material)和金属络合物的电荧光发射层。共轭聚合物的范例包括，但不限于，聚(亚苯基乙烯)(poly(phenylenevinylenes))、聚芴、聚(螺旋双芴)、聚噻吩、聚对苯撑、它们的共聚物，并可以进一步包括它们的组合或混合物。

特定材料的选择可以取决于具体应用、操作期间使用的电位、或其它因素。在示出的实施例中，功能结构30包括PEDOT构成的厚度约70nm的第一层32和发光聚合物LEP构成的第二层34，该发光聚合物LEP选自上述一种材料，第二层34的厚度为50至100nm，这里为80nm。

阳极层15由SnO2:F形成。代替此材料，也可以使用其它透明导电材料，例如，诸如氧化镉、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、掺杂铝、氟、镓或硼的氧化锌的透明导电氧化物。阴极层36由Ba/Al的双层形成，包括厚度为5nm且与LEP层34接触的钡构成的第一层以及厚度为100nm且在Ba层上的Al构成的第二层。其它合适的材料是例如LiF或Ag。

刻蚀的金属结构12，这里为铝结构，包括高度为1至50μm且宽度为10至100μm的肋部。在典型的范例中，肋部的高度为10μm且宽度为50μm。其它合适的材料是例如铬、铜、镍、钼、银、锌。合金也是可能的。在实践中，因为成本原因，例如铜或铝的材料最适合。透明导电电极15直接联接至刻蚀的金属结构12的肋部。

刻蚀的金属结构12嵌入阻挡结构40中。通过交替的有机和无机层的叠层形成合适的阻挡结构，该叠层包括夹置于第一和第二无机层之间的至少一个有机层。有机层可以包括交联(热固)材料、弹性体、线性聚合物、或支化或超支化聚合物系统(branched or hyper-branched polymer system)、或前述材料的任何组合，这些材料可选地填充有无机颗粒，这些无机颗粒的尺寸足够小以仍然确保光透射。

有机层的材料优选地具有低比(specific)水蒸气透射率和高疏水性。合适的交联(热固)系统的范例是任何单个下述物质或它们的任意组合：脂肪族或芳香族环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、饱和的烃丙烯酸酯、环氧化合物，环氧-胺体系、环氧-羧酸组合、氧杂环丁烷、乙烯基醚、乙烯衍生物，和硫醇烯体系。合适的弹性材料的范例是聚硅氧烷。合适的支化或线性聚合系统的实例是任何单个下述物质或它们的任何共聚物或物理组合：聚丙烯酸酯、聚酯、聚醚、聚丙烯、聚乙烯、聚丁二烯、聚降冰片烯、环烯烃共聚物、聚偏氟乙烯、聚偏氯乙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚六氟丙烯。

无机层可以是任何陶瓷，包括但不限于金属氧化物，诸如氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)，金属氮化物，如氮化铝(AIN)、氮化硅(SiN)，碳化物，如碳化硅，金属氮氧化物，例如氮氧化硅，或任何其它组合，诸如金属氧碳化物、金属碳氮化物、金属氧碳氮化物。当电子装置具有光学功能时，至少一侧(基底或表层)是基本上透明的陶瓷是有重要作用的(relevant)。因此，合适的材料例如是氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO，In2O3+SnO2)、(SiC)、氮氧化硅(SiON)及它们的组合。

无机层实际上基本比有机层薄。无机层的厚度应在10至1000nm的范围，优选地在100至300nm的范围，而有机层的厚度在0.1-100μm之间，优选地在5和50μm之间。

阻挡结构20的总厚度优选地至少为50μm。在基本上小于50μm的厚度，例如20μm，得到的封装的电子器件往往迅速损坏。优选地，总厚度小于500μm。如果厚度基本上大于例如1mm，则产品的柔性受到损害。

图2A-2I示出了根据本发明的方法的第一范例实施例。

根据此实施例，在图2A中示出的步骤S1中，提供了金属基底10，其所具有的金属的厚度在50至500μm的范围，如上所述。金属可以是宽度为数十厘米且长度为数百米至公里的薄片，使得能够在连续工艺中对其进行处理，例如卷到卷工艺。

如图2B中所示，金属层10设置有透明导电层15。各种方法可用于施加透明导电层，然而，最优选的是通过大气压力化学气相沉积(APCVD)施加此层，因为这是快速且相对便宜的方法。在根据本发明的方法中，这使得可能，因为金属基底经受得起APCVD所需的高处理温度。

在接下来的图2C中所示的步骤S2中，将阻挡结构20施加于此透明导电层15的自由表面上。

可以通过所有种类的物理气相沉积方法和所有种类的化学气相沉积方法来施加阻挡结构20的无机层，物理气相沉积方法诸如是热蒸发、电子束蒸发、溅射、磁控溅射、反应溅射、反应蒸发等，化学气相沉积方法诸如是热化学气相沉积(CVD)、光辅助化学气相沉积(PACVD)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)等。

可以通过所有种类的涂覆技术和所有种类的印刷技术来施加阻挡结构20的一个或多个有机层，该涂覆技术诸如是旋转涂覆、狭缝模具涂覆、吻合涂覆、热熔化涂覆、喷涂等，该印刷技术诸如是喷墨印刷、照相凹版印刷、苯胺印刷、丝网印刷、轮转丝网印刷等。

阻挡结构20可以用作第二基底，其本身提供足够的稳定性，而无需使金属基底10的存在成为必要。如果需要，可以在阻挡结构20的自由表面层压附加箔。

对于一些电光器件，诸如一些光伏电池，阻挡结构不是必须的。在该情况下，可以应用简单的有机基底。

在图2D中示出的随后的步骤中，以一致的方式将金属基底10部分去除至1至50μm的厚度范围，取决于该情况。优选地，通过刻蚀进行部分去除。通过范例方式，可以通过例如FeCl3、硝酸或硫酸的刻蚀剂刻蚀铜基底。通过范例方式，可以通过NaOH、KOH以及磷酸和硝酸的混合物刻蚀铝基底。

在图2E和2F中示出的步骤S3中，刻蚀的金属结构12形成为金属基底的剩余部分。如图2E中所示，施加构图的光刻胶层14。例如通过正或负光刻工艺来对光刻胶层14进行构图。替代地，可以利用例如印刷工艺根据期望的图案施加抗刻蚀漆层。在以下步骤中，刻蚀基底以产生期望的导电图案12，例如导电线的图案。

实践中，刻蚀工艺不仅在深度方向上去除金属而且在横向方向上去除金属，使得剩余光刻胶层或漆层14在通过刻蚀金属结构12而形成的肋部的两个侧面上延伸。

在图2G中示出的随后步骤S4中，施加功能结构30。在示出的实施例中，功能结构30是包括PEDOT层32和LEP层34的发光结构。在另一实施例中，其中方法用于制造光伏电池，功能结构30可以包括用于将光辐射转换为电压的层。为该目的，可以使用例如铜铟二硒化物(copper indiumdiselinide)、碲化镉等的材料。如果该方法用于制造电致变色元件，则再次可以将其它材料用于功能结构30。

如图2H中所示，在功能结构30处施加阴极层36。在示出的实施例中，阴极层是Ba和Al的双层。在实际实施例中，通过化学气相沉积施加阴极层，例如通过PECVD工艺。归因于构图层14在刻蚀的金属结构12形成的肋部上延伸的事实，防止了蒸发的阴极材料接触金属结构12，并由此防止了短路。

在图2I中示出的最后步骤中，将在先前步骤中形成的结构嵌入阻挡结构40中。与用于阻挡结构20类似的材料可以用于此结构40。

如前面参照步骤S2提到的，可以在阻挡结构20处施加附加箔50。这导致图2J中示出的产品。

为清楚起见，这些图中未示例出电子器件是如何电连接到外部导体的。通过范例方式，可以通过冲压相应孔来实现这个，例如通过激光钻孔，穿过至少一个阻挡层，朝向电子器件的电连接器12、36，并利用导电材料填充这些孔。

在图3中，对应于图2I中的那些部分的部分具有大100的参考数字。根据替代方法制造图3中示出的器件。在此器件中，功能结构132、134以及电极136覆盖透明导电层115和毯式(blanket wise)导电结构112。通过进一步刻蚀图2F中示出的半完成产品的导电结构12，直至导电结构112具有倾斜表面112a为止，能够获得图3中示出的器件，倾斜表面112a朝向施加所述倾斜表面所在的层倾斜，这里，该层为透明导电层115。在随后的步骤中，功能结构132、134、阴极层136以及阻挡结构140能够毯式地沉积于透明导电层115和导电结构112形成的表面上。

在参照图2A至2J示例的方法中，首先均匀地减小金属基底10的厚度，如图2D中所示，然后在步骤S3中构图，如图2E和2F中所示。替代地，首先对金属基底进行构图，然后均匀地去除金属的量也是可能的。这在图4A至图4D中示例出了。其中，与图2I中的那些部分对应的部分具有大200的参考数字。

从图2C的半完成的产品开始，在金属基底210上形成构图的光刻胶或漆层(lacquer layer)，由此获得图4A中示出的半完成的产品。随后，使用构图的光刻胶或漆层214选择性地刻蚀金属基底210，得到图4B的半完成产品，其中，金属基底210具有突出部分211。在随后的步骤中，如图4C中所示地去除光刻胶或漆层214，并且随后均匀地刻蚀图4C的半完成产品的金属基底210，使得其结果具有平滑地弯曲的表面细节，如图4D中所示。现在可以通过参照图2G至2J，或图3、3A中示出的步骤，或通过以下参照图6E描述的步骤来进一步处理此半完成产品。

图5A和5B示例根据本发明的方法的另一实施例。其中对应于图2A-2J的那些部分的部分具有大300的参考数字。在此实施例中，阻挡结构320直接施加于金属基底310处。如果因为机械强度所需，能够施加支撑基底360。支撑基底例如为有机层，例如聚合物层，诸如PEN层或PET层。可以在具有阻挡结构320的金属基底310处层压有机层，得到图5A的半完成产品。有机层可以是使用粘合物层压的。如果需要，可以在后面的步骤去除支撑基底360。不施加透明无机导电层。通过层32中的高电导率有机材料能够提供横向导电。因为通过结构312形成的两个随后的分支线之间的距离能够相对地短，所以现有技术的诸如高电导率PEDOT的有机导体示出了足够用于此目的的电导率。然后根据参照图2D至图2I描述的步骤处理图5A的半完成产品，导致根据图5B的电光器件。参照图4A至4D描述的替代步骤可以替代参照图2D至2F描述的步骤。在另一实施例中，从图2F或图4D的半完成产品开始，施加参照图3描述的步骤。

参照图6A-6E描述根据本发明的方法的另一实施例。其中对应于图2A-2J中的那些部分的部分具有的参考数字大400。从图2B中示出的半完成产品开始，作为第二基底施加临时承载物460。利用合适的粘合物层465将第二基底460，例如为聚合物箔，例如PED或PEN箔，粘合至透明导电层415的自由表面，得到图6A中所示的半完成产品。已经证明二甲基硅油(polydimethysiloxane，PDMS)可用于作为粘合物层465的材料。此材料提供了操作目的的足够的粘性，同时容许在后面阶段容易地对其进行去除。替代地，粘合物可以用于通过处理能够被弱化的层465，该处理例如是热处理或辐射处理。随后，以与参照图2D、2E、2F描述的方式类似的方式对金属基底410进行构图。以此方式，获得了图6B的半完成产品。替代地，可以施加参照图4A至4D描述的步骤。从图6B的中间结果继续，施加嵌入导电结构412的阻挡结构440，如图6C中所示。阻挡结构440和用以嵌入的结构412现在形成容许去除临时基底460和粘合物层465的第三基底，如图6D中所示。从图6D的半完成产品继续，在通过透明导电层415形成的表面处作为叠层施加包括PEDOT层432、LEP层434的功能结构330和阴极436。还有，这里的层415是可选的。其功能可以替代地由有机导体，例如层432来履行。最后，施加封装叠层的阻挡结构420。

此实施例的优点是导电结构412能够具有任意高度，而功能结构430能够毯式地沉积。毯式沉积基本上比构图沉积快并且便宜。如果需要，可以省略透明导电层415，使得导电结构412与功能结构430的层432直接接触。

在图7A中，对应于图6E中的那些部分的部分具有的参考数字大100。图7示出了，代替在阻挡结构420中封装叠层，替代地，利用金属层570在阴极536的侧面遮挡器件也是可能的。金属层570例如为利用导电粘合物粘合至阴极536的铝箔。代替铝，其它金属也是合适的，例如，诸如也适合用于基底的那些。另外，器件的侧表面设置有密封物580。可能的密封物包括例如环氧树脂、丙烯酸脂、Norland 68 UV固化物、热固化粘合物、压敏粘合物，诸如例如热固树脂和热塑塑料或室温硬化(RTV)粘合物。密封物580通常包括具有低渗透性并提供粘性的任何材料。第一外部接触部590可以直接施加于金属层570。第二外部接触部591可以经由中间导体592连接至导电结构512。通过例如在阻挡结构540中钻孔并以导电粘合物填充孔来形成中间导体592，钻孔优选地通过激光钻孔。在其它实施例中，可以以模拟方式在外部接触部和导电结构之间形成电连接。

在图7B中，与图7A中的那些部分对应的部分具有的参考数字大100。图7B示出了遮挡器件601的侧面的替代方式。在此情况下，通过使用密封物680联接至器件的侧面的柔性边缘密封件685密封侧面。柔性边缘密封件685可以由金属箔形成，例如铜或铝箔。可以如参照图7A描述的使用密封物680。

对于许多实际目的，刻蚀的金属结构电耦合到仅一个电极。例如，对于有机发光二极管中的应用，用于阴极的材料，诸如Ba/Al和LiF具有相对好的电导率，使得仅必须支撑阳极层。然而，对于甚至更大区域，可能必须支撑两个电极。

图8在顶视图中示出了不使用瞳孔如何实现这个的范例。图8A还利用根据图8中A-A的横截面阐明了这个。在图8和8A中示出的实施例中，对应于图2I的部分具有的参考数字大700。图8中示出的器件包括如参照图2I描述的多个刻蚀的金属结构。除刻蚀的金属结构712外，存在主导电线716，其也是在刻蚀工艺后作为金属箔的剩余物得到的。主导电线与刻蚀的金属结构712形成整体。另外，主导体718还存在为作为刻蚀工艺后金属箔的剩余部分。在没有透明导电层715的区域中施加另一主导体718，并且阴极层736在这些另外的主导体718上延伸，使得它们电连接至另外的主导体。

需要注意，可以在器件的各个部分中施加吸气材料。例如，可以利用功能结构封装吸气材料。替代地，吸气材料可以存在于阻挡结构的有机层中。各种干燥材料可以选择为吸气物，干燥材料诸如是分子筛(或沸石)、碱土金属氧化物、金属氧化物、硫酸盐、氯化物、溴化物。沸石是特别适合的。沸石是通过物理吸附吸收湿气的材料并且可以天然地或人造地得到，二者都是合适的。天然沸石为铝以及钠或钙、或二者的含水硅酸盐，为如下类型：Na2O、Al2O3、xH2O、以及xSiO2。人造沸石通过凝胶工艺或粘土工艺得到，其形成沸石所增加至的基质。公知的沸石包括菱沸石(也称作沸石D)、斜发沸石、毛沸石、八面沸石(也称做沸石X和沸石Y)、镁碱沸石、发光沸石、沸石A、以及沸石P。例如，类型3A、4A以及13X沸石均具有吸附水分子的能力。这些沸石包括Na2O、Al2O3、以及SiO2。除湿气外，某些吸附吸气物能够吸附气态污染物，诸如气态H2和O2。

电光器件还可以设置有设置有散射颗粒的层，与该层的相对低的折射系数相比，散射颗粒具有相对高的折射系数，以提高光输出。可以例如在器件的自由表面施加该层。

在权利要求中，词语“包括”不排除其它元件或步骤，并且不定冠词“一”或“一个”不排除多个。单个部件或其它单元可以履行权利要求中记载的数项的功能。某些措施记载在相互不同的权利要求中的仅有事实不表示不能有利地使用这些措施的组合。权利要求中的任何参考符号不应视为限制其范围。

Claims (17)

1.一种电光器件(1)，包括：

-基底(20)，所述基底(20)支撑以下部件：

-第一电极和第二电极(15，36)，

-包括至少一个功能层(32，34)的功能结构(30)，所述功能结构(30)电耦合至所述第一电极和所述第二电极，

-刻蚀的金属结构(12)，电耦合至所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极(15)。

2.根据权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个电极(15)形成为层(15)，其中，所述刻蚀的金属结构(12)的表面直接接触所述层。

3.根据权利要求2所述的电光器件，其中，所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个电极是透明导电电极(15)，所述透明导电电极直接附着至所述刻蚀的金属结构(12)的肋部。

4.根据权利要求3所述的电光器件，其中，所述刻蚀的金属结构(12)嵌入于阻挡结构(40)中。

5.根据权利要求3或4所述的电光器件，其中，阻挡结构(20)施加于所述透明导电电极(15)与所述透明导电电极(15)的附着至所述刻蚀的金属结构(12)的所述肋部的表面相反的表面。

6.根据权利要求3所述的电光器件，其中，所述刻蚀的金属结构(12)的肋部在与所述透明导电层(15)相反的侧设置有剩余光刻胶或漆层(14)，所述剩余光刻胶或层(14)在所述肋部的两侧延伸。

7.根据权利要求2所述的电光器件，其中，所述功能结构(132，134)与所述第一电极和所述第二电极中的另一电极(136)毯式地覆盖所述透明导电电极和所述刻蚀的金属结构(112)。

8.根据权利要求1所述的电光器件，其特征在于，所述刻蚀的金属结构(312)电耦合至所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个电极，因为所述刻蚀的金属结构(312)的部分(312a)形成所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个电极。

9.一种用于制造电光器件(1)的方法，包括以下相继的步骤：

-提供(S1)第一金属基底(10)，

-提供(S2)第二基底(20)，

-选择性地刻蚀(S3)所述金属基底以形成刻蚀的金属结构(12)，

-沉积(S4)功能结构(30)。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在选择性地刻蚀所述金属基底(10)的步骤之前，给所述第一金属基底(10)提供透明导电层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在提供第二基底的步骤之前，给所述第一金属基底(10)提供透明导电层，并且其特征在于，通过APCVD工艺施加所述透明导电层。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，选择性地刻蚀(S3)所述金属基底的步骤在均匀地减小所述金属基底的厚度的步骤之后。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，选择性地刻蚀所述金属基底的步骤(S3)在均匀地减小所述金属基底的厚度的步骤之前。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，以至少2的因子均匀地减小所述金属基底的厚度。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述功能结构毯式地沉积在所述刻蚀的金属结构之上。

16.根据权利要求9所述的方法，其中，在将所述刻蚀的金属结构嵌入第三基底后，去除所述第二基底，并且其中，所述功能结构施加于所述第二基底的位置。

17.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二基底直接施加于所述第一金属基底。

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