CN102315168A

CN102315168A - 集成电路晶圆切割方法

Info

Publication number: CN102315168A
Application number: CN2010102258984A
Authority: CN
Inventors: 林青山; 吴坤泰; 汪志昭
Original assignee: Raydium Semiconductor Corp
Current assignee: Raydium Semiconductor Corp
Priority date: 2010-07-09
Filing date: 2010-07-09
Publication date: 2012-01-11

Abstract

一种集成电路晶圆切割方法，包含以下步骤：于晶圆基板形成复数个集成电路以及复数个测试键，其中，测试键分别形成于集成电路之间；于晶圆基板上形成图案化保护层，图案化保护层覆盖复数个集成电路并暴露复数个测试键；使用图案化保护层做为遮罩，蚀刻去除测试键；以及切割集成电路之间的区域，以形成复数个集成电路晶粒。

Description

集成电路晶圆切割方法

技术领域

本发明是关于一种集成电路晶圆切割方法。其中，可通过集成电路晶圆切割方法形成集成电路晶粒。

背景技术

硅晶圆是目前制做集成电路的基底材料(Substrate)，通过集成电路制造技术，经过一系列复杂的化学、物理和光学过程，完成的集成电路晶圆上可产生出数以千、百计的晶粒(die)。这些晶粒经过测试、切割、封装等过程，可进一步成为一颗颗具有各种功能的集成电路产品。

如图1及图1中区域80的PP纵切面放大的图2所示的现有技术，集成电路晶圆900包含晶圆基板100、复数个集成电路300以及复数个测试键400。现有技术进行晶圆切割时通常是以切割刀沿相邻的集成电路300间的路径对集成电路晶圆900施外力K。由于切割时仅是以切割刀直接对集成电路晶圆900进行切割，因此，集成电路晶圆900会受切割应力破坏而产生有裂痕及损坏的情形。另一方面，测试键400是分布在集成电路300间，亦即在切割路径上，故现有技术在切割时亦容易因破坏测试键产生的金属碎屑飞溅至集成电路而导致良率下降。以上集成电路晶圆以及集成电路晶圆切割方法有改善的空间。

发明内容

本发明的主要目的为提供一种集成电路晶圆切割方法，具有较佳的集成电路晶圆切割良率。

本发明的集成电路晶圆切割方法，包含以下步骤：于晶圆基板形成复数个集成电路以及复数个测试键，其中，测试键分别形成于集成电路之间；于晶圆基板上形成图案化保护层，图案化保护层覆盖复数个集成电路并暴露复数个测试键；使用图案化保护层做为遮罩，蚀刻去除测试键；以及切割集成电路之间的区域，以形成复数个集成电路晶粒。测试键是供晶圆基板接受度测试使用。测试键包含电晶体、电容、电阻、N型半导体、P型半导体、复型半导体或金属线元件。

图案化保护层较佳是光阻。图案化保护层的形成步骤包含以下步骤：形成光阻层以覆盖晶圆基板；使用光罩，对光阻层进行曝光；以及对光阻层进行显影，以形成图案化保护层。其中，蚀刻步骤包含使用干式或湿式蚀刻工艺。蚀刻步骤进一步包含于测试键的位置形成复数个凹槽，切割步骤进一步包含沿凹槽切割。集成电路较佳是以矩阵分布。

附图说明

图1及图2为现有技术示意图；

图3为本发明集成电路晶圆切割方法的实施例流程图；

图4A至图5为本发明实施例中形成图案化保护层的示意图；

图6A及图6B为本发明已去除测试键的实施例示意图；以及

图7为本发明集成电路晶圆切割方法的另一实施例流程图。

主要元件符号说明

80区域 666光罩

90集成电路晶圆 25 600凹槽

100晶圆基板 900集成电路晶圆

300集成电路 F外力

400测试键 K外力

500光阻层

具体实施方式

如图3所示，本发明的集成电路晶圆切割方法，包含：

步骤1010，于晶圆基板形成复数个集成电路以及复数个测试键，其中，测试键分别形成于集成电路之间。具体而言，是以重复施以热工艺、沉积、微影、蚀刻等半导体过程，如图1及图1中区域80的PP纵切面放大的图2所示于晶圆基板100上形成集成电路300以及测试键400。其中，可通过光罩图案控制集成电路300以及测试键400的形成位置。其中，集成电路300是以矩阵分布方式形成于晶圆基板100上。具体而言，在如图1所示的实施例中，集成电路300是以方型为单位，呈矩阵分布方式形成于晶圆基板100上，以便对准进行制造及切割，但不以实施例所示为限。

测试键400分别形成于集成电路300之间。进一步而言，测试键400是形成于后续切割晶圆基板100以形成含有集成电路300的复数晶粒的切割路径上。其中，测试键400是供晶圆基板接受度测试(Wafer Acceptance Test)使用。亦即，可通过对分布在晶圆基板100上的测试键400进行电性测试获知晶圆基板100的接受度(亦即质量是否良好)。测试键400包含电晶体、电容、电阻、N型半导体、P型半导体、复型半导体或金属线元件等。

步骤1030，于晶圆基板上形成图案化保护层，图案化保护层覆盖复数个集成电路并暴露复数个测试键。具体而言，图案化保护层较佳是光阻。图案化保护层的形成步骤包含以下步骤：形成光阻层以覆盖晶圆基板；使用光罩，对光阻层进行曝光；以及对光阻层进行显影，以形成图案化保护层。具体而言，图案化保护层的形成步骤包含：如图4A所示形成光阻层500以覆盖晶圆基板100；如图4B所示使用光罩666，对光阻层500进行曝光；以及对光阻层500进行显影，以形成如图5所示的已显影的光阻层500，此已显影的光阻层500即图案化保护层。其中，图4A所示的光阻层500较佳是以旋转涂布的方式覆盖晶圆基板100及其表面的集成电路300以及测试键400。图案化保护层则覆盖于集成电路300并暴露测试键400。

步骤1050，使用图案化保护层做为遮罩，蚀刻去除测试键。具体而言，可使用干式或湿式蚀刻工艺将图5所示的测试键400去除以形成如图6A所示的集成电路晶圆900。

步骤1070，切割集成电路之间的区域，以形成复数个集成电路晶粒。具体而言，是如图6A所示施一外力F于集成电路300之间的区域，使晶圆基板向下分离。外力包含以切割刀具划压。因为测试键400(请见图5)已在步骤1005中去除。所以应用本发明技术切割集成电路晶圆900，不会有现有技术因切割时测试键遭到破坏所产生金属碎屑飞溅至集成电路300而导致良率下降的问题。

在不同实施例中，步骤1050进一步包含于测试键的位置形成复数个凹槽。具体而言，较佳是控制蚀刻工艺的条件，例如增加蚀刻时间或蚀刻液浓度等，使得在去除测试键400之余，更如图6B所示向下蚀刻形成凹槽600。由于晶圆基板100于凹槽600的位置厚度较薄，故进行切割时可沿凹槽600切割，亦即步骤1070可进一步包含沿凹槽600切割，使切割更为顺利。

如图7所示，以不同角度观之，本发明的集成电路晶圆切割方法，包含以下步骤：

步骤2010，提供晶圆基板，包含复数个集成电路，其中，集成电路以切割路径分隔。切割路径中较佳是具有金属层。金属层较佳是测试键，但不以此为限。

步骤2030，于晶圆基板上形成图案化保护层，图案化保护层覆盖复数个集成电路并暴露切割路径。以较佳实施例而言，是利用光阻材料形成图案化保护层。图案化保护层暴露测试键。

步骤2050使用图案化保护层做为遮罩，蚀刻去除切割路径中的金属层。以较佳实施例而言，是蚀刻去除测试键。

步骤2070，沿切割路径切割晶圆基板，以形成复数个集成电路晶粒。

在较佳实施例中，更包含于步骤2050后，如步骤2060所示去除图案化保护层。具体而言，是在进行步骤2070切割前先将图案化保护层以蚀刻方式去除。

虽然前述的描述及附图已揭示本发明的较佳实施例，必须了解到各种增添、许多修改和取代可能使用于本发明较佳实施例，而不会脱离如所附权利要求书所界定的本发明原理的精神及范围。本领域普通技术人员将可体会，本发明可使用于许多形式、结构、布置、比例、材料、元件和组件的修改。因此，本文于此所揭示的实施例应被视为用以说明本发明，而非用以限制本发明。本发明的范围应由后附权利要求书所界定，并涵盖其合法均等物，并不限于先前的描述。

Claims

1.一种集成电路晶圆切割方法，包含以下步骤：

于一晶圆基板形成复数个集成电路以及复数个测试键，其中该些测试键分别形成于该些集成电路之间；

于该晶圆基板上形成一图案化保护层，该图案化保护层覆盖该复数个集成电路并暴露该复数个测试键；

使用该图案化保护层做为遮罩，蚀刻去除该些测试键；以及

切割该些集成电路之间的区域，以形成复数个集成电路晶粒。

2.如权利要求1所述的集成电路晶圆切割方法，其中该图案化保护层是光阻。

3.如权利要求2所述的集成电路晶圆切割方法，其中该图案化保护层的形成步骤包含：

形成一光阻层以覆盖该晶圆基板；

使用一光罩，对该光阻层进行曝光；以及

对该光阻层进行显影，以形成该图案化保护层。

4.如权利要求1所述的集成电路晶圆切割方法，其中该蚀刻步骤包含使用干式蚀刻工艺。

5.如权利要求1所述的集成电路晶圆切割方法，其中该蚀刻步骤包含使用湿式蚀刻工艺。

6.如权利要求1所述的集成电路晶圆切割方法，其中该蚀刻步骤进一步包含于该些测试键的位置形成复数个凹槽，该切割步骤进一步包含沿该些凹槽切割。

7.一种集成电路晶圆切割方法，包含以下步骤：

提供一晶圆基板，包含复数个集成电路，其中该些集成电路以切割路径分隔；

于该晶圆基板上形成一图案化保护层，该图案化保护层覆盖该复数个集成电路并暴露该切割路径；

使用该图案化保护层做为遮罩，蚀刻去除该切割路径中的金属层；以及

沿该切割路径切割该晶圆基板，以形成复数个集成电路晶粒。

8.如权利要求7所述的集成电路晶圆切割方法，其中该图案化保护层形成步骤包含：利用光阻材料形成该图案化保护层。

9.如权利要求7所述的集成电路晶圆切割方法，其中该去除该切割路径中的金属层步骤包含：去除该切割路径中的测试键。

10.如权利要求7所述的集成电路晶圆切割方法，更包含于该蚀刻步骤后，去除该图案化保护层。