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CN102308023A - 闸装置、生产线和方法 - Google Patents

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CN102308023A CN2010800068038A CN201080006803A CN102308023A CN 102308023 A CN102308023 A CN 102308023A CN 2010800068038 A CN2010800068038 A CN 2010800068038A CN 201080006803 A CN201080006803 A CN 201080006803A CN 102308023 A CN102308023 A CN 102308023A
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P·索伊尼宁
J·斯卡普
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Beneq Oy
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Abstract

本发明涉及一种闸装置(10、11)，基体(8)可穿过闸装置送入处理室(4)和/或从处理室(4)移出，该闸装置(10、11)包括隔离阀(12、22)，基体(8)穿过隔离阀导入处理室(4)和/或从处理室(4)移出。根据本发明，闸装置(10、11)包括与隔离阀(12、22)相连的至少一个扩散闸(14、16、24、26)，当将基体导入和/或移出处理室(4)时，基体(8)在穿过闸装置(10、11)的同时大体上阻塞该扩散闸。本发明还涉及包括该闸装置(10、11)的生产线和用于将基体(8)送入和/或移出处理室(2、4、6)的方法。

Description

闸装置、生产线和方法
技术领域
本发明涉及一种闸装置，特别是根据权利要求1前序所述的闸装置，穿过该闸装置可以将基体送入处理室和/或从处理室移出，该闸装置包括隔离阀，穿过该隔离阀将基体送入处理室和/或从处理室移出。本发明还涉及一种生产线，特别是根据权利要求15前序所述的生产线，该生产线包括两个或更多个用于改性和/或生长基体表面的连续处理单元，这些处理单元中的至少一个包括处理室，在该生产线中用闸装置把至少一个处理室与前面和/或后面的处理单元分隔开，闸装置包括隔离阀，穿过隔离阀可将基体送入和/或移出处理室。本发明还涉及一种根据权利要求31前序所述的方法，用于穿过闸装置将基体送入和/或移出处理室。
背景技术
典型的ALD反应器是独立的反应器，其中，将一个或多个基体装入反应器的反应室。ALD反应器包括低压室和在低压室内的单独反应室，或者可选地，低压室也用作反应室，这样就不需要单独反应室。在这种情况下，当将基体装入反应器和从反应器移出时，必定破坏低压室的低压状态。传统地，通过设置在ALD反应器中的装载锁来解决该问题，这允许可动的反应室和/或在标准的环境压力下进行基体处理。在半导体工业中，通过使用用于处理基体的专门自动组合装置已解决了与反应器中低压破坏相关的问题。该自动组合装置用来将基体装入和移出用闸阀与自动组合装置连接的各处理单元。对于自动组合装置来说，在低压的自动机械室中设有大型自动机械。该自动机械室可以进一步连接到ALD反应器和化学气相沉积生产线。
如上所述的现有技术的自动组合装置是庞大而昂贵的装置。此外，不能在批量生产采用的生产线中有效地使用这些自动组合装置。因此，在包括连续设置的处理室的生产线上可经济地制造半导体产品(例如太阳能电池板)，在所述处理室中，通过已知的化学气相沉积方法(例如通过CVD来汽化)或溅射来对基体表面改性或者在基体表面上沉积材料层。在生产线上，基体从一个处理室向前移动到下一个处理室，以便制造多层产品。还没有任何简单的方案来将ALD反应器布置在这种生产线上，以使生产线能够有效操作以及可将ALD反应器连接到在不同压力下操作的处理室或连接到生产线的其他部分。因此，还不能够将ALD单元例如连接到用于批量生产太阳能电池的太阳能电池生产线上。
发明内容
本发明的目的是提供可以解决上述问题的闸装置、生产线和方法。通过根据权利要求1特征部分所述的闸装置来实现本发明的目的，该闸装置的特征在于，闸装置包括与隔离阀相连的至少一个扩散闸，当将基体送入和/或移出处理室时，基体在穿过闸装置的同时大体上阻塞该扩散闸。本发明的目的还可通过根据权利要求15前序所述的生产线实现，该生产线的特征在于，闸装置具有与隔离阀相连的至少一个扩散闸，当将基体送入和/或移出处理室时，基体在穿过闸装置的同时大体上阻塞该扩散闸。本发明的目的还可通过根据权利要求31特征部分所述的方法实现，该方法的特征在于，在该方法中，使基体穿过闸装置，该闸装置包括隔离阀和设置在隔离阀至少一侧上的扩散闸，其中，在该方法中，引导基体穿过闸装置，使得当将基体送入和/或移出处理室时，在基体穿过隔离阀的同时基体大体上阻塞该闸装置。
从属权利要求中公开了本发明的优选实施例。
本发明基于的思想是，在原子层沉积反应器(ALD反应器)、化学气相沉积反应器或类似反应器中，可通过反应室、低压室或处理室的闸或装载装置将基体送入反应器中特别是送入其低压室中，所述闸或装载装置具有至少一个特殊的扩散闸，其位于闸的任一侧。在一些实施例中，处理室可具有处于闸两侧的扩散闸。扩散闸设置成使得其包括供基体穿过的孔、间隙或类似物。扩散闸的孔的尺寸和形状设计为对应于要被供送穿过的基体的形状，使得基体在穿过时大体上封闭或阻塞孔。换句话说，孔为仅仅刚好允许基体穿过，并且仅在孔的内壁和基体的外表面之间形成这种小空隙，使得基体能够穿过孔。这样，这种扩散闸与基体一起形成阀，当基体处于孔中时该阀关闭，从而大体上阻止通过扩散闸的孔的气体流动。
根据本发明的扩散闸可以布置在ALD反应器或另一处理室的闸的两侧：低压室内和低压室外。特别地，扩散闸布置成与处理室的隔离阀相连，穿过该隔离阀将基体装入和/或移出处理室，以使扩散闸将位于隔离阀的任一侧。这样，当将基体装入处理室时，基体首先到达在反应器处理室外处于隔离阀前面的扩散闸，阻塞或封闭扩散闸的孔，从而大体上阻止穿过扩散闸的气体流动。之后，隔离阀打开，向前传送基体穿过隔离阀，然后基体到达在处理室内处于隔离阀另一侧上的扩散闸，封闭或阻塞该扩散闸的孔，从而大体上阻止气体流动。同时，基体离开在处理室外处于隔离阀前面的扩散闸。当基体已完全穿过隔离阀但仍然阻塞处理室内的扩散闸时，隔离阀关闭。之后，进一步向前输送基体完全穿过处理室内的扩散闸。在一个可选的实施例中，扩散闸相对于隔离阀仅布置在处理室内或外。
根据本发明的扩散闸提供了一种简单有效的装置，用于将基体送入处理室和从处理室移出。此外，本发明能将处理室布置在包括在不同压力下操作的多个单元的生产线中。因此，利用根据本发明的闸，当本发明的闸布置在反应器的相对两侧上时，可以穿过处理室输送基体。根据本发明的闸还易于制造，并且能够在产品的批量生产中使用ALD方法和对应的沉积方法，例如CVD。
附图说明
下文中将参考附图结合优选实施例更加详细地描述本发明，其中，图1至7示出了本发明的与生产线相关的一个实施例。
具体实施方式
参考图1，其示意性地示出了生产线，其中，穿过连续的处理室2、4、6输送基体。在每个处理室中，对基体8或其表面进行改性，或者将材料层沉积在基体8的表面上。例如，可以采用这种生产线来制造太阳能电池板、半导体元件或类似产品。这些产品通常由两个或更多个重叠沉积的薄材料层组成。连续的处理室可包括各种涂覆处理，如汽化、CVD、ALD、溅射等等，利用上述处理来对基体8的表面进行改性或者可在其上沉积材料层。在这种生产线中，不同的处理室2、4、6通常在不同的压力下操作，因此必须以气密的方式将它们彼此分隔，使得在各处理室之间不会发生气体交换。在生产线上，基体8从一个处理室2、4、6连续地传到另一个处理室，因而特别地必须以气密的方式使处理室2、4、6彼此分隔，使得当将基体8从处理室2、4、6传输到下一个处理室时在各处理室之间不会发生气体交换。
图1至7的实施例示出了根据本发明的方案，其中，平面的或板状基体8从第一处理室2传输到第二处理室4，再传输到第三处理室6，即基体8在图1至7中从左向右移动。通过闸装置10、11把连续的处理室2、4、6彼此分隔开，当将基体8从一个处理室2、4、6传输到下一个处理室时基体8穿过该闸装置。在图1至7的生产线中，第二处理室4可以是例如原子层沉积室(ALD室)，在此利用原子层沉积方法来对基体8进行改性。处理室2和6可以是CVD(化学气相沉积)室、溅射室、ALD室或其他相应的处理室。然而应该注意，本发明不限于任何特定的处理单元，生产线可以包括用于处理基体的任何处理单元。位于第一处理室2和ALD室4之间的本发明的第一闸装置10包括第一隔离阀12(例如可以是闸阀或类似物)，和在第一隔离阀两侧与第一隔离阀12相连的扩散闸14、16。第一扩散闸14可以沿基体8的行进方向布置在第一隔离阀12的前面，即在第一处理室2一侧。相应地，第二扩散闸16沿基体8的行进方向布置在第一隔离阀12的后面，即在ALD室4一侧。第一扩散闸14可以至少部分地布置在或者延伸到第一处理室2内。而第二扩散闸16可以至少部分地布置在或者延伸到ALD室4内或其低压室内。在这种情况下，第一扩散闸14布置在或者至少部分地延伸到ALD室4外。
位于ALD室4和处理室6之间的本发明的第二闸装置11包括第二隔离阀22(例如可以是闸阀或类似物)，和在第二隔离阀的两侧与第二隔离阀22相连的扩散闸24、26。第三扩散闸24沿基体8的行进方向布置在第二隔离阀22的前面，即在ALD室4一侧。相应地，第四扩散闸26沿基体8的行进方向布置在第二隔离阀22的后面，即在第三处理室6一侧。而第三扩散闸24可以至少部分地布置在或者延伸到ALD室4内。第四扩散室26可以至少部分地布置在或者延伸到第三处理室6内。在这种情况下，第四扩散闸26布置在或者至少部分地延伸到ALD闸4外。
根据上面的内容，本发明的闸装置10、11包括隔离阀12、22和在ALD室4两侧与隔离阀12、22相连的扩散闸14、16、24、26。每个扩散闸14、16、24、26包括供基体输送穿过的孔、间隙或类似物18、20、28、30。根据待输送穿过的基体8来确定扩散闸14、16、24、26的孔18、20、28、30的尺寸和形状，使得基体8在穿过孔的同时大体上封闭或阻塞孔18、20、28、30。因此，当基体8大体上封闭孔18、20、28、30时，阻止了气体流过扩散闸14、16、24、26，并且也从而阻止了气体流过闸装置10、11。换句话说，扩散闸14、16、24、26的孔18、20、28、30布置成使得仅仅刚好够基体穿过的空间。这样，使基体8的外表面和孔18、20、28、30之间的空隙或间隙尽可能地小，但是使得基体8能够穿过孔。基体8的外表面和孔18、20、28、30之间的空隙优选小于、大体上等于分子的平均自由行程。当基体8在其行进方向具有大体上一致的横截面时本发明表现最佳。换句话说，优选地基体8的形式为板、平面、棒、管或线，使得其形状和尺寸在其纵向方向或行进方向大体上保持一致，基体沿该纵向方向或行进方向穿过闸装置10、11。当所用基体8的形式为板或平面时，根据从与基体行进方向垂直的方向来看的基体8的横截面，孔18、20、28、30的形状大体上为矩形或者形式为细长缝隙。可选地，对应于在与基体行进方向垂直方向上的基体8的横截面，孔18、20、28、39可以是圆形或卵形、微孔或类似，使得基体仅仅刚好适合穿过孔18、20、28、30。
扩散闸14、16、24、26可至少部分地设置为管状和套筒状部件或是套管，其根据图1布置成与隔离阀12、22相连，或是安装或附连到隔离阀12、22。该管状或套筒状扩散闸的横截面积从隔离阀12、22朝孔18、20、28、30渐缩。换句话说，扩散闸12、22或穿过其的孔18、20、28、30可以在离开隔离阀12、22的方向上渐缩。在一个实施例中，扩散闸18、20、28、30可布置成在离开隔离阀12、22的方向上渐缩的凸轮管。可选地，扩散闸18、20、28、30可形成为笔直的甚至是板状的部件，其布置成与隔离阀相连。板状扩散闸18、20、28、30可包括供基体输送穿过的简单孔，或者可设有管状或套筒状开口，该管状或套筒状开口的横截面积在离开隔离阀12、22的方向上渐缩或保持不变。换句话说，在该实施例中，在平面直板中布置有从其表面向外突出的管状或套筒状部件。在一个优选的例子中，上述管状或套筒状扩散闸14、16、24、26的长度或其管状或套筒状开口的长度大体上等于或大于分子的自由行程，从而有效地防止了穿过扩散闸14、16、24、26的分子流。
根据本发明的闸装置10、11可具有抽吸装置或其他相应的低压装置(未示出)。这些抽吸装置布置成与隔离阀12、22相连，优选地是设在扩散闸14、16、24、26的相对两侧之间或之间的空间中。因此，能够在闸装置10、11中提供低压或抽吸，通过这样做，可以吸走穿过扩散闸14、16、24、26进入闸装置的分子。每个闸装置10、11可以有一个或多个抽吸装置。该抽吸装置允许闸装置10、11具有扩散闸流动，这进一步增强了闸装置10、11的操作。
可以在生产线中采用上述类型的闸装置10、11，以将一个或多个处理室2、4、6彼此分隔。在这种情况下，闸装置10、11分别在隔离阀的相对两侧具有第一和第二扩散闸14、16、24、26，当将基体送入处理室2、4、6和/或从处理室2、4、6移出时，基体在穿过第一和第二扩散闸的同时大体上阻塞第一和第二扩散闸。在生产线中扩散闸对应于单个处理室2、4、6的上述扩散闸。在生产线中，处理室2、4、6包括有利地处于相对两侧的闸装置，使得在生产线上制造或改性的产品可以被输送穿过处理室2、4、6。
图1至7示意性地示出了生产线或其一部分，包括第一处理室2、ALD室4和第三处理室6。通过第一闸装置10把ALD室4与第一处理室2分隔，以及通过第二闸装置11把ALD室4与第三处理室6分隔。下文中，将说明如何将基体从第一处理室2送入ALD室4以及进一步地从ALD室4送入第三处理室6。
在图1的状态下，基体8由第一传输装置32输送到位于第一闸装置10的第一隔离阀12前面或者说位于处理室2一侧的扩散闸14的孔18，该孔将大体上被基体8封闭或阻塞。换句话说，基体8被插入位于第一隔离阀12前面的第一扩散闸14的孔18中，从而气体将基本上不能流过第一扩散闸14。优选使基体8停止在该位置，之后打开第一隔离阀12并根据图2传输基体8穿过第一隔离阀12。闸装置10在基体8行进方向上的总长度优选是使得在第一处理室的传输装置32推动结束前，ALD室4的传输装置34开始拉动基体8。换句话说，如图2所示，当两个传输装置32、34都能够同时传输基体8一部分行程时，通过第一处理室的传输装置32和ALD室4的传输装置34的配合可把基体8输送穿过第一闸装置。
继续将基体8传输到ALD室4中，直到基体8完全穿过第一隔离阀12到达如图3所示的位置，在此位置，基体8处于第一闸装置10的第二扩散闸16的孔20中(即处于ALD室4一侧的孔20中)，使得基体8大体上阻塞或封闭孔20，从而防止气体流过第一闸装置10。可以使基体8停止在该位置，在此位置，基体已经行进穿过第一隔离阀12，但仍然处于第二扩散闸16内。然后关闭第一隔离阀12，之后进一步传输基体8使其完全穿过第二扩散闸16进入ALD室4到达如图4所示的位置，在此位置，可根据ALD方法对基体进行处理。
在用ALD方法将材料层沉积在基体8的表面上或者对基体8的表面改性之后，用ALD室的传输装置34将基体8传输到图5所示的位置，处于第二闸装置11的第三扩散闸24的孔28内，在ALD室4一侧并在第二隔离阀22前面。在这种情况下，基体8大体上封闭或阻塞第三扩散闸24，使得气体基本上不能够流过第三扩散闸。使基体8停止在图5所示的这个位置，并打开第二闸阀22。然后，利用ALD室4的传输装置34进一步向前输送基体8穿过第二闸阀22，直到如图6所示基体8到达第三处理室6的传输装置36。在如图2和6所示的位置，基体8大体上延伸穿过隔离阀12、22和其两侧的扩散闸14、24、16、26。从图6的位置起，利用ALD室4的传输装置34和第三处理室6的传输装置36进一步将基体8向前传输，直到基体8朝第三处理室6移动到使得仅利用第三处理室6的传输装置36继续把基体向前传输。通过这种方式，将基体8传输到图7所示的位置，在此位置，基体8已经完全穿过第二分隔闸22，但仍然在第四扩散闸26的孔30内，基本上阻止了气体流动。当基体8已离开第二隔离阀22时，再次使基体8停止在图7所示的位置，随后关闭第二隔离阀22。之后，可将基体8传输完全穿过第三处理室6内的第四扩散闸26。传输装置32、34、36可以是输送辊、输送带或类似物，基体8可以在其上传输。
即使如上所述地使基体8在隔离阀12、22前面停止，即基体8在其行进方向上处于隔离阀前面的扩散闸14、24内，然而这不是必须的。可以使隔离阀12、22的操作自动化，以便当基体8沿基体8的行进方向到达隔离阀12、22前面的扩散闸14、24中时隔离阀12、22打开，当基体8已经穿过隔离阀12、22但是在基体8的行进方向上仍然处于隔离阀12、22后面的扩散闸16、26内时隔离阀12、22关闭。此外，可以使上述抽吸装置的操作自动化，以便当基体处于闸装置内或打开隔离阀时抽吸装置工作。
为了有效操作本发明的闸装置，当打开隔离阀12、22时基体8总是在闸装置10、11的扩散闸14、24、16、26中的至少任一个内延伸，以便基体8与扩散闸14、24、16、26一起阻止气体流动。本发明的闸装置也可以用于不布置在生产线中的单独处理室中。此外，在特定的应用中，单独的处理室或布置在生产线中的处理室可以具有仅仅一个本发明的闸装置10、11，从而可经由同一闸装置10、11将基体8送入ALD单元和从ALD单元移出。此外，每个闸装置可以仅包括一个扩散闸14、24、16、26，其可以相对于隔离阀12、22布置在处理室内或外。在本申请中，处理室是指任何处理室，在处理室中可对基体8进行处理，如涂覆或掺杂。处理室可以是低压室或高压室，或者处理室可以在标准大气压(NTP，1bar，0℃)操作。
如上所述的生产线可以用来例如制造太阳能电池、半导体元件、平板玻璃产品、金属带/纸带、线、纤维或其他使用ALD方法改性和涂覆的产品。此外，应该注意，这种生产线还可包括超过一个ALD室。此外，根据本发明的闸还可以与除ALD室之外的室关联使用。换句话说，本发明的闸装置可以与内部压力不同于环境压力或者将以其它方式与环境隔离的所有室关联使用。根据本发明的简单闸装置通过以简单的方式把在不同压力下操作的各处理室或处理单元彼此隔离使得在各处理单元之间基本上不会发生气体交换，从而提供特别的益处。
对本领域技术人员来说显而易见的是，随着技术进步，可以用各种方式实施本发明的基本思想。这样，本发明和其实施例不限于上面的实例，而是可以在权利要求的范围内变化。

Claims (36)

1.一种闸装置(10、11)，基体(8)能够穿过闸装置被送入处理室(4)和/或从处理室(4)移出，该闸装置(10、11)包括隔离阀(12、22)，基体(8)穿过该隔离阀被送入处理室(4)和/或从处理室(4)移出，其特征在于，闸装置(10、11)包括与隔离阀(12、22)相连的至少一个扩散闸(14、16、24、26)，当将基体送入和/或移出处理室(4)时，基体(8)在穿过闸装置(10、11)的同时大体上阻塞扩散闸。
2.根据权利要求1所述的闸装置(10、11)，其特征在于，闸装置(10、11)包括相对于隔离阀(12、22)处于处理室(4)内或外的扩散闸(14、16、24、26)。
3.根据权利要求1所述的闸装置(10、11)，其特征在于，闸装置(10、11)包括相对于隔离阀(12、22)处于处理室(4)外的第一扩散闸(14、26)和处于处理室(4)内的第二扩散闸(14、24)。
4.根据权利要求1至3中任何一项所述的闸装置(10、11)，其特征在于，扩散闸(14、16、24、26)包括孔(18、20、28、30)，用于经由扩散闸(14、16、24、26)输送基体(8)穿过隔离阀(12、22)，孔(18、20、28、30)的形状和尺寸大体上对应于要送入处理室(4)的基体(8)的形状和尺寸，以使得基体(8)在通过孔(18、20、28、30)的同时大体上封闭孔(18、20、28、30)。
5.根据权利要求4所述的闸装置(10、11)，其特征在于，扩散闸(14、16、24、26)的孔(18、20、28、30)的尺寸设计为使得基体(8)穿过孔(18、20、28、30)时，基体(8)的外表面和孔(18、20、28、30)的内表面之间的间隙小于或大体上等于分子的平均自由行程。
6.根据权利要求1至5中任何一项所述的闸装置(10、11)，其特征在于，扩散闸(14、16、24、26)为管状或套筒状。
7.根据权利要求6所述的闸装置(10、11)，其特征在于，管状或套筒状扩散闸(14、16、24、26)的横截面积从隔离阀(12、22)向孔(18、20、28、30)减小。
8.根据权利要求6或7所述的闸装置(10、11)，其特征在于，扩散闸(14、16、24、26)被设置成是在离开隔离阀(12、22)的方向上渐缩的凸轮管。
9.根据权利要求1至5中任何一项所述的闸装置(10、11)，其特征在于，扩散闸(14、16、24、26)为板状。
10.根据权利要求9所述的闸装置(10、11)，其特征在于，板状扩散闸(14、16、24、26)包括管状或套筒状孔(18、20、28、30)，该孔具有在离开隔离阀(12、22)的方向上减小的横截面积或者具有保持不变的横截面积。
11.根据权利要求4至10中任何一项所述的闸装置(10、11)，其特征在于，孔(18、20、28、30)具有间隙状和矩形形状，使得孔布置成接收板状或平面基体(8)。
12.根据权利要求6至11中任何一项所述的闸装置(10、11)，其特征在于，管状或套筒状扩散闸(14、16、24、26)的长度或者扩散闸(14、16、24、26)的管状或套筒状孔的长度大体上等于或大于分子的自由行程。
13.根据权利要求1至12中任何一项所述的闸装置(10、11)，其特征在于，闸装置(10、11)还包括抽吸装置，该抽吸装置布置成与隔离阀(12、22)相连以产生扩散闸流动。
14.根据权利要求13所述的闸装置(10、11)，其特征在于，抽吸装置布置成在第一和第二扩散闸(14、16；24、26)之间的空间中产生扩散流。
15.一种生产线，包括两个或更多个用于对基体(8)表面进行改性和/或生长的连续处理单元，这些处理单元中的至少一个包括处理室(2、4、6)，在该生产线中用闸装置(10、11)把至少一个处理室(2、4、6)与前面和/或后面的处理单元分隔开，闸装置(10、11)包括隔离阀(12、22)，基体(8)穿过该隔离阀被送入和/或移出处理室(2、4、6)，其特征在于，闸装置(10、11)设有与隔离阀(12、22)相连的至少一个扩散闸(14、16、24、26)，当将基体送入和/或移出处理室(4)时，基体(8)在穿过闸装置(10、11)的同时大体上阻塞扩散闸。
16.根据权利要求15所述的生产线，其特征在于，闸装置(10、11)包括相对于隔离阀(12、22)处于处理室(2、4、6)内或外的扩散闸(14、16、24、26)。
17.根据权利要求15所述的生产线，其特征在于，闸装置(10、11)包括相对于隔离阀(12、22)处于处理室(2、4、6)外的第一扩散闸(14、26)和处于处理室(2、4、6)内的第二扩散闸(14、24)。
18.根据权利要求15所述的生产线，其特征在于，闸装置(10、11)包括分别在隔离阀(12、22)相对两侧上的第一和第二扩散闸(14、16、24、26)，当将基体送入和/或移出处理室(2、4、6)时，基体(8)在穿过闸装置(10、11)的同时大体上阻塞第一和第二扩散闸。
19.根据权利要求15至18中任何一项所述的生产线，其特征在于，处理室(2、4、6)包括在其两个相对壁上的闸装置(10、11)，以便能穿过处理室(2、4、6)在生产线上输送基体(8)。
20.根据权利要求15至19中任何一项所述的生产线，其特征在于，该生产线包括传输装置(32、34、36)，通过该传输装置将基体(8)在处理室(2、4、6)内和在各处理单元之间传输。
21.根据权利要求20所述的生产线，其特征在于，闸装置(10、11)布置成使得能够利用处理室(2、4、6)以及前面或后面处理单元的传输装置(32、34、36)来输送基体(8)穿过闸装置(10、11)。
22.根据权利要求15至21中任何一项所述的生产线，其特征在于，基体(8)布置成阻塞扩散闸(14、16、24、26)，以使得在扩散闸(14、16、24、26)中基体(8)和扩散闸(14、16、24、26)之间的间隙小于或大体上等于分子的平均自由行程。
23.根据权利要求15至22中任何一项所述的生产线，其特征在于，扩散闸(14、16、24、26)为管状或套筒状。
24.根据权利要求23所述的生产线，其特征在于，管状或套筒状扩散闸(14、16、24、26)的横截面积从隔离阀(12、22)向扩散闸(14、16、24、26)减小。
25.根据权利要求15至22中任何一项所述的生产线，其特征在于，扩散闸(14、16、24、26)为板状。
26.根据权利要求25所述的生产线，其特征在于，板状扩散闸(14、16、24、26)包括管状或套筒状孔(18、20、28、30)，该孔具有在离开隔离阀(12、22)的方向上减小的横截面积或者具有保持不变的横截面积。
27.根据权利要求15至26中任何一项所述的生产线，其特征在于，扩散闸(14、16、24、26)具有间隙状和矩形形状，使得扩散闸布置成接收板状或平面基体(8)。
28.根据权利要求23、24、26或27中任何一项所述的生产线，其特征在于，管状或套筒状扩散闸(14、16、24、26)的长度或者扩散闸(14、16、24、26)的管状或套筒状孔的长度大体上等于或大于分子的自由行程。
29.根据权利要求15至28中任何一项所述的生产线，其特征在于，闸装置(10、11)设有抽吸装置，以便在闸装置(10、11)中产生扩散闸流动。
30.根据权利要求15至29中任何一项所述的生产线，其特征在于，该生产线是用于制造太阳能电池的生产线。
31.一种方法，用于将基体(8)穿过闸装置(10、11)送入和/或移出处理室(4)，其特征在于，在该方法中，输送基体(8)穿过闸装置(10、11)，该闸装置包括隔离阀(12、22)和布置在隔离阀至少一侧上的扩散闸(14、16、24、26)，其中，在该方法中，引导基体(8)穿过闸装置(10、11)，使得当将基体(8)送入和/或移出处理室(4)时，基体(8)在穿过隔离阀(12、22)的同时大体上阻塞该扩散闸(14、16、24、26)。
32.根据权利要求31所述的方法，其特征在于，闸装置包括布置在隔离阀(12、22)相对两侧上的扩散闸(14、16、24、26)，其中，该方法包括以下步骤：
沿基体行进方向将基体(8)输送到闸装置(10、11)的第一扩散闸(14、24)的孔(18、28)中，基体(8)大体上封闭该孔；
在基体(8)仍然大体上封闭第一扩散闸(14、24)的孔(18、28)的同时打开隔离阀(12、22)；
沿基体(8)的行进方向把基体(8)穿过隔离阀(12、22)向前输送到处于隔离阀(12、22)后面的第二扩散闸(16、26)的孔(20、30)中，基体(8)大体上封闭该孔，并且关闭隔离阀(12、22)，以及
沿基体的行进方向输送基体(8)离开第二扩散闸(16、26)的孔(20、30)。
33.根据权利要求32所述的方法，其特征在于，在打开隔离阀(12、22)之前停止基体(8)的移动，此时基体(8)在其行进方向上处于第一扩散闸(14、24)的孔(18、28)中；和/或在关闭隔离阀(12、22)之前停止基体(8)的移动，此时基体(8)在其行进方向上处于第二扩散闸(16、26)的孔(20、30)中。
34.根据权利要求31至33中任何一项所述的方法，其特征在于，利用抽吸装置在闸装置(10、11)中产生扩散闸流动。
35.根据权利要求31至34中任何一项所述的方法，其特征在于，在生产线中采用该方法用于将基体(8)送入和/或移出原子层沉积单元(4)。
36.根据权利要求31至35中任何一项所述的方法，其特征在于，在太阳能电池的生产线中采用该方法。
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