CN102237385A - 半导体装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

在经由粘接层将玻璃基板与半导体芯片的表面相粘合的半导体装置中，填充粘接层以使得在形成于光电二极管上的绝缘膜的凹陷部中不内含气泡成为课题。在上部形成有具有由层间绝缘膜构成的凹陷部(19)的光电二极管(40)、和由NPN双极晶体管(30)等构成的光半导体集成电路的半导体芯片(50)中，一般用遮光膜(17)覆盖光电二极管(40)上的除了凹陷部(19)区域以及切割区域(21)以外的部分。在本发明中，进一步通过形成从凹陷部(19)起向着该凹陷部(19)的外侧延伸的遮光膜(17)的开口路径(20)，实现了课题的解决。

Description

半导体装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及CSP(Chip Size Package：芯片级封装)型的半导体装置及其制造方法，特别涉及在半导体基板的表面上经由粘接层来粘接支撑基板的半导体装置及其制造方法。

背景技术

在便携式设备等轻薄短小化的趋势中，作为三维安装技术的CSP技术占据着巩固的地位。CSP是指具有由与半导体芯片的外形尺寸相同程度的尺寸构成的外形尺寸的小型封装。

在CSP型半导体装置中，关于将由图像传感器等受光元件以及控制其输出的控制电路等构成的光半导体集成电路作为CSP的半导体装置，以下基于图6简单说明。图6A为该半导体装置的表面侧的立体图，图6B为该半导体装置的背面侧的立体图。

半导体装置101，在第一及第二玻璃基板102、103之间经由环氧树脂105a、105b封装半导体芯片104。在第二玻璃基板103的一个主面上，即该半导体装置101的背面上，格子状地配置有多个球状的导电端子106。

该导电端子106，经由第二布线110连接到半导体芯片104。多个第二布线110，分别连接着从半导体芯片104内部引出的铝布线，从而形成各导电端子106与半导体芯片104之间的电连接。

关于半导体101的截面构造，基于图7进一步详细说明。同图表示沿着切割线被分割成各个半导体芯片104的半导体装置101的截面图。

在配置于形成有图像传感器等受光元件的半导体芯片104的表面的绝缘膜108上，设置有与该图像传感器等连接的第一布线107。该半导体芯片104由树脂105a与第一玻璃基板102粘接。另外，该半导体芯片104的背面由树脂105b与第二玻璃基板103粘接。

然后，第一布线107的一端与第二布线110连接。该第二布线110，从第一布线107的一端起延伸至第二玻璃基板103的表面。然后，在延伸至第二玻璃基板103上的第二布线110上形成球状的导电端子106，完成CSP型的半导体装置101。

关于内置有图像传感器等受光元件的CSP型半导体装置，存在许多现有技术文献，也公开在以下的专利文献1中。

专利文献1：JP特表2002-512436号公报

在上述专利文献1中，公开了这样的事实：半导体芯片104与第一玻璃基板102的粘接、以及半导体芯片104与第二玻璃基板103的粘接，是使用粘接装置并经由环氧树脂来进行的。并公开了这样的内容：为了用该粘接装置实现由均匀分布的环氧树脂形成的最适合的粘接状态，具有一边对半导体芯片104、玻璃基板102或103、以及环氧树脂进行挤压一边旋转的设备。

另一方面，为了防止入射到半导体芯片104的光被形成在受光元件的上面的钝化用的氮化硅膜吸收从而该入射光进入到受光元件内的量衰减，需要去除在受光元件形成区域上的钝化用的氮化硅膜。为此，在该受光元件形成区域上，将形成比周边的控制电路形成区域要低的凹陷部。

如此一来，在高速旋转涂敷将半导体芯片104与玻璃基板102等进行粘接的粘接层的情况下，会有产生这样的不良状况的情况：作为粘接材料的环氧树脂以内含气泡的状态被填充到该凹陷部内。因此，使在形成于受光元件形成区域上的该凹陷部内所填充的粘接层中不内含气泡，从成品率方面、可靠性方面的观点来看非常重要。

发明内容

本发明的半导体装置，具备：半导体芯片；光半导体集成电路，其形成于所述半导体芯片的表面，并包含受光元件；绝缘膜，其形成在所述光半导体集成电路上，并在所述受光元件上具有凹陷部；遮光膜，其形成在所述绝缘膜上，并在所述凹陷部上以及所述半导体芯片的端部的切割区域上具有开口，且具有从所述凹陷部起向着该凹陷部的外侧延伸的开口路径；衬垫电极，其在所述切割区域附近与所述光半导体集成电路连接而形成；支撑基板，其经由粘接层与所述半导体芯片的表面粘接；和背面布线电极，其形成于所述半导体芯片的背面，并与所述衬垫电极连接。

另外，本发明的半导体装置，其中，所述开口路径延伸至从所述遮光膜露出的绝缘膜中。

另外，本发明的半导体装置，其中，所述遮光膜由金属膜构成。

另外，本发明的半导体装置，其中，所述受光元件是能够对应蓝光(Blue-ray)的光电二极管。

进一步地，本发明的半导体装置，其中，所述支撑基板是玻璃基板。

另外，本发明的半导体装置的制造方法，具有：准备在表面形成有包含受光元件的光半导体集成电路的半导体芯片，并在所述半导体芯片上形成绝缘膜的工序；对所述受光元件上的所述绝缘膜进行蚀刻来形成凹陷部的工序；在所述绝缘膜上形成遮光材料膜的工序；通过对所述遮光材料膜进行图案制作(patterning)来形成遮光膜的工序，该遮光膜在所述凹陷部上以及所述半导体芯片的端部的切割区域上具有开口，且具有从所述凹陷部起向着该凹陷部的外侧延伸的开口路径；在所述切割区域附近形成衬垫电极的工序，该衬垫电极与所述光半导体集成电路连接；形成支撑基板的工序，该支撑基板经由粘接层与形成有所述遮光膜的半导体芯片的表面粘接；和在所述半导体芯片的背面形成背面布线电极的工序，该背面布线电极与所述衬垫电极连接。

另外，本发明的半导体装置的制造方法，其中，通过对从所述遮光膜露出的所述绝缘膜进行蚀刻，使得所述开口路径延伸到所述绝缘膜中。

根据本发明的半导体装置及其制造方法，由于将不会有在形成于光电二极管上的凹陷部内的粘接层中内含气泡的情况，因此不会产生伴随凹陷部的形成而带来的半导体装置的成品率方面、可靠性方面的问题。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造方法的截面图。

图2是表示从本发明的实施方式的半导体装置的光电二极管上的凹陷部起向着该凹陷部的外侧延伸所形成的遮光膜的开口路径的俯视图。

图3是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造方法的截面图。

图4是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造方法的截面图。

图5是表示本发明的实施方式的半导体装置及其制造方法的截面图。

图6是表示现有的半导体装置的立体图。

图7是表示现有的半导体装置的制造方法的截面图。

(附图标记说明)

1P-型半导体基板    2a、5a P+型阳极电极引出层

2b、5b、9b P+型分离层    9a P+型阳极层    3、6I层

4N+型埋入层    7N型集电极层    8N+型集电极引出层

10P型基极层    11a N+型集电极层    11b N+型发射极层

11c N+型阴极层    12元件分离膜    13防反射层14绝缘膜

15a集电极电极    15b发射极电极    15c基极电极

15d阳极电极    15e第二层布线    16a、16b层间绝缘膜

17遮光膜    18钝化膜    19凹陷部    20开口路径

21切割区域    22粘接层    23玻璃基板    24绝缘膜

25背面布线电极    26保护膜    27导电端子    28衬垫电极

30NPN双极晶体管    40光电二极管

50半导体芯片    60半导体装置    101半导体装置

102第一玻璃基板    103第二玻璃基板    104半导体芯片

105a、105b环氧树脂    106导电端子    107第一布线

108绝缘膜    110第二布线

具体实施方式

关于本发明的实施方式中的表示图5所示的半导体装置60的特征的半导体芯片50，在图1中表示半导体芯片50的截面图，在图2中用俯视图表示遮光膜17的开口状态，并在下面进行说明。此外，由于近年还开发了因蓝光的照射而不烧结树脂的环氧树脂等透明树脂，因此在本实施方式的半导体芯片50中还包含内置蓝光对应的光电二极管40的光半导体集成电路。

首先，如图1所示，由形成在P-型半导体基板1上的高电阻外延层构成的I层3、I层6，由P+型分离层2a、2b、5a、5b、9a、9b等分离成多个区域。由P+型分离层2b等分离的各个区域，进一步由元件分离层12分离。在由各分离层分离的区域中，形成有光电二极管40以及其输出控制电路，例如NPN双极晶体管30等。

光电二极管40的P+型分离层2a、5a构成P+型阳极电极引出层，P+型分离层9a构成P+型阳极层9a，该P+型阳极层9a与阳极电极15d经由形成于绝缘膜14的接触孔(contact hole)相连接。在光电二极管40，在I层6的表面上形成N+型阴极层11c，并在N+型阴极层11c上形成由氮化硅膜构成的防反射层13。另外，N+型阴极层11c经由形成于绝缘膜14的未图示的接触孔与未图示的阴极电极相连接。

在NPN双极晶体管30区域，在I层3的表面上形成N+型埋入层4，并形成从I层6的表面延伸至N+型埋入层4的N型集电极层7。在N型集电极层7内，形成从其表面延伸至N+型埋入层4的N+型集电极引出层(N+C层)8、另外，还形成P型基极层10。

在N+C层8的表面以及P型基极层10，分别形成N+型集电极层11a、N+型发射极层11b。另外，形成经由层间绝缘膜14的接触孔各自与N+型集电极层11a、N+型发射极层11b以及基极层10相连接的集电极电极15a、发射极电极15b以及基极电极15c。

在包含NPN双极晶体管30的集电极电极15a等的半导体基板1的上整面上形成层间绝缘膜16a、并隔着该层间绝缘膜16a形成电极布线15e等。并且，在其上隔着层间绝缘膜16b形成由金属构成的遮光膜17，并进一步在遮光膜17的上部形成钝化膜18。

另一方面，光电二极管40上的层间绝缘膜16b等经规定的光蚀刻工序被蚀刻，另外，由于对遮光膜17也进行蚀刻去除，因此在该光电二极管40上形成有规定深度的凹陷部19。

在这种情况下，如图1以及图2所示，不仅从在光电二极管40上的凹陷部19部分以及切割区域21之上进行遮光膜17的蚀刻，还进行处理以形成开口路径20，该开口路径20从光电二极管40上的凹陷部19起向着凹陷部19的外侧延伸。此外，此时，可以不全部去除开口路径20内的遮光膜17而剩余一部分来保留遮光功能。

另外，在图2中，虽然开口路径20形成于切割区域21的垂直方向，但是不限于此，能够任意设定开口路径20的宽度和深度。这样，形成从光电二极管40上的凹陷部19起向着该凹陷部19的外侧延伸的遮光膜17的开口路径20是本发明的要点。形成开口路径20的效果如下所示。

通过形成开口路径20，在如图5所示那样的、经由粘接层22将玻璃基板23与半导体芯片50粘接来形成半导体装置60的情况下，能够防止在半导体芯片50的光电二极管40上的凹陷部19内所填充的粘接层22中混入气泡。此气泡是在半导体基板1上涂敷由透明树脂组成的粘接材料，且一边旋转该半导体基板1一边均匀地扩展到半导体基板1的整面时，以卷入进来的空气为基础产生的。

在凹陷区19内的粘接层22中内含有气泡的情况下，由于入射光在粘接层22等与气泡之间的边界处会发生漫反射从而到达光电二极管40的光减少，故成为该光电二极管40的灵敏度降低或灵敏度波动的原因。因此，防止在凹陷部19内混入气泡，成为发挥以下重要效果的本发明的特征，即光电二极管40的灵敏度的稳定化。

通过将凹陷部19内的深度设为规定深度来将粘接层22旋转涂敷时的旋转上升速度调节为适当的值，能够使插入到凹陷部19中的粘接层22中所混入的气泡大幅度减少，而通过设置从凹陷部19起向着该凹陷部19的外侧延伸的开口路径20，即使在凹陷部19中有混入的气泡，也能够向着开口路径20，使进入到凹陷部19中的气泡逸出。

以下，关于形成开口路径20所带来的其他效果进行说明。如图5所示，由粘接层22粘接半导体芯片50与玻璃基板23来形成半导体装置60，但如前所述，首先，在半导体芯片50上涂敷由透明树脂形成的粘接材料。其后，使半导体芯片50旋转以使得粘接层22均匀地扩展到半导体芯片50上的整面。此时，为了实现粘接层22的膜厚的均匀化，需要每分钟1000次旋转以上的高速旋转。

在这种情况下，包含多个半导体芯片50的半导体基板1的外周部附近的半导体芯片50的凹陷部19以非常大的速度在周围的空气中行进。相反，如果凹陷部19已经停止，则凹陷部19上的空气将以高速的流速进行移动。这样的话，如伯努利定理所示那样，置于空气的高速流速中的凹陷部19内的空气会被高速流动的空气吸出，从而凹陷部19内成为减压状态。

按照因旋转的离心力而从半导体基板1的中心区域吸入由流入的具有粘性的透明树脂构成的粘接材料的方式进入变为减压状态的凹陷部19内，与进入常压状态的凹陷部19的情况相比，将在受到更大施压的状态下进行填充。在以这种状态粘合了玻璃基板23的情况下，填充到此凹陷部19内的粘接层22会受到大的内部应力(stress)，会有因热循环等而产生裂纹等情况。

在这种情况下，入射到光电二极管40的光将由粘接层22的裂纹等漫反射，从而到达光电二极管40的光减少，进而产生光电二极管40的灵敏度的降低或波动。即使在出厂时没有问题而在使用中产生所提到的症状，也会成为可靠性方面的问题。实现了这些问题的杜绝，是本发明的另一个特征。

通过从本发明中的凹陷部19起向着该凹陷部19的外侧延伸的开口路径20的形成，对于半导体基板1的周边部附近的光电二极管40上的凹陷部19，也能够在热循环等可靠性测试中杜绝粘接层22的裂纹等的产生。这是由于，因存在开口路径20，通过高速旋转而被吸入到半导体基板1的周边部的光电二极管40上的减压状态的凹陷部19内的粘接层22的一部分将从开口路径20流出，从而释放凹陷部19内的粘接层22的内部应力。

接着，关于本实施方式的半导体装置的制造方法，基于图1至图5在下面进行说明。首先，如图3所示，准备P-型半导体基板1，并在其表面形成未图示的P+型埋入层。在同图中，所示P+型阳极电极引出层2a以及P+型分离层2b，虽然显示为处于各自分离的状态，但实际上形成于P-型半导体基板1的表面整面上。其目的是，降低针对基于在光电二极管40的耗尽层(depletion layer)内产生的空穴的光电流的电阻，以使得能够进行高速动作。

接下来，如同图所示，用规定的外延法来形成由高电阻层构成的I层3。接下来，在I层3的表面形成P+型阳极电极引出层5a以及P+型分离层5b，同时在NPN双极晶体管30的形成区域中形成N+型埋入层4。接下来，在形成有N+埋入层4等的I层3上用规定的外延法来形成由高电阻层构成的I层6。此外，使外延层为由高电阻层构成的I层3、I层6是为了使光电二极管40作为PIN二极管。

接下来，通过磷等杂质离子的离子注入以及随后的热处理的共用，形成从NPN双极晶体管30形成区域的I层6的表面延伸至N+型埋入层4内的N型集电极层7。另外，通过磷等杂质离子的离子注入以及随后的热处理的共用，在N型集电极层7内，形成从其表面延伸至N+型埋入层4内的N+型集电极引出层(N+C)8。

接下来，通过硼等杂质离子的离子注入，在N型集电极层7内，形成P型基极层10。此后，通过砷等杂质离子的离子注入，形成N+型集电极层11a、N+型发射极层11b以及N+型阴极层11c。另外，通过硼等杂质离子的离子注入，形成P+型分离层9b以及P+型阳极层9a。同时还通过规定方法来形成元件分离膜12。通过最终的热处理来将P+型分离层2b、5b以及9b进行连结，还将P+型阳极层9a和P+型阳极引出层2a、5a进行连结。

接下来，通过规定的CVD法以及光蚀刻，在光电二极管40形成区域中，形成由氮化硅膜构成的防反射层13。此后，形成覆盖半导体基板1上的整面的绝缘膜14。绝缘膜14由基于减压TEOS法的二氧化硅膜和BPSG等构成，实现了平坦化。总膜厚薄于1μm。

在绝缘膜14中经规定的光蚀刻工序形成接触孔，并经由该接触孔，经规定的工序，形成集电极电极15a、发射极电极15b、基极电极15c、阳极电极15d及未图示的阴极电极来作为由铝等构成的第一层布线。另外，在切割区域附近，形成与包含NPN双极晶体管30的控制电路等相连接的图5所示的衬垫电极28。

接下来，如图4所示，在形成有集电极电极15a等的半导体基板1的表面整面上，通过规定的方法来形成层间绝缘膜16a。层间绝缘膜16a由减压TEOS膜以及SOG膜形成，并实现了半导体基板1的表面的平坦化。由于光电二极管40上高低落差较大，故堆积SOG膜。层间绝缘膜16a的总膜厚也薄于1μm。接下来，通过规定的方法来形成第二层布线15e等。

接下来，如图1所示，在形成有第二布线层15e等的半导体基板1的表面整体上堆积层间绝缘膜16b。层间绝缘膜16b由减压TEOS膜以及SOG膜形成，总膜厚薄于1μm。接下来，在半导体基板1上，在由溅射(sputter)等堆积的表面上，对于以氮化钛(TiN)所覆盖的铝(Al)等为中心的金属膜，进行规定的光蚀刻处理。

其结果是，在光电二极管40上具有开口部，露出切割区域21，并形成具有开口路径20的遮光膜17，该开口路径20从光电二极管40上的开口部起向着该开口部的外侧延伸。此外，在这种情况下，如前述所示，可以将开口路径20内的遮光膜17剩余一部分以保持遮光功能。

接下来，在形成有遮光膜17的P型半导体基板1的表面上，堆积由氮化硅膜等构成的钝化膜18。此后，对在使以由未图示的TiN覆盖的A1等为中心的金属膜构成的探针垫(probe pad)上的钝化膜18以及A1等上的TiN进行蚀刻去除，从而在探针垫上使A1面露出。

此时，同时，必须从光电二极管40上蚀刻去除在光电二极管40的灵敏度设计方面成问题的、由吸光性高的SiN构成的钝化膜18，从而使入射光充分到达光电二极管40。

该探针垫上的钝化膜18以及TiN膜的蚀刻去除，和光电二极管40上的钝化膜18的蚀刻去除，能够在各自的掩膜(mask)中进行，也能够使用同一掩膜来同时进行。在使为各自的掩膜的情况与为同一掩膜的情况相比，具有后述的、凹陷部19将变浅的优点，而在使为同一掩膜的情况下，具有能够实现制造工序合理化的优点。以下，从工序合理化的观点出发，以在使为同一掩膜的情况下所形成的凹陷部19为例进行说明。

虽然探针垫上的钝化膜18与光电二极管40上的钝化膜18具有相同的膜厚，且几乎同时被蚀刻去除，但由于要进行过度蚀刻以使得没有钝化膜18的蚀刻残留，因此光电二极管40上的层间绝缘膜16b的一部分也被蚀刻。

接下来，为了在探针垫表面上使A1面露出，对覆盖A1面的TiN膜进行蚀刻去除。在以TiN膜与层间绝缘膜6b等的蚀刻选择比的关系来对探针垫上的TiN膜进行蚀刻去除时，也会发生这样的情况：在光电二极管40上露出的层间绝缘膜6b被蚀刻，从而在光电二极管40上露出层间绝缘膜6a。

其结果是，完成在光电二极管40上形成有从钝化膜18的表面起延伸至层间绝缘膜6a等内的凹陷部19的半导体芯片50。所以，如图1、图2所示，凹陷部19除了此凹陷部19上的开口部以及从该凹陷部19的侧面起向着该凹陷部19的外侧延伸的遮光膜17的开口路径20，被遮光膜17包围。

这样，形成从光电二极管40上的凹陷部19的侧面起向着该凹陷部19的外侧延伸的遮光膜17的开口路径20是本实施方式的特征。经由该开口路径20混入凹陷部19中的气泡、以及压缩填充到凹陷部19的粘接层22，将沿切割区域21方向逸出。

此外，关于开口路径20，虽然在本实施方式中仅在遮光膜17上形成，但还能够对从该遮光膜17的被去除的部分中露出的层间绝缘膜16b等进行蚀刻，从而成为深度更深的开口路径20。在这种情况下，由于开口路径20的深度与凹陷部19的深度接近，因此还能够排除进入凹陷部19深处的气泡。

另外，由于到凹陷部19的深处为止都与开口路径20连结，填充在凹陷部19深处的压缩应力高的粘接层22也从开口路径20排出。此外，还能够在用于遮光膜17形成的A1等的堆积前进行成为开口路径20的区域的层间绝缘膜16b等的蚀刻。在这种情况下，由于不需要在遮光膜17中形成开口路径20，因此开口路径20被由A1等构成的遮光膜17覆盖，从而无需担心光从该开口路径20漏射到设备元件形成区域中。

接下来，如图5所示，在作为半导体芯片50的主面即形成光电二极管40等的面上，一边旋转涂敷由透明树脂构成的粘接材料，一边在半导体芯片50与玻璃基板23之间形成由均匀的膜厚构成的粘接层22，并使半导体芯片50与玻璃基板23相粘接。在该工序中，混入到凹陷部19内的气泡、以及在压缩状态下被填充的粘接层22，沿着图2等所示的开口路径20被排放。此外，在图5中虽然表示的是一个半导体芯片50，但是在此阶段中，包含多个半导体芯片50的半导体基板1经由粘接层22与玻璃基板23相粘接。

接下来，通过规定的方法从背面侧蚀刻半导体基板1，在每个半导体芯片50的切割区域21附近，使衬垫电极28的背面露出。衬垫电极28在半导体芯片50的主面上与隔着绝缘膜14所形成的光电二极管40以及NPN双极晶体管30等相连接。接下来，用规定的方法形成覆盖各半导体芯片50的侧面以及背面的绝缘膜24。

接下来，用规定的方法，形成与衬垫电极28的背面相连接的从半导体芯片50的侧面起延伸至背面的背面布线电极25。接着，在半导体芯片50的背面，形成具有开口部的阻焊层(solder mask)等保护膜26，并在该开口部用丝网印刷(screen printing)等涂敷焊锡来形成导电端子27，最后，通过切割分离每个半导体芯片50而构成半导体装置60。

此外，不言自明地，虽然在本实施方式中使用了玻璃基板23作为支撑基板，但只要像透明树脂板等那样透过蓝色光的板即可，并不限定于玻璃基板23。另外，背面布线电极25还可以填充从半导体芯片50的背面侧到衬垫电极28的背面的贯穿半导体基板1的贯穿孔。

另外，在本实施方式中，由于是内置光电二极管40的半导体装置60，因此利用了玻璃基板23等或透明树脂那样的由粘接层22构成的光透过性材料，但是在为内置有具有不考虑光透过性的凹陷部的其他设备等的半导体装置的情况下，能够利用由没有光透过性的树脂等构成的粘接层、以及由塑料或硅基板等构成的支撑基板，这也是不言自明的。

Claims (10)

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

半导体芯片；

光半导体集成电路，其形成于所述半导体芯片的表面，并包含受光元件；

绝缘膜，其形成在所述光半导体集成电路上，并在所述受光元件上具有凹陷部；

遮光膜，其形成在所述绝缘膜上，并在所述凹陷部上以及所述半导体芯片的端部的切割区域上具有开口，且具有从所述凹陷部起向着该凹陷部的外侧延伸的开口路径；

衬垫电极，其在所述切割区域附近与所述光半导体集成电路连接而形成；

支撑基板，其经由粘接层与所述半导体芯片的表面粘接；和

背面布线电极，其形成于所述半导体芯片的背面，并与所述衬垫电极连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述开口路径延伸至从所述遮光膜露出的绝缘膜中。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述遮光膜由金属膜构成。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述受光元件是能够对应蓝光的光电二极管。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述支撑基板是玻璃基板。

6.一种半导体装置的制造方法，具有：

准备在表面形成有包含受光元件的光半导体集成电路的半导体芯片，并在所述半导体芯片上形成绝缘膜的工序；

对所述受光元件上的所述绝缘膜进行蚀刻来形成凹陷部的工序；

在所述绝缘膜上形成遮光材料膜的工序；

通过对所述遮光材料膜进行图案制作来形成遮光膜的工序，该遮光膜在所述凹陷部上以及所述半导体芯片的端部的切割区域上具有开口，且具有从所述凹陷部起向着该凹陷部的外侧延伸的开口路径；

在所述切割区域附近形成衬垫电极的工序，该衬垫电极与所述光半导体集成电路连接；

形成支撑基板的工序，该支撑基板经由粘接层与形成有所述遮光膜的半导体芯片的表面粘接；和

在所述半导体芯片的背面形成背面布线电极的工序，该背面布线电极与所述衬垫电极连接。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

通过对从所述遮光膜露出的所述绝缘膜进行蚀刻，使所述开口路径延伸至所述绝缘膜中。

8.如权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述遮光膜由金属膜构成。

9.如权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述受光元件是能够对应蓝光的光电二极管。

10.如权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述支撑基板是玻璃基板。

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