CN102201503A - 一种iii族氮化物衬底的生长方法、衬底以及led - Google Patents
一种iii族氮化物衬底的生长方法、衬底以及led Download PDFInfo
- Publication number
- CN102201503A CN102201503A CN2011100781318A CN201110078131A CN102201503A CN 102201503 A CN102201503 A CN 102201503A CN 2011100781318 A CN2011100781318 A CN 2011100781318A CN 201110078131 A CN201110078131 A CN 201110078131A CN 102201503 A CN102201503 A CN 102201503A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- iii nitride
- group iii
- layer
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 57
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 21
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 6
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 3
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000555 poly(dimethylsilanediyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种III族氮化物衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底的材料为铜；在支撑衬底表面形成石墨烯层；在石墨烯层表面形成III族氮化物半导体层，此步骤中III族氮化物半导体层的最高生长温度低于铜的熔点。本发明的优点在于，采用既导电又具有较高熔点的金属铜衬底，依次生长石墨烯和III族氮化物，生长工艺简单，且不会在生产过程中引入杂质。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件与工艺技术领域，尤其涉及一种III族氮化物衬底的生长方法以及衬底。
背景技术
氮化镓与氮化铟、氮化铝等III族氮化物及其三元合金，作为第三代半导体材料，是近年来半导体材料领域的研究热点，同时也已大量应用于生产生活中的多个领域。III族氮化物及其合金都是直接带隙半导体，特别是三种组分组成的合金的通过调整其组分的比例可以将禁带宽度连续的控制在从1.9eV到6.2eV的范围内。此外，由III族氮化物及其合金制成的异质结结构，可形成高浓度、高迁移率的二维电子气，弥补了宽禁带半导体电子有效质量大、迁移率低的缺陷。目前，III族氮化物的主要应用领域包括蓝、绿光发光二极管、激光二极管，高频、高温电子器件，太阳能电池等。随着缓冲层技术与III族氮化物p型掺杂技术的成熟，III族氮化物材料的研究已取得了阶段性的成果。如InGaN等高亮度蓝、绿光发光二极管目前已实现产业化。而日本的日亚公司(Nichia)和美国的Cree公司等著名生产商多年来也一直在从事氮化镓基发光二极管的生产和研究。
石墨烯作为一种非常新颖的材料，可利用化学气相沉积，石墨氧化还原和机械解理等方法制得，是一种零带隙、半金属的二维材料。石墨烯中的载流子运动速度可达到光速的1/300，其电子迁移率实验测量值超过15000cm2/vs(载流子浓度n≈1013cm-2)，在10～100K范围内，迁移率几乎与温度无关。石墨烯的晶格常数是0.246nm，氮化镓C面的晶格常数是0.319nm，二者的比例接近3∶4，在这个比例上的晶格失配不超过3％。此外，石墨烯具有较低的载流子注入势垒，材质柔软，热力学稳定性强，被认为在将来会成为应用于电子学和光电子学领域的一种关键材料。
上述石墨烯优异的电学特性与III族氮化物优良的光电特性相结合，有利于提高传统的以氮化物为基础的半导体器件性能。在此方面文献中已有过报道，例如2010年发表于Nanotechnology第21期175201页的文献Large-scalepatterned multilayer grapheme films as transparent conducting electrodes for GaNlight-emitting diodes中就提到在氮化镓发光二极管中用石墨烯代替ITO导电玻璃作为透明电极的应用。但在这些报道中石墨烯的转移到III族氮化物表面的方法比较复杂(如旋涂聚二甲基硅烷，化学腐蚀，再溶解聚二甲基硅烷等步骤)，且容易引起石墨烯的褶皱和引入杂质。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种III族氮化物衬底的生长方法及其衬底，将III族氮化物直接生长在石墨烯表面，有助于克服生长工艺复杂，以及石墨烯褶皱和引入杂质等问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种III族氮化物衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底的表面为第一III族氮化物半导体层；在支撑衬底的第一III族氮化物半导体层表面形成石墨烯层；在石墨烯层表面形成第二III族氮化物半导体层。
作为可选的技术方案，所述石墨烯层的制备方法选自于化学气相沉积的方法或者石墨氧化还原方法中的一种。
作为可选的技术方案，所述石墨烯层的厚度为1～100个原子层。
作为可选的技术方案，采用MOCVD工艺制备第二III族氮化物半导体层。
作为可选的技术方案，所述第一与第二III族氮化物半导体层的材料各自独立地选自于氮化镓、氮化铝、氮化铟中的一种或组合。
本发明进一步提供了一种III族氮化物衬底，包括支撑衬底，所述支撑衬底的表面为第一III族氮化物半导体层；支撑衬底的第一III族氮化物半导体层表面的石墨烯层；以及石墨烯层表面的第二III族氮化物半导体层。
作为可选的技术方案，所述石墨烯层的厚度为1～100个原子层。
作为可选的技术方案，所述第一与第二III族氮化物半导体层的材料各自独立地选自于氮化镓、氮化铝、氮化铟中的一种或组合。
一种III族氮化物LED，包括：支撑衬底，所述支撑衬底的表面为第一III族氮化物半导体层；支撑衬底的第一III族氮化物半导体层表面的石墨烯层；石墨烯层表面的第二III族氮化物半导体层，所述第二III族氮化物层进一步包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和夹在两者之间的有源层，其中第一导电类型半导体层与石墨烯接触；第一电极与第二电极，其中第一电极与石墨烯接触，第二电极与第二导电类型半导体层接触。
本发明的优点在于，采用III族氮化物衬底作为生长衬底，再依次生长石墨烯和III族氮化物，生长工艺简单，且不会在生产过程中引入杂质。
附图说明
附图1所示是采用本发明具体实施方式所述方法生长的III族氮化物衬底的结构示意图。
附图2所示即为以附图1的结构为基础形成的LED结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的一种III族氮化物衬底的生长方法以及衬底的具体实施方式做详细说明。
以下以采用MOCVD工艺生长GaN为例进行说明，对于AlN、InN以及InGaN等材料除了在生长工艺的具体参数上略有不同之外，其余均与以下实施方式大致相同。
石墨烯的制备：可选用化学气相沉积的方法或者石墨氧化还原方法制备，优选化学气相沉积方法。关于化学气相沉积法的具体实施方式属于公知技术，此处不再详细叙述。
石墨烯的转移：在石墨烯薄膜上旋涂聚二甲基硅氧烷(PDMS)层，由于PDMS有一定的粘性，可以粘附石墨烯薄膜层，并利用化学方法腐蚀石墨烯衬底，从而将石墨烯薄膜层从生长衬底上剥离。
将石墨烯薄膜与PDMS层构成的复合薄膜层压印在本征GaN晶体表面。此步骤中，石墨烯薄膜与本征GaN晶体紧密贴合。这里的本征GaN晶体可以是采用HPVE等技术生长的自支撑衬底，或者是采用MOCVD等技术在蓝宝石等支撑衬底上生长的晶体薄膜。
以上述转移到GaN表面上的石墨烯为缓冲层生长GaN，具体步骤如下：
衬底加热：将覆盖有石墨烯的本征GaN晶体支撑体放入一个无氧且无氢的反应容器中加热至800～1000℃。
生长氮化镓：在上述衬底温度下，向反应容器内通入流量为150～200μmol/min的三甲基镓和9～12slpm的氨气，生长1～10个小时。此步骤也可以选用MBE或者HVPE，但生长过程中的最低温度应当高于GaN支撑衬底表面的熔点。
附图1所示是采用上述方法生长的III族氮化物衬底，包括GaN层1、石墨烯层2以及GaN支撑衬底3。当然，也可以选用其他的材料代替GaN支撑衬底3，例如AlN、InP或者它们三者的合金，表面的GaN层也可以代之以AlN、InP或者它们三者的合金。以何种材料作为支撑衬底并在石墨烯表面生长何种晶体，可以由本领域技术人员自由选择。
上述结构可以用作制作LED结构。在上述III族氮化物衬底上继续生长带有源层的LED发光结构，并采用常规方法刻蚀电极，即形成附图2所示的附图1的结构为基础形成的LED结构，包括：支撑衬底20，所述支撑衬底20的表面为第一III族氮化物半导体层21；第一III族氮化物半导体层21表面的石墨烯层23；石墨烯层23表面的第二III族氮化物半导体层22，所述第二III族氮化物层22进一步包括第一导电类型半导体层221、第二导电类型半导体层222和夹在两者之间的有源层223，其中第一导电类型半导体层221与石墨烯层23接触；第一电极241与第二电极242，其中第一电极241与石墨烯层23接触，第二电极242与第二导电类型半导体层222接触。
采用上述结构的LED的优点在于，LED工作电流的路径将是沿着“第一电极241-石墨烯层23-第二III族氮化物半导体层22-第二电极242”的路径进行，石墨烯层23的电导率很高，与金属类似，故此结构实现了电流在LED内部的垂直流动，降低了LED的串联电阻，效果相当于垂直结构的LED。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种III族氮化物衬底的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底的表面为第一III族氮化物半导体层；在支撑衬底的第一III族氮化物半导体层表面形成石墨烯层；在石墨烯层表面形成第二III族氮化物半导体层。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述石墨烯层的制备方法选自于化学气相沉积的方法或者石墨氧化还原方法中的一种。
3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为1～100个原子层。
4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，采用MOCVD工艺制备第二III族氮化物半导体层。
5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一与第二III族氮化物半导体层的材料各自独立地选自于氮化镓、氮化铝、氮化铟中的一种或组合。
6.一种III族氮化物衬底，其特征在于，包括支撑衬底，所述支撑衬底的表面为第一III族氮化物半导体层；支撑衬底的第一III族氮化物半导体层表面的石墨烯层；以及石墨烯层表面的第二III族氮化物半导体层。
7.根据权利要求6所述的III族氮化物衬底，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为1～100个原子层。
8.根据权利要求6所述的III族氮化物衬底，其特征在于，所述第一与第二III族氮化物半导体层的材料各自独立地选自于氮化镓、氮化铝、氮化铟中的一种或组合。
9.一种III族氮化物LED，其特征在于，包括：
支撑衬底，所述支撑衬底的表面为第一III族氮化物半导体层；
第一III族氮化物半导体层表面的石墨烯层；
石墨烯层表面的第二III族氮化物半导体层，所述第二III族氮化物层进一步包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和夹在两者之间的有源层，其中第一导电类型半导体层与石墨烯层接触；第一电极与第二电极，其中第一电极与石墨烯层接触，第二电极与第二导电类型半导体层接触。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011100781318A CN102201503A (zh) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | 一种iii族氮化物衬底的生长方法、衬底以及led |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011100781318A CN102201503A (zh) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | 一种iii族氮化物衬底的生长方法、衬底以及led |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102201503A true CN102201503A (zh) | 2011-09-28 |
Family
ID=44662030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011100781318A Pending CN102201503A (zh) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | 一种iii族氮化物衬底的生长方法、衬底以及led |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102201503A (zh) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102412352A (zh) * | 2011-11-10 | 2012-04-11 | 杭州创元光电科技有限公司 | 用石墨烯制作的大功率led光源封装结构及其生产工艺 |
| CN103374751A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 清华大学 | 具有微构造的外延结构体的制备方法 |
| CN103378239A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 清华大学 | 外延结构体 |
| CN103794469A (zh) * | 2012-10-30 | 2014-05-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底 |
| CN104009130A (zh) * | 2013-02-22 | 2014-08-27 | Lg电子株式会社 | 生长衬底、氮化物半导体器件及其制造方法 |
| WO2015006986A1 (zh) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发光器件及其制作方法 |
| CN104538526A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-22 | 北京中科天顺信息技术有限公司 | 一种基于铜衬底的氮化物led外延片结构及其制备方法 |
| CN104637794A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-05-20 | 北京中科天顺信息技术有限公司 | 一种氮化物led垂直芯片结构及其制备方法 |
| US9083004B2 (en) | 2013-07-18 | 2015-07-14 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| TWI501420B (zh) * | 2012-04-25 | 2015-09-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 發光二極體 |
| CN104947071A (zh) * | 2015-05-14 | 2015-09-30 | 天津理工大学 | 一种石墨烯衬底上分级GaN纳米阵列及其制备方法及应用 |
| CN106048555A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-10-26 | 中国科学院半导体研究所 | 利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法 |
| WO2018157610A1 (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示基板及其制作方法、显示器 |
| CN108807627A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-11-13 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种大功率垂直结构led外延结构及其制备方法 |
| CN108899401A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-27 | 西安电子科技大学 | 基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法 |
| CN109103314A (zh) * | 2018-08-24 | 2018-12-28 | 北京石墨烯研究院 | 石墨烯紫外led及其制备方法 |
| CN109585270A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-04-05 | 中国科学院半导体研究所 | 基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构 |
| CN111509039A (zh) * | 2013-06-21 | 2020-08-07 | 挪威科技大学（Ntnu） | 石墨衬底上的iii-v或ii-vi化合物半导体膜 |
| CN112242469A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-01-19 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种基于石墨烯电极的垂直结构深紫外led及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6765240B2 (en) * | 1994-01-27 | 2004-07-20 | Cree, Inc. | Bulk single crystal gallium nitride and method of making same |
| CN101931035A (zh) * | 2009-06-23 | 2010-12-29 | 日本冲信息株式会社 | 氮化物半导体层分离方法、半导体器件和晶片及制造方法 |
-
2011
- 2011-03-30 CN CN2011100781318A patent/CN102201503A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6765240B2 (en) * | 1994-01-27 | 2004-07-20 | Cree, Inc. | Bulk single crystal gallium nitride and method of making same |
| CN101931035A (zh) * | 2009-06-23 | 2010-12-29 | 日本冲信息株式会社 | 氮化物半导体层分离方法、半导体器件和晶片及制造方法 |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102412352A (zh) * | 2011-11-10 | 2012-04-11 | 杭州创元光电科技有限公司 | 用石墨烯制作的大功率led光源封装结构及其生产工艺 |
| TWI501420B (zh) * | 2012-04-25 | 2015-09-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 發光二極體 |
| CN103374751A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 清华大学 | 具有微构造的外延结构体的制备方法 |
| CN103378239A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 清华大学 | 外延结构体 |
| CN103374751B (zh) * | 2012-04-25 | 2016-06-15 | 清华大学 | 具有微构造的外延结构体的制备方法 |
| CN103378239B (zh) * | 2012-04-25 | 2016-06-08 | 清华大学 | 外延结构体 |
| US9190565B2 (en) | 2012-04-25 | 2015-11-17 | Tsinghua University | Light emitting diode |
| CN103794469A (zh) * | 2012-10-30 | 2014-05-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底 |
| CN104009130A (zh) * | 2013-02-22 | 2014-08-27 | Lg电子株式会社 | 生长衬底、氮化物半导体器件及其制造方法 |
| US9666759B2 (en) | 2013-02-22 | 2017-05-30 | Lg Electronics Inc. | Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN104009130B (zh) * | 2013-02-22 | 2017-08-08 | Lg电子株式会社 | 生长衬底、氮化物半导体器件及其制造方法 |
| CN111509039A (zh) * | 2013-06-21 | 2020-08-07 | 挪威科技大学（Ntnu） | 石墨衬底上的iii-v或ii-vi化合物半导体膜 |
| US9083004B2 (en) | 2013-07-18 | 2015-07-14 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| WO2015006986A1 (zh) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发光器件及其制作方法 |
| CN104538526A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-22 | 北京中科天顺信息技术有限公司 | 一种基于铜衬底的氮化物led外延片结构及其制备方法 |
| CN104538526B (zh) * | 2014-12-24 | 2017-05-24 | 江苏巨晶新材料科技有限公司 | 一种基于铜衬底的氮化物led外延片结构及其制备方法 |
| CN104637794A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-05-20 | 北京中科天顺信息技术有限公司 | 一种氮化物led垂直芯片结构及其制备方法 |
| CN104947071A (zh) * | 2015-05-14 | 2015-09-30 | 天津理工大学 | 一种石墨烯衬底上分级GaN纳米阵列及其制备方法及应用 |
| CN104947071B (zh) * | 2015-05-14 | 2017-11-28 | 天津理工大学 | 一种石墨烯衬底上分级GaN纳米阵列及其制备方法及应用 |
| CN106048555A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-10-26 | 中国科学院半导体研究所 | 利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法 |
| WO2018157610A1 (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示基板及其制作方法、显示器 |
| US11233038B2 (en) | 2017-03-03 | 2022-01-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting diode display substrate, manufacturing method thereof, and display device |
| CN108807627A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-11-13 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种大功率垂直结构led外延结构及其制备方法 |
| CN108899401A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-27 | 西安电子科技大学 | 基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法 |
| CN108899401B (zh) * | 2018-06-28 | 2020-11-10 | 西安电子科技大学 | 基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法 |
| CN109103314A (zh) * | 2018-08-24 | 2018-12-28 | 北京石墨烯研究院 | 石墨烯紫外led及其制备方法 |
| CN109585270A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-04-05 | 中国科学院半导体研究所 | 基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构 |
| CN112242469A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-01-19 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种基于石墨烯电极的垂直结构深紫外led及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102201503A (zh) | 一种iii族氮化物衬底的生长方法、衬底以及led | |
| Chen et al. | Electroluminescence from n-ZnO nanowires/p-GaN heterostructure light-emitting diodes | |
| CN105658848B (zh) | n型氮化铝单晶基板以及垂直型氮化物半导体器件 | |
| CN109346400B (zh) | 一种高质量Ga2O3薄膜及其异质外延制备方法 | |
| CN105405939B (zh) | 一种发光二极管及其制造方法 | |
| US9166101B2 (en) | Light-emitting element and method for manufacturing same | |
| CN106601882B (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制造方法 | |
| CN106711295B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片的生长方法 | |
| CN113675260A (zh) | 基于线性缓变掺杂漂移层的GaN肖特基二极管及其制备方法 | |
| CN107452841B (zh) | 基于石墨烯的led外延生长方法 | |
| CN102270723A (zh) | 一种氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN102255020A (zh) | 一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法 | |
| CN102637801A (zh) | 发光二极管 | |
| JP2015179695A (ja) | 半導体素子の製造方法、半導体素子および透明導電膜 | |
| CN106098874B (zh) | 一种发光二极管的外延片及制备方法 | |
| CN101509144A (zh) | 一种提高铝酸锂衬底上非极性a面GaN薄膜质量的方法 | |
| CN116230824B (zh) | 一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、led芯片 | |
| CN102456786B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN104752568B (zh) | 一种改善晶体质量的GaN基LED外延结构的制备方法 | |
| CN103137801A (zh) | 在钻石基板上形成的磊晶层结构及其制造方法 | |
| CN202996885U (zh) | 一种生长在Si衬底上的LED外延片 | |
| WO2013066088A1 (ko) | 투명 박막, 이를 포함하는 발광 소자와 이들의 제조 방법 | |
| CN100483738C (zh) | 基于自支撑SiC的GaN器件及制作方法 | |
| WO2007123262A1 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| CN106169523A (zh) | 一种采用L‑MBE和MOCVD技术在Si衬底上生长的LED外延片及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20110928 |