CN102176356A - 一种铂电阻芯片及铂电阻芯片的制备方法 - Google Patents
一种铂电阻芯片及铂电阻芯片的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102176356A CN102176356A CN 201110048220 CN201110048220A CN102176356A CN 102176356 A CN102176356 A CN 102176356A CN 201110048220 CN201110048220 CN 201110048220 CN 201110048220 A CN201110048220 A CN 201110048220A CN 102176356 A CN102176356 A CN 102176356A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- platinum
- resistance
- filament
- wire
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 199
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 30
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 22
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 claims 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000008676 import Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种铂电阻芯片及制备方法。该铂电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积铂丝电阻体，铂丝电阻体上切割成长方锯齿形电阻细丝，电阻体设引线焊接点，引线焊接点一端与电阻细丝连接，另一端与镀铂镍线引线连接。方法包括：按质量比称取纯金属铂粉与氢氟酸混合，搅拌制成纯金属铂浆料；采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷射到陶瓷基片上；用激光切割铂金层成细丝；用激光调整细丝的阻值，细丝两端焊接镀铂镍线作为引线，与基片呈一体化独石结构，即成ptl000铂电阻芯片。结构简单，成本低，生产效率高，电阻值分散性小，测温范围：-50℃～450℃；耐高温性：可长期工作在300℃，广泛用于制造各种不同规格及不同金属材质的电阻芯片。
Description
技术领域
本发明涉及芯片及制备方法，具体涉及一种铂电阻芯片及铂电阻芯片的制备方法。
背景技术
Ptl000铂电阻芯片是热量表配对铂电阻温度传感器的核心元件。目前国内尚不能生产，大部分生产配对铂电阻温度传感器的厂家均需向日本或德国进口，以致国家每年要花大量的外汇，而且进口价格也居高不下，传统铂电阻芯片生产工艺是将高纯度金属铂细丝用手工缠绕的方式绕在云母或石英玻璃骨架上，然后用电阻焊将细丝与引线焊接牢固，外面再封装玻璃或石英套管，传统技术存在生产效率低，成本高，R0（芯片0℃时的电阻值）分散性大，不适宜大规模生产的缺陷。
发明内容
本发明的目的是提供一种结构简单，成本低，生产效率高，0℃时的电阻值分散性小，适合批量大规模生产的一种铂电阻芯片。
本发明的另一目的是提供一种铂电阻芯片的制备方法。
为了克服传统技术的不足，本发明的技术方案是这样解决的：一种铂电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积有铂丝电阻体2，所述在铂丝电阻体2上切割成长方锯齿形电阻细丝1，所述电阻体2设有引线焊接点4，引线焊接点4一端与电阻细丝1连接，另一端与镀铂镍线引线连接，所述陶瓷基片3的长为3.2±0.1mm，宽为2.1±0.1mm，厚为1.0±0.1mm，镀铂镍线引线长度为10±1mm，引线直径φ0.2±0.02mm。
一种铂电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行：
1）、按质量比称取50%～55%纯金属铂粉与45%～50%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属铂浆料；
2）、采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷溅到陶瓷基片上，形成1.5mm～2mm厚的纯铂金薄膜层；
3）、用激光切割工艺将陶瓷基片上铂金层切割成线条宽度为0.08mm～0.13 mm细丝；其细丝间隔距离为0.08mm～0.13 mm；
4）、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R0，电阻R0值为1000欧姆±0.06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5）、将修正R0电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀铂镍线作为引线，在温度1100℃～1500℃的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成ptl000铂电阻芯片。
本发明与传统技术本质的区别在于是将纯金属铂浆料用激光喷溅方法将金属铂喷溅到陶瓷基片上，用激光切割工艺将陶瓷基片上铂金层切割成线条作为电阻丝，电阻丝两端焊接镀铂镍线作为引线，并进行烧结，制成ptl000铂电阻芯片。而传统铂电阻温度传感器的生产工艺是将高纯度金属铂细丝用手工缠绕的方式绕在云母或石英玻璃骨架上，然后用电阻焊将细丝与引线焊接牢固，外面再封装玻璃或石英套管而成。显然本发明具有结构简单、成本低廉、生产效率高，0℃时的电阻值R0分散性小，长期稳定性好，防振动和防冲击性良好，适合批量大规模生产等优点，广可泛用于制造各种不同规格及各种不同金属材质的电阻芯片。
本发明的技术参数为：
1、产品性能符合IEC751-1995和JIS1604标准；
2、测温范围：-50℃～450℃；
3、公称压力：0.6mpa；
4、外形尺寸：3,2mm×2.lmm×l.0mm（长×宽×高）；
5、精度与等级
A级：允许误差（单位：℃）±( 0.15+0.002t)；
B级：允许误差（单位：℃）±( 0.30+0.005t)；
其中t是被测温度值（单位：℃）
6、R0电阻值一致性好、偏差小，95%以上都能达到A级±0.06 W的精度；
精度等级：
A级：1000±0.06W
B级：1000±0.12W
7、耐高温性：可长期工作在300℃，且性能稳定；
8、具有良好的防振动和防冲击性
抗振动等级：> 40g加速度(10～2000HZ)；
9、具有良好的绝缘性
绝缘电阻：20℃时>100 M； 500℃时>2 M；
10、长期稳定性：< 0.1℃（250小时／100℃）；
1 1、电阻温度／系数：Rl00／R0=1.3851；
其中R0为铂电阻芯片0℃时阻值，Rl00为铂电阻芯片100℃时阻值。
附图说明
图1为本发明陶瓷基片细丝放大结构示意图。
具体实施方式
附图为本发明的实施例。
下面结合附图和实施例对发明内容作进一步说明：
实施例1
参照图1所示，一种铂电阻芯片在陶瓷基片3上沉积有铂丝电阻体2，所述在铂丝电阻体2上切割成长方锯齿形电阻细丝1，所述电阻体2设有引线焊接点4，引线焊接点4一端与电阻细丝1连接，另一端与镀铂镍线引线连接，所述陶瓷基片3的长为3.2±0.1mm，宽为2.1±0.1mm，厚为1.0±0.1mm，镀铂镍线引线长度为10±1mm，引线直径φ0.2±0.02mm。
一种铂电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行：
1）、按质量比称取50%～55%纯金属铂粉与45%～50%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属铂浆料；
2）、采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷溅到陶瓷基片上，以形成1.5mm～2mm厚的纯铂金薄膜层；
3）、用激光切割工艺将陶瓷基片上铂金层切割成线条宽度为0.08mm～0.13 mm细丝；其细丝间隔距离为0.08mm～0.13 mm；
4）、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R0，电阻R0值为1000欧姆±0.06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5）、将修正R0电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀铂镍线作为引线，在温度1100℃～1500℃的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成ptl000铂电阻芯片。
实施例2
一种铂电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行：
1）、按质量比称取52%～54%纯金属铂粉与46%～48%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属铂浆料；
2）、采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷溅到陶瓷基片上，形成1.5mm～2mm厚的纯铂金薄膜层；
3）、用激光切割工艺将陶瓷基片上铂金层切割成线条宽度为0.09mm～0.12 mm细丝；其细丝间隔距离为0.09mm～0.12 mm；
4）、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R0，电阻R0值为1000欧姆±0.06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5）、将修正R0电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀铂镍线作为引线，在温度1150℃～1300℃的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成ptl000铂电阻芯片。
实施例3
一种铂电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行：
1）、按质量比称取53%纯金属铂粉与47%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属铂浆料；
2）、采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷溅到陶瓷基片上，形成2mm厚的纯铂金薄膜层；
3）、用激光切割工艺将陶瓷基片上铂金层切割成线条宽度为0.1mm细丝；其细丝间隔距离为0.1mm；
4）、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R0，电阻R0值为1000欧姆±0.06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5）、将修正R0电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀铂镍线作为引线，在温度1200℃的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成ptl000铂电阻芯片。
实施例4
一种铂电阻芯片的制备方法，按下述步骤进行：
1）、按质量比称取50%纯金属铂粉与50%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属铂浆料；
2）、采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷溅到陶瓷基片上，形成2mm厚的纯铂金薄膜层；
3）、用激光切割工艺将陶瓷基片上铂金层切割成线条宽度为0.1mm细丝；其细丝间隔距离为0.1mm；
4）、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R0，电阻R0值为1000欧姆±0.06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5）、将修正R0电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀铂镍线作为引线，在温度1200℃的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成ptl000铂电阻芯片。
综上所述，利用本发明的技术方案除了用纯金属铂制造电阻芯片外，还可用其他纯金属材料与氢氟酸混合制成纯金属浆料，再用步骤2）～步骤5）的方法制造各种不同规格及各种不同金属材质的电阻芯片，若采用本发明的技术方案制造各种不同规格及各种不同金属材质制造的电阻芯片，同样属于本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种铂电阻芯片，其特征在于该铂电阻芯片包括在陶瓷基片3上沉积有铂丝电阻体2，所述在铂丝电阻体2上切割成长方锯齿形电阻细丝1，所述电阻体2设有引线焊接点4，引线焊接点4一端与电阻细丝1连接，另一端与镀铂镍线引线连接，所述陶瓷基片3的长为3.2±0.1mm，宽为2.1±0.1mm，厚为1.0±0.1mm，镀铂镍线引线长度为10±1mm，引线直径φ0.2±0.02mm。
2.一种权利要求1所述的铂电阻芯片的制备方法，其特征在按下述步骤进行：
1）、按质量比称取50%～55%纯金属铂粉与45%～50%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属铂浆料；
2）、采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷溅到陶瓷基片上，形成1.5mm～2mm厚的纯铂金薄膜层；
3）、用激光切割工艺将陶瓷基片上铂金层切割成线条宽度为0.08mm～0.13 mm细丝；其细丝间隔距离为0.08mm～0.13 mm的相应结构；
4）、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R0
，电阻R0值为1000欧姆±0.06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5）、将修正电阻R0值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀铂镍线作为引线，在温度1100℃～1500℃的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成ptl000铂电阻芯片。
3.根据权利要求2所述的一种铂电阻芯片的制备方法，其特征按下述步骤进行：
1）、按质量比称取52%～54%纯金属铂粉与46%～48%氢氟酸，经充分搅拌制成纯金属铂浆料；
2）、采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷溅到陶瓷基片上，形成1.5mm～2mm厚的纯铂金薄膜层；
3）、用激光切割工艺将陶瓷基片上铂金层切割成线条宽度为0.09mm～0.12 mm细丝；其细丝间隔距离为0.09mm～0.12 mm；
4）、采用激光切割工艺调整细丝的阻值，通过激光切割控制细丝的疏密度以修正电阻R0
，电阻R0值为1000欧姆±0.06欧姆，电阻值采用电桥测量法进行测量；
5）、将修正R0电阻值后的陶瓷基片细丝的两端焊接镀铂镍线作为引线，在温度1150℃～1300℃的烧结炉中同时被烧结在基片上，薄膜表面覆盖以烧结的陶瓷，即制备成ptl000铂电阻芯片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110048220 CN102176356A (zh) | 2011-03-01 | 2011-03-01 | 一种铂电阻芯片及铂电阻芯片的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110048220 CN102176356A (zh) | 2011-03-01 | 2011-03-01 | 一种铂电阻芯片及铂电阻芯片的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102176356A true CN102176356A (zh) | 2011-09-07 |
Family
ID=44519517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110048220 Pending CN102176356A (zh) | 2011-03-01 | 2011-03-01 | 一种铂电阻芯片及铂电阻芯片的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102176356A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104374687A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-02-25 | 国家电网公司 | 一种电力变压器绝缘纸老化试验装置 |
| CN104392809A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-04 | 中投仙能科技（苏州）有限公司 | 一种用于锂电池保护器的均衡电阻 |
| CN113483910A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-10-08 | 肇庆自动化仪表有限公司 | 一种陶瓷铂热电阻的制造方法及产品 |
| CN118794553A (zh) * | 2024-09-14 | 2024-10-18 | 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所 | 一种铂薄片热电阻热流传感器及其制备方法 |
| CN120538689A (zh) * | 2025-05-23 | 2025-08-26 | 云浮荣发科技有限公司 | 一种薄膜铂电阻传感器及其制备方法和应用 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1262516A (zh) * | 1999-01-26 | 2000-08-09 | 株式会社村田制作所 | 高压用电阻及其电阻值调整方法 |
| CN1409329A (zh) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | 石塚电子株式会社 | 薄膜热敏电阻及其阻值调节方法 |
| CN1552080A (zh) * | 2001-03-02 | 2004-12-01 | Bcԫ���ع�����˾ | 生产薄膜芯片电阻的方法 |
| CN1641801A (zh) * | 2004-01-09 | 2005-07-20 | 国巨股份有限公司 | 表面黏合金属箔芯片电阻器的制造方法 |
| CN2891234Y (zh) * | 2005-12-31 | 2007-04-18 | 陈富强 | 表面黏着型芯片电阻 |
| CN101819836A (zh) * | 2009-11-30 | 2010-09-01 | 东莞市长凌电子材料有限公司 | 条式电阻 |
-
2011
- 2011-03-01 CN CN 201110048220 patent/CN102176356A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1262516A (zh) * | 1999-01-26 | 2000-08-09 | 株式会社村田制作所 | 高压用电阻及其电阻值调整方法 |
| CN1552080A (zh) * | 2001-03-02 | 2004-12-01 | Bcԫ���ع�����˾ | 生产薄膜芯片电阻的方法 |
| CN1409329A (zh) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | 石塚电子株式会社 | 薄膜热敏电阻及其阻值调节方法 |
| CN1641801A (zh) * | 2004-01-09 | 2005-07-20 | 国巨股份有限公司 | 表面黏合金属箔芯片电阻器的制造方法 |
| CN2891234Y (zh) * | 2005-12-31 | 2007-04-18 | 陈富强 | 表面黏着型芯片电阻 |
| CN101819836A (zh) * | 2009-11-30 | 2010-09-01 | 东莞市长凌电子材料有限公司 | 条式电阻 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104374687A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-02-25 | 国家电网公司 | 一种电力变压器绝缘纸老化试验装置 |
| CN104392809A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-04 | 中投仙能科技（苏州）有限公司 | 一种用于锂电池保护器的均衡电阻 |
| CN113483910A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-10-08 | 肇庆自动化仪表有限公司 | 一种陶瓷铂热电阻的制造方法及产品 |
| CN118794553A (zh) * | 2024-09-14 | 2024-10-18 | 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所 | 一种铂薄片热电阻热流传感器及其制备方法 |
| CN120538689A (zh) * | 2025-05-23 | 2025-08-26 | 云浮荣发科技有限公司 | 一种薄膜铂电阻传感器及其制备方法和应用 |
| CN120538689B (zh) * | 2025-05-23 | 2025-12-05 | 云浮荣发科技有限公司 | 一种薄膜铂电阻传感器及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107793153B (zh) | 一种复合型热敏电阻材料及其制备方法和应用 | |
| CN102176356A (zh) | 一种铂电阻芯片及铂电阻芯片的制备方法 | |
| JP5847517B2 (ja) | 水素充填システム | |
| CN112880852B (zh) | 一种高温铂薄膜电阻温度传感器及其制备方法 | |
| CN102568723B (zh) | 负温度系数热敏电阻芯片、其电阻及其制作方法 | |
| CN108109792B (zh) | 一种带基座的热敏电阻及其制备方法 | |
| CN115628820B (zh) | 一种聚合物前驱体陶瓷薄膜热电偶及其制作方法 | |
| CN108007595A (zh) | 一种探头式薄膜热电偶温度传感器及其制作方法 | |
| CN103900727B (zh) | 一种用于瞬态温度测量的薄膜传感器及其制作方法 | |
| CN103560204B (zh) | 一种金属切削测温用薄膜热电偶及其制备方法 | |
| CN109411171A (zh) | 一种负温度系数珠状热敏电阻的制备方法 | |
| CN110132451A (zh) | 一种热流传感器及其制备方法 | |
| JP3806434B2 (ja) | 高温用サーミスタ | |
| CN103073267B (zh) | 一种低电阻率、高b值负温度系数热敏材料及其制备方法 | |
| CN108147790B (zh) | 医用含金高精度高稳定ntc热敏芯片及其制作方法 | |
| CN114974762A (zh) | 一种具有线性电阻-温度关系的耐高温陶瓷薄膜热敏电阻 | |
| CN203929258U (zh) | 一种用于瞬态温度测量的薄膜传感器 | |
| CN205642668U (zh) | 一种贴片式温度传感器 | |
| CN113754471B (zh) | 一种氧化锆陶瓷金属化金基浆料、金属化层、制备方法 | |
| JPH0331724A (ja) | 検出素子及びその製造方法 | |
| CN206656812U (zh) | 一种用于测量表面瞬态温度的传感器 | |
| CN115524024A (zh) | 用于高温应用的单元 | |
| CN102539004A (zh) | 一种温度传感器的制作方法 | |
| CN113969930A (zh) | 一种用于液压系统的多节点高精度测温螺栓 | |
| CN119845345B (zh) | 一种温度及对流换热系数一体化传感器及其测试方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110907 |