CN102160282A

CN102160282A - 电压箝位器

Info

Publication number: CN102160282A
Application number: CN2009801368323A
Authority: CN
Inventors: 威廉·F·埃勒斯科
Original assignee: Qualcomm Inc
Current assignee: Qualcomm Inc
Priority date: 2008-09-19
Filing date: 2009-09-16
Publication date: 2011-08-17
Also published as: US20100073064A1; KR20110059885A; US7692468B1; WO2010033607A1; JP2012503436A; TW201025833A; EP2351210A1

Abstract

本发明提供一种有源过电压箝位系统，其包括响应于输入电压且提供第一电流的至少一个过电压检测器。所述系统还包括提供第二电流的复制过电压电路，及从所述第一电流减去所述第二电流以产生差电流的电路。所述系统进一步包括响应于所述差电流而被激活的差动箝位器。所述差动箝位器防止所述输入电压增加超过目标电压。

Description

电压箝位器

技术领域

本发明涉及电子电路。更确切地说，本发明涉及过电压箝位电路。

背景技术

在无线数据网络连接中，趋向于具有较高操作速度的数据转换器。建立较高速度的数据转换器的一项设计难题为建立可向大电容器上快速充电、放电及放大信号的放大器。充电、放电及放大通常消耗包括所述放大器的数据转换器中的相当一部分功率。

放大器的组件的寄生电容趋向于成为这些放大器的速度的限制因素。寄生电容有效地限制精确地放大电压并使电压稳定的速度。寄生电容还限制数据转换器的时钟速率。然而，无线数据网络连接标准继续寻找宽带数据且要求数据转换器中的高取样速率。

许多设计者趋向于选择较高电压放大器以便增加信噪比(SNR)，因为增加的SNR常常可促进较高速度的数据处理。因此，一种用于设计数据转换器的传统方法为简单地通过使放大器使用较高供应电压来消耗放大器中的较多电力。然而，用于制造较高电压放大器的较高电压晶体管(例如，厚氧化物装置)趋向于具有比较低电压晶体管(例如，薄氧化物装置)大的寄生电容。因增加电力使用而获得的SNR由于归因于寄生电容增加而减小的速度而偏移。

另一传统设计方法为使用折叠式串联放大器。折叠式串联放大器提供与展开式串联放大器相比较大的速度及较小的寄生电容，但其也倾向于使用至少两倍的电流。第三种传统方法为接受限制且与较低速度数据转换器配合。

发明内容

本发明的各种实施例是针对防止在薄氧化物装置上经受大电压的箝位器。在一个实例中，薄氧化物装置为用于原本为2.5伏的放大器中的一伏装置。箝位器调节到薄氧化物装置的电压，借此保护装置免受过电压情形的影响。箝位器的有效电压调节可有助于确保薄氧化物装置的可靠性。在许多实施例中，最终结果为可在薄氧化物晶体管周围建置较快的放大器，因为薄氧化物晶体管趋向于比其厚氧化物对应物快且经受比其厚氧化物对应物小的寄生电容。

其它实施例是针对提供电压调节的方法。一种实例方法包括产生对应于输入电压(例如，薄氧化物装置的输入电压)的第一电流。还产生对应于输入电压的目标电平的第二电流。从第一电流减去第二电流，且将任何正的差电流输入到箝位电路。箝位电路使用所述差电流来产生第四电流。将第四电流施加到一个或一个以上节点以调节输入电压。

前述内容已相当广泛地概述了本发明的特征及技术优点，以便可较好地理解以下对本发明的详细描述。下文将描述本发明的额外特征及优点，其形成本发明的技术方案的主题。所属领域的技术人员应了解，所揭示的概念及特定实施例可易于用作修改或设计其它结构以执行本发明的相同目的的基础。所属领域的技术人员还应认识到，所述等效构造并不偏离如在随附技术方案中阐述的本发明的精神及范围。当结合附图考虑时，通过以下描述将更好地理解据信为本发明所特有的新颖特征(关于其组织及操作方法两者)以及其它目标及优点。然而，应明确理解，仅为说明及描述的目的而提供各图中的每一者，且其并不意在作为本发明的限制的定义。

附图说明

为更完全理解本发明，现在参考结合随附图式进行的以下描述，其中：

图1为展示可有利地使用本发明的实施例的示范性无线通信系统的框图；

图2到图2E为根据本发明的一个实施例而经调适的示范性放大器的说明；

图3到图3F为用于在图2的放大器中使用的偏压电路的说明；

图4为两个电压/电流关系的说明，其中一个或一个以上实施例可使用信号I_diode减I_replica来操作图5的箝位电路；

图5到图5C为适于用于在图2的放大器中使用的箝位器的示范性实施例的说明；及

图6为根据本发明的一个实施例而经调适的示范性方法的说明。

图2到图5通常使用以下符号格式：使用图2D的右上角中的M2作为实例，TP指示晶体管，PMOS，2.5V(厚氧化物)，而TN将指示晶体管，NMOS，核心1.3V(薄氧化物)；“50/0.4”以微米为单位指示晶体管栅极的宽度/长度/宽度；m＝8指示乘数8(8个并联的相同晶体管)；mp＝25为指状物的数目(因此对于总宽度＝50，存在25个宽度＝2的指状物)。此外，参看图2B，pdnB为pdn信号的低态有效、反相版本，且pdnD为pdn在出于隔离目的传递通过两个反相器之后的稍加延迟版本，其高态有效。“pdnD<3:0>”指代4个信号的阵列：pdnD<0>、pdnD<1>、pdnD<2>、pdnD<3>。类似地，“M71<1:0>”指代两个晶体管的阵列，M71<1>及M71<0>。

具体实施方式

图1展示可有利地使用本发明的实施例的示范性无线通信系统100。出于说明的目的，图1展示三个远程单元120、130及140及两个基站150、160。应认识到，典型无线通信系统可具有远为更多的远程单元及基站。远程单元120、130及140可包括多种存储器单元中的任一者，所述存储器单元包括(例如)经改进的全摆幅存储器阵列。远程单元120、130及140还可包括多种其它组件中的任一者，例如模/数转换器(ADC)、数/模转换器(DAC)、处理器、Δ-∑数据转换器及其类似者。本发明的实施例可用于各种组件中，且尤其是在数据转换器(例如ADC及DAC)中。图1展示从基站150、160到远程单元120、130及140的前向链路信号180，及从远程单元120、130及140到基站150、160的反向链路信号190。

通常，远程单元可包括手机、手持型个人通信系统(PCS)单元、例如个人数据助理的便携型数据单元、例如仪表读取设备的固定位置数据单元，及/或其类似者。在图1中，远程单元120经展示为移动电话，远程单元130经展示为便携型计算机，且远程单元140经展示为无线本地环路系统中的固定位置远程单元。基站150、160可为多种无线基站中的任一者，所述无线基站包括(例如)蜂窝式电话基站、无线网络接入点(例如，依照IEEE 802.11的接入点)，及其类似者。虽然图1说明根据本发明的教示的远程单元，但本发明不限于这些示范性说明的单元。

图2为根据本发明的一个实施例而经调适的示范性放大器200的说明，且图2附有更详细展示示范性放大器200的各种部分的图2A到图2E。在所示的示范性实施例中，箝位器230调节薄氧化物晶体管M0、M1、M14及M15的电压。下文详细描述放大器200的操作。

放大器200可用于多种装置中的任一者中，所述装置包括(但不限于)数据转换装置。在此实例中，放大器200为运算跨导放大器(OTA)，其为一类型的运算放大器。核心放大器部分201包括两个升压放大器210、220，其输出经标记为oM及oP。核心放大器部分201还包括馈入晶体管M12及M13的栅极中的输入端口iM及iP。由具有恒定偏流以及共同模式控制的晶体管M12及M13将端口iM及iP处的差动输入电压转换成电流。流入晶体管M12及M13的源极的恒定电流将使晶体管M12及M13放大差动输入电压且产生到节点nsm及nsp上的差动电流。

放大器200还包括增加核心放大器201的输出阻抗的串联晶体管M14及M15。升压放大器220进一步增强串联晶体管M14及M15的效应，所述升压放大器220调整串联晶体管M14及M15的(在节点ngp及ngm上的)栅极电压，使得串联晶体管M14及M15的源极对oM及oP处的差动输出电压几乎完全不敏感。因此，出自晶体管M12及M13的电流几乎不因核心放大器201的输出电压的变化而变化。升压放大器210及晶体管M0及M1的操作与上文关于升压放大器220及晶体管M14及M15所描述大体上相同(注意，图2中的“TN”指示n型晶体管，而“TP”指示p型晶体管)。晶体管M2及M3充当恒定电流源以针对来自输入晶体管M14及M15的电流提供高阻抗负载。

核心放大器部分201的高输出阻抗允许放大器200增加及减去到电容器(未图示)上的电压以及放大电压，其均以由放大器200的非常高的增益所启用的高度线性方式进行。在所示的特定实施例中，升压放大器210及220以及周围晶体管的电路在2.5V的范围内操作。然而，晶体管M14及M15，以及M0及M1经实施为在1.3V的范围内操作的薄氧化物装置。本发明的各种实施例进行操作以调节晶体管M0、M1、M14及M15的一个或一个以上端子处的电压，以确保所述较低电压、薄氧化物晶体管的可靠性及可操作性。在正常操作中，因为恒定电流流过晶体管M0、M1、M14及M15，所以所述晶体管通常不经受高电压。一般来说，仅当加电及断电期间非常大的电压经驱动到放大器200中时，才向晶体管M0、M1、M14及M15提供保护。

放大器200还包括箝位器230及偏压电路220。箝位器230具有节点nsm、nsp、psm及psp以及其它节点作为输入。核心放大器210的输出(oM及oP)由箝位器230用作输入及输出(下文对其进行更详细解释)。箝位器230还具有偏压输入，nAdjThr信号与此论述最为相关，下文对所述信号进行更详细描述。简而言之，箝位器230箝位oM及oP处的电压，借此保护晶体管M0、M1、M14及M15免受过电压状况影响。nAdjThr信号为用于控制箝位程序的一个信号，其确保在正常操作期间无降级，但当归因于到放大器200的过大的输入电压而使电压超过正常操作电压时确保有效及精确的箝位。

偏压电路220为放大器200提供各种偏压电压，包括nAdjThr信号。偏压电路220与箝位器230之间的晶体管(例如，M71及M54)用于产生具有各种延迟的断电信号且使放大器的各种节点短路在一起，使得以保持晶体管受到保护的方式依序进行断电及供电处理。

图3A到图3F一起为用于示范性放大器200中的偏压电路220的示范性实施例的说明，且图3展示示范性偏压电路220的各种部分在图3A到图3F中如何布置。偏压电路220包括使用晶体管M77(NMOS晶体管)及M58(PMOS晶体管)(图3C)配置的箝位传感器复制。

在此实例中，当晶体管M77的栅极上的电压大于在M58的栅极上的NMOS V_th及PMOS V_th时，晶体管M77及M58接通，且具有粗略近似于平方律的电流对电压曲线。M77及M58的栅极连接到通过使恒定电流通过串联电阻器R2到R9及R12(图3B)而产生的恒定电压差。晶体管M77及M58驱动此恒定电流通过电阻器R2到R9及R12以产生恒定电压差，所述恒定电压差对应于箝位传感器501(图5)的标称触发点。在此特定实例中，在晶体管M77及M58的栅极上的恒定电压为1.28V。

晶体管M77及M58的栅极上的电压使一些电流流入经串联及二极管连接的晶体管M116及M76中。晶体管M116及M76产生nAdjThr信号，所述nAdjThr信号对应于当箝位传感器感测到1.28伏时流过箝位传感器501(图5)的标称电流。在此实施例中，nAdjThr信号应大体上恒定，但确实随处理及温度及电压而改变，以允许箝位器230从实际箝位传感器501电流减去当箝位传感器501感测到1.28伏时流过箝位传感器501的标称电流。因此，包括晶体管M77及M58、电阻器R2到R9及R12，及晶体管M116及M76(图3E)的电路通过改变nAdjThr信号而允许对箝位器230中的处理及温度改变的校正，使得消除通过箝位传感器的标称电流的改变。

本发明的各种实施例使用nAdjThr信号来重建对应于感测的1.28V的预期电流。接着从来自实际传感器(展示于图5中)的电流减去预期电流。当差电流为正的时，其指示oP及oM处的电压高于1.28V(其目标电压)。

返回图2，本发明的各种实施例使用箝位器230来保护薄氧化物晶体管M0、M1、M14及M15(图2D到图2E)。箝位器230使oM及oP处的电压保持在安全范围内，且还一旦过电压状况消失即非常快速地释放电压。

实例放大器200的输出为大体上恒定的1.2mA的电流，以及标称为1.28V的输出电压。当需要时，箝位器230通过提供或抵消输出节点处的高达全部1.2mA的电流来调节oM及oP处的电压。此外，在此实例中，晶体管M0、M1、M14及M15标称额定为约1.3V，且归因于长于最小的栅极长度而具有约1.46V的安全最大操作源极—漏极电压V_sd电压。

在过电压状况下，箝位器230通过抵消oP及oM处的电流而使Vsd保持为小于1.46伏。因此，当oP及oM处的差动电压接近1.46V时，由箝位器230产生的电流接近1.2mA，借此使电压回降。当oP及oM处的差动电压接近1.28V时，由箝位器230产生的电流接近零。图4中展示oP及oM处的电压与由箝位器230产生的电流的关系。在图4中，I_diode为由图5中所示的箝位传感器产生的近似平方律电流信号。本发明的各种实施例使用差电流来激活箝位电路，且差电流在图4中展示为I_diode减I_replica。I_replica为对应于nAdjThr信号的电流。如从图4可见，差电流具有比I_diode陡的斜率，借此提供较快的箝位电路操作。

图5到图5C为适于在放大器200中使用的箝位器230的示范性实施例的说明。在此实施例中，箝位器230包括传感器501、电流镜502及箝位电路503以及其它组件。

传感器501(图5C)包括四个检测器，每一检测器包括一个NMOS晶体管及一个PMOS晶体管。最左侧的检测器包括M87及M69，且所述检测器连接到oM(核心放大器201的输出)(其为漏极)及psm(其处于M0的源极处)。下一检测器包括晶体管M86及M68，且所述检测器连接到oP(核心放大器201的另一输出)及psp(其处于M1的源极处)。第三检测器包括M85及M67，且所述检测器连接到oM及nsm(其处于M15的源极处)。最右侧的检测器包括M78及M61，且所述检测器连接到oP及nsp(其处于M14的源极处)。传感器501产生对应于核心放大器201中的电压的电流。还存在使电流镜502保持接通的来自晶体管M130的恒定涓流电流。

电流镜502镜射由传感器501产生的电流(图5A)，所述电流镜502在此实例中为4x电流镜。经镜射的电流通过箝位电路503去往节点oClamp。晶体管M75及M133产生从来自电流镜502的电流减去的电流。将nAdjThr信号供应到晶体管M75及M133的栅极，使得nAdjThr信号用于产生复制电流(I_replica)，从实际传感器电流减去所述复制电流以产生差电流。差电流流入箝位电路503中。

上文已提及晶体管M130产生涓流电流。电流镜502镜射涓流电流与传感器电流的和。在节点oClamp处，从4x镜射的电流减去六倍的涓流电流。在节点oClamp处，还从4x镜射的电流减去六倍的流入图3A中的晶体管M76中(以产生电压nAdjThr)的电流。因此，在电流镜502产生比六倍的由复制箝位传感器(图3A中的M58及M77)产生的标称电流加上两倍的来自晶体管M130的涓流电流大的电流之前，节点oClamp将保持低且箝位器完全断开。因为电流镜产生4倍于传感器501的电流加上来自晶体管M130的涓流电流的电流，所以在传感器501产生比150％的标称电流加上一半的涓流电流大的电流之前，箝位器保持完全断开。

只要传感器501中的检测器的源极/漏极电压(Vsd)小于1.28伏的目标电压，则oClamp节点将被下拉，因为M75及M133吸收全部电流且节点oCa将非常接近接地。M88为二极管连接的晶体管，因此将存在约0.6V的一个栅极/源极电压(Vgs)。接着，oClamp节点将处于比接地高约一个Vgs处，借此保证箝位电路503在传感器501检测到1.28或更小的电压时断开。

随着oM及oP处的电压变得较高，传感器501产生较多电流。当oM及oP处的电压高于1.28V(过电压状况)时，4x镜502产生比M75及M133所吸收的电流多的电流。在所述情境中，电流流入箝位电路503中。

箝位电路503(图5B)包括三个晶体管：M74、M73及Mclamp。Mclamp使核心放大器201的两个输出(oM及oP)短路在一起。箝位电路503包括20:1差动电流镜。因此，从节点oClamp进入箝位电路503的任何电流导致二十倍的电流流动，其跨输出oM及oP而短路。箝位电路503为视oM或oP处的电压的极性而定在一个方向或另一方向上产生电流的对称装置。由20:1电流镜产生的电流被短路到oM及oP，借此在过电压状况期间降低oM及oP处的电压。

在正常操作期间，节点oClamp比接地高一Vgs，且oM及oP足够稳定以保持在约1.28V的目标电压。因此，在正常操作中，电流将不流入箝位电路503中。在过电压状况期间，oM及oP处的差动电压变大，且检测器中的一些或所有逐渐增加流入电流镜502中的电流。将经镜射的电流发送到oClamp节点。流入箝位电路503中的电流经镜射及短路到oM及oP(高达最大1.2mA)，其为核心放大器201的恒定电流。在典型最坏情境中，将非常大的电压施加到核心放大器201的输入iP及iM，借此使核心放大器201完全将其电流驱动到一侧(oM或oP)。当跨oM及oP的差动电压变得高于1.28V时，箝位电路503开始施加高达最大1.2mA的电流，借此使oM及oP处的电压稳定。因此，箝位电路503通过将薄氧化物晶体管M0、M1、M14及M15的输入电压调节到安全操作范围来对其加以保护。

图6为根据本发明的一个实施例而经调适的示范性方法600的说明。在许多实施例中，方法600可由根据上文所描述的原理及概念操作的电路执行。

在步骤601处，产生第一电流，所述第一电流对应于输入电压。在一些实施例中，输入电压为应保持于安全操作范围内的一个或一个以上装置的输入电压。举例来说，薄氧化物装置趋向于具有比厚氧化物装置低的操作电压范围。然而，本发明的各种实施例不限于此，因为输入电压可为厚氧化物装置、薄氧化物装置或一些其它装置的输入电压。在图2到图5的实例实施例中，存在四个输入电压，其中每一者与晶体管M0、M1、M14及M15中的一者相关联。在所述实例中，对应于输入电压的电流为由从感测输入电压的电路产生的平方律电流所产生的经镜射的电流。

在步骤602中，产生对应于目标输入电压的第二电流。在许多实施例中，目标输入电压为处于一个或一个以上装置的操作范围内的电压。举例来说，在以上实例中，目标电压对应于四个薄氧化物晶体管的安全操作电压。在所述实例中，信号(nAdjThr)用于产生使还接收第一电流的节点下降的恒定电流。

在步骤603中，通过从第一电流减去第二电流产生第三电流。因此，当第一电流比第二电流大时，第三电流为正的。在以上实例中，第三电流的产生指示晶体管M0、M1、M14及M15中的一者或一者以上处的过电压状况。

在步骤604处，将第三电流输入到差动箝位器。差动箝位器使用第三电流来通过产生第四电流且将第四电流施加到连接到输入电压的节点而使输入电压稳定。在以上实例中，箝位器在过电压状况期间处于反馈环路中，充当恒定电流源，使得从箝位电路施加的电流取代由放大器产生的电流，借此调节(限制)节点处的电压。

方法600经展示为一系列离散步骤。然而，本发明不限于此。举例来说，在许多实施例中，连续执行步骤601到604，且认识到所述步骤是同时且实时发生。此外，各种实施例可添加、删除、修改或重新布置一些步骤。

本发明的实施例可包括优于现有技术解决方案的一个或一个以上优点。举例来说，箝位技术(例如上文所描述的箝位技术)可用于快速及有效地调节电压。有效电压调节可促进在具有高于薄氧化物装置的操作电压的正常操作电压的电路中使用薄氧化物装置。举例来说，在图2的实例实施例中，晶体管M0、M1、M14及M15为在1.3V的范围内操作的薄氧化物装置，而核心放大器201的其它电路在2.5V的范围内操作。

此外，从差电流而非从直接为输入电压建模的电流触发箝位电路允许较灵敏的响应。如图4中所示，电流I_diode减I_replica展示出比I_diode陡的斜率。较陡的斜率在操作范围内提供较快的响应。另外，电流I_diode减I_replica在输入电压处于或低于1.28V时展示出零电流，使得箝位器在电压处于最佳范围内时为断开的。

虽然已阐述特定电路，但所属领域的技术人员将了解并不需要所有所揭示的电路来实践本发明。此外，未描述某些众所周知的电路以保持集中于本发明。

还应进一步注意，虽然已展示特定电压及电流范围、晶体管类型(例如，NMOS)及配置，但本发明的各种实施例不限于此。事实上，电压及电流范围以及晶体管的大小及类型及电路架构可适应于多种系统，每一系统对图1到图6中所示的实施例提出一个或一个以上变化。

虽然已详细描述本发明及其优点，但应理解在不脱离如由所附权利要求书所界定的本发明的精神及范围的情况下可对本文进行各种变化、取代及更改。举例来说，虽然在论述中已使用读取操作，但应预见到本发明同样地适用于写入操作。此外，本申请案的范围并不意在限于说明书中所描述的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤的特定实施例。所属领域的技术人员通过本发明的揭示内容将易于了解，根据本发明，可利用当前存在或日后将开发的执行与本文中描述的对应实施例大体上相同功能或实现与其大体上相同结果的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤。因此，所附权利要求书意在在其范围内包括这些过程、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤。

Claims

1.一种有源过电压箝位系统，所述系统包含：

至少一个过电压检测器，其响应于输入电压且提供第一电流；

复制过电压电路，其提供第二电流；

从所述第一电流减去所述第二电流以产生差电流的电路；以及

差动箝位器，其响应于所述差电流而被激活，其中所述差动箝位器防止所述输入电压增加超过目标电压。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述输入电压包含差动电压。

3.根据权利要求1所述的系统，其进一步包含：

节点处的薄氧化物装置，其接收所述输入电压，其中将所述目标电压设定为所述薄氧化物装置的操作电压。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述薄氧化物装置包括在具有高于所述目标电压的操作电压的放大器电路中。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述减法电路包含：

电流镜，其将电流提供到所述差动箝位器的输入节点。

6.根据权利要求1所述的系统，其进一步包含：

放大器电路，其中所述放大器电路的输出包含所述输入电压；且

其中所述差动箝位器使所述放大器电路的所述输出短路，且施加与所述差电流相关联的电流，借此使所述输入电压大体上保持在所述目标电压。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二电流为对应于所述目标电压的恒定电流。

8.根据权利要求1所述的系统，其中当所述输入电压等于所述目标电压时，所述差电流为零。

9.根据权利要求8所述的系统，其中当所述差电流等于零时，所述差动箝位器断开。

10.根据权利要求1所述的系统，其中所述差动箝位器包含：

电流镜，其使所述差电流倍增且将所述经倍增的差电流施加到放大器节点来降低所述输入电压。

11.一种用于使输入电压稳定的方法，所述方法包含：

产生对应于输入电压的第一电流；

产生对应于目标输入电压的第二电流；

通过从所述第一电流减去所述第二电流而产生第三电流；

将所述第三电流输入到差动箝位器，所述差动箝位器通过将第四电流施加到接收所述输入电压的节点来使所述输入电压稳定。

12.根据权利要求11所述的方法，其中产生第三电流包含：

镜射所述第一电流；

将所述经镜射的第一电流提供到所述差动箝位器的输入节点；以及

从所述差动箝位器的所述输入节点汲取所述第二电流。

13.根据权利要求11所述的方法，其中由感测放大器电路的输出的传感器电路产生所述第一电流，所述放大器电路输出包含所述输入电压。

14.根据权利要求11所述的方法，其中通过在所述差动箝位器中镜射所述第三电流而产生所述第四电流。

15.根据权利要求11所述的方法，其中使所述输入电压在放大器的输出及至少一个薄氧化物装置的输入处稳定。

16.根据权利要求15所述的方法，其中使所述输入电压稳定包含：

使所述输入电压维持在所述至少一个薄氧化物装置的操作电压，其中所述至少一个薄氧化物装置的所述操作电压小于所述放大器的操作电压。

17.一种用于驱动信号的系统，所述系统包含：

放大器电路；

一个或一个以上薄氧化物装置，其经配置以从所述放大器电路接收输出，且使用所述放大器输出来驱动所述信号；

产生第一电流的电路，所述第一电流与所述放大器输出的电压相关联；

产生第二电流的电路，所述第二电流与所述一个或一个以上薄氧化物装置的目标操作电压相关联；以及

电压箝位器，其接收包含所述第一电流与第二电流之间的差的第三电流，所述电压箝位器从所述第三电流产生第四电流，且将所述第四电流施加到所述放大器电路的一个或一个以上节点以减小所述放大器电路的所述输出电压。

18.根据权利要求17所述的系统，其中所述系统用于数据转换装置中。

19.根据权利要求18所述的系统，其中所述数据转换装置用于无线移动装置中。

20.根据权利要求18所述的系统，其中所述数据转换装置用于无线基站中。

21.一种用于保护装置免受放大器输出电压的影响的系统，所述系统包含：

用于产生指示所述放大器输出电压的第一电流的装置；

用于产生指示所述装置的目标电压的第二电流的装置；

用于从所述第一电流减去所述第二电流以产生第三电流的装置；以及

用于接收所述第三电流且至少部分基于所述第三电流来箝位所述放大器输出电压的装置。

22.根据权利要求21所述的系统，其中所述装置包含薄氧化物装置。