CN102169861A - 具有被动组件结构的半导体结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种具有被动组件结构的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括绝缘基板、被动组件结构层、电性触点及介电层。被动组件结构层形成于绝缘基板。电性触点形成于被动组件结构层。介电层覆盖电性触点的一部分，电性触点的另一部分从介电层的开孔露出。

Description

具有被动组件结构的半导体结构及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，且特别是有关于一种具有被动组件的半导体结构及其制造方法。

背景技术

传统的中介层基板(interposer)包括一硅基板、一绝缘层及一线路层。绝缘层形成于硅基板上，线路层形成于绝缘层上。由于硅基板不具有绝缘性，因此需经由绝缘层隔离线路层与硅基板，使线路层与硅基板不致电性导通而导致短路。

然而，绝缘层的形成衍生至少一道的光罩工艺成本，导致工艺成本及工艺复杂性增加。

发明内容

本发明有关于一种半导体结构及其制造方法，半导体结构采用具绝缘性的基板，可减少绝缘层的形成，以降低制造成本、节省工艺时间。

根据本发明的一方面，提出一种半导体结构。半导体结构包括一绝缘基板、一被动组件结构层、一第一电性触点及一第一介电层。被动组件结构层形成于绝缘基板。第一电性触点形成于被动组件结构层。第一介电层覆盖第一电性触点的一部分，其中，第一介电层具有一第一开孔，第一电性触点的另一部分从第一开孔露出。

根据本发明的另一方面，提出一种半导体结构的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一绝缘基板；形成一被动组件结构层于绝缘基板；形成一第一电性触点于被动组件结构层；以及，形成一第一介电层覆盖第一电性触点的一部分，其中第一介电层具有一第一开孔，第一电性触点的另一部分从第一开孔露出。

为了对本发明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特举至少一实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的半导体结构的剖视图。

图1B绘示图1A中局部1B’的放大示意图。

图2绘示图1中电阻、电容及电感结构的上视图。

图3绘示依照本发明再一实施例的半导体结构的剖视图。

图4绘示依照本发明其它实施例的半导体结构的剖视图。

图5绘示依照本发明另一实施例的半导体结构的剖视图。

图6A绘示依照本发明又一实施例的半导体结构的剖视图。

图6B绘示图6A中局部6B’的放大示意图。

图7A至7G绘示图1的半导体结构的制造示意图。

图8绘示图3的半导体结构的制造示意图。

图9绘示图4的半导体结构的制造示意图。

图10绘示图9的环状结构的上视图。

图11绘示图5的半导体结构的制造示意图。

图12A至12D绘示图6A的半导体结构的制造示意图。

主要组件符号说明：

100、200、300、400、500：半导体结构

102、302：绝缘基板

102a、112b、302a：第一面

102b、302b：第二面

104、204、304：被动组件结构层

106、206、306：第一电性触点

106a：第一电性触点的一部分

106a1、106b1、108b：上表面

106b：第一电性触点的另一部分

108、208、308：第一介电层

108a：第一开孔

110：第一线路层

110a：第一导电层

110b：第二导电层

110c：电容介电层

110d：第三导电层

112、312：第二介电层

112a：第二贯孔

112c：第二贯孔内侧壁

114：第二种子层

114a：第二种子层的另一部分

114s、320s：侧面

116、216：第二线路层

116a、216a：露出上表面

116a1：露出上表面的一部分

116a2：露出上表面的另一部分

122、124：图案化光阻层

122a：形成区

302c：第一贯孔

302d：第一贯孔内侧壁

318：第二电性触点

318a：第二电性触点的一部分

318b：第二电性触点的另一部分

320：第一种子层

326：载板

428、528：环状结构

530：有机聚合物材料

C：电容结构

L：电感结构

P：切割道

R：电阻结构

RP：单元区

具体实施方式

本文所用的”邻近”表示接近或连接在一起。相邻的组件可以互相分开或直接互相连接。在一些例子中，相邻的组件可以指互相连接或彼此间一体成型的组件。

请参照图1A及图1B，图1A绘示依照本发明一实施例的半导体结构的剖视图，图1B绘示图1A中局部1B’的放大示意图。如图1A所示，半导体结构100包括绝缘基板102、被动组件结构层104、第一电性触点106及第一介电层108。

绝缘基板102例如是玻璃基板、陶瓷基板或其它具备绝缘性的基板。由于绝缘基板102的绝缘特性，故被动组件结构层104可直接形成于绝缘基板102上，可降低工艺成本、降低工艺复杂程度及提高工艺良率。

被动组件结构层形成于绝缘基板上，第一电性触点形成于被动组件结构层上。例如，绝缘基板102具有相对的第一面102a与第二面102b。被动组件结构层104形成于绝缘基板102的第一面102a上，第一电性触点106形成于被动组件结构层104上。第一面102a及第二面102b在本实施例中分别为绝缘基板102的上表面及下表面。

第一电性触点106可以是单层结构或多层结构，其材质至少包括化锡(immersion Sn)、化银(immersion Ag)、化学镍金(ENIG)、镀铜、镀铁、镀镍或有机焊膜(OSP)；或者，第一电性触点106亦可由铜(Cu)、镍(Ni)、钯(Pd)及金(Au)所构成的群组所组成；或者，第一电性触点106亦可为底部凸块金属(Under Bump Metallization，UBM)。

第一介电层压制第一电性触点，使第一电性触点稳固地形成于被动组件结构层上。例如，第一介电层108覆盖第一电性触点106的一部分106a，例如是覆盖第一电性触点106的一部分106a的上表面106a1，而第一电性触点106的另一部分106b露出。第一介电层108压制第一电性触点106的该部分106a，使第一电性触点106更紧固地形成于被动组件结构层104上。

第一介电层108具有至少一第一开孔108a，第一电性触点106的另一部分106b从第一开孔108a露出。进一步地说，第一电性触点106未突出于第一介电层108的上表面108b，而是从第一开孔108a露出，使第一介电层108的上表面108b与第一电性触点106的另一部分106b的上表面106b1相距一距离。

被动组件结构层包括电阻、电感与电容结构中至少一者。例如，请同时参照第1A、1B及图2，图2绘示图1中电阻、电容及电感结构的上视图，图2中第一导电层110a、第二导电层110b及第三导电层110d将于后续(图5A)说明。如图1A所示，被动组件结构层104包括第一线路层110、第二介电层112、第二种子层114及第二线路层116。第一线路层110构成至少一电阻结构R及至少一电容结构C，而第二线路层116构成至少一电感结构L。详细而言，第一线路层110形成于绝缘基板102的第一面102a上，第二介电层112覆盖第一线路层110，其中第二介电层112具有至少一第二贯孔112a、第一面112b及第二贯孔内侧壁112c，第二贯孔112a从第一面112b延伸至第一线路层110，第二贯孔内侧壁112c对应于第二贯孔112a，第一线路层110的一部分从第二贯孔112a露出。第二种子层114形成于第二线路层116与第二介电层112之间。

第二种子层114具有侧面114s，第二种子层114被第二线路层116完全覆盖仅露出其侧面114s。

第一电性触点106形成于被动组件结构层104的第二线路层116上。第一电性触点106可作为被动组件结构层104的对外电性连接的电极。

第一电性触点仅覆盖第二线路层的一部分。例如，第二线路层116具有一露出表面，例如是露出上表面116a。第一电性触点106仅覆盖第二线路层116的露出上表面116a的一部分116a1，露出上表面116a的另一部分116a2未被第一电性触点106覆盖。

半导体结构可更包括一环状结构，其定义切割道，可避免切割工艺中，被动组件结构层的电阻结构、电容结构及电感结构被切割到。例如，请参照图3，其绘示依照本发明再一实施例的半导体结构的剖视图。半导体结构400更包括环状结构428，其邻近绝缘基板102的第一面102a形成，且第二介电层112包覆环状结构428。环状结构428环绕被动组件结构层104的电阻结构R、电容结构C及电感结构L，且可不电性连接于任何电路组件。又例如，请参照图4，其绘示依照本发明其它实施例的半导体结构的剖视图。半导体结构500的环状结构528包括环状结构428及有机聚合物材料530，其邻近绝缘基板102的第一面102a形成，且位于第二介电层112之外。再例如，一实施方面的半导体结构500中，亦可省略环状结构428。或者，另一实施方面的半导体结构500中，亦可省略有机聚合物材料530。

此外，环状结构428及528的材质可选自于金属、有机聚合物材料(organicpolymer)及其组合所构成的群组。其中，金属例如是电镀铜、镍、钯或是溅镀铝等的单层或多层结构，而有机聚合物材料例如是聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)或其它有机聚合物材料。例如，图3的环状结构428可以是金属。又例如，图4的环状结构528环状结构428(可以是金属)与有机聚合物材料530的组合。

在另一实施例中，第一电性触点可覆盖整个第二线路层，例如，请参照图5，其绘示依照本发明另一实施例的半导体结构的剖视图。半导体结构200包括绝缘基板102、被动组件结构层204、第一电性触点206及第一介电层208。被动组件结构层204及第一介电层208相似于上述被动组件结构层104及第一介电层108，容此不再赘述。半导体结构200的第一电性触点206完全覆盖第二线路层216的整个露出上表面216a。其中，第一电性触点206的材质相同于第一电性触点106，容此不再赘述。本实施例的半导体结构200中，第一介电层208压制第一电性触点206的一部分，此特征相似于半导体结构100中第一介电层108将第一电性触点106压制于第一电性触点106上的特征，容此不再赘述。

此外，一实施方面中，半导体结构200更包括环状结构428或528。

上述半导体结构100、200、400及500单侧具有电性触点的结构，然又一实施例的半导体结构中，半导体结构的多侧可分别具有电性触点。例如，请参照图6A及6B，图6A绘示依照本发明又一实施例的半导体结构的剖视图，图6B绘示图6A中局部6B’的放大示意图。半导体结构300包括绝缘基板302、被动组件结构层304、第一电性触点306、第一介电层308、第二电性触点318及第一种子层320。

第一介电层308、第一电性触点306及被动组件结构层304的结构及材质分别相似于上述第一介电层208、第一电性触点206及被动组件结构层204，容此不再赘述。

第一电性触点306及第二电性触点318分别为半导体结构的相对二侧的电性接点。绝缘基板302具有相对的第一面302a与第二面302b。被动组件结构层304形成于第一面302a上，第一电性触点306形成于被动组件结构层304上以电性接触于被动组件结构层304，成为半导体结构300的一侧的电性接点。绝缘基板302具有至少一第一贯孔302c，第二电性触点318形成于第一贯孔302c并电性接触于被动组件结构层304，成为半导体结构300的相对一侧的电性接点。

第二电性触点的至少一部分形成于绝缘基板的第一贯孔内，以电性连接于被动组件结构层。例如，第二电性触点318的一部分318a位于第一贯孔302c内，第二电性触点318的另一部分318b可邻近绝缘基板302的第二面302b形成，例如是形成于邻近第二面302b的第一种子层320上，使第二电性触点318的另一部分318b突出于第二面302b，以与外部电性组件电性接触。

如图6B所示，绝缘基板302更具有对应第一贯孔302c的第一贯孔内侧壁302d。第一种子层320形成于绝缘基板302的第一贯孔内侧壁302d与第二电性触点318之间。第一线路层覆盖第一种子层的至少一部分，例如，第一种子层320完全被第二电性触点318所覆盖而仅露出第一种子层320的侧面320s。

此外，一实施方面中，半导体结构300更包括环状结构428或528。

以下说明依照本发明一实施例的半导体结构的制造过程。以图1的半导体结构100为例说明，请参照图7A至7G，其绘示图1的半导体结构的制造示意图。

首先，提供如图7A所示的绝缘基板102。

然后，形成被动组件结构层104于绝缘基板102的第一面102a上。在本步骤中，有多种方法形成被动组件结构层104，以下举出其中一种说明。

首先，如图7A所示，形成第一线路层110于绝缘基板102的第一面102a上。其中，第一线路层110具有至少一电组结构R及至少一电容结构C。

形成第一线路层110的步骤中，可使用数种材料形成方法的任一种形成一导电材料，例如是以化学气相沉积、无电镀法(electroless plating)、电解电镀(electrolyticplating)、印刷、旋涂、喷涂、溅镀(sputtering)或真空沉积法(vacuum deposition)的方式形成导电材料；然后，在应用图案化技术形成第一线路层110。图案化技术例如是微影工艺(photolithography)、化学蚀刻(chemical etching)、激光钻孔(laserdrilling)或机械钻孔(mechanical drilling)。

第一线路层多层结构，以构成被动组件结构。例如，第一线路层110包括第一导电层110a、第二导电层110b、电容介电层110c及第三导电层110d，第一导电层110a形成于绝缘基板102的第一面102a上，而第二导电层110b形成于第一导电层110a上，电容介电层110c位于第二导电层110b与第三导电层110d之间。

第一导电层110a可作为电阻结构。第一导电层110a的材质高电阻值材料，例如是氮化钽(TaN)、PbTiO₃、二氧化钌(RuO₂)、磷化镍(NiP)、铬化镍(NiCr)及NCAlSi。

第二导电层110b及第三导电层110d可由导电性佳的材质，例如是铝(Al)与铜(Cu)至少一者所组成。

然后，如图7B所示，形成第二介电层112覆盖第一线路层110。其中，第二介电层112具有至少一第二贯孔112a、第一面112b及第二贯孔内侧壁112c，第二贯孔112a从第一面112b延伸至第一线路层110，第二贯孔内侧壁112c对应于第二贯孔112a。第一线路层110的一部分从第二贯孔112a露出，其中，第一线路层110露出的该部分例如是电组结构R与电容结构C中至少一者的电性接点、正或负电极。

第二介电层112的材质由聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)所组成。形成第二介电层112的方式包括涂布技术，例如是印刷(printing)、旋涂(spinning)或喷涂(spraying)。此外，第二介电层112的形成方式亦可包括上述图案化技术。

然后，形成第二种子层于第二贯孔内侧壁及第二介电层。例如，如图7C所示，以无电镀法或溅镀法，形成第二种子层114覆盖整个第二贯孔内侧壁112c及第二介电层112的整个第一面112b。

然后，如图7D所示，经由第二种子层114与电镀设备的电极(未绘示)电性连接，形成第二线路层116于第二种子层114上。第二线路层116具有电感结构L。至此，形成被动组件结构层104。其中，第二线路层116的材质可以是金属，例如是铜所组成。

在形成第二线路层116之前，可形成一图案化光阻层122于第二种子层114上。其中，图案化光阻层122例如是正型光阻，图案化光阻层122定义第二线路层116的形成区122a(即图7D的图案化光阻层122的镂空区)。之后，再应用电镀方法形成第二线路层116于形成区122a内。上述露出上表面116a第二线路层116中从形成区122a露出的表面。

形成图案化光阻层122的方法有数种。例如，先以上述材料形成方法或涂布方法形成一光阻材料(未绘示)，然后再以上述图案化方法，图案化该光阻材料，以形成图案化光阻层122。

第二线路层116形成后，以例如是剥离(strip)或蚀刻(etching)技术，移除图案化光阻层122。

然后，如图7E所示，形成至少一第一电性触点106于被动组件结构层104上。其中，第一电性触点106的形成经由第二种子层114，以例如是电镀技术，形成第一电性触点106于第二线路层116上。进一步地说，经由前步骤所形成的第二种子层114与电镀设备电性连接，而形成图7E所示的第一电性触点106，如此可缩短工艺时间、减少成本及提高生产效率。

在形成第一电性触点106之前，以相似于图案化光阻层122的形成方法，形成一图案化光阻层124于第二种子层114上。其中，图案化光阻层124例如是正型光阻，图案化光阻层124定义第一电性触点106的形成区。之后，以例如是电镀技术形成至少一第一电性触点106于该形成区内。

第一电性触点106形成后，以例如是剥离或蚀刻技术，移除图案化光阻层124。

本实施例中，第一电性触点106形成于第二线路层116的一部分上，例如是第二线路层116的露出上表面116a的一部分。

然后，如图7F所示，以例如是蚀刻技术，移除第二种子层114的一部分，保留第二种子层114的另一部分114a。其中，第二种子层114中被移除的该部分未被第二线路层116覆盖的部分，而第二种子层114的另一部分114a被第二线路层116覆盖的部分。

移除第二种子层114的该部分的步骤后，可应用例如是等离子工艺及酸洗工艺，移除或清洗残留的图案化光阻层124及第二种子层114。

然后，形成如图7G所示的第一介电层108覆盖第一电性触点106的一部分106a。其中，第一介电层108具有第一开孔108a，第一电性触点106的另一部分106b从第一开孔108a露出。

形成第一介电层108的方式相似于形成第二介电层112的方式，容此不再赘述。

之后，如图7G所示，可应用例如是刀具或激光切割技术，至少切割第一介电层108、第二介电层112及绝缘基板102，以形成至少一如图1所示的半导体结构100。

以下说明图3的半导体结构400的制造过程。请参照图8，其绘示图3的半导体结构的制造示意图。形成环状结构428，其中环状结构428环绕被动组件结构层104的被动组件(电阻结构R、电容结构C及电感结构L(电感结构L绘示于图7F))。环状结构428可以与第一线路层110于同一工艺中一并形成，例如，环状结构428第一导电层110a的一部分。然，环状结构428也可以与第一线路层110分别形成。后续形成的第二介电层112可包覆整个环状结构428，如图3所示。

以下说明图4的半导体结构500的制造过程。请参照图9，其绘示图4的半导体结构的制造示意图。于第二介电层112形成后，形成环状结构528。环状结构528的有机聚合物材料530可以与第二介电层112于同一工艺中一并形成；或者，有机聚合物材料530与第二介电层112分别形成。请参照图10(绘示多个单元区RP)，其绘示图9的环状结构的上视图。环状结构528定义出至少一切割道P，因此于切割步骤中，可避免切割到位于单元区RP内的被动组件结构层104，例如是电阻结构R、电容结构C及电感结构L(未绘示于图10)。

以下说明图3的半导体结构200的制造过程。半导体结构200的制造方法中，形成第一电性触点206之前的步骤大致上相似于半导体结构100的制造方法，容此不再赘述，以下从形成第一电性触点206的步骤开始说明。

请参照图11，其绘示图3的半导体结构的制造示意图。形成第一电性触点206于被动组件结构层204上。例如，第一电性触点206覆盖被动组件结构层204的第二线路层216的整个露出上表面216a上。进一步地说，于形成第一电性触点206的步骤中，使用形成第二线路层116(如图7D)所使用的图案化光阻层122，因此使第一电性触点206覆盖整个露出上表面216a。在此情况下，形成第二线路层的步骤与形成第一电性触点的步骤使用同一道光罩(即半导体结构200的制造过程中可省略图7E的图案化光阻层124)，可节省工艺成本、降低工艺时间且提高工艺效率。

形成第一电性触点206之后，可以例如是剥离或蚀刻技术，移除图11的图案化光阻层122。

以下以图12A至12D说明图6A的半导体结构300的制造过程。图12A至12D绘示图6A的半导体结构的制造示意图。半导体结构300的制造方法中，形成第一介电层之前的步骤大致上相似于制造半导体结构100或200的步骤，容此不再赘述，以下从形成第一介电层308的步骤之后开始说明。

于形成第一介电层308的步骤之后，设置被动组件结构层于载板上。例如，如图12A所示，设置被动组件结构层304于载板326上，其中，载板326具有黏贴层(未绘示)，被动组件结构层304黏贴于该黏贴层上，使绝缘基板302的第二面302b朝向外侧，例如是朝下，然此非用以限制本发明，于其它实施方面中，绝缘基板302的第二面302b可朝向方便作业的方向，例如是朝上。

然后，形成至少一第一贯孔贯穿绝缘基板。例如，如图12B所示，以例如是激光加工技术、机械加工技术或化学蚀刻技术，形成至少一第一贯孔302c贯穿绝缘基板302。其中，第一贯孔302c从绝缘基板302的第一面302a延伸至第二面302b。第一贯孔302c形成后，绝缘基板302形成对应第一贯孔302c的第一贯孔内侧壁302d。

于其它实施方面中，形成第一贯孔302c之前，可从绝缘基板302的第二面302b磨削绝缘基板302，以减少绝缘基板302的厚度。

然后，形成第一种子层于第一贯孔内侧壁及绝缘基板的第二面。例如，如图12C所示，以例如是无电镀(Electro-less)法或溅镀法，形成第一种子层320覆盖整个第一贯孔内侧壁302d及绝缘基板302的整个第二面302b。

然后，形成第二电性触点于第一贯孔。例如，如图12D所示，形成第二电性触点318于第一种子层320上，第二电性触点318的一部分318a位于第一贯孔302c内，而第二电性触点318的另一部分318b邻近绝缘基板302的第二面302b形成，例如是形成于邻近第二面302b的第一种子层320上。

然后，以例如是刀具或激光切割技术，至少切割图12D的第一介电层308、第二介电层312及绝缘基板302，以形成至少一如图6A所示的半导体结构300。

本发明上述实施例的半导体结构及其制造方法，具有多项特征，列举部份特征说明如下：

(1).半导体结构采用具绝缘性的基板，可减少绝缘层的形成，以降低制造成本、节省工艺时间。

(2).第一介电层压制第一电性触点，使第一电性触点稳固地形成于被动组件结构层上。

(3).第二线路层与第一电性触点的形成共享同一图案化光阻层，可节省工艺成本及时间。

综上所述，虽然本发明已以数个实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (20)

1.一种具有被动组件结构的半导体结构，包括：

一绝缘基板；

一被动组件结构层，形成于该绝缘基板；

一第一电性触点，形成于该被动组件结构层；以及

一第一介电层，覆盖该第一电性触点的一部分，其中该第一介电层具有一第一开孔，该第一电性触点的另一部分从该第一开孔露出。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该绝缘基板具有一第一贯孔，该半导体结构更包括：

一第二电性触点，形成于该第一贯孔。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该绝缘基板具有相对的一第一面与一第二面，该被动组件结构层形成于该绝缘基板的该第一面，该第二电性触点的一部分位于该第一贯孔内，该第二电性触点的另一部分邻近该绝缘基板的该第二面形成。

4.如权利要求2所述的半导体结构，更包括：

一第一种子层，形成于该绝缘基板与该第二电性触点之间。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该被动组件结构层包括：

一第一线路层，形成于该绝缘基板上；

一第二介电层，覆盖该第一线路层，其中该第二介电层具有一第二贯孔、一第一面及一第二贯孔内侧壁，该第二贯孔从该第二介电层的该第一面延伸至该第一线路层，该第二贯孔内侧壁对应于该第二贯孔，该第一线路层从该第二贯孔露出；

一第二线路层；

一第二种子层，形成于该第二线路层与该第二介电层之间；以及

其中，该第一电性触点形成于该被动组件结构层的该第二线路层上。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第二线路层具有一露出表面，该第一电性触点覆盖该第二线路层的整个该露出表面。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第二线路层具有一露出表面，该第一电性触点仅覆盖该第二线路层的该露出表面的一部分。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该绝缘基板玻璃基板或陶瓷基板。

9.如权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一环状结构，环绕该被动组件结构层的被动组件。

10.一种具有被动组件结构的半导体结构的制造方法，包括：

提供一绝缘基板；

形成一被动组件结构层于该绝缘基板；

形成一第一电性触点于该被动组件结构层；以及

形成一第一介电层覆盖该第一电性触点的一部分，其中该第一介电层具有一第一开孔，该第一电性触点的另一部分从该第一开孔露出。

11.如权利要求10所述的制造方法，更包括：

形成一第一贯孔贯穿该绝缘基板；以及

形成一第二电性触点于该第一贯孔。

12.如权利要求11所述的制造方法，其中于该提供该绝缘基板的该步骤中，该绝缘基板具有相对的一第一面与一第二面；于形成被动组件结构层的该步骤中，该被动组件结构层形成于该绝缘基板的该第一面；于形成该第二电性触点的该步骤中，该第二电性触点的一部分位于该第一贯孔内，该第二电性触点的另一部分邻近该绝缘基板的该第二面形成。

13.如权利要求11所述的制造方法，其中于形成该第一贯孔的该步骤中，该绝缘基板具有对应该第一贯孔的一第一贯孔内侧壁，于形成该第二电性触点的该步骤之前，该制造方法更包括：

形成一第一种子层于该第一贯孔内侧壁；

于形成该第二电性触点的该步骤中，该第二电性触点形成于该第一种子层上。

14.如权利要求13所述的制造方法，更包括：

移除该第一种子层的一部分，其中该第一种子层的该部分未被该第二电性触点覆盖。

15.如权利要求10所述的制造方法，其中于形成该第一电性触点的该步骤中，该第一电性触点由镍层、钯层与金层中至少一者所组成。

16.如权利要求10所述的制造方法，其中于形成该被动组件结构层的该步骤包括：

形成一第一线路层于该绝缘基板上；

形成一第二介电层覆盖该第一线路层，其中该第二介电层具有一第二贯孔、一第一面及一第二贯孔内侧壁，该第二贯孔从该第二介电层的该第一面延伸至该第一线路层，该第二贯孔内侧壁对应于该第二贯孔，该第一线路层从该第二贯孔露出；

形成一第二种子层于该第二贯孔内侧壁及该第二介电层的该第一面；及

形成一第二线路层于该第二种子层上；以及于形成该第一电性触点的该步骤中更包括：

经由该第二种子层，形成该第一电性触点于该第二线路层上。

17.如权利要求16所述的制造方法，更包括：

移除该第二种子层的一部分，其中该部分未被该第二线路层覆盖。

18.如权利要求16所述的制造方法，其中于形成该第二线路层的该步骤之前，该制造方法更包括：

形成一图案化光阻层于该第二种子层上，其中该图案化光阻层定义一形成区；

于形成该第二线路层的该步骤中，该第二线路层形成于该图案化光阻层的该形成区内，该第二线路层并具有一露出表面；

于形成该第一电性触点的该步骤中更包括：

形成该第一电性触点于该形成区内，以覆盖该第二线路层的整个该露出表面。

19.如权利要求16所述的制造方法，其中于形成该第二线路层的该步骤中，该第二线路层具有一露出表面；于形成该第一电性触点的该步骤中更包括：

形成该第一电性触点覆盖该第二线路层的该露出表面的一部分。

20.如权利要求10所述的制造方法，更包括：

形成一环状结构，其中该环状结构环绕该被动组件结构层的被动组件。

Images