CN102169756B - 一种对薄膜电容器芯子进行热处理的方法 - Google Patents
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Abstract
Description
【技术领域】
本发明涉及一种处理方法,具体涉及一种对薄膜电容器芯子进行热处理的方法。
【背景技术】
随着薄膜电容器广泛运用,人们对薄膜电容器的质量要求越来越高,其中,薄膜电容器的质量好坏是由薄膜电容器芯子决定;在生产薄膜电容器芯子中,需要对薄膜电容器芯子进行热处理,目前,热处理的方法基本是在大气环境下,用烘箱对芯子热处理;这种处理方法有以下缺点:时间短,温度高,一般会芯子的薄膜收缩存在损伤,且排除芯子内部空气效果不好;使得薄膜电容器的寿命不长。
【发明内容】
本发明的目的是提供一种对薄膜电容器芯子进行热处理的方法,能明显提高使用该芯子的薄膜电容器的使用时间。
上述目的通过以下技术方案实现:
一种对薄膜电容器芯子进行热处理的方法,其特征在于,包括以下步骤:
在真空度≤10Pa的条件下,按照温度曲线对薄膜电容器芯子进行升温加热至90摄氏度-95摄氏度,然后保持温度进行5-7小时的恒温加热;所述温度曲线为 为薄膜电容器芯子的初始温度且单位为摄氏度,Δ为修正值,-2≤Δ≤2,T为温度且单位为摄氏度,t为时间且单位为小时。
最佳方案为:
在真空度≤10Pa的条件下,按照温度曲线对薄膜电容器芯子进行升温加热至90度,然后保持温度进行6小时的恒温加热;所述温度曲线为 为薄膜电容器芯子的初始温度且单位为摄氏度,Δ为修正值,-2≤Δ≤2,T为温度且单位为摄氏度,t为时间且单位为小时。
本发明对薄膜电容器芯子在真空度≤10Pa的条件下进行缓慢升温的热处理,增强了金属膜抗腐蚀能力,并且能很好地排除芯子内部空气,明显提高使用该芯子的薄膜电容器的使用时间。
【具体实施方式】
实施例一
如图1所示,在真空度≤10Pa的条件下,按照温度曲线对薄膜电容器芯子进行升温加热至90摄氏度,然后保持温度进行6小时的恒温加热;温度曲线为 为薄膜电容器芯子的初始温度且单位为摄氏度,Δ为修正值,-2≤Δ≤2,T为温度且单位为摄氏度,t为时间且单位为小时。
如图2所示,用于实现本方法的真空加热系统,其包括一容器、一用于控制容器的真空度的真空泵系统及一用于加热容器以通过真空辐射方式加热容器内的薄膜电容器芯子的加热系统。
实施例二
如图3所示,在真空度≤10Pa的条件下,按照温度曲线对薄膜电容器芯子进行升温加热至95摄氏度,然后保持温度进行5小时的恒温加热;温度曲线为 为薄膜电容器芯子的初始温度且单位为摄氏度,Δ为修正值,-2≤Δ≤2,T为温度且单位为摄氏度,t为时间且单位为小时。
实施例三
如图4所示,在真空度≤10Pa的条件下,按照温度曲线对薄膜电容器芯子进行升温加热至93摄氏度,然后保持温度进行7小时的恒温加热;温度曲线为 为薄膜电容器芯子的初始温度且单位为摄氏度,Δ为修正值,-2≤Δ≤2,T为温度且单位为摄氏度,t为时间且单位为小时。
【实验对比】
在一批芯子经传统热处理方法处理的薄膜电容器中随机选择10个薄膜电容器进行耐久测试,测试后的参数如表一及结果分析如表二。在一批芯子经本发明处理的薄膜电容器中随机选择10个薄膜电容器进行同样的耐久测试,测试后的参数如表三A、表三B及结果分析如表四。
C为容量值;tgδ1KHz为该薄膜电容器在交流电的频率为1KHz的条件下的损耗角正切值;tgδ100Hz为该薄膜电容器在交流电的频率为100Hz的条件下的损耗角正切值。
表一
表二
如表二,经过400小时的测试后,这10个薄膜电容器就出现两个薄膜电容器的容量变化超出了[容量初始值*(1±3%)]范围,两个薄膜电容器的tgδ100Hz增值超出[-0.02,+0.02],大部分薄膜电容器的tgδ1KHz增值超出[-0.02,+0.02],此批产品不再合格。
表三A
表三B
表四
| 编号 | 容量变化率(%) | tgδ1KHz增值 | tgδ100Hz增值 |
| B1 | -0.29% | 0.01 | 0.01 |
| B2 | -0.23% | 0.02 | 0.02 |
| B3 | -0.23% | 0.02 | 0.02 |
| B4 | -0.26% | 0.02 | 0.02 |
| B5 | -0.14% | 0.02 | 0.03 |
| B6 | -0.26% | 0.02 | 0.02 |
| B7 | -0.20% | 0.01 | 0.01 |
| B8 | -0.23% | 0.02 | 0.03 |
| B9 | -0.26% | 0.02 | 0.03 |
| B10 | -0.29% | 0.02 | 0.04 |
| 均值 | -0.24% | 0.02 | 0.02 |
如表四,经过536小时的测试后,这10个薄膜电容器的容量变化仍然没超出[容量初始值*(1±3%)]范围,10个薄膜电容器的tgδ100Hz增值都没超出[-0.02,+0.02],只出现了四个薄膜电容器的tgδ1KHz增值超出[-0.02,+0.02],认为此批产品合格。
由以上测试结果可见,经过本发明处理后,薄膜电容器的使用时间明显提高。
本发明不局限于上述实施例,基于上述实施例的、未做出创造性劳动的简单替换,应当属于本发明揭露的范围。
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| CN102169756A CN102169756A (zh) | 2011-08-31 |
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