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CN102168303A - 一种提高110单晶硅成晶率的制备方法 - Google Patents

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CN102168303A CN 201110084305 CN201110084305A CN102168303A CN 102168303 A CN102168303 A CN 102168303A CN 201110084305 CN201110084305 CN 201110084305 CN 201110084305 A CN201110084305 A CN 201110084305A CN 102168303 A CN102168303 A CN 102168303A
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Inventor
蔡芸
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ZHEJIANG CHENFANG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
ZHEJIANG CHENFANG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法，其特征在于采用<110>或<100>单晶切出晶向偏离<110>方向X角度的籽晶，然后采用该籽晶进行引晶，并保持引晶长度在12cm以上。X角度在1～9度之间。采取本发明方法，因<110>籽晶的晶轴与生长方向偏离X角度，就可以在引晶过程排尽位错，引出的<110>晶向的晶体就可以保证无位错生长，因此能提高成晶率，保证成品率。

Description

一种提高110单晶硅成晶率的制备方法
技术领域
本发明涉及一种提高110单晶硅成晶率的制备方法。
背景技术
因为<111>晶向单晶生长排除位错角为60度，<100>晶向单晶生长排除位错角为90度，而<110>晶向单晶生长排除位错角为0度，所以<110>晶向单晶位错很难排出而尽，常常引晶后放肩脱棱或等径后晶体生长不下去而产生位错掉苞，使其晶体生长成晶率不高，导致<110>晶向成晶率太低。
发明内容
本发明的目的是提供在引晶过程中无位错生长的一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法。
本发明采取的技术方案是：一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法，其特征在于采用<110>或<100>单晶切出晶向偏离<110>方向X角度的籽晶，然后采用该籽晶进行引晶，并保持引晶长度在12cm以上。
所述的X角度在1～9度。
采取本发明方法，因<110>籽晶的晶轴与生长方向偏离X角度，就可以在引晶过程排尽位错，引出的<110>晶向的晶体就可以保证无位错生长，因此能提高成晶率，保证成品率。
具体实施方式
下面采用本发明具体的实施作进一步简要说明。
一、制作晶种要求：用<110>或<100>单晶，通过定向仪，切出晶种，使其晶向偏离<110>方向X角，X值在1～9度，最好在一般为4±1度。
二、引晶：采用上述的的籽晶进行引晶，要求引晶长度在12cm，但最好在22±3之间。
三、这样采用偏离晶向后的<11x>方向进行引晶，生长出的晶体具有排位错角，就可容易排出位错，引出的<110>晶向的晶体就可以保证无位错生长。因此能提高成晶率，且能保证成品率。据生长测试结果，通过上述方法，成晶率可以达到98％以上。

Claims (2)

1.一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法，其特征在于采用<110>或<100>单晶切出晶向偏离<110>方向X角度的籽晶，然后采用该籽晶进行引晶，并保持引晶长度在12cm以上。
2.根据权利要求1所述的一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法，其特征在于X角度在1～9度之间。
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