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CN102144307A - 发光二极管封装件和具有该发光二极管封装件的背光单元 - Google Patents

发光二极管封装件和具有该发光二极管封装件的背光单元 Download PDF

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CN102144307A
CN102144307A CN2009801348813A CN200980134881A CN102144307A CN 102144307 A CN102144307 A CN 102144307A CN 2009801348813 A CN2009801348813 A CN 2009801348813A CN 200980134881 A CN200980134881 A CN 200980134881A CN 102144307 A CN102144307 A CN 102144307A
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Abstract

一种发光二极管(LED)封装件包括:主体,安装在基底上;发光二极管,安装在主体中,并且发射光;引线框架,被暴露,以允许所述主体被选择性地俯视式安装或者侧视式安装。一种背光单元包括:导光板,被构造为允许光朝向液晶面板前进;发光二极管(LED),安装在主体中并且产生光,其中,所述主体安装在基底上;LED封装件,具有引线框架并且安装在导光板上,所述引线框架被暴露,以允许所述主体被选择性地俯视式安装或者侧视式安装。

Description

发光二极管封装件和具有该发光二极管封装件的背光单元
技术领域
本发明涉及一种LED封装件和具有该LED封装件的背光单元,更具体地讲,本发明涉及一种包括LED光源的LED封装件以及包括该LED封装件和导光板的背光单元,其中,所述LED光源向外部发光从而用作照明单元。
背景技术
通常,背光单元在轻、薄、以低功耗驱动、实现高分辨率等方面具有很多优点。因此,当前,用在显示装置中的CRT正在被包括背光单元的液晶显示器(LCD)所代替。
背光单元发射光并且将光提供到液晶面板。液晶面板可以调节从背光单元提供的光的透过率,从而显示图像。
通常,安装在背光单元中的LED封装件可以根据LED封装件安装在背光中的位置分为边光式(侧视的方式)LED封装件和直下式(俯视的方式)LED封装件。
这里,边光式LED封装件具有LED安装在导光板的侧部的结构。在这种情况下,LED安装为与基底垂直,以使从LED发射的光朝向导光板发射。
直下式LED封装件具有LED安装为与基底平行的结构。即,多个灯设置在导光板的下表面上,以使光朝向导光板的前表面发射。
因此,根据LED封装件的期望目的来制造LED封装件,而不能兼容地使用(即,互换),因此需要用于根据期望的目的可以交互使用的兼容的LED封装件的技术。
发明内容
技术问题
本发明的方面提供了一种可以互换地用作边光式(侧视型)和直下式(直下型)的LED封装件以及具有允许通过利用这样的LED封装件进行局部调光的结构的背光单元。
技术方案
根据本发明的方面,提供了一种LED封装件,所述LED封装件包括:主体,安装在基底上;LED,安装在主体中并且发射光;引线框架,被暴露,以允许所述主体被选择性地俯视式安装或者侧视式安装。
所述引线框架可包括:用于俯视式安装的电极,与所述基底电连接,以允许LED面对所述基底的前表面;弯曲部分,与用于俯视式安装的电极一体地形成,并且朝向与用于俯视式安装的电极不同的侧部弯曲;用于侧视式安装的电极,形成在弯曲部分的端部,并且电连接到所述基底,以允许LED被安装为与所述基底垂直。
所述用于侧视式安装的电极可以安装在所述主体的一侧。
所述用于俯视式安装的电极可以以伸长的方式形成在所述主体的下表面上。
所述用于俯视式安装的电极可以安装在所述主体的一侧。
所述用于侧视式安装的电极可以以伸长的方式形成在所述主体的另一侧上,以增加与板的安装面积。
根据本发明的另一方面,提供了一种LED封装件,所述LED封装件包括:主体,安装在基底上;LED,安装在所述主体中;引线框架,与LED电连接;接触部分,形成在主体的表面上,并且提供安装面积以被安装在所述基底上。
所述引线框架可以被暴露以允许所述主体被侧视式安装或者俯视式安装。
所述引线框架可以包括:用于俯视式安装的电极,与所述基底电连接,以允许LED面对所述基底的前表面;弯曲部分,与用于俯视式安装的电极一体地形成,并且朝向与用于俯视式安装的电极不同的侧部弯曲;用于侧视式安装的电极,形成在弯曲部分的端部,并且电连接到所述基底,以允许LED被安装为与所述基底垂直。
所述用于侧视式安装的电极可以安装在所述主体的一侧。
所述用于俯视式安装的电极可以以伸长的方式形成在所述主体的下表面上,以增加与板的安装面积。
所述用于俯视式安装的电极可以安装在所述主体的一侧。
所述用于侧视式安装的电极可以以伸长的方式形成在所述主体的另一侧上,以增加与板的安装面积。
所述接触部分可以形成在所述主体的中心部分。
所述接触部分可以安装在所述主体的侧部,并且具有朝向所述基底弯曲的端部。
所述接触部分和所述引线框架可以一体地形成。
所述引线框架可以弯曲为向内凹陷,以具有用于在其中容纳LED芯片的容纳部分。
根据本发明的另一方面,提供了一种背光单元,所述背光单元包括:导光板,被构造为允许光朝向液晶面板前进;LED,安装在主体中并且产生光,其中,所述主体安装在基底上;LED封装件,具有引线框架并且安装在导光板上,所述引线框架被暴露,以允许所述主体被选择性地俯视式安装或者侧视式安装。
所述引线框架可以包括:用于俯视式安装的电极,与所述基底电连接,以允许LED面对所述基底的前表面;弯曲部分,与用于俯视式安装的电极一体地形成,并且朝向与用于俯视式安装的电极不同的侧部弯曲;用于侧视式安装的电极,形成在弯曲部分的端部,并且电连接到所述基底,以允许LED被安装为与所述基底垂直。
所述背光单元还可以包括:接触部分,形成在主体的表面上,并且提供安装面积以被安装在所述基底上。
所述接触部分和所述引线框架可以一体地形成。
所述接触部分可以形成在所述主体的中心部分。
所述接触部分可以安装在所述主体的侧部,并且具有朝向所述基底弯曲的端部。
多个导光板一体地形成。
所述背光单元还可以包括设置在所述导光板的下部的反射板。
所述背光单元还可以包括设置在所述导光板的上部的光学片。
附图说明
图1是根据本发明第一示例性实施例的LED封装件的透视图;
图2是示出图1的LED封装件的后表面的透视图;
图3是图1的LED封装件的剖视图;
图4是示出在LED芯片内的LED层处形成的V形扭曲结构的示意性剖视图;
图5a示出了根据本发明示例性实施例的白色LED的发射光谱;
图5b示出了通过利用蓝色滤色器、绿色滤色器和红色滤色器将具有图5a的发射光谱的白光分开得到的光谱;
图6示出了将白色LED元件用于LCD背光的LCD的颜色再现的色度图;
图7示出了根据本发明另一示例性实施例的白色LED元件的发射光谱;
图8a示意性地示出了根据本发明示例性实施例的白色LED元件的剖视结构;
图8b示出了根据本发明另一示例性实施例的白色LED元件;
图9是示意性地示出根据本发明示例性实施例的用于背光的光源模块的侧面剖视图;
图10是示意性地示出根据本发明另一示例性实施例的用于背光的光源模块的剖视图;
图11是示出红色磷光体和绿色磷光体的色坐标区域的曲线图;
图12是示出通过根据本发明示例性实施例的白色光源模块得到的色坐标范围以及通过对比示例的白色光源模块得到的色坐标范围的CIE 1976色度图的曲线图;
图13是示意性地示出根据本发明另一示例性实施例的白光发射器件和具有该白光发射器件的白色光源的剖视图;
图14是示意性地示出根据本发明另一示例性实施例的白光发射器件和具有该白光发射器件的白色光源的剖视图;
图15是示出图3的LED芯片的光特性的示意图;
图16是解释引线框架的设计的放大剖视图;
图17是根据引线框架的形式在LED封装件中执行的高温负载可靠性测试的结果的曲线图;
图18a和图18b示意性地示出了用于侧视式安装的电极的改进;
图19是示出根据本发明第一示例性实施例的如何安装边光式(侧视型)LED封装件的局部透视图;
图20是图19的LED封装件的主视图;
图21是示出如何安装直下式(俯视型)LED封装件的局部透视图;
图22是根据本发明第二示例性实施例的LED封装件的透视图;
图23是图22的LED封装件的后侧的透视图;
图24a是根据本发明第三示例性实施例的LED封装件的透视图;
图24b是根据本发明第三示例性实施例的LED封装件的剖视图;
图25是示出根据本发明第四示例性实施例的LED封装件的状态的透视图;
图26是示出图25的LED封装件的放大透视图;
图27是示出图26的LED封装件的引线框架的平面图;
图28是图26的LED封装件的改进的透视图;
图29是图28的LED封装件的改进的引线框架的平面图;
图30是图28中的引线框架的改进的透视图;
图31是用于解释根据本发明第一示例性实施例的背光单元的剖视图;
图32是示意性地示出LED封装件的安装状态的放大剖视图;
图33是根据本发明第二示例性实施例的包括LED封装件的LED背光单元的分解透视图;
图34是图33的LED背光单元的剖视图;
图35是根据本发明第三示例性实施例的背光单元的剖视图;
图36是示出设置在根据本发明第四示例性实施例的背光单元中的固定构件的透视图;
图37是根据本发明第五示例性实施例的包括LED封装件的背光单元的分解透视图;
图38是图37的背光单元的剖视图;
图39至图42是示出根据本发明示例性实施例的设置在背光单元中的各种类型的导光板的剖视图;
图43是示出根据本发明示例性实施例的背光单元的照明的照片;
图44是示出基于图43的两点之间的距离的照明分布的曲线图;
图45是根据本发明第六示例性实施例的包括LED封装件的背光单元的分解透视图;
图46是图45的背光单元的剖视图;
图47是根据本发明第七示例性实施例的包括LED封装件的背光单元的分解透视图;
图48是图47的背光单元的剖视图;
图49是根据图48的不同实施例的背光单元的剖视图;
图50是图48的固定构件的剖视图;
图51是根据不同实施例的固定构件的剖视图;
图52a是示出根据本发明第一示例性实施例的将导光板固定到下盖的剖视图;
图52b是示出根据本发明第一示例性实施例的将导光板固定到下盖的平面图;
图53是示出根据本发明第二示例性实施例的将导光板固定到下盖的剖视图;
图54是示出根据本发明第二示例性实施例的将导光板固定到下盖的平面图;
图55是示出图54的不同实施例的平面图;
图56a是示出根据本发明第三示例性实施例的将导光板固定到下盖的剖视图;
图56b是示出根据本发明第三示例性实施例的将导光板固定到下盖的平面图;
图57a是示出根据本发明第四示例性实施例的将导光板固定到下盖的剖视图;
图57b是示出图57a的导光板的局部透视图;
图58a是示出根据本发明第五示例性实施例的将导光板固定到下盖的剖视图;
图58b是示出图58a的导光板的局部透视图;
图59是示出固定到下盖的导光板的剖视图;
图60a和图60b是用于解释根据本发明不同示例性实施例的背光单元的剖视图;
图61是用于解释图60a和图60b的板型导光板的示意性透视图;
图62示出了根据本发明第九示例性实施例的包括LED封装件的背光单元和液晶显示器(LCD);
图63是图62的背光单元的平面图;
图64是沿着图63的I-I′线截取的剖视图;
图65是当驱动现有技术的LCD时显示的屏幕图像;
图66是当驱动根据本发明示例性实施例的LCD时显示的屏幕图像;
图67是示出根据本发明示例性实施例的包括LED封装件的背光单元的剖视图;
图68是图67的导光板和LED封装件的阵列的俯视平面图;
图69是根据图68的示例性实施例的改进的导光板和LED封装件的阵列的俯视平面图;
图70a和图70b示出了在根据本发明示例性实施例的背光单元中实现的局部调光的原理;
图71是示出用于控制根据图67的本发明示例性实施例的背光单元的每个LED块的亮度的控制器的示意图;
图72是可以在图67的本发明的不同示例性实施例中使用的导光板的俯视平面图;
图73示出了可以用作图72的导光板的实施例;
图74至图119示出了根据本发明第六实施例至第十一实施例的LED封装件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的示例性实施例。然而,本发明可以以许多不同的形式实施,而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反,提供这些实施例,使得本公开将是彻底和完整的,并且将把本发明的范围充分传达给本领域技术人员。在图中,为了清晰起见,可以夸大形状和尺寸,相同的标号将始终用来表示相同或相似的组件。
现在将参照图1至图119来描述根据本发明示例性实施例的LED封装件和背光单元。
<LED封装件>
图1是根据本发明第一示例性实施例的LED封装件的透视图,图2是示出图1中的LED封装件的后表面的透视图,图3是图1的LED封装件的剖视图。
参照图1至图3,LED封装件10包括LED芯片11、引线框架20和主体30。
LED芯片11(通过向其施加电流来发光的半导体器件)可以包括黄色磷光体、绿色磷光体和红色磷光体,或者在蓝色LED芯片中包括黄色磷光体、绿色磷光体和红色磷光体,以实现白光。
激发黄色磷光体、绿色磷光体和红色磷光体,从而发射黄光、绿光和红光,这种黄光、绿光和红光波长与从蓝色LED芯片发射的蓝光的一部分混合,从而输出白光。
可以采用通常使用的III族氮化物基半导体作为蓝色LED芯片。可以选择蓝宝石、尖晶石(MgAl2O4)、SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN基底中的一种作为氮化物基半导体的基底。
LED芯片11是其上形成有有源层的n型氮化物半导体层。有源层可以具有一个或多个量子阱层,所述量子阱层可以由InGaN和GaN制成。
在n型GaN基半导体层的横截面上可以形成V形扭曲结构。V形扭曲结构可以包括平坦生长表面和倾斜生长表面。
有源层还可以包括至少一个量子阻挡层,量子阻挡层可以由InGaN、GaN或者AlGaN制成。这里,量子阻挡层的带隙大于量子阱层的带隙。
在有源层上形成p型氮化物半导体层,p型氮化物半导体层包括p型超晶格层和p型GaN基半导体层。这里,p型超晶格层可以具有包括GaN/InGaN基层、AlGaN/GaN基层、AlGaN/GaN/InGaN基层的多层重复结构。
p型氮化物半导体层可以包括p型超晶格层、形成在p型超晶格层上的p型GaN层以及形成在p型GaN层上的p型GaN接触层。
可以在p型氮化物半导体层上附加地形成透明电极和结合电极。透明电极可以是透射氧化物导电层。
图4是示出形成在LED芯片内的LED层处的V形扭曲结构的示意剖视图。
V形扭曲结构可以连续地形成在n型半导体层、有源层和p型半导体层中的至少一个上。V形扭曲结构可以形成在穿透位错(threading dislocation)周围,并且可以通过增加该区域处的电阻来防止由于穿透位错导致的电流泄漏,从而可以改进ESD效果。另外,V形扭曲结构使半导体表面具有不规则结构,因此可以提高亮度。
即,由于蓝宝石基底和形成在蓝宝石基底上的GaN半导体之间的晶格失配产生穿透位错,当施加静电时,电流集中到穿透位错,导致电流泄漏。因此,进行了各种研究,以通过减少导致漏电流的穿透位错来减小ESD引起的损坏。
即,在本发明中,V形扭曲结构任意地形成在穿透位错周围,以增加存在穿透位错的区域处的电阻,从而截断集中到该区域的电流,由此改进对ESD的耐受性。在这种情况下,可以在600℃至900℃的低生长温度下或者可以通过化学蚀刻和再生长工艺来形成V形扭曲结构层。由此完成的蓝色LED芯片的厚度可以通过抛光或蚀刻方法而被调整为具有从50μm至400μm的整体厚度。
磷光体可以包含荧光材料,所述荧光材料是能够将从LED芯片11产生的光转换为白光的YAG基、TAG基、硅酸盐基、硫化物基和氮化物基磷光体中的波长转换单元中的一种。
YAG和TAG基荧光材料可以从(Y,Tb,Lu,Sc,La,Gd,Sm)3(Al,Ga,In,Si,Fe)5(O,S)12:Ce中选择并使用,硅酸盐基磷光体可以从(Sr,Ba,Ca,Mg)2SiO4:(Eu,F,Cl)中选择。
另外,硫化物基磷光体可以从(Ca,Sr)S:Eu、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu中选择,氮化物基磷光体可以是(Sr,Ca,Si,Al,O)N:Eu(例如,CaAlSiN4:Eu、β-SiAlON:Eu)或Ca-αSiAlON:Eu基(Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16中的至少一种,其中,M是Eu、Tb、Yb和Er中的至少一种,满足0.05<(x+y)<0.3,0.02<x<0.27并且0.03<y<0.3,并由磷光体组分选择并使用。
红色磷光体可以使用包含N的氮化物基磷光体(例如,CaAlSiN3:Eu)。与硫化物基磷光体相比,所述氮化物基磷光体相对于外部环境因素(例如,热、潮气等)具有更好的可靠性,并且所述氮化物基磷光体具有小的变色可能性。
具体地讲,红色磷光体在蓝色LED芯片的主波长处(限于特定范围,425nm至460nm)具有高的磷光体激发效率,从而得到高的再现性。可以使用其它的氮化物基磷光体或者硫化物基磷光体例如Ca2Si5N8:Eu作为红色磷光体。
对于绿色磷光体,可以使用氮化物基磷光体β-SiAlON:Eu或者硅酸盐基磷光体(Bax,Sry,Mgz)SiO4:Eu2+,F,Cl(0<x,y≤2,0≤z≤2,0ppm≤F,Cl≤5000000ppm)。这种氮化物基磷光体或者硅酸盐基磷光体在蓝色LED芯片的主波长范围(425nm至460nm)处也具有高的激发效率。
优选地,蓝色LED芯片的半幅度(F WHN)在从10nm至50nm的范围,绿色磷光体的半幅度在从30nm至150nm的范围,蓝色磷光体的半幅度在从50nm至200nm的范围。通过使每个光源具有在上述范围的半幅度,可以得到较好的颜色均匀性和较好的颜色质量的白光。
具体地讲,因为蓝色LED芯片的主波长限于425nm至460nm的范围,并且蓝色LED芯片的半幅度限于10nm至50nm的范围,所以可以显著提高CaAlSiN3:Eu红色磷光体和β-SiAlON:Eu基或者(Bax,Sry,Mgz)SiO4:Eu2+,F,Cl(0<x,y≤2,0≤z≤2,0ppm≤F,Cl≤5000000ppm)基绿色磷光体的效率。
蓝色LED芯片可以换成具有大约380nm至425nm的主波长范围的紫外(UV)LED芯片,在这种情况下,为了输出白光,磷光体122中至少必须包括蓝色磷光体、绿色磷光体和红色磷光体。
(Ba,Sr,Ca)5(PO4)3Cl:(Eu2+,Mn2+)或Y2O3:(Bi3+,Eu2+)可以选择作为蓝色磷光体,或者YAG基、TAG基、硅酸盐基、硫化物基或者氮化物基磷光体可以选择作为绿色磷光体和红色磷光体。
同时,也可以产生不使用磷光体的用于输出白光的白色LED。例如,可以在第一量子阱层的上部和/或下部另外地形成产生不同波长(例如,黄光)的第二量子阱层,以与蓝光结合产生发射白光的LED芯片。
量子阱层可以具有多量子阱结构,可以通过调节用于形成量子阱层的InGaN和In的量来形成第一量子阱层和第二量子阱层。
如果第一量子阱层发射UV区域(380nm至425nm)中的光,则可以调节有源层In的量,使得第二量子阱层发射蓝光,第三量子阱层发射黄光。
图5a示出了根据本发明示例性实施例的白色LED的发射光谱。图5a的发射光谱从使用蓝色LED与氮化物基红色磷光体AAlSiN3:Eu(A:从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)和硅酸盐基绿色磷光体A2SiO4:Eu(A:从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)的组合的白色LED获得。
如图5a中所示,与现有技术不同,该发射光谱即使在红色波长区域和绿色波长区域内也具有足够的光强度。具体地讲,600nm或更长的长波长可见光区域具有足够高的强度的光。另外,该发射光谱具有在425nm至460nm、500nm至550nm、600nm至650nm内的蓝色、绿色和红色区域(RGB区域)的发射波长峰,并且与蓝色区域的发射峰相比,绿色区域发射峰的相对强度占大约40%,红色区域发射峰的相对强度占大约60%。这种原色区域发射峰和它们相应的相对强度有助于非常高水平的颜色再现性的实现(见图6)。
图5b示出了通过利用蓝色滤色器、绿色滤色器和红色滤色器将具有图5a的发射光谱的白光分开得到的光谱。如图5b中所示,与分开之前的白光光谱(见图5a)相比,通过对应的三原色滤色器分开的光谱(蓝光光谱、绿光光谱和红光光谱)具有基本相似的发射峰以及它们的峰的位置处的相对强度。即,对应的滤色器透射后(仅经历可忽略的发射峰偏移)得到的蓝光光谱、绿光光谱和红光光谱具有与滤色器透射之前的白光的RGB区域的发射峰(425nm至460nm、500nm至550nm和600nm至650nm)基本相同的峰值。另外,在滤色器透射之后,每个峰的相对强度与白色光的每个峰的相对强度基本相同。因此,通过使用滤色器透射之后得到的三原色的光可制得非常接近自然色的各种颜色表现。
图6的曲线图是CIE 1931色坐标系统的色度图,示出了包括采用具有图5a的发射光谱的白色LED的背光单元的LCD显示器的颜色再现性。如图6中所示,当用图5a的白光来实现背光时,与现有技术的LCD显示器相比,该LCD显示器实现了相当大的三角形色坐标区域(B)。与NTSC相比,该三角形色坐标区域(B)显示出大约80%的颜色再现性,与现有技术的颜色再现性(55%至65%)相比,增加了大约20%,这表明颜色再现性的水平得到了显著的提高。
根据需要,可以以各种组成使用与蓝色LED组合使用的氮化物基红色磷光体AAlSiN3:Eu(A:从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)和硅酸盐基绿色磷光体A2SiO4:Eu(A:从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)。例如,通过改变红色磷光体中的至少一部分Ca被Sr和Ba中的至少一种所取代的组成比率,可以将白光的红色发射峰或红色发射峰处的相对强度调节在特定范围内。
图7示出了根据本发明另一示例性实施例的白色LED元件的发射光谱。具体地讲,图7的光谱是从使用SrAlSiN3:Eu作为红色磷光体、使用Sr0.4Ba1.6SiO4:Eu作为绿色磷光体以及InGaN基蓝色LED元件的白色LED得到的。如图7中所示,发射峰可以根据组成变化而轻微地变化,所述峰处的强度可以根据组成变化而改变。然而,在600nm或更大的长波长可见光区域中仍然示出了相对强度大于20%的发射峰,这有助于颜色再现性水平的提高。按照这种方式,与利用黄色磷光体的现有技术的白光相比,根据氮化物基红色磷光体AAlSiN3:Eu(A:从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)和硅酸盐基绿色磷光体A2SiO4:Eu(A:从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)的组合输出的白光可以提高大于10%的LCD显示器的颜色再现性。
图8a示意性地示出了根据本发明示例性实施例的白色LED元件的剖视结构。参照图8a,白色LED器件10包括主体30和蓝色LED11,其中,主体30具有形成在主体30的中心部分处的反射杯,蓝色LED11安装在反射杯的底表面上。在反射杯内形成包封蓝色LED11的透明树脂包封剂32。树脂包封剂32可以由例如硅树脂或环氧树脂制成。氮化物基红色磷光体AAlSiN3:Eu(A:从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)12的粉末颗粒以及硅酸盐基绿色磷光体A2SiO4:Eu(A:从Ba、Sr和Ca中选择的至少一种)14的粉末颗粒均匀地分布在树脂包封剂32内。用于连接引线等的导体(未示出)形成在反射杯的底表面上,并且经过引线键合或者倒装芯片键合与蓝色LED11的电极连接。
从蓝色LED11发射的蓝光激发氮化物基红色磷光体AAlSiN3:Eu 12和硅酸盐基绿色磷光体A2SiO4:Eu 14,从而从磷光体12和14发射红光和绿光。红色磷光体12可以被从硅酸盐基绿色磷光体14发射的绿光激发。
氮化物基红色磷光体AAlSiN3:Eu 12和硅酸盐基绿色磷光体A2SiO4:Eu14可以在425nm至460nm的波长处被激发,并且具有相对高的效率,因此蓝色LED11的发射波长峰优选地在大约425nm至460nm的范围内。另外,为了优化颜色再现性的水平,氮化物基红色磷光体12的发射峰优选地在大约600nm至650nm的范围内,硅酸盐基绿色磷光体14的发射峰优选地在大约500nm至550nm的范围内。
如上所述,白色LED器件10在磷光体材料的稳定性方面优良,并且显示出提高的颜色再现性水平。将氮化物基红色AAlSiN3:Eu磷光体作为红色磷光体12并且将硅酸盐基绿色A2SiO4:Eu磷光体作为绿色磷光体14不仅对温度和潮气相对具有抵抗力,而且在磷光体与添加到树脂包封剂32中的硬化剂例如Pt反应的过程中产生的劣化小。实际上,当在高温以及高的潮气水平下执行操作可靠性测试时,与现有技术的硫化物基磷光体相比,氮化物基红色AAlSiN3:Eu磷光体和硅酸盐基绿色A2SiO4:Eu磷光体显示出较高的稳定性。
图8b示出了根据本发明另一示例性实施例的白色LED元件。参照图8b,白色LED器件10′包括具有凸透镜形状(例如,形成半球形透镜)的树脂包封剂32以及被树脂包封剂32包封的蓝色LED 11。上述的氮化物基红色磷光体12和硅酸盐基绿色磷光体14分布在树脂包封剂32中。在本示例性实施例中,没有具有反射杯的封装体,而是可以实现非常宽的光束角,并且蓝色LED11可以直接安装在电路板上。
图9和图10是示意性地示出根据本发明示例性实施例的用于背光的光源模块的侧面剖视图。光源模块(LCD背光单元的光源单元)可以与各种光学构件(漫射板、导光板、反射板、棱镜片等)结合,以形成背光组件。
参照图9,用于LCD背光的光源模块包括板(B)和安装在板上的多个白色LED封装件10。导电体图案(未示出)可以形成在板(B)上,以与LED封装件10接触。
如上参照图8a所述,每个白色LED封装件10包括安装在反射杯内的蓝色LED芯片11以及包封蓝色LED芯片11的树脂包封剂32,氮化物基红色磷光体12和硅酸盐基绿色磷光体14分布在树脂包封剂中。
参照图10,用于LCD背光的光源模块包括板(B)和多个白色LED封装件10的阵列。在本示例性实施例中,蓝色LED芯片11以板上芯片(COB)的方式直接安装在板(B)上。每个白色LED封装件10′参照图8b如上所述地构造。因为每个白色LED封装件10′具有半球形透镜(树脂包封剂32)而不具有反射杯,所以每个白色LED封装件10′可以具有宽的光束角。每个白色光源的宽的光束角可以有助于减小LCD显示器的尺寸(厚度或宽度)。
白色LED封装件10′包括蓝色(B)LED芯片11、绿色(G)磷光体14和红色(R)磷光体12。绿色磷光体14和红色磷光体12被蓝色LED芯片11激发,以分别发射绿光和红光,绿光和红光波长与从蓝色LED芯片11发射的一部分蓝光混合,从而输出白光。
具体地讲,在本发明的当前示例性实施例中,蓝色LED芯片11直接安装在板(B)上,磷光体12和14分散地(优选地,均匀地)在包封LED芯片11的树脂包封剂32内混合。树脂包封剂32可以具有作为例如一种透镜的半球形形状,并且可以由硅树脂或者混合树脂制成。因为LED芯片11以COB方式直接安装在板(B)上,所以可以从每个白色LED容易地得到较宽的光束角。
电极图案或者电路图案(未示出)形成在板(B)上,电路图案通过例如引线键合或者倒装芯片键合与LED芯片11的电极连接。因为白色光源模块包括多个白色LED封装件10′,所以白色光源模块可以形成期望面积的面光源或者线光源,这样,白色光源模块可以有利地用作LCD显示器的背光单元的光源。
本发明的发明人通过将蓝色LED芯片11的主波长和色坐标(CIE 1931色坐标系统基础)限制在特定范围或区域,从绿色磷光体和红色磷光体与蓝色LED芯片的组合实现了最大水平的颜色再现性。
具体地讲,为了从蓝色LED芯片与绿色磷光体和红色磷光体的组合得到最大的颜色再现性,蓝色LED芯片11的主波长在从425nm至460nm的范围内,红色磷光体12被蓝色LED芯片11激发后发射的红光的色坐标基于CIE1931(x,y)色坐标系统在被四个顶点(0.5448,0.4544)、(0.7079,0.2920)、(0.6427,0.2905)和(0.4794,0.4633)包围的区域内,绿色磷光体被蓝色LED芯片11激发后发射的绿光的色坐标基于CIE 1931色坐标系统在被四个顶点(0.1270,0.8037)、(0.4117,0.5861)、(0.4197,0.5316)和(0.2555,0.5030)包围的区域内。
图11中示出了红色磷光体和绿色磷光体的色坐标区域作为参考。如图11中所示,在CIE 1931色度图上显示出通过四个顶点(0.5448,0.4544)、(0.7079,0.2920)、(0.6427,0.2905)和(0.4794,0.4633)形成的不规则四边形(r)和通过四个顶点(0.1270,0.8037)、(0.4117,0.5861)、(0.4197,0.5316)和(0.2555,0.5030)形成的不规则四边形(g)。如上所述,选择红色磷光体和绿色磷光体,使得它们的色坐标位于不规则四边形(r和g)内。
这里,主波长是从将设备测量的(蓝色LED芯片的)输出光的光谱曲线积分形成的曲线和发光度曲线得到主要波长值,该主要波长值是考虑了人类发光度因子的波长值。这种主波长与连接CIE 1976色坐标系统的中心值(0.333,0.333)和设备测量的色坐标值的直线与CIE 1976色度图的轮廓相交的点的波长值对应。在这种情况下,应该注意的是,峰波长与主波长不同,峰波长是具有最高能量强度的波长。即,峰波长是指指示设备测量的输出光的光谱曲线中的最高强度的波长值,而与可见度无关。
通过将蓝色LED芯片11的主波长限定在425nm至460nm的范围,将SrxBayCazAlSiN3:Eu(0≤x,y、z≤2)表示的红色磷光体12限定在基于色坐标(基于CIE 1931色坐标系统)通过四个顶点(0.5448,0.4544)、(0.7079,0.2920)、(0.6427,0.2905)和(0.4794,0.4633)形成的区域中,并将SrxBayCazSiO4:Eu(0≤x,y、z≤2)表示的绿色磷光体14限定在基于与红色磷光体12的色坐标相同的色坐标通过四个顶点(0.1270,0.8037)、(0.4117,0.5861)、(0.4197,0.5316)和(0.2555,0.5030)形成的区域中,在背光单元中采用白色光源模块600和900的LCD显示器可以显示出基本上包括CIE 1976色度图上的所有s-RGB区域的非常宽的色坐标区域的高的颜色再现性(见图11)。通过现有技术中的蓝色LED芯片与红色磷光体和绿色磷光体的组合得不到这种高程度的颜色再现性。
当采用超出主波长范围的LED芯片以及超出色坐标区域的红色磷光体和绿色磷光体时,LCD显示器的颜色质量或颜色再现性水平劣化。在现有技术中,为了得到白光,与红色磷光体和绿色磷光体一起使用的蓝色LED芯片的主波长大体为460nm或者更大。然而,在本示例性实施例中,因为使用比现有技术的波长短的波长的蓝光以及具有四边形区域内的色坐标的红色磷光体和绿色磷光体,所以可以得到现有技术无法实现的高水平的颜色再现性。
在本示例性实施例中,因为限制了蓝光(LED芯片)的主波长范围以及绿光和红光(磷光体)的色坐标区域,所以可以得到比现有技术中蓝色LED芯片和黄色磷光体组合的情况下的颜色再现性更好水平的颜色再现性,可以得到比现有技术中提出的蓝色LED芯片与绿色磷光体和红色磷光体组合的颜色再现性更好水平的颜色再现性,并且可以提高包括磷光体效率在内的总光效率。
另外,在本示例性实施例中,与现有技术的采用红色LED芯片、绿色LED芯片和蓝色LED芯片的白色光源模块不同,可以减少所需要的LED芯片的数量,并且由于仅使用一种类型的芯片(即,蓝色LED芯片),从而可以减少使用的LED芯片的种类。
因此,可以降低封装件的制造成本,并且可以简化驱动电路。具体地讲,在制造附加电路以防止对比度增加或者屏幕图像拖尾(即,运动模糊)的情况下,电路构造可以更简单。另外,因为通过单个LED芯片11和包封LED芯片11的包含磷光体的树脂包封剂32来实现单位面积中的白光,所以与使用红色LED芯片、绿色LED芯片和蓝色LED芯片的情况相比,颜色均匀性的水平可以更好。
图13是示意性地示出根据本发明另一示例性实施例的白光发射器件和具有该白光发射器件的白色光源模块900的剖视图。在图13的示例性实施例中,蓝色LED芯片11以COB方式直接安装在板(B)上,蓝色LED芯片11和被蓝色LED芯片11激发的红色磷光体和绿色磷光体形成单位面积的白光发射器件。为了使颜色再现性的水平最大化,蓝色LED芯片11具有上述主波长(即,425nm至460nm的主波长范围),红色磷光体具有上述色坐标范围(即,在CIE 1931色度图上由四个顶点(0.5448,0.4544)、(0.7079,0.2920)、(0.6427,0.2905)和(0.4794,0.4633)形成的不规则四边形),绿色磷光体具有上述色坐标范围(即,在CIE 1931色度图上由四个顶点(0.1270,0.8037)、(0.4117,0.5861)、(0.4197,0.5316)和(0.2555,0.5030)形成的不规则四边形)。
在本示例性实施例中,以磷光体膜12和14的形式提供红色磷光体和绿色磷光体,而不是将红色磷光体和绿色磷光体分散地混合在树脂包封剂中。具体地讲,如图13中所示,包括绿色磷光体的绿色磷光体膜14在蓝色LED芯片11的表面上沉积为薄层,半球形透明树脂包封剂32形成在绿色磷光体膜14上。包括红色磷光体的红色磷光体膜12涂覆在树脂包封剂32的表面上。可以颠倒绿色磷光体膜和红色磷光体膜12的位置。即,红色磷光体膜12可以涂覆在蓝色LED芯片11上,绿色磷光体膜14可以涂覆在树脂包封剂32上。绿色磷光体膜14和红色磷光体膜12可以分别由例如包含磷光体颗粒的树脂膜形成。可以使用上述的氮化物基磷光体、硫化物基磷光体或者硅酸盐基磷光体作为包含在磷光体膜12和14中的磷光体。
如上所述,由于存在绿色磷光体膜14(或红色磷光体膜12)、透明树脂包封剂32以及红色磷光体膜12(或绿色磷光体膜14),所以可以进一步提高输出的白光的颜色均匀性。如果将绿色磷光体和红色磷光体(粉末混合物)简单地分布在树脂包封剂中,则由于在树脂硬化工艺的过程中磷光体之间的比重差异,磷光体不能均匀地分布,使层可能分开,这导致单个白光发射器件内的颜色均匀性劣化。然而,在图13中示出的示例性实施例中,因为使用通过树脂包封剂32分开的绿色磷光体膜14和红色磷光体膜12,所以可以相对均匀地吸收以各种角度从蓝色LED芯片11发射的蓝光,或者可以经过磷光体膜12和14透射以各种角度从蓝色LED芯片11发射的蓝光,从而获得整体上增加了均匀性的白光(另外增加了颜色均匀性)。
在图13中示出的示例性实施例中,因为采用通过透明树脂包封剂32分开的磷光体膜12和14,所以可以减少由于磷光体导致的光损失。如果将磷光体粉末混合物分散地在树脂包封剂内混合,则已经被磷光体进行了波长转换的二次光(绿光或红光)被光路上的磷光体颗粒漫射,从而可能导致光损失。然而,在图13的示例性实施例中,已经被薄的绿色磷光体膜14或红色磷光体膜12转换的二次光透射穿过透明树脂包封剂32,或者释放到发光器件的外侧,从而可以减少磷光体颗粒导致的光损失。
另外,在图13的示例性实施例中,通过使用上述范围内的蓝色LED芯片的主波长以及绿色磷光体和红色磷光体的色坐标,用于LCD显示器的背光单元的白色光源模块可以显示出包括几乎所有s-RGB区域在内的高颜色再现性。另外,可以减少LED芯片的数量,并且可以降低驱动电路和封装件的制造成本,具有降低单位成本的作用。当然,蓝光、绿光和红光的半幅度可以限定在上述范围内。
在如上所述的本发明的示例性实施例中,每个LED芯片以COB方式直接安装在电路板上,但是本发明不限于此。例如,LED芯片可以安装在封装体上,所述封装体安装在电路板上。图14中示出了采用单独的封装体的示例性实施例。
图14是示意性地示出根据本发明另一示例性实施例的白光发射器件和具有该白光发射器件的白色光源的剖视图。参照图14,每个白光发射器件包括具有反射杯的封装体30和安装在反射杯内的蓝色LED芯片11。
在本示例性实施例中,以磷光体膜的形式设置红色磷光体和绿色磷光体,而不是将红色磷光体和绿色磷光体分散地在树脂包封剂内混合。即,绿色磷光体膜14(或者红色磷光体膜12)在蓝色LED芯片11的表面上沉积为薄的,透明树脂包封剂32形成在绿色磷光体膜14(或者红色磷光体膜12)上。红色磷光体膜12(或绿色磷光体膜14)涂覆在树脂包封剂32的表面上。
正如图13的示例性实施例中,使用通过树脂包封剂32分开的绿色磷光体膜14和红色磷光体膜12,从而可以获得优异的颜色均匀性水平。另外,正如上述示例性实施例中,因为使用在上述范围内的蓝色LED芯片的主波长以及红色磷光体和绿色磷光体的色坐标,所以可以实现包括s-RGB区域的几乎每一部分在内的高水平的颜色再现性。
图12是示出当使用根据本发明示例性实施例的白色光源模块和对比示例的白色光源模块作为LCD显示器的背光单元时得到的色坐标范围的CIE1976色度图。
参照图12,如上所述,根据本发明示例性实施例的白色光源模块是通过蓝色LED与绿色磷光体和红色磷光体组合而发射白光的光源模块(见图9)。在根据本发明示例性实施例的白色光源模块中,蓝色LED芯片具有425nm至460nm范围内的主波长(具体地讲,445nm的主波长),红色磷光体发射具有由四个顶点(0.5448,0.4544)、(0.7079,0.2920)、(0.6427,0.2905)和(0.4794,0.4633)形成的不规则四边形区域内的色坐标的红光,绿色磷光体发射具有由四个顶点(0.1270,0.8037)、(0.4117,0.5861)、(0.4197,0.5316)和(0.2555,0.5030)形成的不规则四边形区域内的色坐标的绿光。
与本发明示例性实施例相比,根据第一对比示例的白色光源模块是通过红色LED芯片、绿色LED芯片和蓝色LED芯片的组合而发射白光的光源模块。另外,根据第二对比示例的白色光源模块是用传统上使用的冷阴极荧光灯(CCFL)发射白光的光源模块。
在图12的色度图中,示出了在背光单元中使用实施例的光源模块的LCD显示器的色坐标区域以及在背光单元中使用根据第一对比示例和第二对比示例的光源模块的LCD显示器的色坐标区域。如图12中所示,使用根据实施例的背光单元的LCD显示器实现了包括s-RGB区域的几乎每一部分在内的非常宽的色坐标区域。现有技术中提出的蓝色LED芯片与红色磷光体和绿色磷光体的组合没有实现这种高程度的颜色再现性。
采用根据第一对比示例的背光单元(RGB LED BLU)的LCD显示器使用LED芯片作为红色光源、绿色光源和蓝色光源,实现了宽的色坐标区域。然而,如图12中所示,使用RGB LED BLU的LCD显示器具有不能适当地显示s-RGB区域中的蓝色部分的缺点。另外,如果分别采用LED芯片实现三原色,而不使用磷光体,则与本发明的示例性实施例相比,颜色均匀性将劣化,并且所需LED芯片的数量将增加,从而制造成本增加。具体地讲,用于增加对比度或者局部调光的附加电路构造将变得复杂,并且构造电路的成本将急剧增加。
如图12中所示,与采用本发明示例性实施例的BLU和采用LED的第一对比示例的BLU的LCD显示器相比,利用根据第二对比示例的BLU(CCFLBLU)的LCD显示器具有面积相对窄的色坐标区域且颜色再现性差。另外,CCFL BLU对环境不友好,并且用于改进BLU性能(例如局部调光、对比度调节等)的电路构造难以实现或者无法实现。
在如上所述的示例性实施例中,氮化物基红色磷光体(Sr,Ba,Ca)AlSiN3:Eu和硅酸盐基绿色磷光体(Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu以分布在树脂包封剂中的状态存在,但是本发明不限于此。即,例如,可以以形成在蓝色LED的表面上的膜(单个或多个磷光体膜)的形式设置红色磷光体和绿色磷光体。在这种情况下,两种磷光体可以在单个磷光体膜内混合,或者每种磷光体可以分开地存在于每个层中。
引线框架20可以包括分开的第一引线部分21和第二引线部分24。第一引线部分21包括:底表面21c,LED芯片11安装在底表面21c上;侧壁面21b,从底表面21c向上倾斜地延伸;平坦面21a,从侧壁面21b水平地延伸;末端部分22,弯曲并从平坦面21a的一端部延伸,并且暴露于主体30的一侧。
采用这种结构,第一引线部分21通过底表面21c和侧壁面21b形成具有凹陷结构的腔25,LED芯片11容纳在腔25中。这里,尽管未示出,但是LED芯片11可以通过导电构件例如焊球或布线与底表面21c电连接。
第二引线部分24包括:平坦面24a,以面对的方式与平坦面21a的另一端部分隔开一定距离,并且通过布线与LED芯片11电连接;末端部分22,弯曲并从平坦面24a延伸,并且暴露于主体30的相对侧。
主体30容纳引线框架20并且作为框架来支撑引线框架20和LED芯片11,使得引线框架20和LED芯片11能够稳定地电连接。在这种情况下,主体30包括开口31,开口31暴露包括LED芯片11的腔。
即,底表面21c和侧壁面21b通过开口31暴露,底表面21c另外通过主体30的下端面暴露,以从主体30有效地释放LED芯片11产生的热。
第一引线部分21和第二引线部分24的每个末端部分22可以穿透主体30的两侧,从而被拉出并且被暴露。在这种情况下,每个末端部分22可以向下弯曲,从而被设置在与主体30的下端面相同的水平线上。后面将描述详细的结构。
密封构件32可以设置在主体30的开口31处,并且可以附加地包括磷光体。这里,密封构件32可以具有单层结构。可选地,密封构件32可以具有多层结构,其中多层具有不同的折射率,以提高光效率。为了有效地释放来自LED芯片11的光,密封构件32的下层的折射率可以小于上层的折射率。
虽然未示出,但是可以在引线框架20的表面上设置反射膜,以增加光反射性的水平。反射膜可以由光反射性水平良好的金属制成。例如,反射膜可以由Ag或Al制成。
反射膜可以通过镀覆或者通过另外地堆叠薄膜来形成,通过形成反射膜,可以进一步提高LED封装件的光提取效率的水平。
优选地,可以在底表面上安装多个LED芯片11,使得多个LED芯片11并联连接,还可以安装稳压二极管(未示出),以与LED芯片11电连接,从而防止静电。
现在将参照图3和图15至图17来描述根据本发明示例性实施例的腔的设计。
图15是示出图3中的LED芯片的光特性的示意图,图16是解释引线框架的设计的放大剖视图,图17是根据引线框架的形式在LED封装件中执行的高温负载可靠性测试的结果的曲线图。
如图15中所示,LED芯片11可以是具有通常结构的长方体形状的光源。然而,本发明不限于此,LED芯片11可以具有各种其他形状,例如,正六面体光源或者梯形规则的六面体光源。在这种情况下,当向LED芯片11施加电流时,LED芯片11形成的光可以从LED芯片11的上表面和侧表面释放。
这里,当从LED芯片11的侧表面释放LED芯片11的中心(F)处形成的光时,光可以分布在穿过LED芯片11的上角的第一光束L1的角和穿过LED芯片11的下角的第二光束L2的角之间的空间(a)中。
在从LED芯片11的侧面产生的光束(即,光线)中,指向引线框架20的下部的光束被反射,从而向上释放。然而,在这种情况下,从LED芯片11的侧部产生的光束中指向引线框架20的上部的部分光束会直接向主体30照射,并且使主体30劣化。
为了避免这种问题,可以调节腔25的深度,以防止从LED芯片11的侧部产生的光指向主体30,并且在这种情况下,腔的深度可以调节为至少使得第一光束L1穿过腔25的上部中心。
因此,从LED芯片11的侧部产生的光可以主要照射到引线框架20的侧壁面21b。这是因为穿过LED芯片11的上角的光(即,第一光束L1)是从LED芯片11的侧部释放的最外面的光束。这里,腔25的上角是侧壁面21b和平坦面21a彼此接触的位置。
如图16中所示的腔25的深度应该满足下面示出的等式2:
[等式2]
h=d+y/2
这里,“h”是腔25的深度,“d”是从LED芯片11的侧部产生的光束中能够照射到引线框架的侧壁面21b的释放到引线框架20的上部的光束的区域的长度,“y”是芯片11的高度。
光所照射到引线框架20的侧壁面21b的区域的深度(d)可以通过下面示出的等式3来获得。
[等式3]
tan(a/2)=y/x=d/c,d=y/x×c,
这里,“x”是LED芯片11的宽度,“c”是腔25的宽度。
因此,腔25的深度(h)满足下面示出的等式1。
[等式1]
h=y/x×c+y/2
这里,“h”是腔25的深度,“x”是LED芯片11的宽度,“y”是LED芯片11的高度,“c”是腔25的宽度。
图17是根据引线框架20的形式在LED封装件中执行的高温负载可靠性测试的结果的曲线图。
如图17中所示,注意到,与具有平坦引线框架的LED封装件S2相比,包括具有腔的引线框架的LED封装件S1具有较小的劣化速率。
因此,通过在引线框架中包括腔,可以防止来自LED芯片的光使主体劣化。另外,通过可靠地设计腔的深度,可以更加有效地防止主体的劣化。
可以通过调节引线框架的数量来安装一个或多个LED芯片,在这种情况下,LED芯片均可以实现彼此相同的光或者彼此不同的光。
如所示出的,末端部分22通过主体30的两侧暴露,以将LED芯片11电连接到板。
末端部分22可以包括从主体30暴露的用于俯视式安装的电极22a、弯曲部分22b和用于侧视式安装的电极22c。
用于俯视式安装的电极22a从第一引线部分21的平坦面21a和第二引线部分24的平坦面24a延伸,从而从主体30的两侧固定地暴露。
在这种情况下,用于俯视式安装的电极22a弯曲为从平坦面21a和平坦面24a向下倾斜,从而位于主体30的下表面的水平。因此,当主体30的下表面安装在板(B)上时,用于俯视式安装的电极22a与板(B)电连接。
在本发明中,俯视式安装可以指将LED封装件水平安装在板上,使得用于俯视式安装的电极22a和板(B)电连接。
弯曲部分22b从用于俯视式安装的电极22a的端部延伸,并且朝向主体30的前侧弯曲。
用于侧视式安装的电极22c从弯曲部分的一侧垂直地弯曲,并延伸成与长侧方向上的侧面30b水平,其中,长侧方向上的侧面30b与主体30的短侧方向上的侧面30a成直角。
即,基于具有长方体结构的主体,用于俯视式安装的电极22a和弯曲部分22b设置在左侧和右侧的短侧方向侧30a上,用于侧视式安装的电极22c设置在与短侧方向侧30a成直角的长侧方向侧30b上。
因此,在LED封装件的主体30垂直安装在板(B)上的边光型的情况下,用于侧视式安装的电极22c与板(B)电连接。
根据主体30的长侧方向上的侧面30b的长度,用于侧视式安装的电极22c可以具有各种长度。
即,如图1中所示,用于侧视式安装的电极22c可以形成在短侧方向侧30a和长侧方向侧30b相交的角附近的部分,或者如图18a和图18b中所示,两个用于侧视式安装的电极22c可以以伸长的方式形成,使得用于侧视式安装的电极22c沿着主体的长侧方向侧30b接近。在这种情况下,可以通过以伸长的方式形成的用于侧视式安装的电极22c来增加与板(B)的接触面积,使得LED封装件稳定地安装,并且增强了释放LED芯片11产生的热的效果。
在本发明的示例性实施例中,侧视式安装可以指将LED封装件垂直地安装在板(B)上,使得用于侧视式安装的电极22c与板(B)电连接。
用于俯视式安装的电极22a、弯曲部分22b和用于侧视式安装的电极22c可以一体地形成,以通过压制等方法制造,引线框架20可以由具有良好的导热特性的材料(例如,Cu)来制成,以有效地释放LED芯片11产生的热。
图19是示出根据本发明第一示例性实施例的如何安装边光型(侧视型)LED封装件的局部透视图,图20是图19的LED封装件的主视图,图21是示出如何安装直下式(俯视型)LED封装件的局部透视图。
参照图19和图20,LED封装件通过连接到主体30的用于侧视式安装的电极22c电安装在板(B)上。因此,如图20中所示,主体30和板(B)连接,使得LED芯片11设置为与板(B)垂直。通过这种结构,LED封装件可以安装在导光板(未示出)的侧部。
另外,LED封装件可以通过沿着主体30的下表面平行设置的用于俯视式安装的电极22a与板(B)电连接,通过这种结构,LED芯片11可以设置为向板(B)的上部引导发射。
因此,借助具有用于俯视式安装的电极22a、弯曲部分22b和用于侧视式安装的电极22c的引线框架20,根据本发明当前示例性实施例的LED封装件可以公共地用作边光式LED封装件和直下式LED封装件,从而具有可以简化引线框架20的形状、可以降低制造模具的单位成本以及LED封装件公共使用为封装件的设计带来自由的优点。
另外,因为用于侧视式安装的电极22c、弯曲部分22b和用于俯视式安装的电极22a一体地形成,所以LED封装件的制造方便。
图22是根据本发明第二示例性实施例的LED封装件的透视图,图23是图22中的LED封装件的后侧的透视图。
如图22和图23中示出的根据本发明第二示例性实施例的LED封装件40包括与图1至图11中示出的第一示例性实施例的LED封装件的元件基本相同的元件,因此将省略这些元件的详细描述,并且将主要描述接触部分45的构造。
从第一引线部分21的平坦面21a延伸的接触部分45穿过主体的长侧方向侧30b,以被暴露。
即,从第一引线部分21的平坦面21a延伸的末端部分22从主体30的短侧方向侧30a暴露,而接触部分45从垂直于末端部分22的长侧方向侧30b暴露。
与末端部分22类似,接触部分45可以与第一引线部分21一体地形成,因此,接触部分45可以是引线框架20的一部分。
如所示出的,接触部分45可以设置在主体30的两侧,但是本发明不限于此。即,接触部分45可以仅设置在主体30的一侧,在这种情况下,在侧视式安装的情况下,接触部分45可以沿着安装在板(B)上的侧面设置。
接触部分45的端部可以朝向主体30的下表面弯曲(即,后表面)弯曲。因此,当安装主体30时,在侧视式安装的情况下,可以安装接触部分,使得以直角弯曲的面45a与板(B)接触,在俯视式安装的情况下,可以安装接触部分,使得端部45b与板(B)接触。
按照这种方式,在将LED封装件40安装在板(B)上的过程中,可以获得较宽的接触面积,从而通过增加的与基底的接触面积提供稳定的安装结构和有效地散热。另外,由于可以通过从主体暴露的接触面积另外地释放LED芯片产生的热,所以可以提高散热效率。
图24a是根据本发明第三示例性实施例的LED封装件的透视图,图24b是根据本发明第三示例性实施例的LED封装件的剖视图。
参照图24a和图24b,LED封装件50包括LED芯片11、引线框架51、主体30和接触部分55。
在图24a和图24b中示出的第三示例性实施例中,LED封装件的元件与图22和图23中示出的第二示例性实施例的元件基本相同。
在这种情况下,引线框架和接触部分的详细构造与第二示例性实施例的引线框架和接触部分的详细构造不同,因此将省略对如上所述示例性实施例的重复构造的描述,并且将仅描述引线框架51和接触部分55的构造。
在本示例性实施例中,接触部分55包括:底表面55c,LED芯片10安装在底表面55c上;侧壁面55b,从底表面55c向上倾斜地延伸;平坦面55a,从侧壁面55b水平地延伸。
因此,接触部分55通过底表面55c和侧壁面55b形成凹陷结构的腔56,LED芯片11容纳在腔56中。平坦面55a穿透主体30的长侧方向侧30b以被暴露,并且平坦面55a的暴露的端部可以朝向主体30的下表面(即,后表面)弯曲。
接触部分55设置在主体30的中心部分,从而包括LED芯片11的腔56从主体30的开口被暴露。引线框架51设置在接触部分55的两侧并且与LED芯片11电连接。
引线框架51包括与接触部分55分隔开的第一引线部分52和第二引线部分53,第一引线部分52和第二引线部分53设置在主体30的短侧方向侧30a上。
第一引线部分52和第二引线部分53分别包括平坦面52a和53a以及末端部分54,其中,平坦面52a和53a与接触部分55的平坦面55a分隔开一定距离、彼此面对并且通过布线与LED芯片电连接,末端部分54弯曲并从平坦面延伸,以从主体30的短侧方向侧30a暴露。
第一引线部分52和第二引线部分53的每个末端部分54可以穿透主体的两侧,从而被拉出并且被暴露,每个末端部分54可以向下弯曲,从而位于与主体30的下表面相同的水平。
末端部分54可以包括用于俯视式安装的电极54a、弯曲部分54b和用于侧视式安装的电极54c。末端部分54的详细结构与图1和图2中示出的前面的示例性实施例基本相同,所以将省略重复的描述。
当接触部分55形成为与引线框架51分开时,接触部分55可以起到与引线框架51的作用相同的作用。例如,当接触部分55具有正电极时,第一引线部分52和第二引线部分53均具有负电极,LED芯片11可以通过导电粘合剂等安装在接触部分55上。
接触部分55可以简单地使LED芯片11安装在接触部分55上,并且用作散热的热沉,在这种情况下,第一引线部分52和第二引线部分53具有不同的电极,LED芯片11通过非导电粘合剂等安装在接触部分55上。
现在将参照图25至图27描述根据本发明第四示例性实施例的LED封装件。
图25是示出根据本发明第四示例性实施例的LED封装件的状态的透视图,图26是示出图25的LED封装件的放大透视图,图27是示出图26的LED封装件的引线框架的平面图。
参照图25至图27,LED封装件60包括:一对引线框架62,具有牢固地安装在板(B)上的第一引线部分62a和从第一引线部分62a延伸并且与板(B)垂直的第二引线部分62b;LED芯片11,安装在第二引线部分62b上并且提供光;主体30,围绕其上安装有LED芯片11的第二引线部分62b的周围,并且具有开口31,以将来自LED芯片11的光提供给导光板。
安装在引线框架62的第二引线部分62b上的LED芯片11通过导电布线与第二引线部分62b电连接。然而,在本发明中,不排除安装在引线框架62的第二引线部分62b上的LED芯片11是倒装芯片键合的结构,所以导电布线不是必需的。
如果LED芯片11是蓝色LED,则LED封装件60可以包括形成在开口处的密封构件32,以提供白光。在这种情况下,密封构件32可以包含黄色磷光体。例如,可以通过将凝胶状的包含YAG基黄色磷光体的环氧树脂或者凝胶状的包含YAG黄色磷光体的硅树脂注入到主体30的开口31中,然后对其进行UV硬化或者热固化来形成密封构件32。
上面已经描述了密封构件32中包含的磷光体的详细构造,因此将省略磷光体的描述。
在本示例性实施例中,可以以各种方式修改LED封装件60的引线框架62。在这种情况下,本发明的主要技术特征在于:在分开形式的背光单元中,当从LED芯片11提供的光前进到板(B)的底表面的水平时,第一引线部分62a形成为处于光前进方向的水平、第一引线部分62a牢固并且稳固地附于板(B)上,并且第二引线部分62b形成为从第一引线部分62a延伸,使得第二引线部分62b与板(B)的底表面垂直。
根据本发明的引线框架62附加地包括第三引线部分62c,第三引线部分62c形成在第二引线部分62b的外侧上,平行地设置,并且具有宽度W4,其中,该宽度W4与主体30的厚度(t)相同或者小于主体30的厚度(t)。第三引线部分62c位于封装件主体30的侧面上,以进一步增加LED芯片11的散热效率。这里,如果主体30的厚度(t)是5mm,则形成在第二引线部分62b的外侧上的第三引线部分62c的宽度(W4)可以等于5mm或者小于5mm。
另外,根据本发明的分开形式的背光单元在结构方面具有使背光单元更薄的优点。即,主体30的宽度(W)可以增加,而降低了第二引线部分62b的高度,具体地,降低了主体30的厚度(h),从而增加了LED芯片11在与光前进方向垂直的方向上的尺寸,由此保持了与现有技术相同或者大于现有技术的光的量。另外,通过自由设计,例如形成主体使得构成引线框架62的第一引线部分62a的宽度(W1、W2和W3)和从第一引线部分62a的一侧到另一侧的整体宽度(W1至W3)大于主体30的宽度(W),可以进一步改善散热效果。
通过具有宽的宽度W1、W2和W3的第一引线部分62a的结构,当将LED封装件60安装在板(B)上时,可以通过自动装配工艺(例如,SMT)快速并且顺利地装配LED封装件60。因此,可以缩短装配工艺持续时间,以增加生产率。例如,引线框架62的第一引线部分62a通过凹陷并且在凹陷中填充焊料来紧固地与板(B)固定,其中,凹陷形成为允许布线从板(B)被暴露。
因此,引线框架62的第一引线部分62a作为对其施加电压的电极,同时,第一引线部分62a通过设置在下侧上的下盖(未示出)增加与板(B)接触的单位面积来顺利地散热。
现在将参照图28至图30来描述根据本发明第五示例性实施例的LED封装件。
图28是图26中的LED封装件的改进的透视图,图29是图28的LED封装件的改进的引线框架的平面图。
如图28中所示,与在图26中示出的LED封装件相比,根据本发明第五示例性实施例的LED封装件70被构造为:引线框架72的第一引线部分72a形成在与基于安装在主体30的开口上并且提供光的LED芯片11的光前进方向相反的方向上。具体地讲,引线框架72的第一引线部分72a形成为在与安装在第二引线部分72b上的LED芯片11提供的光前进的方向相反的方向上弯曲,其中,第二引线部分72b形成为垂直于板的底表面。
这种结构上的修改可以根据包括引线框架72的LED封装件的设计方便来进行,可以便于将LED封装件70安装在板(B)上的装配工艺,或者可以通过去除当从设置在导光板的一侧上的LED封装件60提供的光受到设置在光前进方向上的引线框架62的第一引线部分62a的干涉时,可能引入导光板的元件来提高亮度。
除了引线框架72的第一引线部分72a形成在与光前进方向相反的方向上的事实之外,根据第五示例性实施例的LED封装件与上述内容没有大的差别,因此将用如上所述LED封装件60的内容代替第五示例性实施例的LED封装件的详细描述。
另外,如图29中所示,引线框架72包括固定地附于板(B)的第一引线部分72a和垂直于第一引线部分72a延伸的第二引线部分72b,其中,LED芯片11安装在第二引线部分72b上。第一引线部分72a可以形成为仅包括两个第一引线部分72a的一对引线框架。
另外,在本发明的示例性实施例中,如图30中所示,可以形成一对引线框架72,所述一对引线框架72仅包括其上安装有LED芯片11的第二引线部分72b和形成为与第二引线部分72b垂直并且紧固地固定到板(B)的第一引线部分72a。
现在将参照图74和图75来描述根据本发明第六示例性实施例的LED封装件。
图74是示出根据本发明第六示例性实施例的发光器件封装件的结构的剖视图,图75是图74的平面图。
如图74和图75中所示,LED封装件包括金属核2010、形成在金属核2010上的绝缘层2020以及形成在绝缘层2020上的金属层2030。
绝缘层2020和金属层2030可以仅形成在金属核2010的顶表面上,然而,如图中所示,绝缘层2020和金属层2030可以形成在金属核2010的顶表面和底表面上。
通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分来形成暴露金属核2010的顶表面的第一腔2040。第一腔2040提供用于安装发光器件2060的空间,并且第一腔2040可以通过诸如机械加工或者蚀刻等的加工方法形成。
这里,金属层2030可以具有在与第一腔2040相邻的位置上彼此电分离的第一电极2030a和第二电极2030b。
发光器件2060直接安装在金属核2010的被第一腔2040暴露的顶表面上。
金属核2010可以由具有高导热率的材料例如,诸如铝(Al)等的金属制成。
绝缘层2020作为氧化物膜层(Al2O3)可以通过对由Al制成的金属核2010进行阳极化处理来形成,或者可以通过传统的绝缘层例如聚合物基绝缘层等形成,绝缘层2020可以形成在金属核2010的表面上,然而,优选地通过具有相对高的导热率和薄厚度而形成能够实现低热阻的氧化物膜层(Al2O3)。
Al是以相对低的成本容易获得的金属材料,并且Al还具有非常高的导热率。另外,通过阳极化处理得到的氧化物膜层(Al2O3)还具有相对高的大约10~30W/mK的导热率。
因此,与由传统的聚合物材料制成的PCB(印刷电路板)或者MCPCB(金属核印刷电路板)相比,金属核2010可以具有高的散热性能。另外,阳极化处理Al的工艺是相对容易的工艺,降低了工艺成本并缩短了工艺时间。
发光器件2060作为用于产生光的光源器件(例如,发光二极管)直接安装在金属核2010的顶表面上,以进行连接。
此外,发光器件2060和设置在与第一腔2040相邻的位置上的金属层2030(例如,第一电极2030a)可以通过键合引线2070电连接。
通过上述构造,电连接到金属核2010和绝缘层2020上的第一电极2030a的发光器件2060被操作为通过金属核2010和第一电极2030a施加电力来向外部发光。
即,在根据本实施例的LED封装件中,发光器件2060具有竖直电极结构,发光器件2060的一个电极(未示出)直接连接到金属核2010,发光器件2060的另一个电极(未示出)通过键合引线2070连接到相邻的金属层2030。
因此,优选地,当金属核具有电(+)极性时,第一电极2030a的引线键合到发光器件2060的部分具有电(-)极性。
如上所述,根据本实施例的LED封装件直接将发光器件2060安装在由具有高导热率的Al制成的金属核2010上,从而通过金属核2010向外部有效地释放发光器件2060产生的热。
此外,金属核2010不仅用作安装发光器件2060的基底,而且用作向发光器件2060施加电力的一个电通路,从而通过简化LED封装件的组件和制造工艺降低了制造成本。
此时,在与安装发光器件2060的第一腔分隔开预定距离的位置上,通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分来形成第二腔2050,以暴露金属核2010的顶表面。
第二腔2050是开放的部分,起到将金属核2010电连接到外部的封装件的作用,从而通过连接器或者其他连接方法将该器件连接到外部。
用于电连接到外部的导电层2080可以形成在金属核2010的位于第二腔2050中的顶表面上。所述导电层可以由Au、Ag、Ni或Cu等制成。
导电层2080可以是用镀覆方法或者高温固化金属膏形成的金属镀层。
如上所述,因为根据第六实施例的LED封装件直接将发光器件2060安装在金属核2010的顶表面上,所以提高了LED封装件的散热性能,从而可以应用于产生高热的器件,并且进一步简化了LED封装件的整体结构及其制造工艺,降低了成本。
这里,图76是示出根据本发明第六实施例的包括帽的LED封装件的结构的剖视图,图77是示出包括用于固定图76中的帽的沟槽的LED封装件的结构的平面图,图78是示出帽的示例的图。
在根据本发明第六实施例的发光器件封装件中,如图76中所示,帽2200可以形成在安装发光器件2060的第一腔2040的上部。
帽2200可以是用于保护发光器件2060的保护帽或透镜。
此时,如图77中所示,在与安装发光器件2060的第一腔2040相邻的位置上,还通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分来形成沟槽2100,以暴露金属核2010的顶表面。
沟槽2100是为了容易地布置和固定帽2200的位置,本发明不限制沟槽2100的数量和位置。
此外,如图78中所示,形成在帽2200的周围部分上的突起2210插入到沟槽2100中,帽2200可以结合到第一腔2040的上部。
如上所述,当在发光器件2060的上部上形成帽2200时,通过形成暴露金属核2010的沟槽2100并且将形成在帽2200的周围部分上的突起2210插入到沟槽2100中,可以容易地布置帽2200的位置,并且也可以稳定地固定帽2200,使帽2200不移动。
将参照图79来描述第六实施例的改进实施例。只不过将省略改进实施例与第六实施例的构造相同的构造的描述,并且将仅详细描述改进实施例与第六实施例的构造不同的构造。
图79是示出根据第六实施例的LED封装件的改进实施例的剖视图。
根据第六实施例的改进实施例,LED封装件的大多数构造与根据第六实施例的上述LED封装件的构造相同,只不过如图79中所示,与根据第六实施例的LED封装件的区别在于通过去除顺序形成在金属核2010的底表面上的绝缘层和金属层的部分来形成暴露金属核2010的底表面的第三腔2045。
第三腔2045优选地形成在与暴露金属核2010的顶表面的第一腔对应的位置上。
根据第六实施例的改进实施例,通过在与第一腔2040竖直对应的位置上形成的第三腔2045,LED封装件能够防止金属核2010的翘曲或变形,并且能够获得与根据第六实施例的LED封装件的操作和效果相同的操作和效果。
在下文中,将参照图80至图85来详细描述根据本发明第六实施例的LED封装件的制造方法。
图80至图85是顺序示出根据第六实施例的LED封装件的制造方法的剖视图。
首先,如图80中所示,提供金属核2010。金属核可以由铝等制成。
然后,如图81中所示,在金属核2010上形成绝缘层2020。绝缘层2020可以通过对如图中所示的金属核2010的顶表面和底表面或者仅对金属核2010的顶表面进行阳极化处理来形成。
接着,如图82中所示,在绝缘层2020上形成金属层2030。与绝缘层2020类似,金属层2030可以形成在金属核2010的上部和下部上,或者仅形成在金属核的上部上。
然后,如图83中所示,通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分形成暴露金属核2010的顶表面的第一腔2040。这里,在形成第一腔2040之后,通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分在与第一腔2040分隔开预定距离的位置上形成暴露金属核的顶表面的第二腔2050。在形成第一腔2040时,可以同时形成第二腔2050。
然后,如图84中所示,具有垂直电极结构的发光器件2060直接安装在金属核2010的位于第一腔2040中的顶表面上,然后,发光器件2060和位于与第一腔2040相邻的位置上的金属层2030通过键合引线2070电连接。
接着,如图85中所示,在金属核2010的位于第二腔2050中的顶表面上形成导电层2080。导电层2080可以由Au、Ag、Ni或Cu等制成。此外,导电层2080可以是用镀覆方法或者高温固化金属膏形成的金属镀层。
同时,如上所述,当在金属核2010的底表面以及金属核2010的顶表面上形成绝缘层2020和金属层2030时,尽管图中未示出,但是可以通过去除形成在金属核2010的底表面上的金属层2030和绝缘层2020的部分来形成第三腔(参见图79中的标号“2045”),以暴露金属核2010的在与第一腔2040对应的位置上的底表面。在这种情况下,可以通过第三腔2045来防止金属核2010的翘曲或变形。
然后,可以在安装发光器件2060的第一腔2040的上部上形成帽2200。当形成帽2200时,还可以通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分在与第一腔2040相邻的位置上形成沟槽2100,以暴露金属核2010的顶表面。
接着,将在周边部分上形成有突起2210的帽结合到第一腔2040的上部。此时,优选地,将形成在帽2200上的突起插入到沟槽2100中。
在下文中,将参照图86来详细描述根据本发明第七实施例的LED封装件。只不过将省略第七实施例与第六实施例的构造相同的构造的描述,并且将仅详细描述第七实施例与第六实施例的构造不同的构造。
图86是示出根据本发明第七实施例的LED封装件的结构的剖视图。
如图86中所示,根据第七实施例,LED封装件的大多数构造与根据第六实施例的LED封装件的构造相同,与根据第六实施例的LED封装件的区别仅在于发光器件2061具有平行电极结构而不是垂直结构的封装件,发光器件2061的一个电极(未示出)通过第一键合引线2071电连接到金属层2030的第一电极2030a,发光器件2061的另一个电极(未示出)通过第二键合引线2072电连接到第二电极2030b,其中,第二电极2030b与第一电极2030a电分离。
即,根据本发明的第七实施例,LED封装件包括金属核2010、形成在金属核2010上的绝缘层2020、形成在绝缘层2020上并且具有彼此电分离的第一电极2030a和第二电极2030b的金属层2030、通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分形成的暴露金属核2010的顶表面的第一腔2040、以及直接安装在金属核2010的位于第一腔2040中的顶表面上的具有平行电极结构的发光器件2061。
金属核2010可以是铝等,绝缘层2020可以由通过阳极化处理形成的氧化物膜层(Al2O3)等组成。
如上所述,发光器件2061通过第一键合引线2071连接到第一电极2030a,并且通过第二键合引线2072连接到第二电极2030b。
优选地,电连接到发光器件2061的第一电极2030a和第二电极2030b位于与安装发光器件2061的第一腔2040相邻的位置上,以便于引线键合工艺。
发光器件2061被操作为通过金属层2030的第一电极2030a和第二电极2030b施加电力向外部发光。因此,优选地,当第一电极2030a具有电(-)极性时,第二电极2030b具有电(+)极性。
在与第一腔2040分隔开预定距离的位置上,通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分形成第二腔2050,以暴露金属核2010的顶表面。
用于电连接到外部的导电层2080可以形成在金属核2010的位于第二腔中的顶表面上,并且可以由Au、Ag、Ni或Cu等制成。导电层2080可以是用镀覆方法或者高温固化金属膏形成的金属镀层。
此外,尽管图中未示出,但是与第六实施例的改进实施例类似,根据本发明的第七实施例,发光器件封装件还可以包括顺序形成在金属核2010的底表面上的绝缘层2020和金属层2030并且具有暴露金属核2010的位于与第一腔2040对应的位置上的底表面的第三腔(参照图79中的标号“2045”)。
另外,根据与本发明的上述第六实施例类似的本发明的第七实施例,LED封装件还可以包括通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分在与第一腔2040相邻的位置上暴露金属核2010的顶表面的沟槽2100。另外,形成在帽2200的周围部分上的突起2210插入沟槽2100中,并且帽2200可以结合到第一腔2040的上部。
根据本发明的第七实施例,LED封装件通过将发光器件2061直接安装在具有高导热率的金属核2010的顶表面上,能够提高散热性能,并且能够简化整体结构和制造工艺。
将参照图87描述第七实施例的改进实施例。只不过将省略改进实施例与第七实施例的构造相同的构造的描述,并且将仅详细描述改进实施例与第七实施例的构造不同的构造。
图87是示出根据本发明第七实施例的LED封装件的改进实施例的剖视图。
如图87中所示,根据本发明第七实施例的改进实施例,LED封装件的大部分构造与根据第七实施例的上述LED封装件的构造相同,与根据第七实施例的LED封装件区别仅在于具有平行电极结构的发光器件2061的一个电极(未示出)通过第一键合引线2071电连接到第一电极2030a,发光器件2061的另一个电极(未示出)通过第二键合引线2072电连接到通过第一腔2040暴露的金属核2010。
此时,优选地,当金属核2010具有电(+)极性时,第一电极2030a具有电(-)极性。
此外,尽管在图中未示出,但是与第六实施例的上述改进实施例类似,根据第七实施例的改进实施例,LED封装件还可以包括顺序形成在金属核2010的底表面上的绝缘层2020和金属层2030并且具有暴露金属核2010的位于与第一腔2040对应的位置上的底表面的第三腔(参照图79中的标号“2045”)。
此外,如上所述,根据本发明的第七实施例的改进实施例,LED封装件还可以包括:沟槽2100,形成在与第一腔2040相邻的位置上,以暴露金属核2010的顶表面;帽2200,通过将形成在帽2200的周围部分上的突起2210插入沟槽2100中,帽2200结合到第一腔2040的上部。
根据本发明第七实施例的改进实施例,通过金属核将直接安装在金属核2010上的发光器件2061产生的热向外释放,LED封装件能够提高散热性能。
此外,金属核用作向发光器件2061施加电力的一个电通路,因此简化了LED封装件的组件和制造工艺,降低了成本。
在下文中,将参照图80至图83、图86和图87来详细描述根据本发明第七实施例的LED封装件的制造方法。只不过将省略第七实施例与第六实施例的构造相同构造的描述,并且将仅详细描述第七实施例与第六实施例的构造不同的构造。
首先,如图80中所示,提供金属核2010,然后,如图81中所示,在金属核2010上形成绝缘层2020。
接着,如图82中所示,在绝缘层2020上形成金属层2030。
然后,如图83中所示,通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分形成暴露金属核2010的顶表面的第一腔2040。此时,彼此电分离的第一电极2030a和第二电极2030b可以形成在与第一腔2040相邻的绝缘层2020上。
这里,在形成第一腔2040之后,通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分在与第一腔2040分隔开预定距离的位置上形成暴露金属核2010的顶表面的第二腔2050。在形成第一腔2040时,可以同时形成第二腔2050。
然后,如图86中所示,具有平行电极结构的发光器件2061直接安装在金属核2010的位于第一腔2040中的顶表面上,然后,发光器件2061和第一电极2030a通过第一键合引线2071电连接,发光器件2061和第二电极2030b通过第二键合引线2072电连接。
然后,在金属核2010的位于第二腔2050中的顶表面上形成导电层2080。
此时,发光器件2061可以如图87中所示电连接到被第一腔暴露的金属核2010,而不是如图86中所示通过第二键合引线2072电连接到第二电极2030b。
另外,如上所述,当绝缘层2020和金属层2030形成在金属核2010的底表面上时,尽管图中未示出,但是可以通过去除形成在金属核2010的底表面上的金属层2030和绝缘层2020的部分来形成第三腔(参照图79中的标号“2045”),以暴露金属核2010的在与第一腔2040对应的位置上的底表面。
在下文中,将参照图88来详细描述根据本发明第八实施例的发光器件封装件。只不过将省略第八实施例与第六实施例的构造相同构造的描述,并且将仅详细描述第八实施例与第六实施例的构造不同的构造。
图88是示出根据本发明第八实施例的LED封装件的结构的剖视图。
如图88中所示,根据本发明的第八实施例,LED封装件的大部分构造与根据第六实施例的上述LED封装件的构造相同,与根据第六实施例的LED封装件的区别仅在于:发光器件2062具有倒装芯片结构而不是垂直电极结构,并且发光器件2062包括位于底表面上的连接单元2090,连接单元2090分别电连接到被第一腔2040暴露的金属核2010和第一电极2030a。
优选地,电连接到发光器件2062的连接单元2090中的任何一个连接单元的第一电极2030a位于与安装发光器件2062的第一腔相邻的位置上,从而便于倒装芯片键合工艺。
此时,优选地,电连接到发光器件2062的连接单元2090的金属核2010具有电(+)极性,第一电极2030a具有电(-)极性。
这里,连接单元2090可以由在图中示出的焊球或者凸块(未示出)和焊盘(未示出)组成。
此外,与第六实施例的改进实施例类似,根据第八实施例的改进实施例,尽管图中未示出,但是LED封装件还可以包括顺序形成在金属核2010的底表面上的绝缘层2020和金属层2030并且具有暴露金属核2010的位于与第一腔2040对应的位置上的底表面的第三腔(参照图79中的标号“2045”)。
通过倒装芯片键合代替引线键合将发光器件2062直接安装在金属核2010上,根据第八实施例的LED封装件能够获得与第六实施例的LED封装件的操作和效果相同的操作和效果。
在下文中,将参照图80至图83和图88来详细描述根据本发明第八实施例的LED封装件的制造方法。只不过将省略第八实施例与第六实施例的构造相同构造的描述,并且将仅详细描述第八实施例与第六实施例的构造不同的构造。
首先,如图80中所示,提供金属核2010,然后,如图81中所示,在金属核2010上形成绝缘层2020。
接着,如图82中所示,在绝缘层2020上形成金属层2030。
然后,如图83中所示,通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分形成暴露金属核2010的顶表面的第一腔2040。此时,彼此电分离的第一电极2030a和第二电极2030b可以形成在与第一腔2040相邻的绝缘层2020上。
在形成第一腔2040之后,在与第一腔2040分隔开预定距离的位置上形成暴露金属核2010的顶表面的第二腔2050。在形成第一腔2040时,可以同时形成第二腔2050。
然后,如图88中所示,发光器件2062直接安装在金属核2010的位于第一腔2040中的顶表面上。然后,在金属核2010的位于第二腔2050中的顶表面上形成导电层2080。
这里,根据本发明的第八实施例,LED封装件的发光器件2062包括位于底表面上的连接单元2090。连接单元2090可以由凸块、焊盘或者焊球等组成,并且分别电连接到金属核2010和第一电极2030a。
同时,如上所述,当绝缘层2020和金属层2030形成在金属核2010的底表面上时,可以通过去除形成在金属核2010的底表面上的金属层2030和绝缘层2020的部分来形成第三腔(参照图79中的标号“2045”),以暴露金属核2010的位于与第一腔2040对应的位置上的底表面。
在下文中,将参照图89至图91来详细描述根据本发明第九实施例的LED封装件。只不过将省略第九实施例与第六实施例的构造相同构造的描述,并且将仅详细描述第九实施例与第六实施例的构造不同的构造。
图89是示出根据本发明第九实施例的LED封装件的结构的剖视图,图90和图91是示出根据本发明第九实施例的LED封装件的结构的平面图,其中,图90是示出第一电极形成在上腔的部分内表面上的图,图91是示出第一电极形成在上腔的整个内表面上的图。
如图89中所示,根据本发明第九实施例,LED封装件的大部分构造与根据第六实施例的上述LED封装件的构造相同,与根据第六实施例的LED封装件的区别仅在于:腔2040具有下腔2041和上腔2042的二阶结构,通过键合引线2070电连接到发光器件2060的第一电极2030a以及形成在第一电极2030a的下部上的绝缘层2020延伸到上腔2042的内表面。
即,根据本发明的第九实施例,LED封装件包括:金属核2010,具有由下腔2041和上腔2042组成的第一腔2040;绝缘层2020,形成在金属核2010除了下腔2041之外的顶表面上,包括上腔2042的内表面上;金属层2030,形成在绝缘层2020上,并且具有彼此电分离的第一电极2030a和第二电极2030b;发光器件2060,直接安装在金属核2010上并位于下腔2041中;键合引线2070,将发光器件2060和第一电极2030a电连接。
此时,当金属核2010具有电(+)极性时,第一电极2030a可以具有电(-)极性。
构成第一腔2040的下腔2041可以按照能够安装发光器件2060的尺寸形成。
优选地,通过键合引线2070电连接到发光器件2060的第一电极2030a位于与安装发光器件2060的第一腔2040相邻的位置上,以便于引线键合工艺。
具体地讲,在本发明的第九实施例中,优选地,第一电极2030a延伸到上腔2042的内表面,键合引线2070键合到第一电极2030a的形成在上腔2042的内表面上的部分。
另外,优选地,键合引线2070的高度形成为低于形成在金属核2010上的金属层2030的没有形成第一腔2040的顶表面的高度。
通过上述构造,当将模制材料填充到第一腔2040中以保护发光器件2060和键合引线2070时,模制材料填充为完全覆盖键合引线2070,因此通过防止键合引线2070暴露到模制材料的上部,可以防止在进行处理时诸如键合引线2070的断开的损坏。
同时,形成在上腔2042的内表面上的第一电极2030a可以如图90中所示形成在上腔2042的部分内表面上,或者如图91中所示形成在上腔2042的整个内表面上。
另外,尽管未示出,但是与第六实施例的改进实施例类似,根据本发明第九实施例,LED封装件还可以包括顺序形成在金属核2010的底表面上的绝缘层2020和金属层2030并且具有暴露金属核2010的位于与第一腔2040对应的位置上的底表面的第三腔(参照图79中的标号“2045”)。
此外,根据本发明的第九实施例,如上所述,LED封装件还可以包括通过去除金属层2030和绝缘层2020的部分暴露金属核2010的在与第一腔2040相邻的位置上的顶表面的沟槽2100。此外,将形成在帽2200的周围部分上的突起2210插入到沟槽2100中,帽2200可以结合到第一腔2040的上部。
根据本发明的第九实施例,通过形成在金属核2010上的具有二阶结构的第一腔2040并且将发光器件2060安装在第一腔2040的下腔2041中,形成电连接到基底内侧的发光器件2060而不是突出到包括金属核2010的基底的上部的键合引线2070,LED封装件能够获得相同的操作和效果,并且进一步防止对键合引线2070的损坏,从而提高了可靠性。
将参照图92描述第九实施例的改进实施例。只不过将省略改进实施例与第九实施例的构造相同构造的描述,并且将仅详细描述改进实施例与第九实施例的构造不同的构造。
图92是示出根据本发明第九实施例的LED封装件的改进实施例的剖视图。
如图92中所示,根据本发明第九实施例的改进实施例,LED封装件的大部分构造与根据第九实施例的上述LED封装件的构造相同,与根据第九实施例的LED封装件的区别仅在于:发光器件2060具有平行电极结构而不是垂直电极结构,发光器件2060的一个电极(未示出)通过第一键合引线2071电连接到第一电极2030a,发光器件2060的另一个电极(未示出)通过第二键合引线2072电连接到金属核2010的没有形成绝缘层2020的部分。
此时,优选地,当金属核2010具有电(+)极性时,第一电极2030a具有电(-)极性。
另外,根据第九实施例的改进实施例,如上所述,LED封装件还可以包括顺序形成在金属核2010的底表面上的绝缘层2020和金属层2030并且具有暴露金属核2010的位于与第一腔2040对应的位置上的底表面的第三腔(参照图79中的标号“2045”)。
此外,根据第九实施例的改进实施例,LED封装件还可以包括:沟槽2100,形成在与第一腔2040相邻的位置上,以暴露金属核2010的顶表面;帽2200,通过将形成在帽2200的周围部分上的突起2210插入沟槽2100中,将帽2200结合到第一腔2040的上部。
在下文中,将参照图89来详细描述根据本发明第九实施例的LED封装件的制造方法。只不过将省略第九实施例与第六实施例的构造相同构造的描述,并且将仅详细描述第九实施例与第六实施例的构造不同的构造。
参照图89,首先,提供具有由下腔2041和上腔2042组成的第一腔2040的金属核2010。
然后,在金属核2010的除了下腔2041之外的顶表面上(包括上腔2042的内表面上)形成绝缘层2020,然后,在绝缘层2020上形成具有彼此电分离的第一电极2030a和第二电极2030b的金属层2030。
绝缘层2020可以形成在上腔2042的部分内表面上或者上腔2042的整个内表面上。另外,形成在绝缘层2020上的第一电极2030a可以形成到上腔2042的内表面,并且位于与第一腔2040相邻的位置上。即,第一电极2030a可以形成在绝缘层2020上,所述绝缘层2020形成在上腔2042的部分内表面上或者形成在上腔2042的整个内表面上。
同时,在本发明中,如上所述,绝缘层2020和金属层2030顺序形成在其上形成有下腔2041和上腔2042的金属核2010上,然而,在金属核2010上形成上腔2042之后,可以在其上形成有上腔2042的金属核2010上形成绝缘层2020和金属层2030,然后可以通过蚀刻金属层2030、绝缘层2020和金属核2010的一部分来形成下腔2041。本发明不限制金属核2010的下腔2041和上腔2042、绝缘层2020和金属层2030的形成顺序。
然后,在与第一腔2040分隔开预定距离的位置上,通过去除金属层2030和绝缘层2020的一部分来形成第二腔2050,以暴露金属核2010的顶表面。然后,在金属核2010的位于第二腔2050中的顶表面上形成导电层2080。
然后,将发光器件2060直接安装在金属核2010上且在下腔2041中,接着,通过键合引线2070将发光器件2060和第一电极2030a电连接。
优选地,键合引线2070的高度形成为低于形成在金属核上的金属层2030的没有形成第一腔2040的顶表面的高度。
这里,在通过键合引线2070连接发光器件2060和第一电极2030a之前或者之后,如图92中所示,可以通过第二键合引线2072将发光器件2060与金属核2010的没有形成绝缘层2020的部分电连接。
然后,尽管图中未示出,但是将模制材料(未示出)填充到第一腔2040中,以保护发光器件2060和键合引线2070。此时,根据本发明的第九实施例,有利之处在于,通过填充的模制材料完全覆盖键合引线2070,防止键合引线2070暴露到模制材料的上部,从而在进行处理时防止诸如键合引线2070的断开的损坏。
参照图93至图96,将描述根据本发明第十实施例的LED封装件。
图93和图94是根据本发明第十实施例的LED封装件的剖视图。
如图93中所示,根据本发明第十实施例的LED封装件包括:金属基底3100,具有形成在其中的一个或多个通孔3110;绝缘层3120,形成在金属基底3100的包括通孔3110的内表面的表面上;多个金属图案3130,形成在绝缘层3120上并且彼此电隔离;LED芯片3140,安装在多个金属图案3130中的金属图案3130上。
金属基底3100可以由具有优良的导热率的金属例如铝(Al)形成。
绝缘层3120(氧化物膜层(Al2O3))可以通过阳极化处理形成在由铝构成的金属基底3100上。所述阳极化处理可以利用有机酸、硫酸或者它们的混合酸来执行。
铝是能够以相对低的价格获得的金属材料,并且具有优良的导热率。此外,通过阳极化处理获得的氧化物膜层(Al2O3)也具有10-30W/mK的相对高的导热率,并且可以形成小的厚度,从而实现了低热阻。
因此,与由铜或陶瓷形成的传统基底相比,金属基底3100显示出更加优良的散热性能。此外,对铝进行阳极化的阳极化处理是相对简单的工艺,该工艺的工艺成本相对低,并且工艺时间相对短。
通孔3110可以通过钻孔、冲压或者蚀刻工艺来形成,并且可以用来将形成在金属基底3100的顶表面和底表面上的金属图案3130电连接。
可以用形成在通孔3110的内表面上的绝缘层3120和金属图案3130完全填充通孔3110。然而,如图93中所示,当绝缘层3120和金属图案3130以小的厚度沿着通孔3110的内表面顺序形成时,通孔3110的内侧不会完全充满,在这种情况下,可以用通孔填充物3135填充通孔3110的内部空间。通孔填充物3135可以由导电材料例如金属或者非导电材料例如环氧树脂组成。
在多个金属图案3130中,其上安装有LED芯片3140的金属图案3130可以形成在金属基底3100的通过部分地去除绝缘层3120而暴露的顶表面上。在这种情况下,如上所述,LED芯片3140可以安装在形成在金属基底3100的顶表面上的金属图案3130上,然而LED芯片3140可以安装为跨过形成在金属基底3100的顶表面上的金属图案3130和与金属图案3130相邻的绝缘层3120。
由于其上安装有LED芯片3140的金属图案3130不形成在绝缘层3120上,而是直接连接到金属基底3100的顶表面,所以可以有效地向外部散发LED芯片3140产生的热。
在金属基底3100的底表面上,另一个金属图案3130可以形成在与其上安装有LED芯片3140的金属图案3130对应的位置,并且用来有效地散发LED芯片3140产生的热。
在这种情况下,形成在金属基底3100的底表面上以与LED芯片3140对应的金属图案3130可以与相邻的金属图案3130电隔离,从而仅用作散热层,如图93中所示。然而,如图94中所示,金属图案3130可以延伸,以电连接到相邻的金属图案3130,从而用作散热层和电极。
LED芯片3140可以是垂直LED芯片。在这种情况下,LED芯片3140的任何一个电极(未示出)可以电连接到其上安装有LED芯片3140的金属图案3130,LED芯片3140的另一个电极(未示出)可以通过引线3150电连接到不安装LED芯片的金属图案3130。此时,通过引线3150连接到LED芯片3140的金属图案3130形成为通过通孔3110延伸到金属基底3100的底表面。
引线3150可以由金、铝或铜形成。
在金属基底3100上形成模制部分3160,从而覆盖LED芯片3140和引线3150。
模制部分3160可以通过注入成型、转印成型或者针点浇口成型方法利用硅树脂、环氧树脂或环氧模制化合物(EMC)以期望的形状形成。
如图93和图94中所示,模制部分3160形成半球形形状。然而,不对其进行限制,模制部分3160可以以各种形状例如梯形、矩形等形成。
图95和图96是示出根据本发明第十实施例的水平LED芯片安装在LED封装件上的示例的剖视图。
在本发明的第十实施例中,水平LED芯片可以代替垂直LED芯片用作LED芯片3140。在这种情况下,如图95中所示,水平LED芯片3140的任何一个电极(未示出)可以通过第一引线3150a电连接到不安装LED芯片3140的金属图案3130,水平LED芯片3140的另一个电极(未示出)可以通过第二引线3150b电连接到其上安装有LED芯片3140的金属图案3130。
此时,第二引线3150b可以不如上所述电连接到其上安装有LED芯片3140的金属图案3130,而是第二引线3150b可以电连接到不安装LED芯片3140的分开的金属图案3130,如图96中所示。连接到第二引线3150b的分开的金属图案3130可以形成在金属基底3100的通过部分地去除绝缘层3120而暴露的顶表面上。
在根据本发明第十实施例的LED封装件中,连接到通孔3110和金属基底3100的金属图案3130用作电连接到LED芯片3140的电极。金属图案3130中形成在金属基底3100的底表面上的任何一个金属图案3130可以形成在金属基底3100的通过部分地去除绝缘层3120而暴露的底表面上,从而直接连接到金属基底3100。
此外,通过利用由铝形成并且形成有通孔3110的金属基底3100,可以得到优良的散热效果。因此,可以使用具有相对大的发热值的高功率LED芯片以及具有相对低的发热值的低功率LED芯片,这使得可以提高LED封装件的光学特性。
此外,由于通过阳极化工艺在金属基底3100上形成绝缘层3120,所以绝缘层3120与金属基底3100一体形成,这使得可以提高封装件的耐久性。
图97是根据本发明第十实施例的改进的LED封装件的剖视图。如图97中所示,在多个金属图案3130中,具有安装在其上的LED芯片3140的金属图案3130可以形成在通过部分地去除绝缘层3120和金属基底3100而形成的腔3105的顶表面上。
当LED芯片3140安装在腔3105内时,可以减小位于LED芯片3140下方的金属基底3100的厚度。因此,由于缩短了LED芯片3140的散热通路,所以可以进一步提高LED封装件的散热性能。
参照图98至图105,将描述根据本发明第十实施例的LED封装件的制造方法。
图98至图105是顺序示出根据本发明第十实施例的LED封装件的制造方法的工艺图。
如图98中所示,制备金属基底3100。
金属基底3100可以是经历了清洗铝板表面上存在的污染物(例如有机物质)的工艺的铝板。
如图98中所示,金属基底3100可以形成为正方形形状。根据处理的铝板,金属基底3100可以形成为各种形状,例如矩形、圆形等。考虑到工艺以及工艺之后的产品可靠性,金属基底3100的厚度可以设置为大于大约0.1mm。
接下来,如图99中所示,形成穿过金属基底3100的多个通孔3110。如上所述,可以通过钻孔、冲压或者蚀刻工艺来形成通孔3110。
然后,如图100中所示,通过阳极化工艺在金属基底3100的包括通孔3110的内表面的表面上形成绝缘层3120。
接着,如图101和图102中所示,按照部分地暴露金属基底3100的顶表面和底表面的方式部分地去除绝缘层3120。可以通过蚀刻工艺来执行绝缘层3120的去除。
在部分地暴露金属基底3100的顶表面和底表面之后,可以另外地蚀刻金属基底3100的暴露的顶表面,以形成具有预定深度的腔3105,如图97中所示。
图101示出了部分地暴露金属基底3100的顶表面的状态,图102示出了部分地暴露金属基底3100的底表面的状态。
接着,如图103中所示,在包括金属基底3100的暴露部分的绝缘层3120上形成金属层3130a。金属层3130a可以通过电镀方法、无电镀方法或者金属沉积方法形成。
当形成金属层3130a时,可以用金属层3130a完全填充通孔3110。当沿着通孔3110的内表面形成薄的金属层3130a时,通孔3110不会被完全充满。当通孔3110没有被完全充满时,可以另外执行用通孔填充物3135填充通孔3110的工艺,或者可以不执行该工艺。通孔填充物3135可以由导电材料或者非导电材料组成。
接着,如图104中所示,将金属层3130a图案化,从而形成位于金属基底3100和绝缘层3120的顶表面和底表面的暴露部分上的多个金属图案3130,多个金属图案3130彼此电隔离。
然后,如图105中所示,将LED芯片3140安装在金属图案3130上。在这种情况下,LED芯片3140可以安装在形成在金属基底3100的暴露的顶表面上的金属图案3130上。
当安装LED芯片3140时,可以采用裸片键合方法,在该方法中,在将要在其上安装LED芯片3140的金属图案3130上涂覆银膏、透明环氧树脂或者焊料,并且在预定温度下对安装在金属图案3130上的LED芯片3140进行热处理。可选地,可以采用无焊剂键合方法或者焊剂共晶键合方法。
由于LED芯片3140安装在直接连接到金属基底3100的顶表面的金属图案3130上,所以可以通过金属基底3100将LED芯片3140产生的热有效地散发到外部。
接着,形成将LED芯片3140电连接到其上没有安装LED芯片3140的金属图案3130的引线3150。尽管未示出,但是在金属基底3100上形成模制部分3160(参照图93),从而覆盖LED芯片3140和引线3150。
接着,沿着切割线切割金属基底3100,从而制造多个单元LED封装件。单元LED封装件包括一个LED芯片3140和一个或多个通孔3110。当切割金属基底3100时,可以使用切割刀片或者切割模具。
参照图106至图113,将描述根据本发明第十一实施例的LED封装件。在第十一实施例的构造中,将省略与第十实施例的组件相同组件的重复描述。
图106是根据本发明第十一实施例的LED封装件的剖视图。图107至图111是根据本发明第十一实施例的改进的LED封装件的剖视图。
如图106中所示,根据本发明第十一实施例的LED封装件具有与根据第十实施例的LED封装件的构造几乎相同的构造,与第十实施例的区别仅在于形成了两个或更多的通孔3110。
即,根据本发明第十一实施例的LED封装件包括:金属基底3100,具有形成在其中的两个或者更多的通孔3110;绝缘层3120,形成在包括通孔3110的内表面的金属基底的表面上;多个金属图案3130,形成在绝缘层3120上并且彼此电隔离;LED芯片3140,安装在多个金属图案3130中的金属图案3130上。
金属基底3100可以由铝形成,绝缘层3120可以由通过阳极化处理形成的氧化物膜层(Al2O3)组成。
如图107中所示,金属基底3100可以具有设置在安装有LED芯片3140的位置的腔3105,腔3105具有预定深度。当腔3105设置在金属基底3100中时,可以减小位于LED芯片3140下方的金属基底3100的厚度,这使得可以增加通过金属基底3100向外部散发LED芯片3140产生的热的散热效果。
在金属基底3100的底表面上,金属图案3130可以形成在与安装LED芯片3140的部分位置对应的位置中,并且用来有效地散发LED芯片3140产生的热。
形成在金属基底3100的底表面上以与LED芯片3140对应的金属图案3130可以与相邻的金属图案3130电隔离,从而仅用作散热层,如图106中所示。然而,如图108中所示,金属图案3130可以延伸为电连接到相邻的金属图案3130,从而作为散热层和电极。
形成在金属基底3100的底表面上以与LED芯片3140对应的金属图案3130可以形成在形成在金属基底3100的底表面上的绝缘层3120上,如图106中所示。然而,如图109中所示,金属图案3130可以形成为直接连接到通过部分去除绝缘层3120而暴露的金属基底3100的底表面。在这种情况下,可以进一步提高散热效果。
在多个金属图案3130中,具有安装在其上的LED芯片3140的金属图案3130可以形成在绝缘层3120的顶表面上,如图106中所示。然而,如图110中所示,金属图案3130可以形成在通过部分地去除绝缘层3120而暴露的金属基底3100的顶表面上。在这种情况下,由于具有安装在其上的LED芯片3140的金属图案3130电连接到金属基底3100的顶表面,所以可以通过金属基底3100向外部有效地散发LED芯片3140产生的热。
如图111中所示,具有安装在其上的LED芯片3140的金属图案3130可以形成在通过部分地去除绝缘层3120和金属基底3100而形成的腔3105的顶表面上。
当LED芯片3140安装在腔3105中时,可以减小位于LED芯片3140下方的金属基底3100的厚度。因此,可以将通过金属基底3100向外部散发LED芯片3140产生的热的散热效果最大化。
LED芯片3140可以是垂直LED芯片、水平LED芯片或者倒装芯片LED芯片。
当LED芯片3140是垂直LED芯片时,LED芯片3140的任何一个电极(未示出)可以电连接到具有安装在其上的LED芯片3140的金属图案3130,LED芯片3140的另一个电极(未示出)可以通过引线3150电连接到没有安装LED芯片3140的金属图案3130,如图106至图111中所示。
在金属基底3100上,形成模制部分3160,以覆盖LED芯片3140和引线3150。
图112是示出根据本发明第十一实施例的水平LED芯片安装在LED封装件上的示例的剖视图。图113是示出根据本发明第十一实施例的倒装芯片LED芯片安装在LED封装件上的示例的剖视图。
当LED芯片3140是水平LED芯片时,水平LED芯片3140的任何一个电极(未示出)可以通过第一引线3150a电连接到不安装LED芯片3140的金属图案3130,水平LED芯片3140的另一个电极(未示出)可通过第二引线3150b电连接到不安装LED芯片3140的另一个金属图案3130,如图112中所示。
当LED芯片3140是倒装芯片LED芯片时,一对连接元件3145形成在LED芯片3140的底表面上,从而电连接到LED芯片3140的电极,如图113中所示。对应的连接元件3145可以电连接到彼此电隔离的金属图案3130。
连接元件3145可以由焊球、凸块或焊盘组成。
在根据本发明第十一实施例的LED封装件中,因为LED芯片安装在由铝形成并且经历了阳极化工艺的金属基底上,所以可以得到与第十实施例的操作和效果相同的操作和效果。
参照图114至图119,将描述根据本发明第十一实施例的LED封装件的制造方法。在第十一实施例的构造中,将省略与第十实施例的组件相同组件的重复描述。
图114至图119是顺序示出根据本发明第十一实施例的LED封装件的制造方法的工艺图。
首先,如图114中所示,制备金属基底3100。
接着,如图115中所示,形成多个通孔3110,从而穿过金属基底3100。
然后,如图116中所示,通过阳极化工艺在包括通孔3110的内表面的金属基底的表面上形成绝缘层3120。
接下来,如图117中所示,在绝缘层3120上形成金属层3130a。
当在形成金属层3130a的过程中,用金属层3130a没有完全充满通孔3110时,可以附加地执行用通孔填充物3135填充通孔3110的工艺。
然后,如图118中所示,将金属层3130a图案化,从而在绝缘层3120上形成多个金属图案3130,多个金属图案3130彼此电隔离。
接下来,如图119中所示,LED芯片3140安装在一些金属图案3130上,形成用于将LED芯片3140电连接到没有安装LED芯片3140的其它金属图案3130的引线3150。
尽管未示出,但是在金属基底3100上形成模制部分3160(参见图106),以覆盖LED芯片3140和引线3150。
接下来,沿着切割线切割金属基底3100,从而制造多个单元LED封装件。所述单元LED封装件包括一个LED芯片3140和两个或更多的通孔3110。
按照这种方式,在不脱离本发明技术构思的情况下,根据本发明示例性实施例的LED封装件可以用于以各种形式构造的分开式的背光单元。
<背光单元>
现在将解释采用如上所述根据本发明示例性实施例的LED封装件的背光单元。
图31是用于解释根据本发明第一示例性实施例的背光单元的透视图,图32是示意性地示出LED封装件的安装状态的放大剖视图。
参照图31和图32,背光单元100包括:下盖110,具有底表面;多个导光板120,设置在下盖110上;板(B),设置为在每个导光板120的一侧与下盖110的底表面水平,并且包括从外部源向其施加电压的导线;多个LED封装件130,安装在设置在导光板120一侧的板(B)上,并且提供光;光学构件160。
背光单元100还可以包括通过调节透光率来显示图像的液晶面板180,从而用于液晶显示器(LCD)。
在本示例性实施例中,背光单元具有串联型结构。串联型结构是指将导光板放置在拼合板(tile plate)上,并且产生均匀的发光表面。允许亮度部分地改变的串联型结构对于提高降低了功耗的屏幕图像的对比度是有效的。
导光板120被分为多个部分,并且多个导光板120平行设置在下盖110的容纳空间中。在这方面,在46英寸的情况下,设置八个导光板120,在单个模块中安装十六个LED封装件130,每个模块可以设置在导光板120的侧面。然而,导光板120和LED封装件130的数量可以根据液晶面板的尺寸而设置为不同。
多个导光板可以分开地设置,或者可以一体地连接,以解决在背光单元中导光板120之间产生边界的问题。
下盖110可以采用例如铁(Fe)、电镀锌铁板(EGI)等材料形成具有底表面的下框架,或者可以具有形成为从底表面的边缘延伸以与向上的方向垂直的侧框架。在这种情况下,下框架的底表面可以被分为按行形成的多个区域,以构造分开式的背光单元。在这种情况下,多个区域可以通过例如在每个区域形成的凹槽接界。
反射构件150可以附于下盖110的整个底表面,或者在形成有凹槽的情况下,反射构件150可以附于除了凹槽之外的多个底表面。白色聚酯膜或者用金属(Ag或Al)涂覆的膜通常用来形成反射构件150。反射构件150的可见光的光反射水平是大约90%至97%,光反射水平随着涂覆的膜变厚而增加。
设置在下盖110的底表面上的多个反射构件150可以形成为延伸以设置在提供光的LED封装件130和与LED封装件130的后表面相邻设置的导光板120之间。在这种情况下,从导光板120的一侧提供之后被引导的光可以被反射,而不受设置在导光板120的另一侧的LED封装件130干扰,以向光学构件160提供,从而增加了光反射效率。
LED封装件130设置在凹槽中。在这种情况下,设置在凹槽中的LED封装件130与下盖110的底表面水平,安装在板(B)(即,印刷电路板(PCB))上,并且具有从外部源向其施加电压的引线。
这里,LED封装件130可以根据本发明不同的示例性实施例进行改变,LED封装件130可以通过如图19中示出的侧视式安装安装为与板(B)垂直,但是本发明不限于此。
其上安装有多个LED封装件130的板(B)可以包括用于将从LED驱动单元接收的驱动电压提供给LED封装件130的电路导线,电路导线可以被设计为单独地或者共同地(即,按组)驱动多个LED封装件130。
导光板120设置在被分为多个区域的下盖110的底表面上,其中,在所述多个区域中分别提供反射构件150。优选地,导光板120的侧面紧紧地附于主体30,以使从安装在主体30上的LED芯片11提供的光被引导到导光板120中,而没有损失。
导光板120由聚甲基丙烯酸甲酯制成,并且因为聚甲基丙烯酸甲酯在聚合物材料中在可见光区域中的光吸收水平最小,所以导光板120具有高透明度,非常有光泽。导光板120具有高的机械强度,因此导光板120不容易断裂或变形。导光板120轻并且具有良好的耐化学性。另外,具有高达90%至91%的可见光透过率水平的导光板120具有非常低的内部损失水平,并且具有强的机械性能,例如抗张强度、弯曲强度和膨胀强度等,以及强的化学性能和耐化学性。
提供光学构件160来实现通过导光板120提供的光的光学特性。在这种情况下,光学构件160可以包括例如漫射板、棱镜片、保护片等,其中,漫射板包括漫射图案以降低穿过导光板120的光的非均匀性,棱镜片具有聚光图案以提高光的前视亮度。
引导单元170可以设置为沿着下盖110的电连接有LED封装件130的四个角形成,并且引导安装位置。因此,可以方便地将LED封装件130安装在设计的位置。
因为根据本示例性实施例的背光单元采用串联型结构,所以可以采用局部调光驱动方法来部分地改变亮度,因此,可以提高屏幕的对比度,并且可以降低功耗。
另外,因为LED封装件可以用作边光式LED封装件和直下式LED封装件,因此可以提高背光单元的设计自由度。
现在将参照图33和图34来描述根据本发明第二示例性实施例的包括LED封装件的LED背光单元。
图33是根据本发明第二示例性实施例的包括LED封装件的LED背光单元的分解透视图,图34是图33的LED背光单元的剖视图。
这里,背光单元可以包括多个分开的导光板,然而,为了简要,仅示出了多个导光板中的第一导光板和第二导光板。
参照图33和图34,背光单元200包括下盖、导光板220、光源230和固定构件240。
下盖210具有容纳空间。例如,可以通过下盖210的底表面和从底表面的边缘弯曲的侧壁形成容纳空间。
导光板220被分为多个部分。分开的多个导光板220在下盖210的容纳空间中平行设置。
导光板220被示出为具有四边形形状,但是本发明不限于此,导光板可以具有各种其它形状,例如三角形或六边形形状。
光源单元230设置在每个导光板220的一侧,从而向导光板220提供光。每个光源单元230包括用于形成光的LED封装件231和具有用于施加LED封装件231的驱动电压的多个电路图案的板232。
LED封装件231的光源可以是当向其施加电流时发光的LED。这里,LED可以包括子LED,每个子LED实现蓝色、绿色和红色。从实现蓝色、绿色和红色的子LED发射的蓝色光束、绿色光束和红色光束可以混合,以实现白光。
LED可以包括用于将从蓝色LED发射的蓝光和/或从UV LED发射的UV光的一部分转换为蓝色、绿色、黄色和红色的磷光体。在这种情况下,可以混合蓝色和绿色、黄色和红色、或者蓝色和黄色,以实现白光,或者UV光可以被转换为蓝色、绿色、黄色和红色,或者转换为蓝色、绿色和红色,以实现白光。
光源单元230形成的光入射到导光板220的侧面,然后通过在导光板220中的全反射输出到上部。
固定构件240设置在分开的导光板220之间,以防止分开的导光板220单独地移动。
固定构件240包括插入部分241和头部分242。
插入部分241可以插入在分开的导光板220之间,以防止分开的导光板220水平移动。即,插入部分241插入在分开的导光板220中相互邻近的第一导光板220a和第二导光板220b之间。这里,插入部分241可以包括从插入部分241的端部向两侧延伸以与头部分242连接的第一倾斜面241a和第二倾斜面241b。即,插入部分241的截面可以具有三角形形状。因此,插入部分241可以容易地插入到分开的导光板220之间。
头部分242可以具有比插入部分241的面积大的面积。头部分242可以具有比相邻导光板之间的距离大的宽度。因此,头部分242设置在分开的导光板220的对应的上端的边缘。即,头部分242位于并伸长在对应的导光板220的面对插入在导光板220之间的插入部分241的上边缘之间,以防止固定构件240从分开的导光板220之间的空间释放。另外,头部分242向下按压在分开的导光板220上,以防止分开的导光板220上下移动。
因为包括插入部分241和头部分242的固定构件240设置在分开的导光板220之间,所以可以防止分开的导光板220左右移动以及上下移动。
固定构件240可以具有横过下盖210的条形形状,或者形成为围绕每个导光板220的周围的格子形状。
为了将固定构件240对画面质量的影响最小化,固定构件240可以由允许光透射的材料例如透明塑料制成。另外,固定构件240可以包含反射材料,例如TiO2,以将在导光板220之间泄漏的光反射到对应的导光板220。
反射构件250可以设置在每个导光板220下方。反射构件250反射输出到导光板220的下部的光,以使光再次入射到导光板220,从而提高背光单元的光效率。
背光单元还可以包括通过固定构件240支撑并且设置在导光板220上的光学构件260。光学构件260可以包括设置在导光板220上的漫射板、漫射片、棱镜片和保护片。光学构件260通过固定构件240与导光板220分隔开。因此,导光板220可以向光学构件260均匀地提供光。
按照这种方式,因为根据本发明当前示例性实施例的具有被分为单独驱动的多个部分的导光板220的背光单元包括用于防止分开的导光板220移动的固定构件240,所以可以顺利地散热,并且可以防止由导光板220的移动可能引起的其它缺陷。
图35是根据本发明第三示例性实施例的背光单元的剖视图。
除了反射膜之外,根据本发明第三示例性实施例的背光单元具有与根据本发明第二示例性实施例的背光单元的元件相同的元件。该背光单元中与第二示例性实施例的背光单元的元件相同的元件将采用相同的标号,并且将省略重复的描述。
参照图35,根据本发明第三示例性实施例的背光单元包括下盖210、被分为多个部分的导光板220、光源230和固定构件340。每个导光板220包括:第一面221,光入射到第一面221;第二面222,光从第二面222输出;第三面223,与第二面222相对并且向第二面222反射光;第四面224,与第一面221相对,并且与第二面222和第三面223连接。在这种情况下,分开的导光板220被布置为第一面221和第四面224相对。例如,对于分开的导光板220中的相互邻近的第一导光板220a和第二导光板220b,第一导光板220a的第一面221和第二导光板220b的第四面224相对。
固定构件340包括:插入部分341,插入在多个分开的导光板220之间,例如插入在第一导光板220a和第二导光板220b之间;头部分342,与插入部分341连接并且延伸到第一导光板220a和第二导光板220b的上边缘。
插入部分341可以包括从插入部分341的端部向两侧延伸以与头部分342连接的第一倾斜面341a和第二倾斜面341b。即,插入部分341的截面可以具有三角形形状。
这里,第一倾斜面341a或第二倾斜面341b可以向导光板220的第一面221倾斜,其中,来自光源230的光入射到第一面221。例如,对于分开的导光板中相互邻近的第一导光板220a和第二导光板220b,第一导光板220a的第一面221和第一倾斜面341a可以彼此相对,第二导光板220b的第四面224和第二倾斜面341b可以彼此相对。这里,第一倾斜面341a延伸到第一面221的上部,第二倾斜面341b延伸到第四面224的上部。
在这种情况下,反射膜343设置在插入部分341的外表面上,即,第一倾斜面341a和第二倾斜面341b上。
由于反射膜343,提供到第一导光板220a的第一面221的光中,泄漏到第二导光板220b的第四面224的光的一部分或全部可以被提供到第一导光板220a。因此,可以防止分开的导光板220之间泄漏的光另外产生的热点。这里,热点是指亮度比一部分屏幕图像的周围的亮度强的亮点缺陷。
具有向第一面221的上部延伸的斜面的反射膜343由于第一倾斜面341a而可以有效地向第一面反射光。这里,可以根据光源单元230的亮度特性以及导光板220的材料来调节反射膜343的反射率以及第一倾斜面341a和第二倾斜面341b的角度,从而改进热点。
因此,根据本发明的背光单元由于具有部分地或者全部地反射被固定构件340分开的导光板220之间泄漏的光的反射膜343,可以解决热点问题,以及改进分开的导光板220的移动。
图36是示出设置在根据本发明第四示例性实施例的背光单元中的固定构件的透视图。
根据本发明第四示例性实施例的背光单元具有与根据本发明第二示例性实施例的背光单元的元件相同的元件。因此,与根据第二示例性实施例的背光单元的元件相同的元件将采用相同的标号,并将省略重复的描述。
参照图36,根据本发明第四示例性实施例的背光单元包括下盖210、被分为多个部分的导光板220、光源单元230、固定构件240和固定框架470。
固定框架470将多个固定构件240彼此连接。详细地讲,固定框架470具有包括内部开口的矩形框架形状,固定构件240设置在固定框架470的开口中。这里,如所示,固定构件240可以具有条形形状。然而,固定构件240的形状可不限于此,并且固定构件240可以具有格子形状。
固定构件240和固定框架470可以一体地模制。或者,固定构件240和固定框架470可以通过利用结合单元(粘合剂、紧固部分等)结合。
因此,多个固定构件240可以通过固定框架470一次共同地装配到分开的导光板220,因此与多个固定构件240单独装配的情形相比,可以提高装配生产率。
固定框架470可以固定在下盖210上,从而可以更有效地固定分开的导光板220。
因此,根据本发明第四示例性实施例的背光单元由于包括用于连接多个固定构件240的固定框架470,可以提高装配生产率和固定特性。
现在将参照图37至图44来描述根据本发明第五示例性实施例的具有LED封装件的背光单元。
图37是根据本发明第五示例性实施例的包括LED封装件的背光单元的分解透视图,图38是图37的背光单元的剖视图。
参照图37和图38,背光单元500包括:下盖510;多个导光板520,在下盖上平行地设置;光源单元530,设置在多个导光板520中的每个导光板的一侧。这里,背光单元可以包括多个导光板,但是为了简洁,示出了两个导光板。
详细地讲,下盖510可以具有用于容纳多个导光板520和光源单元530的容纳空间。例如,可以通过下盖510的底表面和从底表面的边缘弯曲的侧壁形成容纳空间。
光源单元530可以设置在多个导光板520中的每个导光板的边缘,以向边光式背光单元提供单独驱动的功能。即,光源单元530向对应的导光板520提供具有调节了的亮度值的光,对应的导光板520可以向液晶面板的选择区域提供具有调节了的亮度值的光。
多个导光板520包括具有容纳凹陷521的一个面525、面对一个面525的另一面526、弯曲为从一个面525的边缘延伸的下面527以及面对下面527的上面528。另一面526可以用作入射面,其中,从光源单元530形成(发射)的光入射到入射面。下面527可以用作向上侧全反射光的反射面。这里,尽管未示出,但是多个光学图案可以设置在下面527上。另外,上面528可以用作向外部输出光的输出面。
可以设置多个导光板520,使得相互邻近的导光板的一个面525和另一面526彼此面对。例如,多个导光板520可以包括相互邻近的第一导光板520a和第二导光板520b。在这种情况下,第一导光板520a的一个面525和第二导光板520b的另一个面526可以彼此面对。
光源单元530可以设置在相互邻近的导光板之间,例如设置在第一导光板520a的一个面和第二导光板520b的另一个面之间。光源单元530容纳在形成在一个面525处的容纳凹陷521中。因此,没必要以一定间隔分开多个导光板520来在多个导光板520之间安装光源单元530,所以背光单元可以形成为紧凑的。另外,因为多个导光板520之间的空间减小,所以可以防止泄漏到多个导光板520之间的光。
容纳凹陷521可以通过向上弯曲为从下面527的边缘延伸的第一面522以及向外弯曲为从第一面522的边缘延伸的第二面523来形成。在这种情况下,当光源单元530使光入射到第二导光板520b的另一面526时,第一面522面对光源单元530的后侧,第二面523面对光源单元530的侧面。
这里,可以调节容纳凹陷521(具体地为第二面523)的光学特性,以防止由泄漏到多个导光板520之间的光产生的热点。例如,第一面522可以形成为漫射面、反射面和光学抛光面中的一种。这里,第一面522向另一面526反射泄漏的光的一部分,并且吸收或者向外透射其它剩余的泄漏的光。第二面523可以形成为漫射面。在这种情况下,第二面523可以具有40%至70%的反射率。如果第二面523的反射率是40%或更低,则会出现导光板520之间的边界比每个导光板520的上面528亮的热点。同时,如果第二面的反射率是70%或更高,则会出现导光板520的边界比每个导光板520的上面528暗的暗点。
一个面525可以包括延伸到容纳凹陷521的第三面524,即,向上弯曲为从第二面523的边缘延伸。第三面524可以平行地面对相邻导光板520的另一面526。在这种情况下,第三面524可以形成为漫射面、反射面和光学抛光面中的一种。
换而言之,容纳凹陷521的第二面523形成为漫射面,第一面522和第三面524的光学特性对热点没有显著影响。然而,如果第一面522和第三面524中具有较大面积的面形成为光学抛光的面,则透光率会增加,从而导致热点。因此,第一面522和第三面524中较大的面必须形成为光学抛光面之外的漫射面或者反射面。
例如,如果第三面524的面积大于第一面522的面积,则第一面522可以形成为光学抛光面、反射面和漫射面中的一种。然而,第三面524可以形成为反射面和漫射面中的一种。同时,如果第三面524的面积小于第一面522的面积,则第三面524可以形成为光学抛光面、反射面和漫射面。第一面522可以形成为反射面和漫射面中的一种。
这里,可以通过改变涂覆在第一面、第二面和第三面上的白墨水的密度来调节第一面、第二面和第三面的光学特性,具体地,调节第二面的光学特性。
在本示例性实施例中,设置到导光板的容纳凹陷具有矩形形状,但是本发明不意图对其进行限制。
现在将参照图39至图42来详细描述根据本发明示例性实施例的形成在导光板处的容纳凹陷的各种形状。
图39至图42是示出设置在根据本发明示例性实施例的背光单元中的导光板的各种形状的剖视图。
如图39中所示,根据本发明第一示例性实施例的导光板520a的容纳凹陷521a可以具有通过第一面522a和从第一面522a向上倾斜的第二面523c形成的梯形截面形状。
如图40中所示,根据本发明第二示例性实施例的导光板520b的容纳凹陷521b可以具有由从下面527b的边缘向上面528b的边缘倾斜延伸的第一面522b形成的三角形截面形状。
如图41中所示,根据本发明第三示例性实施例的导光板520c的容纳凹陷521c可以具有通过第一面522c和从第一面522c向上倾斜的第二面523c形成的梯形截面形状。这里,根据本发明第三示例性实施例的导光板520c可以具有向上弯曲为从容纳凹陷521c的第二面523c延伸的第三面524c。
如图42中所示,根据本发明第四示例性实施例的导光板520d的容纳凹陷521d可以通过线形第一面522d和从第一面522d向上弯曲的第二面523d形成。在这种情况下,其上形成有容纳凹陷521d的一个面525d可以用作向其入射光的入射面。即,用于容纳光源单元530的容纳凹陷521d可以形成在入射面上。在这种情况下,面对导光板的一个面525d的另一面526d可以具有倾斜为向上延伸的倾斜面526’d。该倾斜面有效地反射光源单元530的后侧泄漏的光,以更有效地改进热点。
参照图37和图38,由于每个导光板520具有下面527,所以多个导光板的下表面可以设置在同一直线上。因此,可以容易地组装多个导光板520,从而改进了背光单元的装配特性。另外,当将背光单元应用到大型显示装置时,可以容易地调节多个导光板520的平坦度。另外,因为每个导光板520的下面527是平坦的,所以可以更容易地对导光板520执行切割工艺和光学抛光工艺。
光源单元530可以包括用于发光的光源531和包括向光源531施加驱动电压的多个电路图案的板532。在这种情况下,多个光源531可以安装在板532上。
光源531可以是例如当向其施加电流时发光的LED。在这种情况下,LED可以具有各种形式。例如,LED可以包括子LED,每个子LED实现蓝色、绿色和红色。在这种情况下,从实现蓝色、绿色和红色的子LED发射的蓝光、绿光和红光可以混合,以实现白光。另外,LED可以包括蓝色LED和用于将蓝色LED发射的蓝光的一部分转换为黄色的磷光体。在这种情况下,蓝色和黄色可以混合来实现白光。
在本发明示例性实施例的以上描述中,光源单元530包括LED作为光源,但是本发明不限于此。例如,光源单元530的光源可以是CCFL或者EEFL。
另外,反射构件550可以设置在每个导光板520的下部。反射构件550可以反射输出到导光板520的下部的光,以使光再次入射到导光板,从而提高了背光单元的光效率。
在本发明示例性实施例的以上描述中,反射构件550被分为多个部分,并且设置在每个导光板520的下部,但是本发明不限于此。即,反射构件550可以一体地设置在多个导光板520的下部。
在这种情况下,因为多个导光板520的下面设置在直线上,所以可以容易地附上反射构件550。
背光单元还可以包括设置在导光板520上的光学构件560。光学构件560可以包括例如设置在导光板上的漫射板、漫射片、棱镜片和保护片。
现在将描述根据本发明示例性实施例的背光单元的亮度特性。这里,设置在背光单元中的多个导光板包括通过第一面、第二面形成的容纳凹陷和从容纳凹陷延伸的第三面。在这种情况下,第一面和第二面形成为漫射面,第三面形成为反射面。漫射面具有45%的反射率,反射面具有90%的反射率。
图43是示出根据本发明示例性实施例的背光单元的照明的照片。具体地讲,图43示出了多个导光板中的两个放大的导光板。
如图43中所示,确认的是,两个导光板(包括两个导光板的边界(C))具有均匀的亮度。
图44是示出基于图43的两点之间的距离的照明分布的曲线图。
如图44中所示,根据一个导光板的点A(0mm)到另一个导光板的点B(110mm)的距离检查照明(即,照明的亮度或照度)的结果示出了点A到点B的照明的均匀分布。
另外,当第一面和第三面形成为反射面、第二面形成为漫射面时,得到相同的结果,因此将省略其详细描述。
因此,在包括多个导光板的背光单元中,当每个导光板中用于容纳光源的容纳凹陷的第二面形成为漫射面时,在多个导光板的每个导光板的上部以及多个导光板的边界得到均匀的照明。
因此,根据本发明第五示例性实施例的背光单元通过部分地驱动得到了分开驱动(局部调光)的效果,并且通过具有被分为多个部分的导光板和设置在每个导光板的边缘的光源单元得到了边光式背光单元的效果。
另外,因为用于容纳光源单元的容纳凹陷设置在每个导光板的边缘,所以背光单元可以形成得紧凑。
此外,因为通过相对于包括容纳凹陷的每个导光板的一侧调节光学特性改进了诸如热点的光学问题,所以可以改进背光单元的质量。
现在将参照图45至图46来描述根据本发明第六示例性实施例的具有LED封装件的背光单元。
图45是根据本发明第六示例性实施例的包括LED封装件的背光单元的分解透视图,图46是图45的背光单元的剖视图。
参照图45和图46,背光单元包括下盖610、设置在下盖610上并且具有位于其下表面上的容纳凹陷621的导光板620、设置在导光板620的容纳凹陷621中的光源单元630。
与以上参照图37和图38描述的导光板被分为多个部分的具有LED封装件的根据本发明第五示例性实施例的背光单元相比,根据本发明第六示例性实施例的背光单元的特征在于,背光单元形成为单体并且包括容纳凹陷621,光源单元630插入或紧固到容纳凹陷621。在这种情况下,光源单元630包括板632和安装在板632上的LED封装件631。
通过这种结构,可以改进在光源单元630的一部分处出现的亮度问题,并且可以简化导光板620的装配工艺。
根据本发明第六示例性实施例的背光单元的其它详细描述与根据本发明第五示例性实施例的背光单元的元件没有明显不同,因此将省略本发明根据第六示例性实施例的背光单元的详细描述。
图47是根据本发明第七示例性实施例的包括LED封装件的背光单元的分解透视图,图48是图47的背光单元的剖视图,图49是根据图48的不同实施例的背光单元的剖视图,图50是图47的固定构件的剖视图,图51是根据不同实施例的固定构件的剖视图。这里,背光单元可以包括多个导光板,这里,为了简洁,示出了两个导光板。
参照图47和图48,背光单元包括下盖710、导光板720、光源单元730和固定构件740。
下盖710包括容纳空间。例如,可以通过下盖710的底表面和从底表面的边缘弯曲的侧壁形成容纳空间。
下盖710可以具有(将描述的)紧固部分711,固定构件740通过紧固部分711被紧固。这里,紧固部分711可以是通孔或凹陷,其中,(将描述的)固定构件将穿过该通孔,固定构件740将插入到该凹陷中。
导光板720被分为多个部分。多个分开的导光板平行设置在下盖710的容纳空间中。
每个导光板720包括穿过主体的通孔721。通孔721设置在导光板720的边缘。然而,在本发明中,不限制通孔721的位置和数量。通孔721设置为与紧固部分711对应。
导光板720具有矩形形状,但是导光板720可以具有各种其他形状,例如,三角形形状或六边形形状,不对其进行限制。
向导光板720提供光的多个光源单元730设置在每个导光板720的一侧。每个光源单元730可以包括发射光的光源731和具有施加光源731的驱动电压的多个电路图案的印刷电路板(PCB)732。
光源731可以是当向其施加电流时发光的LED。这里,LED可以具有各种形状,该LED与上述示例性实施例中的LED基本相同,因此将省略对其的详细描述。
从光源单元730发射的光入射到导光板720的侧部,并且通过导光板720的内部全反射输出到上部。
固定构件740用来将导光板720固定到下盖710,以防止导光板720移动。固定构件740插入到导光板720的通孔721中,以将导光板720固定到下盖710。另外,固定构件740可以经由导光板720的通孔721穿过下盖710的紧固部分711(例如,通孔)或者插入凹陷。
固定构件740包括体部分742和从体部分742延伸的头部分741。
体部分742穿透导光板720的通孔被紧固到紧固部分711。即,体部分742结合导光板720和下盖710,以将导光板720固定到下盖710上。
头部分741的宽度大于体部分742的宽度,从而防止固定构件740通过导光板720的通孔721完全释放。
头部分741可以具有各种截面形状例如半圆形、半椭圆形、方形和三角形中的一种。这里,如果头部分741具有三角形形状,则头部分741可以将固定构件740和(将描述的)光学构件760之间的接触最小化,从而将由固定构件740产生的黑点最小化。
在导光板720和光学构件760之间具有一定的空间(即,间隙),所以从导光板720输出的光可以均匀地提供到光学构件760上。这里,因为头部分741支撑光学构件760,所以头部分741用来保持导光板720和(将描述的)光学构件760之间的空间。这里,可以通过调节头部分741的高度来调节导光板720和光学构件760之间的空间。
为了将固定构件740对画面质量的影响最小化,固定构件740可以由允许光透过的材料,例如,透明塑料制成。
固定构件740可以具有各种形状。随后将描述固定构件的各种示例。
反射构件750可以设置在每个导光板720的下部。反射构件750反射输出到导光板720的下部的光,以使光再次入射到导光板720,从而提高了背光单元的光效率。
反射构件750可以具有与通孔721和紧固部分711对应的通过部分751。固定构件740可以经由通孔721和通过部分751紧固到紧固部分711。因此,当与导光板720类似,反射构件750被分为多个部分时,所述多个部分可以通过固定构件740固定到下盖710上。
背光单元还可以包括设置在导光板720上的光学构件760。光学构件760可以包括例如设置在导光板720上的漫射板、漫射片、棱镜片和保护片。
因此,在本示例性实施例中,因为背光单元包括被分为多个部分的导光板,所以可以通过部分驱动进一步提高单独驱动的效果。
另外,因为被分为多个部分的导光板通过利用固定构件固定在下盖上,所以可以防止由导光板的移动产生的其它缺陷。
此外,因为通过固定构件均匀地保持导光板和光学构件之间的空间,所以可以向液晶面板提供均匀的光。
另外,LED背光单元可以通过电极结构向外部顺利地散发光源产生的热。
图49是根据不同示例性实施例的图48的背光单元的剖视图。这里,除了支撑构件之外,背光单元具有与上述示例性实施例的元件相同的元件。因此,相同的标号指定相同的元件,并且将省略重复的描述。
参照图49,根据固定构件的不同实施例的背光单元包括:下盖710,具有紧固部分711;多个导光板720,在下盖710上平行地设置,并且具有与紧固部分711对应的通孔721;光源单元730,设置在每个导光板720的一侧;固定构件740,穿过通孔721,以将多个导光板720固定到下盖710的紧固部分711。另外,背光单元包括设置在导光板上的光学构件760。
这里,固定构件740包括:体部分742,用于将导光板720和下盖710紧固,以固定导光板720;头部分741,从体部分742延伸。头部分741用来防止固定构件740释放,并且保持光学构件760和导光板720之间的空间。
导光板720和光学构件760之间的空间需要根据诸如LCD模式或者构成背光单元的部件的特性的变量进行调节。
在这种情况下,固定构件740插入到通孔721中的体的长度可以基于导光板720的上表面来调节,以选择性地调节头部分741的高度。在这种情况下,如果导光板720和头部分741之间存在一定的间隔,则固定构件740会向下移动,而不是固定在通孔721中,改变了头部分741的高度。因此,支撑构件770设置在导光板720和固定构件740之间,以防止固定构件740移动。
这里,支撑构件770可以为例如弹簧。弹簧根据向其施加的一定的力而减小体积,因此根据固定构件740的紧固长度而简单地减小体积的弹簧防止固定构件740向下移动。
另外,支撑构件770可以分散固定构件740的头部分741直接施加到导光板720的压力,从而防止固定构件740的紧固对导光板720的损坏。
在本示例性实施例中,支撑构件770是弹簧,但是本发明不限于此,支撑构件770可以是可以根据紧固力控制体积的弹性垫。
因此,根据本示例性实施例的包括支撑构件770的背光单元可以选择性地控制固定构件的头部分的高度,并且支撑和固定固定构件,从而均匀地保持导光板和光学构件之间的空间(间隙)。
另外,可以通过支撑构件770将对导光板720的损坏最小化,并且固定构件740可以紧固到导光板。
下面示出了固定构件的各种形式。
图50是根据本发明第一实施例的固定构件的剖视图。参照图50,根据本发明第一示例性实施例的固定构件740a包括头部分741a、体部分742a和停止部分743a。体部分742a的一个端部分支为两个或更多的部分,从而当插入固定构件740a时,可以减小体部分742a的端部的直径,从而固定构件740a可以容易地插入导光板720的通孔721中。另外,停止部分743a设置在分支后的体部分的端部,以防止固定构件740a被释放。
图51是根据本发明第二示例性实施例的固定构件的剖视图。参照图51,根据本发明第二示例性实施例的固定构件740b包括头部分741b和体部分742b。体部分742b包括其外表面上的螺纹743b,通过螺纹743b,体部分742b可以根据固定构件740b的旋转穿过导光板720,从而容易地紧固到紧固部分。
现在将参照图52a至图59描述将多个导光板固定到下盖的各种方法。
图52a是示出根据本发明第一示例性实施例的将导光板固定到下盖的剖视图,图52b是示出根据本发明第一示例性实施例的将导光板固定到下盖的平面图。
如所示出的,导光板720包括穿过体并且形成在中心部分处的通孔721。通孔721可以设置为与形成在下盖710上的紧固部分711对应。
虽然可以使用螺栓745和螺母746作为用于固定导光板720的固定构件740,但是本发明不限于此。
图53是示出根据本发明第二示例性实施例的将导光板固定到下盖的剖视图,图54是示出根据本发明第二示例性实施例的将导光板固定到下盖的平面图,图55是示出图54的不同实施例的平面图。
如所示出的,固定构件740设置在导光板720之间,以固定两个导光板。在这种情况下,固定构件740位于光源单元730的LED封装件731之间,从而不影响输出光。
优选地,具有大面积的板单元747设置在头部分741和导光板720之间,从而延伸地按压并固定导光板720。
如图54所示,板单元747可以具有直径大于头部分741的直径的盘形状,或者如图55中所示,板单元可以具有矩形形状,该矩形形状的尺寸与导光板720沿着设置光源单元730的侧面的长度方向的长度对应,以覆盖导光板720之间的间隙。
图56a是示出根据本发明第三示例性实施例的将导光板固定到下盖的剖视图,图56b是示出根据本发明第三示例性实施例的将导光板固定到下盖的平面图。
如图56a和图56b中所示,固定构件740包括头部分741和体部分742。头部分741具有如图55中所示的板单元747的形状。即,头部分741具有方形形状,以覆盖导光板720之间的间隙。
体部分742可以形成为挂钩构件,该挂钩构件可以穿过下盖710的紧固部分711并且能够牢固地抓住。
图57a是示出根据本发明第四示例性实施例的将导光板固定到下盖的剖视图,图57b是示出图57a的导光板的局部透视图。
突起722以一定间隔形成在导光板720的设置有光源单元730的侧面,每个突起722包括通孔721,固定构件740穿过通孔721,以被固定。
因此,光源单元730的LED封装件731可以设置在突起722之间,从而导光板720之间的间隙不会因为突起722而增加。
示出的是,固定构件740包括螺栓和螺帽,螺栓穿过下盖710的紧固部分711,以被旋进,但是本发明不限于此,也可以使用如图48中示出的固定构件470。
图58a是示出根据本发明第五示例性实施例的将导光板固定到下盖的剖视图,图58b是示出图58a的导光板的局部透视图。
容纳部分724以一定间隔形成,使得容纳部分724在导光板720中与设置了光源单元730的侧面相对的侧面凹进。因此,形成容纳部分724的部分与导光板720的上表面形成台阶结构。
容纳部分724可以形成在导光板720的两侧的位置上,使得容纳部分724彼此对应。LED封装件731设置在没有形成容纳部分724的表面上,即,设置在容纳部分之间。
在这种情况下,设置在导光板720之间的固定构件740的头部分741被容纳部分724的台阶面抓住,固定构件740的体部分742穿透地固定在下盖710的紧固部分711中,从而将导光板固定到下盖。
按照这种方式,固定构件740被设置为低于导光板,而不是从导光板720的上表面突出,从而可以有利地减小背光单元的尺寸。
如图59中所示,下盖710弯曲,使得下盖710与导光板720的两侧接触的侧壁的端部基于导光板720的两侧(即,设置有光源单元730的侧面)面向导光板720,从而围绕导光板720。
在这种情况下,可以通过下盖710的侧壁固定导光板的两侧的边缘部分,从而可以省略用于固定导光板的边缘部分的固定构件。
现在将参照图60a至图61来描述根据本发明第八示例性实施例的具有LED封装件的背光单元。
图60是用于解释根据本发明不同示例性实施例的背光单元的剖视图。首先,如图60a中所示,根据本示例性实施例的背光单元是具有板型导光板的面光源装置。即,背光单元是包括n个LED光源和n个板型导光板的串联型面光源装置。
对于LED光源,多个LED封装件830按行布置在板(B)上,平行布置由此构造的n个LED光源。板型导光板820a和820b布置并且安装在n个LED光源的一侧。
具有板型导光板的面光源装置包括反射构件(未示出),反射构件设置在LED封装件830和板型导光板820的下部并且反射从LED光源输出的光。例如漫射片或棱镜片的光学构件设置在板型导光板的上部,其中,漫射片用于漫射被反射构件反射并且从板型导光板折射之后向液晶面板输出的光,棱镜片用于将穿过漫射片的光向前视角会聚。
具体地讲,LED光源分别包括安装了俯视LED的多个LED封装件。板型导光板820a和820b设置在从LED光源发射光的方向上,并且由允许光透过的透明材料制成。与边光型导光板相比,板型导光板具有简单的构造,便于批量生产,并且还在LED光源的上部被容易地调节。
板型导光板820a和820b包括:光输入部分,从LED光源发射的光入射到光输入部分;输出面,从LED光源入射的光被作为照明光从输出面输出到液晶面板;前端部分,位于光输入部分的相对侧,并且具有小于光输入部分的厚度的厚度,并且被设置成板型导光板820a和820b的前端部分覆盖LED封装件830的上部。即,第(n+1)LED光源设置在第n板型导光板的前端部分的下部。板型导光板的前端部分在其下表面具有棱镜形状。
如图60b中所示,来自LED封装件830的光不直接输出到导光板820,而是被设置在板型导光板的前端部分的下表面的棱镜形状漫射和分散。因此,可以去除在LED光源上方的导光板产生的热点。
图61是用于解释图60的板型导光板的示意性透视图。如图61中所示,板型导光板包括:光输入部分821,来自包括多个LED封装件的LED光源的光入射到光输入部分821;光输出面824,入射到光输入部分821的光作为照明光从光输出面824输出到液晶面板;前端部分822,位于光输入部分821的相对侧,并且前端部分822的截面厚度比光输入部分821的光入射截面的厚度小。
前端部分822具有棱镜形状823,其中,棱镜形状823用于分散来自布置在前端部分822的下部的LED封装件的光的一部分。棱镜形状823可以是能够分散和漫射入射光的三角形棱镜、圆锥形棱镜和半球形棱镜中的一种。
前端部分822的棱镜形状823可以沿着整个前端部分822形成。或者,棱镜形状823可以仅部分地形成在LED封装件的上部。通过这种棱镜形状,可以去除LED封装件上方的导光板产生的热点。
因此,根据本发明示例性实施例的形成在导光板的前端部分的下表面上的棱镜形状的存在去除了对LED封装件和导光板之间的漫射片或棱镜片进行处理,以分散由来自LED封装件的光的一部分在LED封装件上的导光板上产生的热点的必要。
现在将参照图62至图66描述根据本发明第九示例性实施例的具有LED封装件的背光单元和LCD。
图62示出了根据本发明第九示例性实施例的包括LED封装件的背光单元和液晶显示器(LCD)。
参照图62,LCD包括用于显示图像的液晶面板900和背光单元970。尽管未示出,但是液晶面板900包括彼此面对的第一基底和第二基底以及设置在第一基底和第二基底之间的液晶层。第一基底包括以矩阵形式设置的多个像素。每个像素包括薄膜晶体管(TFT)和与TFT电连接的像素电极。第一基底还包括向每个像素施加电信号的多条导线,例如,栅极导线和数据导线。第二基底包括滤色器层和设置在滤色器层上的共电极。共电极与像素电极一起形成用于驱动液晶层的液晶的液晶驱动电压。液晶面板根据液晶驱动电压控制透射过液晶的光的透射率来显示图像。
在示例性实施例中,液晶面板被描述为TN型液晶面板,但是本发明不限于此,可以应用任何其它类型的液晶面板,例如IPS型液晶面板或者VA型液晶面板。
背光单元970包括光源单元950和导光板940。
光源单元950包括发射光的光源952和包括向光源952施加电压的多个电路图案的板951。
导光板940可以设置在液晶面板900下方,光源单元950可以设置在导光板940的每侧。即,光源单元950设置在液晶面板900的侧面。因此,背光单元970可以制造为更薄。
导光板940包括:入射面,面对光源单元950;输出面,从入射面弯曲,并且面对液晶面板900;光聚集图案(即,光会聚图案),设置在输出面上;后面,面对输出面。多个图案(未示出)可以设置在后面上,从而允许提供到入射面的光向输出面前进。
导光板940通过光聚集图案根据局部调光驱动方法可以改进效果,即,对比度的效果等。
另外,背光单元970还可以包括设置在导光板940上的光学构件910。光学构件910可以包括例如设置在导光板940上的漫射片911、棱镜片912和保护片913。
尽管未示出,但是背光单元970还可以包括用于容纳光源单元950、导光板940等的下盖。这里,背光单元970和液晶面板900可以通过下盖和紧固到下盖的上盖(未示出)来固定。
图63是图62的背光单元的平面图,图64是沿着图63的线I-I′截取的剖视图。
参照图63和图64,背光单元970包括光源单元950和导光板940。
光源单元950可以包括设置在导光板940的四个侧面的第一光学单元950a、第二光学单元950b、第三光学单元950c和第四光学单元950d。然而,本示例性实施例中不限制光学单元的数量。
光源952可以包括当对其施加电流时发光的LED(一种半导体器件),将省略对其进行详细的描述。然而,在本示例性实施例中,光源不限于LED。即,灯例如CCFL可以用作光源。
板954允许多个光源952安装在其上,并且包括将从光源驱动单元(未示出)传输的光源驱动电压提供给光源952的电路导线。在这种情况下,电路导线可以分开地或者按组与多个光源952电连接,使得多个光源952可以被分开驱动或者按组驱动。例如,第一光源单元950a可以包括被电路分开的第一至第七通路Ch1至Ch7。每个通路可以包括一个或互相电连接的两个或者更多的光源952。类似地,第二光源单元950b可以包括第八至第十一通路Ch8至Ch11,第三光源单元950c可以包括第十二至第十八通路Ch12至Ch18,第四光源单元950d可以包括第十九至第二十二通路Ch19至Ch22。然而,在本示例性实施例中,不限制每个光源单元的通路的数量。
这里,如果液晶面板的第一区域应该显示较亮的图像,则可以调节设置在与第一区域对应的通路的光源的亮度,以提供具有较高亮度的光。如果液晶面板的第二区域显示较暗的图像,则调节设置在与第二区域对应的通路的光源的亮度,以提供具有较低亮度的光。
按照这种方式,由于光源单元950包括可以独立驱动的多个通路,所以光源单元950可以向光学构件910的特定区域提供具有选择性地调节的亮度值的光。
导光板940包括设置在输出面上并且在第一方向集中光的第一光聚集图案941以及用于沿着与第一方向交叉的第二方向集中光的第二光聚集图案942。
第一光源单元950a和第三光源单元950c可以以面对的方式设置在第一光聚集图案941的两端。另外,第二光源单元950b和第四光源单元950d可以以面对的方式设置在第二光聚集图案942的两端。
第一光聚集图案941和第二光聚集图案942可以具有从导光板940的体944突出的特定图案。例如,第一光聚集图案941和第二光聚集图案942可以具有棱镜图案的形式。即,第一光聚集图案941可以设置为具有第一方向性,以跨过导光板940的上表面。第二光聚集图案942可以设置为具有第二方向性,以跨过导光板940的上表面。这里,第一光聚集图案941和第二光聚集图案942可以具有半球形或三角形截面形状,以集中光。
另外,导光板940还包括用于漫射第一光聚集图案941和第二光聚集图案942输出的光束的漫射部分943。漫射部分943可以设置在第一光聚集图案941的左侧和右侧以及第二光聚集图案942的上侧和下侧。即,漫射部分943可以以格子形式布置。漫射部分943可以形成为被第一光聚集图案941和第二光聚集图案942围绕的凹陷。漫射部分943漫射被第一光聚集图案941和第二光聚集图案942聚集的光。即,具有通过漫射部分943调节的亮度值的光可以被均匀地提供到液晶面板900的选择区域,因此,液晶面板900可以更加顺畅地显示图像。
现在,将描述根据第一光聚集图案941和第二光聚集图案942的光路。
设置在第一光聚集图案941两端的光源952(例如,设置在第一通路Ch1的光源950)启动。然后,形成在第一通路Ch1的第一光L1由于第一光聚集图案941而被输出为沿第一方向的直线。此时,第一光被设置在第一光聚集图案941的左侧和右侧的漫射部分943漫射。同时,设置在第二光聚集图案942两端的光源(例如,设置在第九通路Ch9的光源)启动。然后,形成在第九通路Ch9的第二光L2由于第二光聚集图案而被输出为沿第二方向的直线。此时,第二光L2被设置在第二光聚集图案942的上侧和下侧的漫射部分943扩散。
当第一通路Ch1和第九通路Ch9的光源同时启动时,第一光源和第二光源将在第一光聚集图案和第二光聚集图案的交叉处重复,从而输出比其它区域的亮度亮的光。
在本发明示例性实施例的以上描述中,仅驱动第一光源单元至第四光源单元的光源,但是本发明不限于此,可以根据所需要的光的量一起驱动对应的光源单元。例如,当设置在第九通路的光源启动时,设置在与第九通路Ch9对应的第二十一通路Ch21的光源也会被同时启动。类似地,当设置在第一通路的光源启动时,设置在与第一通路Ch1对应的第十八通路Ch18的光源会同时启动。因此,可以向液晶面板的选择的区域提供具有更好亮度的光。即,可以通过选择通路位置和控制设置在通路上的光源的ON/OFF操作来调节图像的亮度程度。
结果,因为背光单元具有第一光聚集图案和第二光聚集图案,所以具有调节的了亮度值的光可以被聚集到选择的区域,而不是被分布到液晶面板的整个区域,从而可以提高根据分开驱动效果的对比度。
图65是当驱动现有技术的LCD时显示的屏幕图像,图66是当驱动根据本发明示例性实施例的LCD时显示的屏幕图像。
如图65和图66中所示,注意到,根据本发明示例性实施例的包括第一光聚集图案和第二光聚集图案的LCD的对比度和图像质量特性优于现有技术的LCD的对比度和图像质量特性。因此,因为背光单元具有第一光聚集图案和第二光聚集图案以提供具有选择性地调节的亮度值的光,所以尽管边光式背光单元采用局部调光驱动方案,但也可以有效地获得局部调光效果。
因此,根据本发明示例性实施例的背光单元的优点在于,该背光单元具有局部调光效果,即,改进的对比度和低的功耗,并且形成得较薄,这能够制造具有优良的画面质量特性的较薄的LCD。
现在,将参照图67描述根据本发明第十示例性实施例的具有LED封装件的背光单元。
图67是示出根据本发明示例性实施例的包括LED封装件的背光单元的分解剖视图,图68是图67中的导光板和LED封装件阵列的俯视平面图,图69是根据图68的示例性实施例的改进的导光板和LED封装件的阵列的俯视平面图。
参照图67,根据本发明第十示例性实施例的背光单元包括:多个LED封装件的阵列,所述多个LED封装件的阵列向设置在LED封装件阵列上部的液晶面板1050发射光;导光板1020;下盖1010;光学构件1060;控制器C1和C2。控制器包括LED块驱动控制器C1和面板图像信号传输单元C2。随后将参照图71进行详细地描述。
为了散热的目的,下盖1010通常由金属材料制成,其上安装有LED封装件的板和构成背光单元的其它元件例如导光板1020等设置在下盖1010中。
导光板1020由透明材料制成,以使LED封装件阵列1030发射的光穿过导光板1020,并且导光板1020大体具有正六面体形状的结构,但是导光板1020的结构不限于此。导光板1020使从导光板1020的横向方向发射的光均匀地扩散,以保持液晶面板1050上的亮度和颜色均匀性,并且使入射光均匀地直线前进。
光学构件1060设置在导光板1020的上部,以通过选择性地层叠漫射片或棱镜片中的一种来改进亮度,其中,漫射片用于按照各个方向漫射输出到液晶面板1050的光,棱镜片用于将向液晶面板1050输出的光收集到前视角。光学构件1060不是必要元件。
尽管未示出,但是根据需要,可以在导光板1020和下盖1010之间另外设置反射构件。
在本示例性实施例中,对于导光板1020和LED封装件阵列1030的构造,包括多个LED块Bh和Bv的LED封装件阵列1030设置在导光板1020的四个侧面的每个上。
在这种情况下,在设置在导光板1020的侧面的四个LED封装件阵列1030中,从垂直的LED封装件阵列发射的光在输入到导光板1020之后可以彼此重叠。另外,在本示例性实施例中,LED封装件阵列1030被分为LED块Bh和Bv,所以按块控制亮度。理解的是,导光板的区域根据分开的块如虚线所示被虚拟地分开。
详细地讲,LED块Bh和Bv包括一个或更多的LED封装件1031,LED封装件阵列1030中包括的每个LED块的亮度可以通过不同的电流注入信号来调节。在本示例性实施例中,基于图沿着水平方向设置在导光板1020的侧面的LED块Bh包括三个LED封装件1031,沿着竖直方向设置的LED块Bv包括两个LED封装件1031,但是本发明不限于此,可以根据需要适当地选择每个块中包括的LED封装件的数量。
包括在LED块Bh和Bv中的LED封装件1031优选地发射白光,从而用作LCD TV等的调光单元,所以LED封装件1031可以使用通过自身与荧光材料组合而发射白光的白色LED。然而,根据实施例,每个LED块Bh和Bv可以包括蓝色LED、绿色LED和红色LED。
按照这种方式,从水平块Bh和竖直LED块Bv发射的光束彼此重叠,在这种情况下,可以通过导光板1020在直线方向上均匀地引导光束。因此,因为从水平LED块Bh和竖直LED块Bv发射的光束彼此重叠,所以根据本示例性实施例的边光型背光单元可以实现局部调光。
现在将参照图70a和图70b进行描述。图70a和图70b示出了根据本发明示例性实施例的背光单元中实现的局部调光的原理。
首先,图70a示出了两个LED封装件阵列分别沿着水平方向和竖直方向设置在导光板的侧面的情况,在这种情况下,一个LED封装件阵列具有两个LED块。
假设每个LED块在状态(0)和状态(1)操作,在状态(0)下,每个LED块基本不发光,在状态(1)下,每个LED块发光,而不考虑每个LED块中包含的LED封装件的数量,则如图70a中所示导光板可以被分为四个区域,并且可以调节每个区域的亮度。
即,通过两个水平LED块中仅有一个以及两个竖直LED块中仅有一个发光,导光板的四个分开的区域的相对亮度值可以用1/2、0、1(1/2+1/2)和1/2表示。
现在将参照图70b描述详细的示例。
图70b示出了四个LED封装件阵列设置在导光板的侧面的情况,两个LED封装件阵列设置在水平方向上,两个LED封装件阵列设置在竖直方向上,其中,设置在每个方向上的对应的两个LED封装件阵列设置成彼此面对,导光板设置在对应的两个LED封装件阵列之间。在这种情况下,一个LED封装件阵列包括三个LED块。与图70a的情况不同,每个LED块可以按照三种模式操作,三种模式为:状态(0),其中,基本不发光;发射状态(1);中间发射状态(1/2)。
因此,当四个LED封装件阵列中的每个LED封装件阵列的发射状态如图70b中所示时,导光板被分为九个分开的驱动区域,每个区域的相对亮度值与1/2(1/3+1/6)、1/3(1/6+1/6)、2/3(1/6+1/6+1/3)、2/3(1/3+1/3)、1/2(1/3+1/6)、5/6(1/3+1/6+1/3)、2/3(1/3+1/6)、1/3(1/6+1/6)和2/3(1/3+1/6+1/6)对应。
按照这种方式,根据当前示例性实施例的背光单元可以单独调节设置在导光板的侧面的LED封装件中包括的每个LED块的亮度,从而能够局部调光。具体地讲,可以根据LED块的数量确定分开地驱动的区域的数量,并且可以根据发射状态情况的数量和LED封装件阵列的数量(两个或四个)可变地调节亮度水平。在这种情况下,随着发射状态情况的数量和LED封装件阵列的数量增加,可以更加精细地调节局部调光。
因此,与图68中示出的构造不同,仅两个LED封装件阵列1030设置在导光板1020的侧面并且设置为垂直的构造是可能的。
对于用于局部调光的驱动区域,即使驱动区域的数量不同(例如,矩形形状),以及沿着水平轴和沿着竖直轴的驱动区域的数量相同的情况,也可以局部调光。
另外,尽管根据实施例可变化,但是当液晶面板的尺寸是40英寸时,液晶面板可以分为64(8×8)个驱动区域以被驱动。
当液晶面板的尺寸是46英寸时,优选地,液晶面板可以被分为80(10×8)个区域以被驱动,当液晶面板的尺寸是52英寸时,优选地,液晶面板可以被分为96(12×8)个区域以被驱动。
如上所述,根据本示例性实施例的背光单元的特征在于,通过LED块来调节亮度值,该调节可以通过调节注入到LED块中的电流信号的大小来执行。现在将参照图71进行详细地描述。
图71是示出用于控制图67的根据本发明示例性实施例的背光单元的每个LED块的亮度的控制器的示意图。
首先,面板图像信号传输单元(图67中的C2)包括面板信息传输电路1080和1081以及面板信息组合电路单元1082。面板信息传输电路1080和1081从液晶面板1050接收每个分开的驱动区域的图像信号。在这种情况下,面板图像信号传输单元包括竖直轴控制器1080和水平轴控制器1081,接收的图像信号与根据施加到液晶面板的电信号的面板的开口率(液晶的倾斜变化)以及R、G、B颜色驱动信号对应。
图像信号针对水平轴和竖直轴在面板信息组合电路单元1082中以矩阵形式集成,从而通过LED块驱动控制器(未示出,图67中的C1)确定LED块Bh和Bv中的每个LED块的输出功率,如图71中的箭头所示。
在这种情况下,作为构成控制器的LED块驱动控制器和面板图像信号传输单元的详细电路构造,可以使用连接液晶面板和LED的已知电路构造。
在图71中,为了简洁,示出了对应的四个水平驱动区域和四个竖直驱动区域,即,十六个LED块Bh和Bv,并且为了控制整个驱动区域,将需要对应数量的传输电路单元和组合电路单元。
图72是在本发明不同示例性实施例中可以使用的导光板的俯视平面图,图73示出了可以用作图72的导光板的实施例。
如图72中所示,根据本示例性实施例的导光板1020′具有能够光学上区别的四个区域。与图67的示例性实施例中虚拟地分为多个驱动区域的导光板不同,导光板1020′被分为物理上(光学上)分开的多个区域。
导光板1020′包括设置在水平方向和竖直方向上的四个区域,所述四个区域被控制光前进(例如,阻挡光前进)的分开结构(D)分开。因此,导光板1020′的被分开结构(D)分开的每个区域可以被分别驱动,而不互相干扰,这可以与前面示例性实施例中的如上所述的每个LED块的单独控制相结合,以有效地实现局部调光。
在本示例性实施例中,所述分开结构是由具有高的光反射率的材料制成的反射结构,或者可以是如图73中所示通过在每个分开区域的边界点产生凹痕形成的不规则(锯齿形)部分(E)。另外,导光板1020′本身被分开的结构也是可以的。
如上所述,对于根据本发明示例性实施例的背光单元,因为该背光单元不需要具有与现有技术的直下式背光单元的厚度类似的大的厚度(即,在本发明中,光利用导光板传输到液晶面板),所以可以执行局部驱动,并且背光单元可以变得更薄。因此,根据局部驱动的效果,例如,根据局部调光方法增加了对比度,可以有效地得到清晰的画面质量,并且产品可以变得更薄。
如上所述,根据本发明的示例性实施例,通过包括用于侧视式安装的电极、弯曲部分和用于俯视式安装的电极的引线框架,LED封装件可以兼容地用作边光式LED封装件和直下式LED封装件,在这种情况下,因为用于侧视式安装的电极或者用于俯视式安装的电极以伸长的方式形成以增加与基底的接触面积,所以可以更加稳定地安装LED封装件。
另外,因为LED封装件包括接触部分,所以LED封装件的基底安装结构采用更大的安装面积,以确保稳定的结构,并且因为向外部散发接触区域产生的热,因此可以提高散热效率。
因此,利用串联型结构的背光单元可以采用局部调光驱动方法,从而可以局部地改变亮度,以增加屏幕图像上的亮度并降低功耗。
另外,因为背光单元可以兼容地(广泛地)使用边光式LED封装件和直下式LED封装件,所以可以提高背光单元的设计的自由度。
尽管已经结合示例性实施例示出和描述了本发明,但是本领域技术人员将清楚的是,在不脱离如权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可以进行修改和变化。

Claims (26)

1.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:
主体,安装在基底上;
发光二极管,安装在主体中,并且发射光;
引线框架,被暴露,以允许所述主体被选择性地俯视式安装或者侧视式安装。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述引线框架包括:
用于俯视式安装的电极,与所述基底电连接,以允许发光二极管面对所述基底的前表面;
弯曲部分,与用于俯视式安装的电极一体地形成,并且朝向与用于俯视式安装的电极不同的侧部弯曲;
用于侧视式安装的电极,形成在弯曲部分的端部,并且电连接到所述基底,以允许发光二极管被安装为与所述基底垂直。
3.根据权利要求2所述的发光二极管封装件,其中,所述用于侧视式安装的电极安装在所述主体的一侧。
4.根据权利要求3所述的发光二极管封装件,其中,所述用于俯视式安装的电极以伸长的方式形成在所述主体的下表面上。
5.根据权利要求2所述的发光二极管封装件,其中,所述用于俯视式安装的电极安装在所述主体的一侧。
6.根据权利要求5所述的发光二极管封装件,其中,所述用于侧视式安装的电极以伸长的方式形成在所述主体的另一侧上。
7.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:
主体,安装在基底上;
发光二极管,安装在所述主体中;
引线框架,与发光二极管电连接;
接触部分,形成在所述主体的表面上,并且提供安装面积以被安装在所述基底上。
8.根据权利要求7所述的发光二极管封装件,其中,所述引线框架被暴露以允许所述主体被侧视式安装或者俯视式安装。
9.根据权利要求8所述的发光二极管封装件,其中,所述引线框架包括:
用于俯视式安装的电极,与所述基底电连接,以允许发光二极管面对所述基底的前表面;
弯曲部分,与用于俯视式安装的电极一体地形成,并且朝向与用于俯视式安装的电极不同的侧部弯曲;
用于侧视式安装的电极,形成在弯曲部分的端部,并且电连接到所述基底,以允许发光二极管被安装为与所述基底垂直。
10.根据权利要求9所述的发光二极管封装件,其中,所述用于侧视式安装的电极安装在所述主体的一侧。
11.根据权利要求10所述的发光二极管封装件,其中,所述用于俯视式安装的电极以伸长的方式形成在所述主体的下表面上。
12.根据权利要求9所述的发光二极管封装件,其中,所述用于俯视式安装的电极安装在所述主体的一侧。
13.根据权利要求12所述的发光二极管封装件,其中,所述用于侧视式安装的电极以伸长的方式形成在所述主体的另一侧上。
14.根据权利要求7所述的发光二极管封装件,其中,所述接触部分形成在所述主体的中心部分。
15.根据权利要求7所述的发光二极管封装件,其中,所述接触部分安装在所述主体的侧部,并且具有朝向所述基底弯曲的端部。
16.根据权利要求7所述的发光二极管封装件,其中,所述接触部分和所述引线框架一体地形成。
17.根据权利要求7所述的发光二极管封装件,其中,所述引线框架弯曲为向内凹陷,以具有用于在其中容纳发光二极管的容纳部分。
18.一种背光单元,所述背光单元包括:
导光板,被构造为允许光朝向液晶面板前进;
发光二极管,安装在主体中并且产生光,其中,所述主体安装在基底上;
发光二极管封装件,具有引线框架并且安装在导光板上,所述引线框架被暴露,以允许所述主体被选择性地俯视式安装或者侧视式安装。
19.根据权利要求18所述的背光单元,其中,所述引线框架包括:
用于俯视式安装的电极,与所述基底电连接,以允许发光二极管面对所述基底的前表面;
弯曲部分,与用于俯视式安装的电极一体地形成,并且朝向与用于俯视式安装的电极不同的侧部弯曲;
用于侧视式安装的电极,形成在弯曲部分的端部,并且电连接到所述基底,以允许发光二极管被安装为与所述基底垂直。
20.根据权利要求18所述的背光单元,所述背光单元还包括:
接触部分,形成在主体的表面上,并且提供安装面积以被安装在所述基底上。
21.根据权利要求20所述的背光单元,其中,所述接触部分和所述引线框架一体地形成。
22.根据权利要求20所述的背光单元,其中,所述接触部分形成在所述主体的中心部分。
23.根据权利要求20所述的背光单元,其中,所述接触部分安装在所述主体的侧部,并且具有朝向所述基底弯曲的端部。
24.根据权利要求18所述的背光单元,其中,多个导光板一体地形成。
25.根据权利要求18所述的背光单元,还包括:
反射板,设置在所述导光板的下部。
26.根据权利要求18所述的背光单元,还包括:
光学片,设置在所述导光板的上部。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103777379A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示屏亮点检测方法
CN104170105A (zh) * 2012-03-13 2014-11-26 夏普株式会社 发光装置以及背光装置
CN107710427A (zh) * 2015-06-15 2018-02-16 Lg 伊诺特有限公司 发光二极管封装
CN108037560A (zh) * 2017-12-26 2018-05-15 重庆市中光电显示技术有限公司 导光板及背光模组
CN108511430A (zh) * 2018-04-28 2018-09-07 中国人民大学 一种晶体发光贴片led灯珠及其制备方法
CN108565225A (zh) * 2018-03-19 2018-09-21 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led封装金属线的测试方法及装置
CN111266805A (zh) * 2020-02-29 2020-06-12 上海亚尔光源有限公司 一种冷阴极钨镍芯棒加工方法
CN111403438A (zh) * 2015-08-31 2020-07-10 乐金显示有限公司 有机发光装置
CN111987212A (zh) * 2017-06-27 2020-11-24 亿光电子工业股份有限公司 一种封装支架结构及包含该封装支架机构的发光装置

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10021742B2 (en) 2014-09-28 2018-07-10 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
CN101968579B (zh) * 2009-07-27 2013-01-02 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示器及其组装方法
US8749978B2 (en) 2010-01-29 2014-06-10 Nitto Denko Corporation Power module
TW201213972A (en) * 2010-01-29 2012-04-01 Nitto Denko Corp Backlighting assembly and liquid crystal display device
US8592844B2 (en) 2010-01-29 2013-11-26 Nitto Denko Corporation Light-emitting diode device
KR101054972B1 (ko) * 2010-02-02 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
EP2708925B1 (en) * 2010-04-10 2022-03-30 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light source device
KR101719693B1 (ko) * 2010-05-11 2017-03-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20110131543A (ko) * 2010-05-31 2011-12-07 삼성엘이디 주식회사 백라이트 유닛
KR101705700B1 (ko) * 2010-07-01 2017-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US20120106126A1 (en) * 2010-11-01 2012-05-03 Seiko Epson Corporation Wavelength conversion element, light source device, and projector
KR101739742B1 (ko) * 2010-11-11 2017-05-25 삼성전자 주식회사 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 시스템
JP2012119252A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Hitachi Consumer Electronics Co Ltd 液晶表示装置
KR101713148B1 (ko) * 2010-12-14 2017-03-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
US20120188738A1 (en) * 2011-01-25 2012-07-26 Conexant Systems, Inc. Integrated led in system-in-package module
WO2012108356A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ
TWI419270B (zh) * 2011-03-24 2013-12-11 南茂科技股份有限公司 封裝堆疊結構
US9287477B2 (en) 2011-06-08 2016-03-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
KR101850431B1 (ko) 2011-07-07 2018-05-31 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 이를 포함하는 조명 시스템
KR101253247B1 (ko) * 2011-07-14 2013-04-16 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판
US8502445B2 (en) * 2011-07-18 2013-08-06 Universal Display Corporation RGBW OLED display for extended lifetime and reduced power consumption
KR101878863B1 (ko) * 2011-07-29 2018-07-16 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR101767973B1 (ko) 2011-08-16 2017-08-16 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리
DE102011112710A1 (de) * 2011-09-07 2013-03-07 Osram Ag Beleuchtungsvorrichtung
US9605814B2 (en) * 2011-09-08 2017-03-28 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module
JP5698633B2 (ja) * 2011-09-21 2015-04-08 株式会社東芝 半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法
KR101870443B1 (ko) * 2011-10-21 2018-06-22 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101275803B1 (ko) * 2011-10-27 2013-06-18 연세대학교 산학협력단 발광 장치 및 발광 시스템
KR101251815B1 (ko) * 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
GB2498347A (en) * 2012-01-10 2013-07-17 Design Led Products Ltd A lighting panel with side mounted top emitting LEDs
TW201338219A (zh) * 2012-03-12 2013-09-16 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件
KR101871374B1 (ko) * 2012-04-09 2018-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광 램프
KR101195975B1 (ko) 2012-05-07 2012-11-05 엘이디아트 (주) 복수의 도광판 연결구조를 갖는 led 광고판
KR101306247B1 (ko) 2012-05-11 2013-09-17 (주)포인트엔지니어링 백라이트 유닛용 광소자 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광소자와 그 어레이
CN103426979B (zh) * 2012-05-18 2016-06-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法
KR20140006203A (ko) 2012-06-27 2014-01-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI576880B (zh) * 2012-07-04 2017-04-01 禎信股份有限公司 背光模組及使用其之鍵盤
US9239489B2 (en) 2012-07-31 2016-01-19 Apple Inc. Display backlight with closely spaced light-emitting diode packages
KR101974354B1 (ko) * 2013-02-14 2019-05-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
WO2014178654A1 (ko) * 2013-04-30 2014-11-06 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 제조방법 및 반도체 발광소자를 포함하는 백라이트 유닛
KR101506291B1 (ko) * 2013-06-11 2015-03-30 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 제조방법 및 반도체 발광소자를 포함하는 백라이트 유닛
KR101455813B1 (ko) * 2013-04-30 2014-11-04 주식회사 세미콘라이트 백라이트 유닛
US9570044B2 (en) * 2013-05-09 2017-02-14 Htc Corporation Image adjusting method, light source module and electronic device
KR20150025231A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
JP6284079B2 (ja) * 2014-03-14 2018-02-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置、照明用光源、および照明装置
US20150362653A1 (en) * 2014-06-17 2015-12-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module
US9444015B2 (en) 2014-06-18 2016-09-13 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
TW201614347A (en) * 2014-08-12 2016-04-16 Glo Ab Integrated back light unit including non-uniform light guide unit
KR102248642B1 (ko) * 2014-08-13 2021-05-06 엘지디스플레이 주식회사 엘이디 패키지
KR102198695B1 (ko) 2014-09-03 2021-01-06 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US9890936B2 (en) * 2014-09-28 2018-02-13 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube light
US9689536B2 (en) 2015-03-10 2017-06-27 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp
CN112197181A (zh) 2014-09-28 2021-01-08 嘉兴山蒲照明电器有限公司 一种led直管灯
US10514134B2 (en) 2014-12-05 2019-12-24 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US20160178832A1 (en) * 2014-12-22 2016-06-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module, transparent display panel and transparent display apparatus
JP6156402B2 (ja) * 2015-02-13 2017-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102015109755A1 (de) 2015-06-18 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
CN204853358U (zh) * 2015-08-11 2015-12-09 合肥京东方显示光源有限公司 一种限位结构、背光模组和显示装置
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
CN105655455B (zh) * 2016-04-08 2018-01-30 湘能华磊光电股份有限公司 一种提升led光效的外延生长方法
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US9980341B2 (en) * 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
TWI713239B (zh) 2016-12-01 2020-12-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
KR102000926B1 (ko) 2016-12-27 2019-07-18 (주) 와이비코리아 지능형 led 조명 장치
KR102075547B1 (ko) * 2017-03-02 2020-02-10 (주)코아시아 방열 기능이 구비된 엘이디 칩 스케일 패키지 및 방열 기능이 구비된 엘이디 패키지
US10686158B2 (en) * 2017-03-31 2020-06-16 Innolux Corporation Display device
KR102545205B1 (ko) * 2017-12-27 2023-06-19 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제어 방법
WO2019151826A1 (ko) * 2018-02-05 2019-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치
KR102517072B1 (ko) * 2018-12-07 2023-03-31 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
US11442218B2 (en) * 2019-02-15 2022-09-13 Intematix Corporation Color liquid crystal displays and display backlights
CN110112278A (zh) * 2019-04-25 2019-08-09 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种安装基板及其发光装置
US10816176B1 (en) * 2019-05-07 2020-10-27 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light source package structure
CN110190048B (zh) * 2019-05-30 2024-10-29 深圳市中照科技有限公司 具有uv固化紫光和普通光源的倒装cob光源模块
KR102825814B1 (ko) 2019-11-22 2025-06-27 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지
CN113497012B (zh) * 2020-03-20 2024-02-23 海迪科(南通)光电科技有限公司 一种类太阳光谱封装结构及其制备方法
KR102334200B1 (ko) * 2020-06-03 2021-12-02 한국고요써모시스템(주) 열처리 장치의 기판 반송 유닛
DE102020121656A1 (de) 2020-08-18 2022-02-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
EP4254057A4 (en) * 2020-11-27 2024-07-31 LG Electronics Inc. DISPLAY DEVICE
WO2023287206A1 (ko) * 2021-07-14 2023-01-19 서울바이오시스주식회사 발광 패키지
KR102509964B1 (ko) * 2022-05-10 2023-03-14 주식회사 레다즈 백라이트 유닛 바
EP4430956A1 (en) 2023-03-16 2024-09-18 FjordAlg AS Pellet for feeding of aquatic species
CN117389082B (zh) * 2023-12-11 2024-03-15 深圳市鹏志自动化科技有限公司 一种高精度一体化背光源结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1423347A (zh) * 2001-12-07 2003-06-11 日立电线株式会社 发光元件及其制造方法和用于制造发光元件的引线框
JP2006080251A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
WO2007073062A1 (en) * 2005-12-20 2007-06-28 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode for top view type and side view type

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4446566A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-27 Telefunken Microelectron Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
US6372608B1 (en) 1996-08-27 2002-04-16 Seiko Epson Corporation Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
EP0966766A2 (en) 1997-12-16 1999-12-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. A?iii -nitride channeled led
KR100378917B1 (ko) * 1998-05-20 2003-04-07 로무 가부시키가이샤 반도체장치
TW414924B (en) * 1998-05-29 2000-12-11 Rohm Co Ltd Semiconductor device of resin package
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP4198284B2 (ja) * 1999-10-07 2008-12-17 ローム株式会社 面実装用光半導体装置
JP3964590B2 (ja) 1999-12-27 2007-08-22 東芝電子エンジニアリング株式会社 光半導体パッケージ
TW530424B (en) * 2000-02-09 2003-05-01 Nippon Leiz Corp Light source device
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
US6561680B1 (en) * 2000-11-14 2003-05-13 Kelvin Shih Light emitting diode with thermally conductive structure
DE10065624C2 (de) * 2000-12-29 2002-11-14 Hans Kragl Kopplungsanordnung zum optischen Koppeln eines Lichtwellenleiters mit einem elektro-optischen oder opto-elektrischen Halbleiterwandler
US20020163001A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
EP1420463A4 (en) 2001-08-22 2008-11-26 Sony Corp NITRID SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
JP2004127604A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード及びバックライトユニット
TW560813U (en) * 2003-03-06 2003-11-01 Shang-Hua You Improved LED seat
US6903380B2 (en) * 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2005310611A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Hitachi Displays Ltd バックライト装置及び表示装置
US7080933B2 (en) * 2004-05-28 2006-07-25 J. S. Technology Co., Ltd. BLU and module using the BLU
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
US7205575B2 (en) * 2004-09-22 2007-04-17 Unity Opto Technology Co., Ltd. High brightness light emitting diode
KR100616625B1 (ko) * 2004-10-20 2006-08-28 삼성전기주식회사 두께가 감소된 대화면 백라이트 장치
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
JP2006237141A (ja) 2005-02-23 2006-09-07 Stanley Electric Co Ltd サブマウント型led
US7311431B2 (en) * 2005-04-01 2007-12-25 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Light-emitting apparatus having a plurality of adjacent, overlapping light-guide plates
JP4815843B2 (ja) 2005-04-01 2011-11-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100774061B1 (ko) * 2005-05-17 2007-11-06 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 백라이트 및 액정 표시 장치
JP4739842B2 (ja) * 2005-07-25 2011-08-03 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100634189B1 (ko) 2005-08-31 2006-10-16 루미마이크로 주식회사 박막형 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
DE102006032416A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
JP4626467B2 (ja) * 2005-09-29 2011-02-09 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2007157940A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
JP5038623B2 (ja) * 2005-12-27 2012-10-03 株式会社東芝 光半導体装置およびその製造方法
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 led 패키지 및 그 제조방법
TW200729539A (en) * 2006-01-26 2007-08-01 Litmx Inc Making method for the circuit board of separated light emitting diode
KR100778278B1 (ko) * 2006-03-31 2007-11-22 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100780205B1 (ko) 2006-04-21 2007-11-27 삼성전기주식회사 액정표시장치용 백라이트 유닛
US7804105B2 (en) * 2006-06-27 2010-09-28 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side view type LED package
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
KR100772433B1 (ko) * 2006-08-23 2007-11-01 서울반도체 주식회사 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지
EP2063171A4 (en) * 2006-10-27 2010-12-01 Sharp Kk LIGHT SOURCE DEVICE, BACKLIGHTING DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
JP4689637B2 (ja) * 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光装置
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
CN101295044B (zh) * 2007-04-27 2011-06-29 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 背光模组及其光学板
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 lcd 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
JP5403579B2 (ja) * 2008-05-02 2014-01-29 シチズン電子株式会社 面状光源及び液晶表示装置
JP2009295560A (ja) * 2008-05-02 2009-12-17 Citizen Electronics Co Ltd 面状光源及び液晶表示装置
WO2009145548A2 (en) * 2008-05-27 2009-12-03 Lg Electronics Inc. Led back-light unit and liquid crystal display device using the same
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1423347A (zh) * 2001-12-07 2003-06-11 日立电线株式会社 发光元件及其制造方法和用于制造发光元件的引线框
JP2006080251A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
WO2007073062A1 (en) * 2005-12-20 2007-06-28 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode for top view type and side view type

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104170105A (zh) * 2012-03-13 2014-11-26 夏普株式会社 发光装置以及背光装置
US9507187B2 (en) 2012-10-17 2016-11-29 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for detecting the bright point in the liquid crystal display panel
CN103777379A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示屏亮点检测方法
CN107710427B (zh) * 2015-06-15 2020-05-22 Lg 伊诺特有限公司 发光二极管封装
CN107710427A (zh) * 2015-06-15 2018-02-16 Lg 伊诺特有限公司 发光二极管封装
US10928015B2 (en) 2015-06-15 2021-02-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting diode package
CN111403438A (zh) * 2015-08-31 2020-07-10 乐金显示有限公司 有机发光装置
CN111403438B (zh) * 2015-08-31 2023-10-24 乐金显示有限公司 有机发光装置
CN111987212A (zh) * 2017-06-27 2020-11-24 亿光电子工业股份有限公司 一种封装支架结构及包含该封装支架机构的发光装置
CN108037560A (zh) * 2017-12-26 2018-05-15 重庆市中光电显示技术有限公司 导光板及背光模组
CN108565225A (zh) * 2018-03-19 2018-09-21 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led封装金属线的测试方法及装置
CN108565225B (zh) * 2018-03-19 2024-05-24 重庆新视通智能科技有限公司 一种led封装金属线的测试方法及装置
CN108511430A (zh) * 2018-04-28 2018-09-07 中国人民大学 一种晶体发光贴片led灯珠及其制备方法
CN111266805A (zh) * 2020-02-29 2020-06-12 上海亚尔光源有限公司 一种冷阴极钨镍芯棒加工方法

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