CN102102828A - 发光二极管模组 - Google Patents
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Abstract
一种包括多个驱动电流源、驱动电路及比较及判断电路的发光二极管模组，其具有接收一操作电压的多个发光二极管串。驱动电流源分别串接发光二极管串。驱动电路包括一稳定电压产生器及一电压侦测调整器。稳定电压产生器依据一驱动电流提供一偏压电压至驱动电流源，用以控制驱动电流源所产生的电流的大小。电压侦测调整器依据驱动电流产生一低临界电压。比较及判断电路耦接于驱动电流源及电压侦测调整器间，接收发光二极管串与驱动电流源耦接的端点的多个端点电压及低临界电压，依据比较端点电压及低临界电压来调整操作电压。
Description
技术领域
本发明是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种发光二极管模组。
背景技术
由于发光二极管(light emitting diode，LED)的低功率消耗以及高亮度的实现，使其在多个方面的都被有效的应用，例如照明用灯、电子公布栏以及红绿灯。而另外发光二极管在美国国家电视标准委员会(NationalTelevision Standard Committee，NTSC)所制定的色域中，有着很优良的色域表现，因此也已逐渐取代之前用来作为显示器面板背光模组的冷阴极管(cold cathode fluorescent lamps，CCFLs)。
然而，现今以发光二极管在作为显示器面板背光模组时，却面临了两个最严重的问题。其中之一是如何使得背光模组中的多条发光二极管串能够表现出均匀的亮度，使显示器面板可以有更佳的显示效果。由于发光二极管串的亮度是依据流经该发光二极管串的电流来控制的，若是单纯的利用一个固定电压来驱动不同的发光二极管串，会因为每一个发光二极管串的特性有所差异，而导致整体亮度上的不均匀。
为了解决上述的问题，多种不同的公知技术被提出。其中的一种是利用多组的电压转电流的转换器，来针对多条的发光二极管串来调整亮度。这种方法因为可以单独针对每一条发光二极管串各别调整，因此可以有效消除各发光二极管串间的特性差别。但是此种公知的技术需要很多的电压转电流的转换器，并不是一种经济的方法。另外，还有利用分时多任务的方式，来针对不同的发光二极管串调整亮度以期达到亮度的均衡。而这种分时多任务的公知技术，则需要一个较高频率的频率，以及依据这个频率产生的多个切换信号来切换多个开关。
发明内容
本发明提供一种发光二极管模组，其消耗功率可大幅降低。
本发明提供一种发光二极管模组，其具有接收一操作电压的多数个发光二极管串(Light Emission Diode string，LED string)，其中发光二极管模组包括多数个驱动电流源、一驱动电路以及一比较及判断电路。驱动电流源分别串接于发光二极管串。驱动电路包括一稳定电压产生器以及一电压侦测调整器。稳定电压产生器依据一驱动电流以提供一偏压电压至驱动电流源，并用以控制驱动电流源所产生的电流的大小。电压侦测调整器依据驱动电流产生一低临界电压。比较及判断电路耦接于驱动电流源以及电压侦测调整器之间。比较及判断电路接收发光二极管串与驱动电流源耦接的端点的多数个端点电压以及低临界电压，并依据比较端点电压以及低临界电压来调整操作电压。
依据本发明的一实施例，稳定电压产生器包括一电流源、一电阻以及一电压源。电流源依据驱动电流产生一电流，而电阻的一端耦接电流源并产生偏压电压，且电压源耦接电阻的另一端。在一实施例中，电流源包括一第一晶体管。第一晶体管的栅极耦接一第一控制电压，且其第一源/漏极耦接一系统电压。在一实施例中，电流源还包括一第二晶体管。第二晶体管的栅极耦接一第二控制电压，而其第一源/漏极耦接第一晶体管的第二源/漏极，且其第二源/漏极耦接电阻。在一实施例中，发光二极管模组还包括一驱动电流产生器，其中驱动电流产生器，包括一参考电流源、一第三晶体管、一第四晶体管、一第一运算放大器、一第五晶体管以及一第六晶体管。参考电流源提供一参考电流。第三晶体管的第一源/漏极耦接系统电压，而其第二源/漏极耦接参考电流源并接收参考电流，且其栅极与其第二源/漏极彼此耦接。第四晶体管的第一源/漏极耦接系统电压，且其栅极以及第三晶体管的栅极相耦接并接收第一控制电压。第一运算放大器的第一输入端耦接至第三晶体管的第二源/漏极，且其第二输入端耦接至第四晶体管的第二源/漏极。第五晶体管的栅极与第一运算放大器的输出端以及第二晶体管的栅极相耦接并接收第二控制电压，而其第一源/漏极耦接第一运算放大器的第二输入端，且其第二源/漏极产生驱动电流。第六晶体管的栅极与其第一源/漏极耦接第五晶体管的第二源/漏极，且其第二源/漏极耦接一基准电压。在一实施例，参考电流源包括一第七晶体管、一另一运算放大器以及一另一电阻。第七晶体管的第一源/漏极产生参考电流。另一运算放大器的输出端耦接第七晶体管的栅极，而其第一输入端耦接一参考电压，且其第二输入端耦接第七晶体管的第二源/漏极。另一电阻的一端耦接第七晶体管的第二源/漏极，且其另一端耦接基准电压。在另一实施例，每一驱动电流源包括第八晶体管、第九晶体管以及第二运算放大器。第八晶体管的第一源/漏极耦接对应的发光二极管串。第九晶体管的第一源/漏极耦接第八晶体管的第二源/漏极，而其栅极耦接第六晶体管的栅极，且其第二源/漏极耦接基准电压。第二运算放大器的输出端耦接第八晶体管的栅极，而其第一输入端接收偏压电压，且其第二输入端耦接第八晶体管的第二源/漏极以及第九晶体管的第一源/漏极。
依据本发明的一实施例，比较及判断电路包括多个比较单元以及一判断单元，其中判断单元耦接比较单元。比较单元分别比较端点电压以及低临界电压，并产生多数个比较结果。判断单元接收比较结果，并依据比较结果来产生一电压调整信号。在一实施例中，发光二极管模组还包括一电源转换器。电源转换器耦接驱动电路、驱动电流源以及发光二极管串，用以依据电压调整信号来产生操作电压。在另一实施例中，比较结果为其中一个端点电压小于低临界电压时，则可透过电压调整信号来提高操作电压。
依据本发明的一实施例，电压侦测调整器包括一第一电流源、一第一电阻、一电压源以及一第二电阻。第一电流源依据驱动电流产生一电流。第一电阻的一端耦接第一电流源并产生低临界电压。电压源耦接第一电阻的另一端。第二电阻的一端耦接低临界电压，且其另一端耦接一第二电流源并产生一高临界电压。在一实施例中，第一电流源包括一第一晶体管。第一晶体管的栅极耦接一第一控制电压，且其第一源/漏极耦接一系统电压。在一实施例中，第一电流源还包括一第二晶体管。第二晶体管的栅极耦接一第二控制电压，而其第一源/漏极耦接第一晶体管的第二源/漏极，且其第二源/漏极耦接第一电阻以及第二电阻。在一实施例中，发光二极管模组还包括一驱动电流产生器，其中驱动电流产生器包括一参考电流源、一第三晶体管、一第四晶体管、一第一运算放大器、一第五晶体管以及一第六晶体管。参考电流源提供一参考电流。第三晶体管的第一源/漏极耦接系统电压，其第二源/漏极耦接参考电流源并接收参考电流，且其栅极与其第二源/漏极彼此耦接。第四晶体管的第一源/漏极耦接系统电压，且其栅极以及第三晶体管的栅极相耦接并接收第一控制电压。第一运算放大器的第一输入端耦接至第三晶体管的第二源/漏极，且其第二输入端耦接至第四晶体管的第二源/漏极。第五晶体管的栅极与第一运算放大器的输出端以及第二晶体管的栅极相耦接并接收第二控制电压，而其第一源/漏极耦接第一运算放大器的第二输入端，且其第二源/漏极产生驱动电流。第六晶体管的栅极与其第一源/漏极耦接第五晶体管的第二源/漏极，且其第二源/漏极耦接一基准电压。在一实施例中，参考电流源包括一第七晶体管、一另一运算放大器以及一另一电阻。在一实施例中，第七晶体管的第一源/漏极产生参考电流。另一运算放大器的输出端耦接第七晶体管的栅极，而其第一输入端耦接一参考电压，且其第二输入端耦接第七晶体管的第二源/漏极。另一电阻的一端耦接第七晶体管的第二源/漏极，且其另一端耦接基准电压。在另一实施例中，每一驱动电流源包括一第八晶体管、一第九晶体管以及一第二运算放大器。第八晶体管的第一源/漏极耦接对应的发光二极管串。第九晶体管的第一源/漏极耦接第八晶体管的第二源/漏极，其栅极耦接第六晶体管的栅极，其第二源/漏极耦接基准电压。第二运算放大器其输出端耦接第八晶体管的栅极，其第一输入端接收偏压电压，其第二输入端耦接第八晶体管的第二源/漏极以及该第九晶体管的第一源/漏极。
依据本发明的一实施例，电压源例如为一电压随耦器。
基于上述，本发明透过发光二极管模组中所设置的稳定电压产生器以及电压侦测调整器，可使流经发光二极管串的电流可更为精准，并减少发光二极管模组的整体消耗功率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1绘示本发明的一实施例的发光二极管模组的等效电路图。
图2为根据图1中的发光二极管串、驱动电流源以及驱动电路所绘示的等效电路图。
图3为跨压VDS与时间两者的关系曲线图。
具体实施方式
图1绘示本发明的一实施例的发光二极管模组的等效电路图。请参照图1，本实施例的发光二极管模组200具有多数个发光二极管串210(LightEmission Diode string，LED string)，其中每一发光二极管串210接收一操作电压V0以进行发光。
在本实施例中，发光二极管模组200包括多数个驱动电流源220、一驱动电路230以及一比较及判断电路240，其中驱动电路230包括一稳定电压产生器230a以及一电压侦测调整器230b。驱动电流源220分别串接于发光二极管串210，而比较及判断电路240耦接于驱动电流源220以及电压侦测调整器230b之间。
实务上，发光二极管模组200中可设置用以产生操作电压V0的一电源转换器250，其中电源转换器250耦接驱动电路230、驱动电流源220以及发光二极管串210。以下将利用图2所绘示的等效电路图来进一步说明本实施例，其中图2为根据图1中的发光二极管串、驱动电流源以及驱动电路所绘示的等效电路图。
请参照图2，在本实施例中，每一驱动电流源220包括一晶体管220T1、一晶体管220T2以及一运算放大器220OP。晶体管220T1的第一源/漏极耦接发光二极管串210，而晶体管220T1的第二源/漏极耦接晶体管220T2的第一源/漏极，且晶体管220T2的第二源/漏极耦接至一基准电压V2。运算放大器220OP的输出端耦接晶体管220T1的栅极，其第一输入端接收一偏压电压VD，其第二输入端耦接晶体管220T1的第二源/漏极以及晶体管220T2的第一源/漏极。
在本实施例中，稳定电压产生器230a包括一电流源230CS、一电阻230R以及一电压源230VSa，其中电压源230VSa为一电压随耦器(Voltagefollower)。详言之，电阻230R的两端分别耦接电流源230CS以及电压源230VSa，而电流源230CS包括一晶体管230Ta1以及一晶体管230Ta2。晶体管230Ta1的栅极以及第一源/漏极分别耦接至一控制电压VC1以及一系统电压V1，而晶体管230Ta1的第二源/漏极耦接晶体管230Ta2的第一源/漏极，且晶体管230Ta2的第二源/漏极以及栅极分别耦接至电阻230R以及一控制电压VC2。
承上述，本实施例的稳定电压产生器230a会依据一驱动电流IREF2来提供偏压电压VD至驱动电流源220，以控制驱动电流源220所产生的电流ILED的大小。更进一步地说，本实施例的稳定电压产生器230a可动态地调整偏压电压VD，以使驱动电流源220便可获得适当的跨压VDS。举例来说，当电流ILED为10、20或30毫安(milliampere，简称mA)时，稳定电压产生器230a可对应地将偏压电压VD调整为0.3、0.4或0.5伏特(Volt，简称V)，其中本实施例是透过调整电阻230R的电阻值来决定偏压电压VD的电压值。
在一较佳实施例中，稳定电压产生器230a可提供最低的偏压电压VD，以使驱动电流源220具有最低的跨压VDS，进而使驱动电流源220所产生的功率损耗降至最低。
另一方面，本实施例的电压侦测调整器230b会依据驱动电流IREF2来产生一低临界电压VTL。而本实施例的比较及判断电路240(绘示于图1)则可在接收发光二极管串210与驱动电流源220耦接的端点的多数个端点电压VN1、...、VNn以及低临界电压VTL之后，再透过比较端点电压VN1、...、VNn以及低临界电压VTL来调整操作电压V0。接下来，进一步说明电压侦测调整器230b以及比较及判断电路240。
在本实施例中，电压侦测调整器230b包括一电流源230CS1、一电阻230R1、230R2以及一电压源230VSb。详言之，电流源230CS1包括一晶体管230Tb1与230Tb2。晶体管230Tb1的栅极耦接控制电压VC1，而其第一源/漏极耦接系统电压V1。晶体管230Tb2的栅极耦接控制电压VC2，而其第一源/漏极耦接晶体管230Tb1的第二源/漏极，且其第二源/漏极耦接电阻230R1、230R2。此外，电阻230R1的其中一端耦接至电流源230CS1并产生低临界电压VTL，而其另一端耦接至电压源230VSb。
请同时参照图1以及图2，本实施例的比较及判断电路240包括多个比较单元240a以及一判断单元240b，其中判断单元240b耦接比较单元240a。发光二极管串210与驱动电流源220相耦接的多数个端点分别具有端点电压VN1、...VNn，而比较单元240a可分别比较这些端点电压VN1、...VNn以及低临界电压VTL，并进一步产生多数个比较结果。接着，判断单元240b在接收这些比较结果之后，便可依据这些比较结果来产生一电压调整信号以进一步对操作电压V0进行调整。
承上述，当比较结果为端点电压VN1、...VNn中的其中一个小于低临界电压VTL时，本实施例可利用电压调整信号来提高操作电压V0，以使电源转换器250依据此电压调整信号来产生较高的操作电压V0至发光二极管串210，直到每一驱动电流源220中的跨压VDS都符合大于等于低临界电压VTL的条件。
不仅如此，本实施例还会根据电流ILED的数值大小来对低临界电压VTL的数值进行调整。例如，当电流ILED为10、20或30毫安时，低临界电压VTL可对应地被调整为0.5、0.7或0.9伏特。
在其它实施例中，比较及判断电路240中的比较单元240a除了比较端点电压VN1、...VNn以及低临界电压VTL，还进一步将端点电压VN1、...VNn以及一高临界电压(容后详述)进行比对，并据以输出比较结果至判断单元240b。具体而言，如图2所绘示的电压侦测调整器230b，电阻230R2的其中一端耦接至低临界电压VTL，而其另一端耦接至一电流源230CS2并产生高临界电压VTH。于是，当比较结果为端点电压VNn、...VNn中的其中一个大于高临界电压VTH时，则可透过电压调整信号来降低操作电压V0，以使电源转换器250依据此电压调整信号来产生较低的操作电压V0，进而使发光二极管串210接收较低的操作电压V0。如此一来，每一驱动电流源220中的跨压VDS都可符合大于等于低临界电压VTL且小于高临界电压VTH的条件，如图3所示。
从以上叙述可清楚地看到，透过调整操作电压V0的动作，可使流经每一发光二极管串210的电流ILED皆具有精准的电流值。然而，调整操作电压V0的依据可以是透过比较端点电压VN1、...VNn以及低临界电压VTL两者而来，也可以为透过比较端点电压VN1、...VNn、高临界电压VTH以及低临界电压VTL三者而来。
最后一提的是，在本实施例的稳定电压产生器230a以及电压侦测调整器230b中，电流源230CS例如依据驱动电流IREF2而产生一电流230Ia，而电流源230CS1例如依据驱动电流IREF2而产生一电流230Ib。在本实施例中，发光二极管模组200(绘示于图1)中例如设置用以提供驱动电流IREF2的一驱动电流产生器260，其中驱动电流产生器260包括一参考电流源260CS、一晶体管260T1、一晶体管260T2、一运算放大器260OP1、一晶体管260T3以及一晶体管260T4。
承上述，本实施例的参考电流源260CS用以提供一参考电流IREF1，其中参考电流源260CS包括一晶体管260T5、一运算放大器260OP2以及一电阻260R。晶体管260T5的第一源/漏极产生参考电流IREF1，而电阻260R的两端分别耦接至晶体管260T5的第二源/漏极以及基准电压V2。另一方面，运算放大器260OP2的输出端耦接晶体管260T5的栅极，其第一输入端耦接一参考电压VREF，其第二输入端耦接至晶体管260T5的第二源/漏极以及电阻260R。
此外，晶体管260T1及260T2两者的第一源/漏极耦接系统电压V1，而两者的栅极彼此耦接并接收控制电压VC1。晶体管260T1的第二源/漏极以及栅极彼此耦接至运算放大器260OP1的第一输入端以及参考电流源260CS并接收参考电流IREF1，而晶体管260T2的第二源/漏极耦接至运算放大器260OP1的第二输入端。晶体管260T3的栅极耦接至运算放大器260OP1的输出端以及晶体管230Ta2的栅极并接收控制电压VC2，而其第一源/漏极耦接运算放大器260OP1的第二输入端，且其第二源/漏极产生驱动电流IREF2。晶体管260T4的栅极以及第一源/漏极两者耦接至晶体管260T3的第二源/漏极以及晶体管220T2的栅极，而其第二源/漏极耦接至基准电压V2。
综上所述，在本发明的发光二极管模组中，稳定电压产生器可用来控制串接至发光二极管串的驱动电流源所产生的电流的大小，而所产生的低临界电压可作为调整发光二极管串所接收的操作电压的依据。如此，流经发光二极管串的电流可更为精准，且发光二极管模组的整体消耗功率可大幅降低。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视前述的权利要求范围所界定者为准。
Claims (14)
1.一种发光二极管模组，具有接收一操作电压的多数个发光二极管串，其特征在于，该发光二极管模组包括：
多数个驱动电流源，分别串接于该些发光二极管串；
一驱动电路，耦接该些驱动电流源，包括：
一稳定电压产生器，依据一驱动电流提供一偏压电压至该些驱动电流源，并用以控制该些驱动电流源所产生的电流的大小；以及
一电压侦测调整器，依据该驱动电流产生一低临界电压；以及
一比较及判断电路，耦接于该些驱动电流源以及该电压侦测调整器之间，且接收该些发光二极管串与该些驱动电流源耦接的端点的多数个端点电压以及该低临界电压，并依据比较该些端点电压以及该低临界电压来调整该操作电压。
2.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于，该稳定电压产生器包括：
一电流源，依据该驱动电流产生一电流；
一电阻，其一端耦接该电流源并产生该偏压电压；以及
一电压源，耦接该电阻的另一端。
3.如权利要求2所述的发光二极管模组，其特征在于，该电流源包括：
一第一晶体管，其栅极耦接一第一控制电压，且其第一源/漏极耦接一系统电压。
4.如权利要求3所述的发光二极管模组，其特征在于，该电流源还包括：
一第二晶体管，其栅极耦接一第二控制电压，其第一源/漏极耦接该第一晶体管的第二源/漏极，其第二源/漏极耦接该电阻。
5.如权利要求4项所述的发光二极管模组，其特征在于，还包括：
一驱动电流产生器，包括：
一参考电流源，提供一参考电流；
一第三晶体管，其第一源/漏极耦接该系统电压，其第二源/漏极耦接该参考电流源并接收该参考电流，其栅极与其第二源/漏极彼此耦接；
一第四晶体管，其第一源/漏极耦接该系统电压，且其栅极以及该第三晶体管的栅极相耦接并接收该第一控制电压；
一第一运算放大器，其第一输入端耦接至该第三晶体管的第二源/漏极，且其第二输入端耦接至该第四晶体管的第二源/漏极；
一第五晶体管，其栅极与该第一运算放大器的输出端以及该第二晶体管的栅极相耦接并接收该第二控制电压，其第一源/漏极耦接该第一运算放大器的第二输入端，其第二源/漏极产生该驱动电流；以及
一第六晶体管，其栅极与其第一源/漏极耦接该第五晶体管的第二源/漏极，其第二源/漏极耦接一基准电压。
6.如权利要求5所述的发光二极管模组，其特征在于，该参考电流源包括：
一第七晶体管，其第一源/漏极产生该参考电流；
一另一运算放大器，其输出端耦接该第七晶体管的栅极，其第一输入端耦接一参考电压，其第二输入端耦接该第七晶体管的第二源/漏极；以及
一另一电阻，其一端耦接该第七晶体管的第二源/漏极，其另一端耦接该基准电压。
7.如权利要求5所述的发光二极管模组，其特征在于，每一驱动电流源包括：
一第八晶体管，其第一源/漏极耦接对应的发光二极管串；
一第九晶体管，其第一源/漏极耦接该第八晶体管的第二源/漏极，其栅极耦接该第六晶体管的栅极，其第二源/漏极耦接该基准电压；以及
一第二运算放大器，其输出端耦接该第八晶体管的栅极，其第一输入端接收该偏压电压，其第二输入端耦接该第八晶体管的第二源/漏极以及该第九晶体管的第一源/漏极。
8.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于，该电压侦测调整器包括：
一第一电流源，依据该驱动电流产生一电流；
一第一电阻，其一端耦接该第一电流源并产生该低临界电压；
一电压源，耦接该第一电阻的另一端；以及
一第二电阻，其一端耦接该低临界电压，且其另一端耦接一第二电流源并产生一高临界电压。
9.如权利要求8所述的发光二极管模组，其特征在于，该第一电流源包括：
一第一晶体管，其栅极耦接一第一控制电压，且其第一源/漏极耦接一系统电压。
10.如权利要求9所述的发光二极管模组，其特征在于，该第一电流源还包括：
一第二晶体管，其栅极耦接一第二控制电压，其第一源/漏极耦接该第一晶体管的第二源/漏极，其第二源/漏极耦接该第一电阻以及该第二电阻。
11.如权利要求10所述的发光二极管模组，其特征在于，还包括：
一驱动电流产生器，包括：
一参考电流源，提供一参考电流；
一第三晶体管，其第一源/漏极耦接该系统电压，其第二源/漏极耦接该参考电流源并接收该参考电流，其栅极与其第二源/漏极彼此耦接；
一第四晶体管，其第一源/漏极耦接该系统电压，且其栅极以及该第三晶体管的栅极相耦接并接收该第一控制电压；
一第一运算放大器，其第一输入端耦接至该第三晶体管的第二源/漏极，且其第二输入端耦接至该第四晶体管的第二源/漏极；
一第五晶体管，其栅极与该第一运算放大器的输出端以及该第二晶体管的栅极相耦接并接收该第二控制电压，其第一源/漏极耦接该第一运算放大器的第二输入端，其第二源/漏极产生该驱动电流；以及
一第六晶体管，其栅极与其第一源/漏极耦接该第五晶体管的第二源/漏极，其第二源/漏极耦接一基准电压。
12.如权利要求11所述的发光二极管模组，其特征在于，该参考电流源包括：
一第七晶体管，其第一源/漏极产生该参考电流；
一另一运算放大器，其输出端耦接该第七晶体管的栅极，其第一输入端耦接一参考电压，其第二输入端耦接该第七晶体管的第二源/漏极；以及
一另一电阻，其一端耦接该第七晶体管的第二源/漏极，其另一端耦接该基准电压。
13.如权利要求11所述的发光二极管模组，其特征在于，每一驱动电流源包括：
一第八晶体管，其第一源/漏极耦接对应的发光二极管串；
一第九晶体管，其第一源/漏极耦接该第八晶体管的第二源/漏极，其栅极耦接该第六晶体管的栅极，其第二源/漏极耦接该基准电压；以及
一第二运算放大器，其输出端耦接该第八晶体管的栅极，其第一输入端接收该偏压电压，其第二输入端耦接该第八晶体管的第二源/漏极以及该第九晶体管的第一源/漏极。
14.如权利要求1或8所述的发光二极管模组，其特征在于，该比较及判断电路包括：
多个比较单元，分别比较该些端点电压以及该低临界电压，并产生多数个比较结果；以及
一判断单元，耦接该些比较单元，接收该些比较结果，并依据该些比较结果来产生一电压调整信号；
一电源转换器，耦接该驱动电路、该些驱动电流源以及该些发光二极管串，用以依据该电压调整信号来产生该操作电压。
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