CN102107196B - 一种清洗半导体中的聚合物的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种清洗半导体中的聚合物的方法，属于半导体制作领域，为解决目前在半导体制作过程中清洗聚合物时，铝片上产生白色痕迹现象而发明。所述方法包括：将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中，由所述冲洗槽底部向上喷水，直到溢水，使得所述水持续溢出所述冲洗槽预定时间，再将所述水排放；从所述冲洗槽底部向上喷水，同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水，直到所述水充满所述冲洗槽，再将所述水排放；其中，所述水为去离子水。本发明可用于清洗制作半导体过程中残留的聚合物。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及用于制造半导体半导体时清洗残留聚合物的方法。
背景技术
目前，制作半导体通常通过在基板上沉积一层金属(通常沉积铝)、贴光刻胶、曝光、显影、铝刻蚀等工艺。其中，在铝刻蚀工艺中，通常用氯气、三氯化硼来进行刻蚀，而三氯化硼与铝能够生成聚合物。在刻蚀完成后需将生成的聚合物去除。
传统的去除方法是，先将刻蚀后的半导体浸泡在聚合物清洗药液中，然后将半导体从清洗药液槽放进冲洗槽中用水冲洗，以彻底清洗残留的聚合物。其冲洗方法如图1所示，将半导体1从清洗药液槽送入冲洗槽3中，由冲洗槽底部向上溢水，同时从槽的顶部向半导体喷水(如图1中a)，直到水充满冲洗槽(如图1中b)，再将水排放(如图1中c)，如此反复若干次；之后，由冲洗槽底部向上喷水(如图1中d)，使得水持续溢出冲洗槽若干分钟后将水排放(如图1中e、f)。
用应用材料8330铝刻蚀机进行铝条宽度为0.6微米的铝刻蚀工艺中，由于应用材料8330铝刻蚀机设备本身硬件构造的特性导致其各向异性能力很弱，在做0.6微米铝腐蚀过程中必须加重侧壁的聚合物，才能保证铝形貌符合产品规范要求，而过重的聚合物保护使铝腐蚀后的聚合物清洗变得困难，在铝条中留有白色痕迹(本申请人称之为“发雾”现象)，导致冲洗后仍有“发雾”异常现象，从而大大降低了良品的生产率。
发明内容
本发明要解决的一个技术问题是提供一种用于制造半导体半导体时清洗残留聚合物的方法，该方法能够避免冲洗半导体聚合物时产生白色痕迹。
为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种用于制造半导体半导体时清洗残留聚合物的方法包括：
将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中，由所述冲洗槽底部向上喷水，直到溢水，使得所述水持续溢出所述冲洗槽预定时间，再将所述水排放；
从所述冲洗槽底部向上喷水，同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水，直到水充满所述冲洗槽，再将所述水排放；
其中，所述水为去离子水。
与传统的技术相比，利用该方法对半导体进行冲洗，能够使半导体从清洗药液槽送到冲洗槽的开始一段时间所处的水与清洗药液所形成的混合溶液对铝片的腐蚀较小，从而避免半导体铝片中产生白色痕迹。
附图说明
图1为传统技术中残留聚合物的冲洗示意图；
图2为本发明清洗残留聚合物方法的流程图；
图3为本发明清洗残留聚合物方法的示意图；
图4为水与清洗药液的比例对铝刻蚀速率的关系图。
附图符号说明：
1半导体；2冲洗槽底部喷水管；3冲洗槽；4冲洗管底部喷水管；5冲洗槽上方喷水管。
具体实施方式
本发明的目的在于提供一种用于制造半导体时清洗残留聚合物的方法，该方法能够消除在半导体半导体制作过程中产生的“发雾”现象。
以下结合附图和实施例对本发明清洗残留聚合物的方法作详细的说明。
如图3所示，一种清洗残留聚合物的方法包括：
S10：将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中，由冲洗槽底部向上喷水，
直到溢水，使得水持续溢出冲洗槽预定时间，再将水排放；
S20：从冲洗槽底部向上喷水，同时从冲洗槽的顶部向半导体喷水，直到水充满冲洗槽，再将水排放；
其中，所述水为去离子水。
其中，将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中，由冲洗槽底部向上喷水，直到溢水，使得所述水持续溢出冲洗槽预定时间具体为：将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中，由冲洗槽底部向上喷水5～10分钟。如图3所示，将经过清洗药液浸泡后残留有聚合物的半导体1放入冲洗槽3中(如图3中a)，打开冲洗槽底部喷水管3的开关，以喷出水，直到水从冲洗槽的上部溢出(如图3中b)。其中，水溢出时间在5～10分钟为宜，本实施例中，选择水溢出时间为5分钟。等水溢出5分钟后，通过冲洗槽底部的排水口4将水排放(如图3中c)。
从冲洗槽底部向上喷水，同时从槽的顶部向半导体喷水，直到水充满冲洗槽，再将水排放具体为：从冲洗槽底部向上喷水，同时从槽的顶部向半导体喷水，直到水面到达槽顶部，再将水排放，如此反复8～10次。如图3所示，经过步骤S10后，打开冲洗槽底部喷水管2的开关，以喷出水。同时，打开冲洗槽上方的喷水头5的开关，使得水喷向冲洗槽中的半导体1(如图3中d)，直到水充满冲洗槽(如图3中e)后，再通过排水口4将水排放(如图3中f)。本实施例反复8次，结束冲洗。
在做聚合物清洗过程中，对铝的刻蚀速率越低越好，否则会破坏已经成形的铝条。清洗聚合物的清洗药液本身对铝的刻蚀速率很低，但半导体从清洗药液槽送到冲洗槽的开始一段时间，半导体上残留的清洗药液会与冲洗槽中的水形成一定的比例，水与残留的清洗药液以不同比例混合，对铝有不同的刻蚀速率。图4为水与清洗药液的比例对铝刻蚀速率的关系图，其中横轴表示水与清洗药液的比例，纵轴表示对铝的刻蚀速率。当喷水过程中水与清洗药液的比例在1∶19～2∶1之间时，对铝的刻蚀率较大，对于0.6微米铝条的半导体工艺而言不可接受的铝刻蚀速率。而喷水过程中水与清洗药液的比例小于1∶19或大于2∶1时对铝的刻蚀速率较小。利用本发明方法冲洗，能够使半导体从清洗药液槽送到冲洗槽的开始一段时间所处的水与清洗药液比例大于2∶1，对铝刻蚀速率小，从而能够消除铝片中产生的白色痕迹。
本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的宗旨和范围。若这些改动和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (5)
1.一种清洗半导体中的聚合物的方法，其特征在于：包括：
将残留有聚合物的半导体从清洗药液槽放入冲洗槽中，由所述冲洗槽底部向上喷水，直到溢水，使得所述水持续溢出所述冲洗槽预定时间，再将所述水排放；
从所述冲洗槽底部向上喷水，同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水，直到水充满所述冲洗槽，再将所述水排放；
其中，所述水为去离子水。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述使得所述水持续溢出所述冲洗槽预定时间具体为：
将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中，使得所述水持续溢出所述冲洗槽5～10分钟。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述使得所述水持续溢出所述冲洗槽5～10分钟具体为：使得所述水持续溢出所述冲洗槽5分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述从所述冲洗槽底部向上喷水，同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水，直到水充满所述冲洗槽，再将所述水排放具体为：
从所述冲洗槽底部向上喷水，同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水，直到水充满所述冲洗槽，再将所述水排放，如此反复8～10次。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：从所述冲洗槽底部向上喷水，同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水，直到水充满所述冲洗槽，再将所述水排放，如此反复8次。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0918081A1 (en) * | 1997-11-21 | 1999-05-26 | International Business Machines Corporation | Etching composition and use |
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| CN101285189A (zh) * | 2007-04-12 | 2008-10-15 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 减少金属刻蚀工艺反应腔室产生沉积物的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6227213B1 (en) * | 1997-04-28 | 2001-05-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and an apparatus for the wet treatment of a semiconductor wafer |
| EP0918081A1 (en) * | 1997-11-21 | 1999-05-26 | International Business Machines Corporation | Etching composition and use |
| CN1393912A (zh) * | 2001-06-26 | 2003-01-29 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体晶片的清洗方法 |
| CN1527364A (zh) * | 2003-04-29 | 2004-09-08 | ̨������·����ɷ�����˾ | 晶圆的清洗方法及其装置 |
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