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CN102098883A - 用于制造基板的载体以及使用该载体制造基板的方法 - Google Patents

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CN102098883A CN2010101396277A CN201010139627A CN102098883A CN 102098883 A CN102098883 A CN 102098883A CN 2010101396277 A CN2010101396277 A CN 2010101396277A CN 201010139627 A CN201010139627 A CN 201010139627A CN 102098883 A CN102098883 A CN 102098883A
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metal layer
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赵成愍
孙暻镇
吴昌建
洪贤贞
裵泰均
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Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种用于制造基板的载体,该载体包括:两层绝缘层,每层绝缘层的一侧都设有第一金属层、且另一侧都设有第二金属层;以及第三金属层,该第三金属层具有比第一金属层低的熔点、并在分别形成于所述两层绝缘层上的两层第一金属层之间形成,使得两层所述第一金属层互相贴附。该载体的优点是该载体能够通过加热第三金属层来分离,使得基板的尺寸在分离该载体时不变,由此保持基板与制造设施之间的相容性。

Description

用于制造基板的载体以及使用该载体制造基板的方法
相关申请的交叉参考
此申请要求2009年12月15日提交的、申请号为No.10-2009-0124707、发明名称为“用于制造基板的载体部件以及使用该载体部件制造基板的方法”的韩国专利申请的优先权,因此将其全文引入本申请作为参考。
技术领域
本发明涉及用于制造基板的载体以及使用该载体制造基板的方法。
背景技术
一般来说,印刷电路板(PCB)是通过如下方法制得的:使用铜箔在由各种热固性树脂构成的基板的一侧或两侧图形化,在该基板上布置并固定IC或电子元件以形成电路,然后用绝缘体涂覆该基板。
近来,随着电子工业的进步,日益需要电子元件成为很高的功能化、轻、薄、短和小。因此,装载有这种电子元件的印刷电路板也需要高度密集和薄。
特别是,为了跟上印刷电路板的薄型化,通过除去核心能够降低厚度以及能缩短信号处理时间的无芯基板(coreless substrate)受到很大关注。然而,无芯基板需要在生产过程中用作支持物的载体,因为该无芯基板没有核心。下文中,将参考图1A至1E来说明制造无芯基板的常规方法。
图1A至1E为顺序显示使用载体制造基板的常规方法的截面图。将参考图1A至1E来说明常规技术的问题。
首先,如图1A所示,提供了载体10。该载体10通过在覆铜板(CCL)11的两侧上顺序形成粘合膜12、第一金属层13和第二金属层14而制得。在这种情况下,对所述载体进行加热并通过压力进行压制,因此使所述覆铜板11和所述第二金属层14在它们的外围通过粘合膜12互相贴附。同时,为了使所述覆铜板11与所述第二金属层14相互稳定地贴附,它们之间的接触面必须具有10mm的厚度,并且所述第一金属层13和所述第二金属层真空吸附。
下面,如图1B所示,积层层(build up layer)15形成于所述载体10的两侧。此处,每个所述积层层15以通常的方式形成,并额外设有第三金属层16用于防止所述积层层15在其最外层翘曲。
接着,如图1C所示,使所述积层层15从所述载体10中分离。此处,通过除去所述粘合膜的边缘来使所述积层层15从所述载体10中分离,通过该粘合膜,所述覆铜板11与所述第二金属层14通过布线过程(routingprocess)互相贴附。
接着,如图1D所示,通过蚀刻除去形成于所述积层层15的最外层的所述第二金属层14和所述第三金属层16。
接着,如图1E所示,用于暴露焊垫19的开口17形成于所述积层层15的最外绝缘层中,然后在所述焊垫19上形成焊球18。
在这种常规的基板制造方法中,所述积层层15最终必须从所述载体10中分离。然而,由于在这种分离过程中所述载体10的两边都通过布线过程而除去,使所述载体10的尺寸减小,因此难于再利用所述载体10。因此,该常规的基板制造方法的问题在于,所述载体10必须在制造印刷电路板的任何时候额外提供,因此增加了该印刷电路板的制造成本。此外,该常规的基板制造方法的问题在于,难于保持基板与制造设施之间的相容性,因为基板的尺寸根据布线过程而改变。
此外,该常规的基板制造方法的问题在于,所述积层层15能够任意地从所述载体10中分离,因为所述积层层15实际上仅仅通过所述粘合膜12边缘的粘合力而固定在所述载体10上。
发明内容
因此,提出本发明以解决上述问题,并且本发明提供了一种用于制造基板的载体以及使用该载体制造基板的方法,该载体能够通过加热具有相对较低熔点的金属层而容易地分离,而不需要进行布线过程,并且该载体能够用作最终制成印刷电路板的绝缘层或电路层。
本发明的一方面提供了用于制造基板的载体,该载体包括:两层绝缘层,每层绝缘层的一侧都设有第一金属层,并且另一侧都设有第二金属层;以及第三金属层,该第三金属层具有比所述第一金属层低的熔点,并在分别形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层之间形成,使得两层所述第一金属层互相贴附。
此处,所述第三金属层可以由锡或锡合金制成。
此外,所述第三金属层可以由选自由锡、镉、铅、铋、锌以及它们的合金或组合所组成的组中的任一种而制成。
此外,所述第一金属层可以由铜、镍或铝制成。
此外,所述绝缘层可以由预浸料坯(prepreg)或ABF(味之素积层膜(Ajinomoto Build up Film))形成。
此外,可以在所述第三金属层和所述第一金属层之间形成金属间化合物层。
本发明的另一方面提供了使用载体制造基板的方法,该方法包括:提供两层绝缘层,每层绝缘层的一侧都设置有第一金属层,并且另一侧都设置有第二金属层;在分别形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层之间形成第三金属层,使得两层所述第一金属层互相贴附,该第三金属层具有比所述第一金属层低的熔点,由此提供载体;在所述第二金属层的暴露表面上形成积层层;并将所述第三金属层加热至熔点以上以分离所述载体。
此处,在形成所述第三金属层时,所述第三金属层可以由锡或锡合金制成。
此外,在形成所述第三金属层时,所述第三金属层可以由选自由锡、镉、铅、铋、锌以及它们的合金或组合所组成的组中的任一种制成。
使用载体制造基板的方法还可以包括:在分离所述载体之后,除去残留在所述第一金属层上的所述第三金属层。
使用载体制造基板的方法还可以包括:在分离所述载体之后,将所述第一金属层图形化以形成第一电路图形。
使用载体制造基板的方法还可以包括:在分离所述载体之后,除去所述第一金属层,然后通过镀覆方法形成第一电路图形。
使用载体制造基板的方法还可以包括:在形成所述第三金属层之后,将所述第二金属层图形化以形成第二电路图形。
此外,所述第三金属层的形成过程可以包括:在分别形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层上镀覆所述第三金属层;并加热和压制镀覆于两层所述第一金属层上的所述第三金属层以使它们互相贴附,由此提供所述载体。
此外,所述第三金属层的形成过程可以包括:在形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层的任一层上镀覆所述第三金属层;加热并压制镀覆在一层第一金属层上的第三金属层和另一层第一金属层,以使它们互相贴附,由此提供载体。
此外,所述第三金属层的形成过程可以包括:加热并压制箔形的第三金属层以使该第三金属层叠置在形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层上;以及加热并压制叠置在两层所述第一金属层上的所述第三金属层以使它们互相贴附,由此提供载体。
此外,所述第三金属层的形成过程可以包括:加热并压制箔形的第三金属层以使该第三金属层叠置在形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层的任一层上;以及加热并压制叠置在一层第一金属层上的第三金属层和另一层第一金属层,以使它们互相贴附,由此提供载体。
此外,在设置所述两层绝缘层时,所述第一金属层可以由铜、镍或铝制成。
此外,在设置所述两层绝缘层时,所述第一金属层可以由预浸料坯或ABF形成。
此外,在形成所述第三金属层时,可以在所述第三金属层和所述第一金属层之间形成金属间化合物层。
参考附图从下列实施方式的描述将使本发明的各种目的、优点和特征变得显然。
用于本申请和权利要求书中的术语和用词不应当解释为限定于典型含义或词典定义,而应当基于根据发明人能够适当定义术语的概念以描述他或她知道实现本发明的最好方法的规则,解释为具有相关于本发明技术范围的含义和概念。
附图说明
结合附图从下列详细描述将更清楚地理解本发明的上述或其它目的、特征和优点,其中:
图1A-1E为顺序显示使用载体制造基板的常规方法的截面图;
图2为显示根据本发明的实施方式的用于制造基板的载体的截面图;
图3-10为顺序显示根据本发明的实施方式的使用载体制造基板的方法的截面图。
具体实施方式
结合附图从下面的详细描述以及优选实施方式将更清楚地理解本发明的目的、特征和优点。在所有附图中,相同的附图标记用于标明相同或相似的部件,并省去其多余的描述。此外,在下列描述中,术语“一侧”、“另一侧”、“第一”、“第二”、“第三”等用于将某个部件与其它部件区分开,但该部件的构造不应当理解为被该术语限制。此外,在本发明的描述中,当确定相关领域的详细描述会使本发明的要点不清楚时,将省去该描述。
下文中,将参考附图详细地描述本发明的优选实施方式。
图2为显示根据本发明的实施方式的用于制造基板的载体的截面图。
如图2所示,根据本发明的实施方式的用于制造基板的载体100包括:两层绝缘层120,每层所述绝缘层的一侧都设置有第一金属层110,且另一侧都设置有第二金属层130;以及第三金属层140,该第三金属层140具有比所述第一金属层110低的熔点,并在分别形成于所述两层绝缘层120上的两层所述第一金属层110之间形成,使得两层所述第一金属层110互相贴附。
因为每层所述第一金属层110用作所述载体110的支持物,所以每层所述第一金属层110必须具有预定强度以上的承载力(bearing resistance)以防止所述载体100的翘曲,且必须具有比所述第三金属层140高的熔点,所述第三金属层在分离所述载体100时熔化。考虑到上述承载力和熔点,每层所述第一金属层110可以由铜、镍或铝制成。供参考,构成所述第三金属层140的金属(如锡、镉、铅、铋、锌等)具有熔点范围为约232℃至约419℃(锡:约232℃,镉:约320.9℃,铅:约327℃,铋:约271.3℃,锌:约419℃),同时,构成每层所述第一绝缘层110的金属(如铜、镍或铝)具有熔点范围为约660℃至约1455℃(铜:约1083℃,镍:约1455℃,铝:约660℃)。因此,在分离所述载体110时,当将所述载体100加热至预定的温度(例如从419℃以上至低于660℃的温度范围)时,只有所述第三金属层140能够选择性地熔化而每层所述第一金属层110没有相变。同时,因为每层所述第一金属层110能够被图形化以形成第一电路图形115(参见图8A),所以更优选每层所述第一金属层110由铜制成。
类似于每层所述第一金属层110,每层所述第二金属层130必须具有预定强度以上的承载力,因为该第二金属层用作所述载体100的支撑体,并且该第二金属层能够图形化以形成第二电路图形135(参见图5)。因此,每层所述第二金属层130也可以由铜制成。
所述两层绝缘层120通过所述第三金属层140互相贴附,每层所述绝缘层120的一侧都设有所述第一金属层110,且另一侧都设有所述第二金属层130。此处,每层所述绝缘层120的材料没有特别的限制。然而,因为在所述载体100分离之后,每层所述绝缘层120可以用作基板的绝缘层120(参见图10),所以每层所述绝缘层120可以由预浸料坯形成以制成较薄的印刷电路板,或者可以由ABF形成以实现微电路。另外,覆铜板(CCL)可以用作每层所述绝缘层120。在这种情况下,叠置在所述覆铜板(CCL)两侧上的铜箔分别用作所述第一金属层110和所述第二金属层130。此外,通过将加强材料(如纸、玻璃纤维、无纺玻璃布(non-woven glass fabric)等)添加至树脂可以形成每层所述绝缘层120,以改善所述载体100的机械强度。
所述第三金属层140通过与所述第一金属层110互相贴附而保持所述载体100的全部连接。此处,所述第三金属层140可以由锡或锡合金制成,或者可以由选自由锡、镉、铅、铋、锌以及它们的合金或组合所组成的组中的任一种制成。此外,所述第三金属层140可以通过镀覆方法形成于所述第一金属层110之间,或者可以通过加热和压制方法将金属箔贴附在所述第一金属层110上来形成于所述第一金属层110之间。在这种情况下,所述第三金属层140与所述第一金属层110反应以形成金属间化合物层145。例如,当所述第一金属层110由铜制成且所述第三金属层140由锡制成时,金属间化合物层145(如Cu6Sn5、Cu3Sn等)形成于所述第一金属层110和所述第三金属层140之间。然而,为了在恒定温度下分离所述载体100,所述第三金属层140不必全部转变为金属间化合物层145,并且具有恒定熔点的纯的第三金属层140必须保留。如上所述,由于锡的熔点为约232℃,因此当所述第三金属层140由锡制成时,用于制造基板的所述载体100能够通过将其加热至232℃以上的温度来分离。因此,不同于常规技术,本发明的优点在于可以省去布线过程,而且在制造基板的过程中通常达到的约200℃下,所述载体能够稳定地保持。
图3-10为顺序显示根据本发明实施方式的使用载体制造基板的方法的截面图。
如图3-10所示,根据本发明的实施方式的使用载体制造基板的方法包括:提供两层绝缘层120,每层所述绝缘层的一侧都设有第一金属层110,并且另一侧都设有第二金属层130;在分别形成于所述两层绝缘层120的两层所述第一金属层110之间形成第三金属层140,使得两层所述第一金属层110互相贴附,所述第三金属层的熔点低于所述第一金属层110,以提供载体100;在所述第二金属层130的暴露的表面上形成积层层150;并将所述第三金属层140加热至其熔点以上以分离所述载体100。使用所述载体制造基板的方法还可以包括:在提供所述载体100之后,使所述第二金属层130图形化以形成第二电路图形135;以及在分离所述载体100之后,在所述绝缘层120的一侧上形成第一电路图形115。
首先,如图3和4所示,提供两层绝缘层120,每层所述绝缘层120的一侧都设有第一金属层110,且另一侧都设有第二金属层130,然后使用第三金属层140使所述第一金属层110和所述第二金属层130互相贴附。此处,所述第一金属层110可以由铜、镍或铝制成,并且所述绝缘层120可以由预浸料坯或ABF形成。此外,覆铜板(CCL)可以用作所述绝缘层120。在这种情况下,叠置在所述覆铜板(CCL)两侧上的铜箔分别作为所述第一金属层110和所述第二金属层130。此外,所述第三金属层140可以由锡或锡合金制成,或者可以由选自由锡、镉、铅、铋、锌以及它们的合金或组合所组成的组中的任一种制成。
同时,可以通过下列四种方法来进行使所述第一金属层110互相贴附的过程。
第一,分别将第三金属层140镀覆在形成于所述两层绝缘层120上的两层所述第一金属层110上(参见图3A),然后将所述第三金属层140的暴露的表面互相接触,接着加热并压制以在所述第一金属层110之间形成所述第三金属层140(参见图4)。
第二,通过加热和压制箔形的第三金属层140,分别将该箔形的第三金属层140叠置在形成于所述两层绝缘层120上的两层所述第一金属层110上(参见图3A),然后将所述第三金属层140的暴露的表面互相接触,接着加热并压制以在所述第一金属层110之间形成所述第三金属层140(参见图4)。
第三,将第三金属层140镀覆在形成于所述两层绝缘层120上的两层所述第一金属层110的任一层上(参见图3B),接着将所述第三金属层140的暴露的表面与未镀覆所述第三金属层140的第一金属层110的暴露的表面接触,然后加热并压制以在所述第一金属层110之间形成第三金属层140(参见图4)。
第四,通过加热和压制箔形的第三金属层,将该箔形的第三金属层140叠置在形成于所述两层绝缘层120上的两层所述第一金属层110的任一层上(参见图3B),接着将所述第三金属层140的暴露的表面与未镀覆所述第三金属层140的第一金属层110的暴露的表面接触,然后加热并压制以在所述第一金属层110之间形成第三金属层140(参见图4)。
通过上述四种方法,使用所述第三金属层140,将各在其一侧设有第一金属层110和各在其另一侧设有第二金属层130的两层绝缘层120互相贴附,以提供完成的载体100(参见图4)。同时,如上所述,所述第三金属层140与所述第一金属层110反应,以在所述第三金属层140与所述第一金属层110之间形成金属间化合物层145。
接着,如图5所示,将所述第二金属层130图形化,以形成第二电路图形135。所述第二金属层130用于防止所述载体100翘曲。此外,在此过程中,将所述第二金属层130形成第二电路图形135,以用作基板的内部电路层。在这种情况下,可以使用半加成法(Semi-Additive Process(SAP))、改良的半加成法(Modified Semi-Additive Process(MSAP))或减成法(subtractive process)形成所述第二电路图形135。
接着,如图6所示,将积层层150形成于每层所述第二金属层130的暴露的表面上。此处,通过将绝缘材料151叠置在每层所述第二金属层130上,使用YAG或CO2激光器在所述绝缘材料151中形成过孔(via hole)、接着通过半加成法(SAP)或改良的半加成法(MSAP)在所述绝缘材料151上形成包括通孔(via)155的电路层153,从而完成所述积层层150。
接着,如图7所示,将所述第三金属层140加热至其熔点以上以分离所述载体100。如上所述,所述第三金属层140具有熔点范围为约232℃至约419℃,同时所述第一金属层110具有熔点范围为约660℃至约1455℃。因此,将所述载体100加热至预定的温度(例如从419℃以上至660℃以下的温度范围),以选择性地仅熔化所述第三金属层140,因此分离所述载体100。在这种情况下,可以额外地施加物理力以更有效地分离所述载体100。
同时,当所述载体100分离时,将所述绝缘层120用作基板的最外的绝缘层。此外,在所述载体100分离之后,可以通过蚀刻方法来除去残留在所述第一金属层110上的所述第三金属层140。
接着,如图8和9所示,将第一电路图形115形成于所述绝缘层120上。在这种情况下,在所述绝缘层120上形成所述第一电路图形115的过程可以通过下面两种方法来进行。
第一,可以通过将所述第一金属层110图形化而在所述绝缘层120上形成所述第一电路图形115(参见图8A)。在这种情况下,由于所述第一金属层110用于形成所述第一电路图形115,因此能够省去额外的镀覆过程,从而简化了制造方法。
第二,可以通过除去所述第一金属层110(参见图8B)、然后进行镀覆过程(参见图9),在所述绝缘层120上形成所述第一电路图形115。在这种情况下,尽管必须进行额外的镀覆过程,仍能够改善电路设计的灵活性例如通孔形成的容易性等。
此处,可以使用半加成法(SAP)、改良的半加成法(MSAP)或减成法来形成所述第一电路图形115。
接着,如图10所示,将阻焊剂层(solder resist layer)160形成于所述绝缘层120的一侧。此处,阻焊剂层160由耐热涂料制成,并用于保护所述第一电路图形115,使得在焊接过程中焊料不叠置在所述第一电路图形115上。此外,为了使所述第一电路图形115与外部电路电连接,可以在所述阻焊剂层160中形成开口165以暴露焊垫。
同时,如图9和10所示,当所述第一电路图形115和所述阻焊剂层160形成于所述绝缘层120的一侧上时,电路层170和阻焊剂层180甚至还可以在位于所述绝缘层120相对侧的积层层150的最外层上形成。因此,在基板的两侧上同时进行相同的过程,由此简化了制造基板的方法。
如上所述,根据本发明,可以通过加热分离所述载体,由此不需要布线过程,其结果是,在分离所述载体时基板的尺寸不变,由此保持了基板与制造设施之间的相容性。
此外,根据本发明,所述载体的部件能够用作最终制成的印刷电路板的最外绝缘层和电路图形,由此减少了印刷电路板的制造成本。
尽管用于说明的目的公开了本发明优选的实施方式,但本领域的技术人员将理解,在不背离所附的权利要求书所公开的本发明的范围和实质的情况下,各种修改、添加和替换都是可能的。
本发明的简单修改、添加和替换都属于本发明的范围,而且本发明的具体范围将由所附的权利要求书清楚地限定。

Claims (20)

1.一种用于制造基板的载体,该载体包括:
两层绝缘层,每层所述绝缘层的一侧都设有第一金属层,且另一侧都设有第二金属层;以及
第三金属层,该第三金属层具有比所述第一金属层低的熔点,并在分别形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层之间形成,使得两层所述第一金属层互相贴附。
2.根据权利要求1所述的用于制造基板的载体,其中,所述第三金属层由锡或锡合金制成。
3.根据权利要求1所述的用于制造基板的载体,其中,所述第三金属层由选自由锡、镉、铅、铋、锌以及它们的合金或组合所组成的组中的任一种而制成。
4.根据权利要求1所述的用于制造基板的载体,其中,所述第一金属层由铜、镍或铝制成。
5.根据权利要求1所述的用于制造基板的载体,其中,所述绝缘层由预浸料坯或味之素积层膜形成。
6.根据权利要求1所述的用于制造基板的载体,其中,在所述第三金属层和所述第一金属层之间形成有金属间化合物层。
7.一种使用载体制造基板的方法,该方法包括:
提供两层绝缘层,每层所述绝缘层的一侧都设置有第一金属层,且另一侧都设置有第二金属层;
在分别形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层之间形成第三金属层,使得两层所述第一金属层互相贴附,该第三金属层具有比所述第一金属层低的熔点,由此提供载体;
在所述第二金属层的暴露的表面上形成积层层;以及
将所述第三金属层加热至熔点以上以分离所述载体。
8.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,其中,在形成所述第三金属层时,所述第三金属层由锡或锡合金制成。
9.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,其中,在形成所述第三金属层时,所述第三金属层由选自由锡、镉、铅、铋、锌以及它们的合金或组合所组成的组中的任一种制成。
10.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,其中,该方法还包括:在分离所述载体之后,除去残留在所述第一金属层上的所述第三金属层。
11.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,其中,该方法还包括:在分离所述载体之后,将所述第一金属层图形化以形成第一电路图形。
12.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,其中,该方法还包括:在分离所述载体之后,除去所述第一金属层,然后通过镀覆方法形成第一电路图形。
13.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,其中,该方法还包括:在形成所述第三金属层之后,将所述第二金属层图形化以形成第二电路图形。
14.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,其中,所述第三金属层的形成过程包括:
分别在形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层上镀覆所述第三金属层;以及
加热并压制镀覆于两层所述第一金属层上的所述第三金属层,以使所述第三金属层互相贴附,由此提供所述载体。
15.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,
其中,所述第三金属层的形成过程包括:
在形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层的任一层上镀覆所述第三金属层;以及
加热并压制镀覆在一层所述第一金属层上的所述第三金属层和另一层第一金属层,以使所述第三金属层与所述另一层第一金属层互相贴附,由此提供所述载体。
16.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,
其中,所述第三金属层的形成过程包括:
加热并压制箔形的第三金属层,以使该箔形的第三金属层叠置在形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层上;以及
加热并压制叠置在两层所述第一金属层上的所述第三金属层,以使所述第三金属层互相贴附,由此提供所述载体。
17.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,
其中,所述第三金属层的形成过程包括:
加热并压制箔形的第三金属层,以使该箔形的第三金属层叠置在形成于所述两层绝缘层上的两层所述第一金属层的任一层上;以及
加热并压制叠置在一层第一金属层上的所述第三金属层和另一层第一金属层,以使所述第三金属层与所述另一层第一金属层互相贴附,由此提供所述载体。
18.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,其中,在提供所述两层绝缘层时,所述第一金属层由铜、镍或铝制成。
19.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,其中,在提供所述两层绝缘层时,所述第一金属层由预浸料坯或味之素积层膜形成。
20.根据权利要求7所述的使用载体制造基板的方法,其中,在形成所述第三金属层时,在所述第三金属层和所述第一金属层之间形成金属间化合物层。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110615