[go: up one dir, main page]

CN102074896A - 一种半导体激光阵列复合耦合方法 - Google Patents

一种半导体激光阵列复合耦合方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102074896A
CN102074896A CN 201010596874 CN201010596874A CN102074896A CN 102074896 A CN102074896 A CN 102074896A CN 201010596874 CN201010596874 CN 201010596874 CN 201010596874 A CN201010596874 A CN 201010596874A CN 102074896 A CN102074896 A CN 102074896A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
bar
semiconductor laser
crust
mirror mount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 201010596874
Other languages
English (en)
Inventor
王智勇
尧舜
刘友强
曹银花
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHANXI FEIHONG LASER TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
SHANXI FEIHONG LASER TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANXI FEIHONG LASER TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SHANXI FEIHONG LASER TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN 201010596874 priority Critical patent/CN102074896A/zh
Publication of CN102074896A publication Critical patent/CN102074896A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

一种半导体激光阵列复合耦合方法属于激光技术应用领域。该方法的装置由N个激光巴条,N个条状反射镜和N个反射镜固定架组成;N为大于1的整数;N个相同的热传导冷却的激光巴条均水平放置,且N个相同的激光巴条之间相互平行放置,高度方向等间距排列;在每个热传导冷却的激光巴条的传播方向上都放置一个反射镜固定架,N个反射镜固定架之间相互平行;所述的反射镜固定架形状为在一个长方体中等间距掏空N个长方体,仅在反射镜固定架与对应激光巴条高度一致的位置固定一片条状反射镜,其余N-1个位置为空;反射镜固定架与激光的传播方向呈30°~45°角度放置。本方法在不降低寿命的情况下,提高了半导体激光器的功率。

Description

一种半导体激光阵列复合耦合方法
技术领域
本发明涉及半导体激光阵列复合耦合技术,特别是指一种大功率半导体激光阵列复合耦合方法,属于激光技术应用领域。
背景技术
半导体激光器具有电光转换效率高、体积小、重量轻等优点,使得它的应用变得越来越广泛。但是,随着半导体激光器功率的不断提高,功率密度不断增大,散热及寿命问题成了影响半导体激光器,特别是大功率半导体激光器发展的关键问题。如何解决大功率半导体激光器的寿命问题成了目前研究的一个热点。
靠热传导冷却的半导体激光巴条,器件的寿命决定于发光单元自身的寿命,为4万小时;但是靠热传导冷却的半导体激光巴条,受冷却方式的限制,不能垂直叠加来增加激光功率,因此这种巴条的特点是寿命长,功率低。
在传统工艺中,为了提高半导体激光器的功率,是将半导体激光器的巴条进行密排,做成面阵,采用微通道冷却。这种方式减小了半导体激光器的体积,提高了功率,但同时也降低的半导体激光器的寿命。半导体激光器微通道热沉冷却普遍采用五层具有不同内部结构的高导热矩形无氧铜薄片组合在一起构成微通道的结构,每层的厚度在0.2~0.3mm之间。微通道结构本身参与导电,必须采用去离子水冷却,去离子水对无氧铜薄片具有一定的腐蚀性,导致器件的寿命降为2万小时,因此,采用微通道冷却方式在提高输出功率的同时降低了器件的寿命。
发明内容
本发明的目的在于克服传统方法影响器件寿命的缺点,提供一种将半导体激光器阵列复合耦合方法。本发明在提高半导体激光器功率的同时,提高了器件的寿命。
为了实现上述目的,本发明采取了以下技术方案:
本发明提供了一种半导体激光阵列复合耦合方法,其特征在于:采用如下半导体激光阵列复合耦合装置进行耦合,该装置由N个激光巴条,N个条状反射镜和N个反射镜固定架组成;N为大于1的整数,具体值需要通过公式-
Figure BDA0000039474910000011
计算得出,Qslow代表所用激光巴条在慢轴方向的光参数乘积,Qfast代表所用激光巴条在快轴方向的光参数乘积;
N个相同的激光巴条均水平放置,且N个相同的激光巴条之间相互平行放置,高度方向等间距排列;
在每个激光巴条的传播方向上都放置一个反射镜固定架,N个反射镜固定架之间相互平行;
所述的反射镜固定架形状为在一个长方体中等间距掏空N个长方体,仅在反射镜固定架与对应激光巴条高度一致的位置固定一片条状反射镜,其余N-1个位置为空;
所述的条状反射镜,表面镀有针对激光巴条发出激光波长的反射膜,长度大于激光巴条所发射激光在慢轴方向的长度,使慢轴方向的光能够被反射镜完全反射,高度方向大于激光巴条所发射的经过快轴准直的激光的宽度,使快轴方向的光能够被反射镜完全反射;
反射镜固定架与激光的传播方向呈一定角度放置,角度为30°~45°,通过反射镜,将水平位置不同,高度不同的光束,复合耦合成水平位置相同,高度均匀排列半导体激光阵列。
所述的激光巴条,采用热传导冷却方式,包括发光单元、正负电极、快慢轴准直镜、传导热沉,提高了半导体激光器的整体寿命。
所述的反射镜固定架结构为目字形状,即在长方体中等间距掏空N个长方体,其间距大小与N个巴条之间的间距相等,N个长方体在高度方向与N个巴条高度对应,仅在反射镜固定架与对应激光巴条高度一致的位置固定一片条状反射镜,其余N-1个位置为空。反射镜固定架特征在于:用于固定条状反射镜,条状反射镜固定在反射镜固定架的特定位置,使得从某个激光巴条发射过来的激光被条状反射镜反射,而从其他激光巴条发射的激光从反射镜的上面或下面透过。
本发明通过反射镜,将水平位置不同,高度不同的光束,复合耦合成水平位置相同,高度方向均匀排列的半导体激光阵列。
本发明的装置,采用多个热传导冷却的激光巴条,与传统的以微通道冷却方式提高激光器功率的方法相比,在不降低激光输出功率的情况下,提高了半导体激光器的整体寿命;相对于单个的热传导冷却方式,在不降低寿命的情况下,提高了半导体激光器的功率。
附图说明
图1大功率半导体激光巴条;
图2条状反射镜;
图3反射镜固定架;
图4半导体激光阵列复合耦合装置等轴测视图
图5半导体激光阵列复合耦合装置俯视图
图6半导体激光阵列复合耦合装置侧视图
图中:1、激光巴条;2、条状反射镜;3、反射镜固定架;4、光路;5、发光单元;6、快慢轴准直镜;7、热传导热沉;8、负电极;9、正电极。
具体实施方式
下面结合附图,具体说明本发明的实施方式:
本实施例采用相同的如图1所示的5个激光巴条,具有相同的波长,相同的偏振方向。
首先,将5个激光巴条相互之间平行水平放置,且使其具有相同的传播方向,任意相邻两个巴条在高度方向等间距,如图4~图6所示。
第二步,在每个激光巴条的传播方向上都放置一个如图3所示的反射镜固定架,反射镜固定架上预留5个条状反射镜固定位置。但仅在与对应激光巴条高度一致的位置固定一片条状反射镜,其余4个位置为空,不放镜片,如图4所示。反射镜固定架与激光的传播方向呈45°放置,条状反射镜表面镀有对应激光波长的高反射膜,固定在反射镜固定架上,高度与光路上对应的激光巴条的高度一致,条状反射镜的大小以能够将对应光路上的光刚好完全反射为宜。
第三步,将5个激光巴条同时出光,通过45°反射镜,将水平位置不同,高度不同的光束,复合耦合成水平位置相同,高度均匀排列半导体激光阵列。
本实施例采用5个热传导冷却的激光巴条,比传统的以微通道冷却方式提高激光器功率的方法相比,将激光器的寿命提高到4万小时以上;相对于单个的热传导冷却方式的激光巴条,本实施例在不降低寿命的情况下,使激光器的总输出功率提高了5倍。

Claims (1)

1.一种半导体激光阵列复合耦合方法,其特征在于:采用如下半导体激光阵列复合耦合装置进行耦合,该装置由N个激光巴条,N个条状反射镜和N个反射镜固定架组成;N为大于1的整数;
N个相同的激光巴条均水平放置,且N个相同的激光巴条之间相互平行放置,高度方向等间距排列;
在每个激光巴条的传播方向上都放置一个反射镜固定架,N个反射镜固定架之间相互平行;
所述的反射镜固定架形状为在一个长方体中等间距掏空N个长方体,仅在反射镜固定架与对应激光巴条高度一致的位置固定一片条状反射镜,其余N-1个位置为空;
所述的条状反射镜,表面镀有针对激光巴条发出激光波长的反射膜,长度大于激光巴条所发射激光在慢轴方向的长度,使慢轴方向的光能够被反射镜完全反射,高度方向大于激光巴条所发射的经过快轴准直的激光的宽度,使快轴方向的光能够被反射镜完全反射;
反射镜固定架与激光的传播方向呈一定角度放置,角度为30°~45°,通过反射镜,将水平位置不同,高度不同的光束,复合耦合成水平位置相同,高度均匀排列半导体激光阵列。
CN 201010596874 2010-12-20 2010-12-20 一种半导体激光阵列复合耦合方法 Pending CN102074896A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010596874 CN102074896A (zh) 2010-12-20 2010-12-20 一种半导体激光阵列复合耦合方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010596874 CN102074896A (zh) 2010-12-20 2010-12-20 一种半导体激光阵列复合耦合方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102074896A true CN102074896A (zh) 2011-05-25

Family

ID=44033297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010596874 Pending CN102074896A (zh) 2010-12-20 2010-12-20 一种半导体激光阵列复合耦合方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102074896A (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102263375A (zh) * 2011-06-20 2011-11-30 中国电子科技集团公司第十三研究所 实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法
US8891579B1 (en) * 2011-12-16 2014-11-18 Nlight Photonics Corporation Laser diode apparatus utilizing reflecting slow axis collimators
US9705289B2 (en) 2014-03-06 2017-07-11 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US9720145B2 (en) 2014-03-06 2017-08-01 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US10153608B2 (en) 2016-03-18 2018-12-11 Nlight, Inc. Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness
US10261261B2 (en) 2016-02-16 2019-04-16 Nlight, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
US10283939B2 (en) 2016-12-23 2019-05-07 Nlight, Inc. Low cost optical pump laser package
US10763640B2 (en) 2017-04-24 2020-09-01 Nlight, Inc. Low swap two-phase cooled diode laser package
US10761276B2 (en) 2015-05-15 2020-09-01 Nlight, Inc. Passively aligned crossed-cylinder objective assembly
US10833482B2 (en) 2018-02-06 2020-11-10 Nlight, Inc. Diode laser apparatus with FAC lens out-of-plane beam steering
CN119093155A (zh) * 2024-07-22 2024-12-06 安徽格恩半导体有限公司 一种具有空穴扩展与注入层的氮化镓基半导体激光元件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6898222B2 (en) * 2000-12-06 2005-05-24 Jenoptik Laserdiode Gmbh Diode laser arrangement with a plurality of diode laser arrays
CN1933266A (zh) * 2006-09-29 2007-03-21 清华大学 一种激光阵列器件
CN201191323Y (zh) * 2007-11-09 2009-02-04 王仲明 一种多路分立半导体激光耦合入单根光纤的结构
US20090245315A1 (en) * 2008-03-28 2009-10-01 Victor Faybishenko Laser diode assemblies
CN101673922A (zh) * 2009-09-18 2010-03-17 深圳市大族激光科技股份有限公司 一种半导体激光器空间摆放阵列

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6898222B2 (en) * 2000-12-06 2005-05-24 Jenoptik Laserdiode Gmbh Diode laser arrangement with a plurality of diode laser arrays
CN1933266A (zh) * 2006-09-29 2007-03-21 清华大学 一种激光阵列器件
CN201191323Y (zh) * 2007-11-09 2009-02-04 王仲明 一种多路分立半导体激光耦合入单根光纤的结构
US20090245315A1 (en) * 2008-03-28 2009-10-01 Victor Faybishenko Laser diode assemblies
CN101673922A (zh) * 2009-09-18 2010-03-17 深圳市大族激光科技股份有限公司 一种半导体激光器空间摆放阵列

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102263375A (zh) * 2011-06-20 2011-11-30 中国电子科技集团公司第十三研究所 实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法
CN102263375B (zh) * 2011-06-20 2013-07-03 中国电子科技集团公司第十三研究所 实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法
US8891579B1 (en) * 2011-12-16 2014-11-18 Nlight Photonics Corporation Laser diode apparatus utilizing reflecting slow axis collimators
US9455552B1 (en) 2011-12-16 2016-09-27 Nlight, Inc. Laser diode apparatus utilizing out of plane combination
US9705289B2 (en) 2014-03-06 2017-07-11 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US9720145B2 (en) 2014-03-06 2017-08-01 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US10761276B2 (en) 2015-05-15 2020-09-01 Nlight, Inc. Passively aligned crossed-cylinder objective assembly
US10261261B2 (en) 2016-02-16 2019-04-16 Nlight, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
US10564361B2 (en) 2016-02-16 2020-02-18 Nlight, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
US10418774B2 (en) 2016-03-18 2019-09-17 Nlight, Inc. Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness
US10153608B2 (en) 2016-03-18 2018-12-11 Nlight, Inc. Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness
US10283939B2 (en) 2016-12-23 2019-05-07 Nlight, Inc. Low cost optical pump laser package
US10797471B2 (en) 2016-12-23 2020-10-06 Nlight Inc. Low cost optical pump laser package
US11424598B2 (en) 2016-12-23 2022-08-23 Nlight, Inc. Low cost optical pump laser package
US10763640B2 (en) 2017-04-24 2020-09-01 Nlight, Inc. Low swap two-phase cooled diode laser package
US10833482B2 (en) 2018-02-06 2020-11-10 Nlight, Inc. Diode laser apparatus with FAC lens out-of-plane beam steering
US11979002B2 (en) 2018-02-06 2024-05-07 Nlight, Inc. Diode laser apparatus with FAC lens out-of-plane beam steering
CN119093155A (zh) * 2024-07-22 2024-12-06 安徽格恩半导体有限公司 一种具有空穴扩展与注入层的氮化镓基半导体激光元件
CN119093155B (zh) * 2024-07-22 2025-10-24 安徽格恩半导体有限公司 一种具有空穴扩展与注入层的氮化镓基半导体激光元件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102074896A (zh) 一种半导体激光阵列复合耦合方法
US8576885B2 (en) Optical pump for high power laser
US20060083276A1 (en) Cryogenically cooled solid state lasers
CN103944066B (zh) 一种高功率半导体激光合束方法
CN203811855U (zh) 一种将多束半导体激光耦合入单根光纤的耦合系统
CN101833150A (zh) 一种大功率半导体激光器光纤耦合模块
US10199801B2 (en) High-power semiconductor laser based on VCSEL and optical convergence method therefor
CN108429129A (zh) 多线阵半导体激光器光栅外腔光谱的合束系统及方法
CN106886086A (zh) 激光束交织
CN118508227B (zh) 一种消除宽条型大功率半导体激光器功率尖峰的芯片
CN201946876U (zh) 一种半导体激光阵列复合耦合装置
CN103944068A (zh) 一种用于高功率半导体激光器的合束装置
CN201985431U (zh) 一种光纤耦合半导体激光模块
Li et al. A kilowatt level diode-side-pumped QCW Nd: YAG ceramic laser
CN100399651C (zh) 反射玻璃实现z形光路的板条激光器
CN110336177B (zh) 一种双碟片增益晶体双键合yag直流冷却的薄片激光器
CN205178255U (zh) 一种适用于碟片激光器射流冲击冷却系统的热沉
CN103996965A (zh) 一种基于双碟片串接的激光多程放大器
CN105633796A (zh) 小型化高重复频率锁模半导体薄片激光器
CN203871655U (zh) 一种用于高功率半导体激光器的合束装置
CN109921284B (zh) 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列
CN204905652U (zh) 一种水平阵列高功率半导体激光器
CN109638649B (zh) 一种高功率半导体叠阵空间合束的方法及装置
CN102185237A (zh) 单波长高功率1319nm连续激光器
CN222320806U (zh) 半导体激光器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110525