CN102034810A - 阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括衬底基板，其上形成有交叉的栅级线和数据线，每个像素单元中设置有TFT开关和像素电极，其中：像素单元中还形成有修补线，修补线与栅极线和/或数据线同层形成，且与栅极线、数据线和TFT开关相互间隔；至少修补线的表层采用活性金属制成，活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺，针刺至少穿过其上的绝缘层。本发明利用了活性金属的针孔效应所产生的针刺，在出现非正常显示时，通过连接相邻像素单元中的针刺即可实现导电结构的连接。降低了修复难度，提高了液晶显示器的显示品质。

Description

阵列基板及其制造方法

技术领域

本发明实施例涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay；以下简称：TFT-LCD)因其体积小，功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

TFT-LCD的液晶面板是由阵列基板和彩膜基板对盒而形成的。在阵列基板的衬底基板上形成有相互交叉的栅极线和数据线，栅极线和数据线围设定义出多个矩阵形式排列的像素单元。在各像素单元中配置有像素电极和TFT开关。将驱动信号施加到栅极线上，使TFT开关导通，则图像信号通过数据线施加到像素电极中。在彩膜基板的衬底基板上形成有黑矩阵和彩膜树脂。彩膜树脂为滤色层，对应阵列基板上各像素电极的图案。黑矩阵形成在彩膜树脂之间，使光不能透过像素电极以外的区域。彩膜基板上还形成有公共电极。在阵列基板和彩膜基板对盒后充入液晶，通过施加在像素电极的图像信号电压与公共电极中的公共电压之间的电压差来控制液晶的偏转，进而控制光线的强弱，配合彩膜树脂的滤光作用，在液晶面板上显示出所要表达的图像。

在TFT-LCD阵列基板的制造过程中，由于异物颗粒(particle)或者制造工序中产生的问题，会对阵列基板上的结构产生影响，形成亮点、亮线之类的不良。其中部分不良是可以维修的，例如由薄膜残留和异物颗粒引起的，有一些可以通过修补(repair)工序修成正常点，另外一些比较严重或者无法维修的则被修成暗点。但是暗点对于阵列基板的整体良率以及液晶显示模组成品的品质仍然存在很大影响，显著降低产品的性能和品质。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制造方法，以提高阵列基板的可修复性，改善产品质量，提高成品率。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括衬底基板，交叉的栅级线和数据线围设形成多个像素单元，每个像素单元中设置有TFT开关和像素电极，其中：

像素单元中还形成有修补线，所述修补线与所述栅极线和/或数据线同层形成，且与所述栅极线、数据线和TFT开关相互间隔；

至少所述修补线的表层采用活性金属制成，所述活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺，所述针刺至少穿过其上的绝缘层。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成栅极线、数据线、TFT开关和像素电极的步骤，其中，还包括：

在形成所述栅极线和/或数据线的图案的同时，还形成修补线，所述修补线与所述栅极线、数据线和TFT开关相互间隔，至少所述修补线的表层采用活性金属制成，所述活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺，所述针刺至少穿过其上的绝缘层。

由以上技术方案可知，本发明的技术方案利用了活性金属的针孔效应所产生的针刺，以针刺刺穿其上的绝缘层，以备后续在出现非正常显示的导电结构时，通过连接相邻像素单元中的针刺即可实现导电结构的连接。与传统的维修方法相比，该维修结构不需要进行像素击穿和融化作业，可以大幅度提高维修的效率和成功率。易于修复的阵列基板显著改善了显示质量。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图2为图1中A-A向的侧视剖面结构示意图；

图3为金属针孔效应下产生针刺的结构示意图；

图4为本发明实施例二提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图5为图4中B-B向的侧视剖面结构示意图；

图6为本发明实施例三提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图7为图6中C-C向的侧视剖面结构示意图；

图8为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法的流程图；

图9为本发明实施例四中形成栅级线层后阵列基板的局部俯视结构示意图；

图10为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法中采用双色调掩膜板进行构图工艺的流程图；

图11为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法中检测和修补的流程图；

图12为本发明实施例五提供的阵列基板的制造方法的流程图；

图13为本发明实施例五中形成数据线层后阵列基板的局部俯视结构示意图；

图14为本发明实施例五提供的阵列基板的制造方法中采用双色调掩膜板进行构图工艺的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图，图2为图1中A-A向的侧视剖面结构示意图。本实施例的阵列基板包括衬底基板1，衬底基板1可以采用玻璃板或石英板制成，其上形成有交叉的多条栅极线3和数据线2，围设形成多个像素单元，图1所示即为部分像素单元的俯视图。每个像素单元中设置有TFT开关和像素电极11。TFT开关具体包括栅电极4、有源层6、源电极7和漏电极8。栅电极4与栅极线3相连，一般与栅极线3采用相同材质同时形成；源电极7连接数据线2，漏电极8连接像素电极11，通常源电极7和漏电极8与数据线2采用相同材质同时形成。有源层6具体可以包括半导体层和掺杂半导体层，位于源电极7和漏电极8相对端部的下方，且位于栅电极4的上方，源电极7和漏电极8之间的全部掺杂半导体层和部分半导体层被刻蚀掉，形成TFT沟道。当栅电极4通入高电平时，源电极7和漏电极8通过有源层6导通，将数据线2中的图像信号电压通入像素电极11。在阵列基板上，一般还可以形成公共电极线17，为彩膜基板上的公共电极提供公共电压。为保持各导电结构之间的绝缘，在栅极线3和栅电极4上覆盖的绝缘层为栅极绝缘层5，在数据线2、有源层6、源电极7和漏电极8上覆盖的绝缘层为钝化层9。像素电极11形成在钝化层9上，通过钝化层9上的过孔10与漏电极8相连。

本实施例阵列基板的像素单元中还形成有修补线12。修补线12与栅极线3同层形成，且与栅极线3的图案相互间隔，并通过栅极绝缘层5与TFT开关和数据线2等结构保持间隔。修补线12采用活性金属制成，当修补线12为叠层结构时，至少修补线12的表层采用活性金属制成。该活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺，针刺穿过像素电极11下的绝缘层，即穿过栅极绝缘层5和钝化层9，且部分针刺与像素电极11相连，部分针刺从钝化层9的表面露出。

所谓金属针孔效应(pinhole)是活性金属所具有的特性。在TFT-LCD的制作过程中，栅极线和数据线电阻的降低一直是各个研究机构和厂商努力研究的课题之一。在对纯铝(Al)材料的研究过程中，研究人员发现：当利用该类型活性金属材料制作栅极线或数据线之后，由于各个工序之间的热处理等过程，使得性质活泼的铝金属的晶格发生了变化，开始向上、下两侧生长出类似针尖的针刺结构。如图3所示，活性金属14的针刺能够刺穿绝缘层16，将绝缘层16之上和之下的导电结构15导通，形成了各种不良。所以，为了使用铝等活性金属制作各层导电结构，一般都要在其上、下层增加保护层，例如，为了使用铝制备数据线，就必须在铝的上、下表面生成钼(Mo)金属的保护层，也就是说最终形成的数据线是由Mo/Al/Mo组成的金属叠层结构。类似的，若制备栅极线，由于衬底基板不必考虑刺穿问题，所以制备的栅极线为Al/Mo组成的金属叠层结构。

本实施例的技术方案合理利用了活性金属的针孔效应现象，提出了一种易于维修的阵列基板结构。当修补线与栅极线同层形成时，栅极线为双层叠层结构，双层叠层结构的下层为与修补线表层材料相同的活性金属，双层叠层结构的上层为惰性金属。修补线为单层结构，其针刺穿过像素电极下的绝缘层，即穿过覆盖栅极线的栅极绝缘层和覆盖数据线的钝化层，与像素电极相连。

在经过检测后，若各像素单元都能够正常显示，则由于修补线12没有将像素电极11与其他任何导电结构相连，所以对生产工艺和阵列基板的显示特性没有任何影响。若经过检测出现了非正常显示的像素单元，则可以将该像素单元中的像素电极11断开与其他导电结构的连接，可以是断开与漏电极8的连接，或断开任何与其他导电结构短路的短接点。而后通过跨接线13将非正常显示像素单元中的像素电极11与相邻像素单元中的像素电极11相连。该跨接线13连接相邻像素单元中露出绝缘层表面的针刺来实现相邻像素电极11的连接，如图1和图2所示。跨接线13的材料可以选用任何导电材料，优选的是选用电阻低的金属。

采用本实施例的技术方案，利用了活性金属的针孔效应所产生的针刺，以针刺预连接像素电极，在出现非正常显示的像素电极时，通过连接相邻像素单元中的针刺即可实现像素电极的连接。由于像素电极通常采用铟锡氧化物等透明导电材料制成，接触电阻较大，所以不适宜直接连接，通过针刺的修补线相连，活性金属的电阻较小，使连接的像素电极具有较好的导电特性。另外，在修补时通常采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；以下简称：CVD)方法在激光诱导下，于阵列基板上的设定位置精确地形成图案。该过程缓慢费时，通过针刺和跨接线相连与直接连接像素电极相比，显然所要形成的图案距离减小，这样就可以提高维修的速度。在有大量维修工作量时，该方案所节约的时间成本和工艺成本是显而易见的。针刺相当于是像素电极之间的中继导电物，为不良点的维修提供了便利。与传统的维修方法相比，该维修结构不需要进行像素击穿和融化作业，可以大幅度提高维修的效率和成功率。

当非正常显示的像素电极与相邻的像素电极相连时，即实现了电压共享。由于相邻像素的灰度等级通常是相等或相近的，所以上述修复方案能够有效解决非正常显示的问题，且不出现暗点，提高了LCD的显示质量。

本发明的实施例中，并不限于使修补线预连接像素电极，修补线的针刺至少穿过其上的绝缘层即可，则修补线可以根据需要设置在不同的位置，以便在检测到不良时连接不同的导电结构。

实施例二

图4为本发明实施例二提供的阵列基板的局部俯视结构示意图，图5为图4中B-B向的侧视剖面结构示意图。本实施例与实施例一的区别在于，在阵列基板上还形成有挡光条18，挡光条18与栅极线3同层形成，且与同层的栅极线3、栅电极4和公共电极线17等间隔设置。修补线12与挡光条18一体成型。

由于挡光条18一般形成在数据线2下方的两侧，其作用是遮挡从数据线2与像素电极11之间缝隙漏出的光线，而没有导电作用，所以与挡光条18一体成型的修补线12仍然可以在正常显示图像时不构成影响，而在像素电极11无法正常显示时提供修补作用，即利用跨接线13连接相邻像素单元中的挡光条18，从而连接相邻像素单元中的像素电极11。

实施例三

图6为本发明实施例三提供的阵列基板的局部俯视结构示意图，图7为图6中C-C向的侧视剖面结构示意图。本实施例与实施例一的区别在于，修补线12与数据线2同层形成，数据线2为三层叠层结构，该三层叠层结构的中层为与修补线12表层材料相同的活性金属，三层叠层结构的上层和下层分别为惰性金属；修补线12为双层叠层结构，双层叠层结构的上层为活性金属，双层叠层结构的下层为惰性金属，活性金属的针刺穿过像素电极11下的绝缘层，即穿过覆盖数据线2的钝化层9，与像素电极11相连。

本实施例的技术方案除具备实施例一所述的易于修复阵列基板的优势之外，还具有工艺简单的优点。现有技术通常采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板等双色调掩膜板进行构图工艺，同时形成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道的图案，本实施例与数据线同层形成的修补线也可以在本次构图工艺中形成修补线的图案，可以采用三色调掩膜板进行曝光显影，而后进行三次刻蚀，将活性金属上的上层惰性金属刻蚀掉，以便在后续构图工艺的热处理过程中能够形成刺穿钝化层的针刺。因此，本实施例的技术方案能够基于现有4次掩膜工艺来形成，工艺成本增加量较少。

上述技术方案中，为简化工艺，修补线分别形成在数据线层或栅极线层，根据具体的结构需要，也可以在栅极线层和数据线层分别制备修补线。按照通常的像素布局，相邻栅极线所对应的相邻行像素单元内的电压比相邻列像素单元内的电压更为接近。所以优选的是将相邻像素单元中的修补线形成在栅极线的两侧，跨接线跨越栅极线设置。具体应用中，修补线的具体位置并不限于上述图中所示，只要能够满足连接不同像素单元中的像素电极且与像素电极外的其他导电结构保持间隔即可。

本发明实施例中用于制备修补线的活性金属并不限于为铝，还可以为铜、银等能够基于金属针孔效应形成针刺的活性金属或者其合金。惰性金属也并不限于为钼，还可以为钛、锆等其他不会发生金属针孔效应的惰性金属或者其合金。

本发明实施例还提供了一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成栅极线、数据线、TFT开关和像素电极的步骤，还包括：在形成栅极线和/或数据线的图案的同时，还形成修补线，修补线与栅极线、数据线和TFT开关相互间隔，至少修补线的表层采用活性金属制成，活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺，针刺至少穿过其上的绝缘层。

其中，形成修补线的步骤优选的是：

至少部分修补线的图案形成在像素电极的下方，则针刺穿过像素电极下的绝缘层，且部分针刺与像素电极相连，部分针刺从绝缘层的表面露出。

本发明所提供的制造方法在不同类型的阵列基板以及不同构图工艺的情况下可以有多种实现形式，下面详细介绍几种优选的实施方案，但本发明的制造方法并不限于此。

实施例四

图8为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法的流程图，该方法包括如下步骤：

步骤110、在衬底基板1上连续沉积活性金属薄膜和惰性金属薄膜；

步骤120、采用双色调掩膜板对活性金属薄膜和惰性金属薄膜进行构图工艺，形成包括栅极线3、栅电极4和修补线12的图案，栅极线3和栅电极4为活性金属和惰性金属的双层叠层结构，修补线12为活性金属的单层结构，还可以同时形成公共电极线17的图案，如图9所示；

步骤130、在形成上述图案的衬底基板1上沉积栅极绝缘层5；

步骤140、在栅极绝缘层5上沉积有源层薄膜和数据金属薄膜；

步骤150、采用双色调掩膜板对有源层薄膜和数据金属薄膜进行构图工艺，形成包括有源层6、数据线2、源电极7和漏电极8的图案；

步骤160、在形成上述图案的衬底基板1上沉积钝化层薄膜；

步骤170、采用单色调掩膜板对钝化层薄膜进行构图工艺，形成包括过孔10的钝化层9图案；

步骤180、在形成上述图案的衬底基板1上沉积透明导电薄膜；

步骤190、对透明导电薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极11的图案，像素电极11通过过孔10与漏电极8相连，且修补线12的活性金属在上述薄膜沉积和光刻工艺中的加热等工艺的热处理下基于金属针孔效应形成针刺，针刺穿过栅极绝缘层5和钝化层9，部分针刺与像素电极11相连，部分针刺从钝化层9的表面露出，上述结构可参见图1和图2所示。

在本实施例中，步骤120具体可以包括如下步骤，如图10所示：

步骤121、在活性金属薄膜和惰性金属薄膜上涂覆光刻胶；

步骤122、采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域；

步骤123、进行第一次刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的活性金属薄膜和惰性金属薄膜，形成包括栅极线和栅电极的图案；

步骤124、按照部分保留区域光刻胶的厚度进行灰化，则部分保留区域的光刻胶被完全去除，而完全保留区域的光刻胶因为比部分保留区域光刻胶的厚度大，所以在灰化后仍有剩余；

步骤125、进行第二次刻蚀，刻蚀掉部分保留区域对应的惰性金属薄膜，形成包括修补线的图案，修补线为活性金属的单层结构，栅极线和栅金属为活性金属和惰性金属的双层叠层结构。

在制造完成上述阵列基板之后，还可以进一步执行下述检测和修补操作，如图11所示：

步骤210、对阵列基板的各像素单元进行显示检测；

步骤220、当检测到非正常显示的像素单元时，断开非正常显示像素单元中像素电极与其他导电结构的连接；

步骤230、采用激光化学气相沉积技术在形成有像素电极的钝化层上形成跨接线的图案，跨接线通过露出钝化层表面的针刺将非正常显示像素单元中的像素电极与相邻像素单元中的像素电极相连。

本实施例的技术方案可以用于制备本发明实施例一或实施例二提供的阵列基板，对于实施例二，可以在形成修补线时，将修补线的图案扩展为挡光条的图案。采用本实施例技术方案所形成的阵列基板具有易于修复的结构，修复成本显著降低，且能够提高LCD的显示质量。

实施例五

图12为本发明实施例五提供的阵列基板的制造方法的流程图，该方法包括如下步骤：

步骤310、在衬底基板1上沉积栅金属薄膜；

步骤320、采用单色调掩膜板对栅金属薄膜进行构图工艺，形成包括栅极线3和栅电极4的图案；

步骤330、在形成上述图案的衬底基板1上沉积栅极绝缘层5；

步骤340、在栅极绝缘层5上沉积有源层薄膜、下层惰性金属薄膜、活性金属薄膜和上层金属薄膜；

步骤350、采用三色调掩膜板对有源层薄膜、下层惰性金属薄膜、活性金属薄膜和上层金属薄膜进行构图工艺，形成包括有源层6、数据线2、源电极7、漏电极8和修补线12的图案，数据线2、源电极7和漏电极8为下层惰性金属、活性金属和上层惰性金属的三层叠层结构，修补线12为下层惰性金属和活性金属的双层叠层结构，如图13所示；

步骤360、在形成上述图案的衬底基板1上沉积钝化层薄膜；

步骤370、采用单色调掩膜板对钝化层薄膜进行构图工艺，形成包括过孔10的钝化层9图案；

步骤380、在形成上述图案的衬底基板1上沉积透明导电薄膜；

步骤390、对透明导电薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极11的图案，像素电极11通过过孔10与漏电极8相连，且修补线12的活性金属在上述工艺的热处理下基于金属针孔效应形成针刺，穿过钝化层9，部分针刺与像素电极11相连，部分针刺从钝化层9的表面露出，可参见图6和图7的结构。

在本实施例中，步骤350具体可以包括如下步骤，如图14所示：

步骤351、在有源层薄膜、下层惰性金属薄膜、活性金属薄膜和上层金属薄膜上涂覆光刻胶；

步骤352、采用三色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成完全保留区域、第一部分保留区域、第二部分保留区域和完全去除区域，完全保留区域、第一部分保留区域和第二部分保留区域处的光刻胶厚度递减；

步骤353、进行第一次刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的上层惰性金属薄膜、活性金属薄膜、下层金属薄膜和有源层薄膜，形成包括数据线、源电极和漏电极的图案；

步骤354、按照第二部分保留区域光刻胶的厚度进行灰化，第二部分保留区域的光刻胶被完全去除，完全保留区域和第一部分保留区域仍有部分厚度的光刻胶保留；

步骤355、进行第二次刻蚀，刻蚀掉第二部分保留区域对应的上层惰性金属薄膜、活性金属薄膜和下层金属薄膜，以及有源层薄膜中的部分掺杂非晶硅薄膜，形成具有TFT沟道的有源层的图案；

步骤356、按照第一部分保留区域剩余光刻胶的厚度进行灰化，第一部分保留区域的光刻胶被完全去除，完全保留区域仍有部分厚度的光刻胶保留；

步骤357、进行第三次刻蚀，刻蚀掉第一部分保留区域对应的上层惰性金属薄膜，形成包括修补线的图案。

在制造完成上述阵列基板之后，还可以进一步执行下述检测和修补操作，可参见图11所示：

步骤210、对阵列基板的各像素单元进行显示检测；

步骤220、当检测到非正常显示的像素单元时，断开非正常显示像素单元中像素电极与其他导电结构的连接；

步骤230、采用激光化学气相沉积技术在形成有像素电极的钝化层上形成跨接线的图案，跨接线通过露出钝化层表面的针刺将非正常显示像素单元中的像素电极与相邻像素单元中的像素电极相连。

本实施例的技术方案可以用于制备本发明实施例三提供的阵列基板。采用本实施例的技术方案，利用了现有技术中采用三色调掩膜板进行构图工艺，同时形成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟槽的技术，本实施例与数据线同层形成的修补线也可以在本次构图工艺中，即形成修补线的图案，将活性金属上的上层惰性金属刻蚀掉，以便在后续构图工艺的热处理过程中能够形成刺穿钝化层的针刺。因此，本实施例的技术方案能够基于现有4次掩膜工艺来形成，工艺成本较小。

本发明的阵列基板并不限于由上述制造方法来制备，根据具体结构和工艺的变化，还可以有多种制备方式，例如利用五次掩膜工艺等均可实现。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (16)

1.一种阵列基板，包括衬底基板，交叉的栅级线和数据线围设形成多个像素单元，每个像素单元中设置有TFT开关和像素电极，其特征在于：

像素单元中还形成有修补线，所述修补线与所述栅极线和/或数据线同层形成，且与所述栅极线、数据线和TFT开关相互间隔；

至少所述修补线的表层采用活性金属制成，所述活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺，所述针刺至少穿过其上的绝缘层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：

所述针刺穿过所述像素电极下的绝缘层，且部分针刺与所述像素电极相连，部分针刺从所述绝缘层的表面露出。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：

所述修补线与所述数据线同层形成，所述数据线为三层叠层结构，所述三层叠层结构的中层为与所述修补线表层材料相同的活性金属，所述三层叠层结构的上层和下层分别为惰性金属；

所述修补线为双层叠层结构，所述双层叠层结构的上层为所述活性金属，所述双层叠层结构的下层为惰性金属，所述活性金属的针刺穿过所述像素电极下的绝缘层，即穿过覆盖所述数据线的钝化层，与所述像素电极相连。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：

所述修补线与所述栅极线同层形成，所述栅极线为双层叠层结构，所述双层叠层结构的下层为与所述修补线表层材料相同的活性金属，所述双层叠层结构的上层为惰性金属；

所述修补线为所述活性金属制成的单层结构，所述修补线的针刺穿过所述像素电极下的绝缘层，即穿过覆盖所述栅极线的栅极绝缘层和覆盖所述数据线的钝化层，与所述像素电极相连。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于：

所述修补线与挡光条一体成型，所述挡光条与所述栅极线同层形成。

6.根据权利要求1～5任一所述的阵列基板，其特征在于：

所述活性金属材料为铝、铜或其合金。

7.根据权利要求3～5任一所述的阵列基板，其特征在于：

所述惰性金属为钼、钛或其合金。

8.根据权利要求2～5任一所述的阵列基板，其特征在于：

非正常显示的像素单元中的像素电极断开与其他导电结构的连接，且通过跨接线与相邻像素单元中的像素电极相连；

所述跨接线连接相邻像素单元中露出绝缘层表面的针刺。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于：

相邻像素单元中的修补线形成在栅极线的两侧，所述跨接线跨越所述栅极线设置。

10.一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成栅极线、数据线、TFT开关和像素电极的步骤，其特征在于，还包括：

在形成所述栅极线和/或数据线的图案的同时，还形成修补线，所述修补线与所述栅极线、数据线和TFT开关相互间隔，至少所述修补线的表层采用活性金属制成，所述活性金属的表面基于金属针孔效应形成有针刺，所述针刺至少穿过其上的绝缘层。

11.根据权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，形成修补线的步骤包括：

至少部分所述修补线的图案形成在所述像素电极的下方，则所述针刺穿过所述像素电极下的绝缘层，且部分针刺与所述像素电极相连，部分针刺从所述绝缘层的表面露出。

12.根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在衬底基板上形成栅极线、数据线、TFT开关和像素电极，且在形成所述栅极线的图案的同时还形成修补线包括：

在衬底基板上连续沉积活性金属薄膜和惰性金属薄膜；

采用双色调掩膜板对所述活性金属薄膜和惰性金属薄膜进行构图工艺，形成包括栅极线、栅电极和修补线的图案，所述栅极线和栅电极为活性金属和惰性金属的双层叠层结构，所述修补线为活性金属的单层结构；

在形成上述图案的衬底基板上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积有源层薄膜和数据金属薄膜；

采用双色调掩膜板对所述有源层薄膜和数据金属薄膜进行构图工艺，形成包括有源层、数据线、源电极和漏电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积钝化层薄膜；

采用单色调掩膜板对所述钝化层薄膜进行构图工艺，形成包括过孔的钝化层图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积透明导电薄膜；

对所述透明导电薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极的图案，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极相连，且所述修补线的活性金属在上述工艺的热处理下基于金属针孔效应形成针刺，穿过所述栅极绝缘层和钝化层，部分针刺与所述像素电极相连，部分针刺从所述钝化层的表面露出。

13.根据权利要求12所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，采用双色调掩膜板对所述活性金属薄膜和惰性金属薄膜进行构图工艺，形成包括栅极线、栅电极和修补线的图案包括：

在所述活性金属薄膜和惰性金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用双色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域；

进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全去除区域对应的活性金属薄膜和惰性金属薄膜，形成包括栅极线和栅电极的图案；

按照所述部分保留区域光刻胶的厚度进行灰化，所述部分保留区域的光刻胶被完全去除；

进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述部分保留区域对应的惰性金属薄膜，形成包括修补线的图案。

14.根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在衬底基板上形成栅极线、数据线、TFT开关和像素电极，且在形成所述数据线的图案的同时还形成修补线包括：

在衬底基板上沉积栅金属薄膜；

采用单色调掩膜板对所述栅金属薄膜进行构图工艺，形成包括栅极线和栅电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积有源层薄膜、下层惰性金属薄膜、活性金属薄膜和上层金属薄膜；

采用三色调掩膜板对所述有源层薄膜、下层惰性金属薄膜、活性金属薄膜和上层金属薄膜进行构图工艺，形成包括有源层、数据线、源电极、漏电极和修补线的图案，所述数据线、源电极和漏电极为下层惰性金属、活性金属和上层惰性金属的三层叠层结构，所述修补线为下层惰性金属和活性金属的双层叠层结构；

在形成上述图案的衬底基板上沉积钝化层薄膜；

采用单色调掩膜板对所述钝化层薄膜进行构图工艺，形成包括过孔的钝化层图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积透明导电薄膜；

对所述透明导电薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极的图案，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极相连，且所述修补线的活性金属在上述工艺的热处理下基于金属针孔效应形成针刺，穿过所述钝化层，部分针刺与所述像素电极相连，部分针刺从所述钝化层的表面露出。

15.根据权利要求14所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，采用三色调掩膜板对所述有源层薄膜、下层惰性金属薄膜、活性金属薄膜和上层金属薄膜进行构图工艺，形成包括有源层、数据线、源电极、漏电极和修补线的图案包括：

在所述有源层薄膜、下层惰性金属薄膜、活性金属薄膜和上层金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用三色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成完全保留区域、第一部分保留区域、第二部分保留区域和完全去除区域，完全保留区域、第一部分保留区域和第二部分保留区域处的光刻胶厚度递减；

进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全去除区域对应的上层惰性金属薄膜、活性金属薄膜、下层金属薄膜和有源层薄膜，形成包括数据线、源电极和漏电极的图案；

按照所述第二部分保留区域光刻胶的厚度进行灰化，所述第二部分保留区域的光刻胶被完全去除，完全保留区域和第一部分保留区域仍有部分厚度的光刻胶保留；

进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述第二部分保留区域对应的上层惰性金属薄膜、活性金属薄膜和下层金属薄膜，以及有源层薄膜中的部分掺杂非晶硅薄膜，形成具有TFT沟道的有源层的图案；

按照所述第一部分保留区域剩余光刻胶的厚度进行灰化，所述第一部分保留区域的光刻胶被完全去除，完全保留区域仍有部分厚度的光刻胶保留；

进行第三次刻蚀，刻蚀掉所述第一部分保留区域对应的上层惰性金属薄膜，形成包括修补线的图案。

16.根据权利要求11～15任一所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

对所述阵列基板的各像素单元进行显示检测；

当检测到非正常显示的像素单元时，断开非正常显示像素单元中像素电极与其他导电结构的连接；

采用激光化学气相沉积技术在形成有像素电极的钝化层上形成跨接线的图案，所述跨接线通过露出钝化层表面的针刺将非正常显示像素单元中的像素电极与相邻像素单元中的像素电极相连。

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