CN101866918B - 一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法。该TFT阵列基板包括至少两个拼接区域，各拼接区域内TFT图案中的漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区，漏极与所述栅极金属层形成的重叠区域包述漏极与主栅极区形成的主重叠区，和漏极与补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内主重叠区和补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中的重叠区域的面积的差值小于阈值。通过改变各拼接区域中TFT图案的栅极金属层和漏极的图案，保证了各拼接区域中漏极与下层的栅极金属层形成的重叠区域面积相差不大，减弱了现有技术中各拼接区域内TFT图案对应的显示亮度的差异。

Description

一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法。

背景技术

信息化社会越来越需要轻薄便携式的显示设备，目前比较成熟的产品是TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶显示器。

TFT液晶显示器主要是由TFT阵列基板、对向彩膜基板以及夹在两基板中间的液晶层构成。其中，TFT阵列基板主要包括玻璃基板，和在玻璃基板上层叠设置的栅极金属层、栅绝缘层、半导体层、源漏极金属层、绝缘膜保护层和透明像素层等。TFT阵列基板的制造过程是通过多次曝光、显影和刻蚀，将掩模版上的图案转至基板上的，从而形成了各种元件的图案。

为了满足大显示面积的需求，TFT液晶显示器面板的尺寸越来越大，使TFT阵列基板的制作过程也越发复杂。为了增大TFT阵列基板的尺寸，掩模版的尺寸也需要随之增大，但是由于曝光机对掩模版尺寸的限定，以及大尺寸掩模版存在制造困难、成本过高、日常存放使用不便等问题，使得在制造TFT阵列基板时，需要将大尺寸的阵列基板划分成若干区域，分别制作各区域对应的掩模版，在制造时用这些掩模版分别曝光，最终拼合成大尺寸的TFT阵列基板。

然而，发明人在研究过程中发现，当采用上述方法制造的TFT阵列基板形成TFT液晶显示器后，在通电工作时，各图案拼接区域经常出现显示亮度存在明显差异的现象，这种差异是由于拼合曝光产生的，称为曝光姆拉现象。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法，能够减弱各拼接区域显示亮度的差异。

为了解决上述技术问题，本发明实施例的技术方案如下：

一种薄膜晶体管阵列基板，包括至少两个拼接区域，各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中，漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中，栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区，漏极与所述栅极金属层形成的重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中的重叠区域的面积的差值小于阈值。

进一步，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和等于其它拼接区域中的重叠区域的面积。

进一步，所述补偿栅极区在所述漏极向所述栅极金属层延伸的方向上的宽度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

进一步，所述漏极为矩形。

一种薄膜晶体管液晶显示器，包括薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括至少两个拼接区域，各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中，漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中，栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区，漏极与所述栅极金属层形成的重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中的重叠区域的面积的差值小于阈值。

进一步，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和等于其它拼接区域中的重叠区域的面积。

进一步，所述补偿栅极区在所述漏极向所述栅极金属层延伸的方向上的宽度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

进一步，所述漏极为矩形。

一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：

在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层，其中栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区；

在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案，其中，所述拼接区域内的TFT图案中，所述漏极与所述栅极金属层形成重叠区域，所述重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中漏极与栅极金属层形成的重叠区域的面积的差值小于阈值；

在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得薄膜晶体管阵列基板。

进一步，所述补偿栅极区在所述漏极向所述栅极金属层延伸的方向上的宽度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，包括：

在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层，其中栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区；

在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案，其中，所述拼接区域内的TFT图案中，所述漏极与所述栅极金属层形成重叠区域，所述重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中漏极与栅极金属层形成的重叠区域的面积的差值小于阈值；

在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得薄膜晶体管阵列基板；

将所述薄膜晶体管阵列基板与已形成的对向彩膜基板贴合，进入后续制程，形成薄膜晶体管液晶显示器。

本发明实施例通过改变各拼接区域中TFT图案的栅极金属层和漏极图案的形状，使得曝光机即使在图案的拼接方向上对掩模版间的位置设定存在一定误差时，也能保证各拼接区域中漏极与下层的栅极金属层形成的重叠区域面积相差不大，从而减弱了现有技术中各拼接区域内TFT图案对应的显示亮度的差异，减少了曝光姆拉现象的产生。

附图说明

通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1a-b是现有技术中形成TFT图案的平面结构示意图；

图1c是现有技术中拼接形成的大尺寸TFT图案的平面结构示意图；

图2是图1c中两拼接区域内的TFT图案的平面结构示意图；

图3是TFT结构中寄生电容等效电路示意图；

图4是本发明实施例一种TFT阵列基板中一个TFT图案的平面结构示意图；

图5是本发明实施例一种TFT阵列基板中两拼接区域内TFT图案的平面结构示意图；

图6是本发明实施例中两拼接区域内TFT阵列图案的平面结构示意图；

图7是本发明实施例一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法流程图；

图8是本发明实施例一种薄膜晶体管显示器的制造方法流程图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示装置结构的示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

现有技术中使用掩模版在基板上形成TFT图案时，如图1a所示，在利用栅极掩模板形成阵列排布的栅极金属层11后，又在各栅极金属层11上依次形成栅绝缘层和半导体层(为图示清楚，栅绝缘层和半导体层未在图中示出)，然后如图1b所示，利用源漏极掩模板在各栅极金属层11的上方同时形成源极12、漏极13。在形成大尺寸TFT阵列基板时，需要多组掩模板(包括栅极掩模板和源漏极掩模板等)分别形成各区域图案，最终各区域拼接形成大尺寸图案，以两组掩模板形成图案为例，如图1c所示(为图示清楚，栅绝缘层和半导体层未在图中示出)，在利用第一、二栅极掩模板分别形成图中左侧的第一栅极金属层和右侧的第二栅极金属层后，利用第一源漏掩模板在图中左侧的第一栅极金属层上形成第一源、漏极阵列图案，利用第二源漏极掩模板在图中右侧的第二栅极金属层上形成第二源、漏极阵列图案，从而两侧图案均形成后即可拼接成大尺寸的TFT阵列图案。

然而，该拼接形成的TFT阵列图案在最终形成TFT液晶显示器后，通电工作时，各图案拼接区域经常出现显示亮度存在差异的现象，发明人经过研究发现，显示亮度存在明显差异的原因是由各拼接区域中的漏极与下层栅极金属层之间的重叠区域面积明显不同造成的。

如图2所示，以图1c中利用第一源漏极掩模板形成的左侧的一个TFT图案20，和利用第二源漏极掩模板形成的右侧的一个TFT图案30为例，进行说明。

利用第一源漏极掩模版形成的TFT图案20中，第一漏极21与下层的第一栅极金属层22形成第一重叠区域23；利用第二源漏极掩模版形成的TFT图案30中第二漏极31，与下层的第二栅极金属层32形成第二重叠区域33(为图示清楚，栅绝缘层和半导体层未在图中示出)。

第一漏极21与第一栅极金属层22，和第二漏极31与第二栅极金属层32、分别形成寄生电容Cgd，显然，第一重叠区域23、第二重叠区域33两重叠区域的面积分别会对各自区域对应的寄生电容的电容值产生直接影响。

根据TFT阵列基板的结构及其工作原理，如图3所示的电路示意图可知，当栅极电压剧烈变化时，电压的波动会通过Cgd电容影响到显示电极(漏极)的电压，使得显示电极的电压值大于或小于正确的电压值，因此在信号来源即驱动集成电路中可以设置通用电极的补偿电压，使得显示电极与通用电极的电压差值能够保持正确值，而驱动集成电路提供的补偿电压是唯一的。所以，如果第一重叠区域23、第二重叠区域33各自对应的Cgd电容相同时，则通过驱动集成电路提供的相同的补偿电压，可以使得各Cgd电容对应的显示电极的电压值相同，从而图2中两TFT图案20、30对应的显示亮度相同，进而在图1c所示的左右两侧图案的显示亮度就会相同，反之，如果第一重叠区域23、第二重叠区域33各自对应的Cgd电容不同，由于驱动集成电路提供的补偿电压相同，各Cgd电容对应的显示电极的电压值仍然不同，进而就会导致两TFT图案20、30对应的显示亮度存在差异，进而图1c中左右两侧图案的显示亮度存在差异，当第一重叠区域23与第二重叠区域33的面积相差较大时，各对应区域间的显示亮度就会存在较为明显的差异。

基于第一重叠区域23、第二重叠区域33两区域的面积分别对各自区域对应的寄生电容的电容值会产生直接影响，为了保证各拼接区域中TFT图案的显示亮度的均匀，在制造TFT阵列基板时，第一重叠区域23与第二重叠区域33的面积必须尽可能相等。

现有技术中，如图2所示，在两侧的TFT图案20、30中，在第一、二漏极21、31均朝向各自对应的栅极金属层22、32延伸的方向上(在图2中也即左右方向)，第一漏极21的边界位于第一栅极金属层22的内部，第二漏极32的边界也位于第二栅极金属层32的内部，第一、二重叠区域分别占据了靠近第一、第二栅极金属层22、32边界的区域。然而，由于曝光机存在一定的拼接曝光对位误差，也即曝光机在使用不同掩模版在基板上形成拼接图案时，在图案的拼接方向上(也即图中的左右方向)对掩模版间的位置设定存在一定误差，所以在形成上述第一漏极21和第二漏极31图案时，很容易造成第一、二重叠区域的面积不等，如图2所示，在形成上述第二漏极31图案时，若第二源漏极掩模版向图中右侧移动一误差位移，就会导致第一重叠区域23的面积与第二重叠区域33的面积具有较大的差异，进而就会产生两拼接区域中TFT图案的显示亮度明显不同，也即曝光姆拉现象。

基于此，本发明实施例提供一种TFT阵列基板、显示器及其制造方法，通过改变拼接区域中TFT图案的栅极金属层和漏极图案的形状，使得曝光机即使在图案的拼接方向上对掩模版间的位置设定存在一定误差时，也能保证各拼接区域中漏极与下层的栅极金属层形成的重叠区域面积相差不大，从而减弱了现有技术中各拼接区域中TFT图案对应的显示亮度的差异，减少了曝光姆拉现象的产生。

下面通过具体的实施例对本发明进行详细说明。

参见图4，为本发明实施例一种TFT阵列基板中一个TFT图案的平面结构示意图。

TFT阵列基板可以包括在玻璃基板上层叠设置的栅极金属层、栅绝缘层、半导体层、源、漏极金属层、绝缘膜保护层和透明像素层等。为了满足大显示面积的要求，制造大尺寸TFT阵列基板时，需要采用多个掩模版分别形成各拼接区域的图案，最终各拼接区域的图案拼合在一起后形成大尺寸的TFT阵列基板，因此，在该TFT阵列基板中会存在至少两个拼接区域。各拼接区域内的TFT图案中漏极与栅极金属层均形成重叠区域，且各拼接区域的TFT图案中所述重叠区域的面积差值小于阈值。

其中，至少某一拼接区域中TFT图案的结构如图4所示，该图以该拼接区域中的任一个TFT图案为例，为了示意清楚，在图中位于源、漏极和栅极金属层之间的功能薄膜层未示出，例如栅绝缘层、半导体层。

该TFT图案中，在形成的栅极金属层41的上方利用源漏极掩模板同时形成漏极42和源极43。漏极42与源极43大体位于同一平面，并不重叠，且均延伸到栅极金属层41的上方，漏极42与下方的栅极金属层41形成重叠区域。

该TFT图案中，栅极金属层41包括主栅极区411和补偿栅极区412，漏极42与栅极金属层41形成的重叠区域包括漏极42与主栅极区411重叠的主重叠区421，和漏极42与补偿栅极区412重叠的补偿重叠区422。该拼接区域中主重叠区421和补偿重叠区422的面积之和与其它拼接区域中的重叠区域的面积的差值小于阈值。该阈值可以根据对TFT阵列基板上图案拼接处显示亮度的差异要求而确定，例如，如果要求各拼接区域的显示亮度一致，则可以设定各拼接区域内的重叠区域面积完全相等。

在本实施例中，由于源极43不影响显示亮度，该源极43可以采用现有技术中的图案形状，此处不作限定。

在本发明实施例中通过设置补偿栅极区，使得当曝光机存在一定的拼接曝光对位误差，例如在形成源、漏极时，源漏极掩模板向图4中右侧(或左侧)偏离一误差值时，使得形成的偏移了的漏极仍然可以与补偿栅极区形成补偿重叠区，以实现主重叠区与补偿重叠区的面积之和仍然与其它拼接区域中重叠区域的面积差值在阈值范围内，从而各拼接区域内重叠区域对应的寄生电容大致相同，在后续形成的显示器工作时，各拼接区域内TFT图案对应的显示亮度的差异可以得到减弱，也减少了曝光姆拉现象的产生。

在上述实施例中，只要能满足上述拼接区域中主重叠区与补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中重叠区域的面积差值在阈值范围内即可，对补偿栅极区以及补偿重叠区的具体形状不作限定。

在其它实施例中，各拼接区域的TFT图案中漏极和栅极金属层均可以采用上述图案或结构。

如图5所示，为本发明实施例一种TFT阵列基板中两拼接区域内TFT图案的平面结构示意图。

本实施例中TFT阵列基板包括至少A、B两个拼接区域，以分别位于两拼接区域内的两个TFT图案为例进行说明(为图示清楚，栅绝缘层和半导体层未在图中示出)。

本实施例中，A、B拼接区域内的TFT图案均采用前述实施例所述的结构。首先利用掩模板形成A拼接区域内的栅极金属层51图案，该栅极金属层51包括主栅极区511和补偿栅极区512，主栅极区511和补偿栅极区512的形状可以完全相同，均为矩形，如图5所示，或者，补偿栅极区512可以比主栅极区511略窄。然后利用源漏极掩模板在栅极金属层51上方形成漏极52，漏极52的形状为矩形，在该拼接区域内，假设曝光机对源漏极掩模板的定位不存在误差，此时漏极52与栅极金属层51形成的重叠区域包括主重叠区521，和补偿重叠区522，漏极52的一个侧边a位于主栅极区512内部，与侧边a相对的漏极52的另一侧边b位于补偿栅极区512的内部。

在形成B拼接区域内的TFT图案时，首先利用掩模板形成B拼接区域内的栅极金属层61图案，该栅极金属层61也包括主栅极区611和补偿栅极区612，主栅极区611和补偿栅极区612的形状也均为矩形，或者补偿栅极区612可以比主栅极区611略窄，但是，为了保证各拼接区域内重叠区域的面积完全相同，补偿栅极区612在漏极62向栅极金属层61延伸的方向上的宽度需要大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。然后利用源漏极掩模板在栅极金属层61上方形成漏极62，漏极62的形状为矩形，在该拼接区域内，曝光机对源漏极掩模板的定位存在误差，使得源漏极掩模板向图5中的右侧(图中箭头指向)偏移一误差值，此时漏极62与栅极金属层61形成的重叠区域包括漏极62与主栅极区611形成的主重叠区621，和漏极62与补偿栅极区612形成的补偿重叠区622，漏极62的一个侧边a位于主栅极区612内部，与侧边a相对的漏极62的另一侧边b位于补偿栅极区612的内部。

由于源漏极掩模板向右侧偏移，所以在B拼接区域中，主重叠区621的面积会小于A拼接区域的主重叠区521的面积，补偿重叠区622的面积会大于A拼接区域中补偿重叠区522的面积。但是主重叠区521和补偿重叠区522的面积之和仍然与主重叠区621和补偿重叠区622的面积之和相等。如果上述实施例中，B拼接区域的源漏极掩模板向左侧偏移一误差值也是同样的道理，仍然可以实现两拼接区域内重叠区域面积的相等。

在本实施例中还可以进一步在栅极金属层上设定容余距离，使重叠区域在垂直于漏极向栅极金属层延伸方向上的侧边到栅极金属层在该垂直延伸方向上的边界的最小距离不小于该冗余距离，如图5中，漏极62与栅极金属层61的重叠区域的上边界距离栅极金属层61的上边界的最小距离不小于冗余距离。

以上实施例中，均以TFT阵列基板中拼接区域内的一个TFT图案为例进行说明的，在实际生成过程中，在利用多组掩模版分别形成多个拼接区域时，会同时形成呈阵列分布的多个TFT图案，如图6所示(为图示清楚，栅绝缘层和半导体层未在图中示出)。

在本发明实施例中通过设置补偿栅极区，使得当曝光机存在一定的拼接曝光对位误差，例如在形成源、漏极时，源漏极掩模板向图5中右侧偏离一误差值时，使得形成的偏移了的漏极仍然可以通过与补偿栅极区形成补偿重叠区，实现主重叠区与补偿重叠区的面积之和仍然与其它拼接区域中重叠区域的面积相等，从而各拼接区域内重叠区域对应的寄生电容大致相同，在后续形成的显示器工作时，各拼接区域内TFT图案对应的显示亮度的差异可以得到减弱，也减少了曝光姆拉现象的产生。

本发明实施例还可以提供一种TFT液晶显示器，该显示器可以包括如前述实施例所描述的TFT阵列基板，还可以包括与该TFT阵列基板相互贴合的对向彩膜基板(又称为CF基板)，此处不再赘述。

下面通过具体的实施例对形成上述TFT阵列基板的方法进行说明。

参见图7，为本发明实施例一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法流程图。

该方法可以包括：

步骤701，在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层，其中栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区。

该第一功能薄膜可以包括栅极金属层、栅绝缘层、半导体层等，各层具体的形成过程与现有技术类似，此处不再赘述。

步骤702，在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案。

该步骤中拼接区域内形成的源、漏极图案位于第一功能薄膜层的上方，具体是在栅极金属层的上方利用源漏极掩模板同时形成源、漏极金属层，以形成TFT图案，其中包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀等步骤，该形成过程与现有技术类似，此处不再赘述。源、漏极金属层与栅极金属层之间还存在其它薄膜层，例如栅绝缘层、半导体层等。

其中，漏极与栅极金属层形成重叠区域，该重叠区域包括漏极与主栅极区重叠的主重叠区和漏极与补偿栅极区重叠的补偿重叠区。

该拼接区域中主重叠区和补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中的重叠区域的面积的差值小于阈值。该阈值可以根据对TFT阵列基板上图案拼接处显示亮度的差异要求而确定，例如，如果要求图案拼接处显示亮度一致，则可以设定各拼接区域内重叠区域面积相等。

为了保证各拼接区域内重叠区域的面积完全相同，补偿栅极区在漏极向栅极金属层延伸的方向上的宽度可以大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

本步骤中，该拼接区域内的TFT图案与前述实施例中的TFT结构类似，此处不再赘述。

步骤703，在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得薄膜晶体管阵列基板。

其中，第二功能薄膜可以是绝缘膜保护层、透明像素层等薄膜层。

本实施方法通过设置补偿栅极区，使得当曝光机存在一定的拼接曝光对位误差，例如在形成源、漏极时，源漏极掩模板偏离一误差值时，使得形成的偏移了的漏极可以与补偿栅极区形成补偿重叠区，以实现主重叠区与补偿重叠区的面积之和仍然与其它拼接区域中重叠区域的面积差值在阈值范围内，从而各拼接区域内重叠区域对应的寄生电容大致相同，在后续形成的显示器工作时，各拼接区域内TFT图案对应的显示亮度的差异可以得到减弱，也减少了曝光姆拉现象的产生。

参见图8，为本发明实施例一种薄膜晶体管显示器的制造方法流程图。

该方法可以包括：

步骤801，在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层，其中栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区。

步骤802，在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案。

步骤803，在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得TFT阵列基板。

步骤801～803与前述实施例中的步骤701～703类似，此处不再赘述。

步骤804，将TFT阵列基板与已形成的对向彩膜基板贴合，进入后续制程，形成TFT液晶显示器。

通过上述方法，使TFT阵列基板中各拼接区域内的TFT图案中漏极与下层的栅极金属层形成的重叠区域面积相同，从而各拼接区域内重叠区域对应的寄生电容相同，在形成的显示器通电工作时，使得各拼接区域中TFT图案对应的显示亮度相同，减少了曝光姆拉现象的产生。

以上所述的本发明实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。

Claims (11)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括至少两个拼接区域，各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中，漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中，栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区，漏极与所述栅极金属层形成的重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中的重叠区域的面积的差值小于阈值，以使所述各拼接区域内的重叠区域对应的寄生电容相同。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和等于其它拼接区域中的重叠区域的面积。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述补偿栅极区在所述漏极向所述栅极金属层延伸的方向上的宽度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述漏极为矩形。

5.一种薄膜晶体管液晶显示器，包括薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括至少两个拼接区域，各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中，漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中，栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区，漏极与所述栅极金属层形成的重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中的重叠区域的面积的差值小于阈值，以使所述各拼接区域内的重叠区域对应的寄生电容相同。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和等于其它拼接区域中的重叠区域的面积。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，所述补偿栅极区在所述漏极向所述栅极金属层延伸的方向上的宽度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

8.根据权利要求5至7中任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述漏极为矩形。

9.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层，其中栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区；

在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案，其中，所述拼接区域内的TFT图案中，所述漏极与所述栅极金属层形成重叠区域，所述重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中漏极与栅极金属层形成的重叠区域的面积的差值小于阈值，以使所述各拼接区域内的重叠区域对应的寄生电容相同；

在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得薄膜晶体管阵列基板。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述补偿栅极区在所述漏极向所述栅极金属层延伸的方向上的宽度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

11.一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层，其中栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区；

在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案，其中，所述拼接区域内的TFT图案中，所述漏极与所述栅极金属层形成重叠区域，所述重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中漏极与栅极金属层形成的重叠区域的面积的差值小于阈值，以使所述各拼接区域内的重叠区域对应的寄生电容相同；

在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得薄膜晶体管阵列基板；

将所述薄膜晶体管阵列基板与已形成的对向彩膜基板贴合，形成薄膜晶体管液晶显示器。

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