CN101802120B - 粘附片以及电子元器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种粘附片，它是包括片状基材和层叠于基材的一面的粘附剂层的粘附片，基材的一面的平均表面粗糙度为0.1μm～3.5μm，基材的另一面的平均表面粗糙度为0.05μm～0.7μm。如果采用该构成，则构成粘附片的基材的两面的平均表面粗糙度被分别调整至特定范围内，因此可以抑制展开卷起的粘附片时发生的粘连，还可以抑制磨削后的晶片表面上产生微小的凹凸(波纹)，且能够维持粘附片的透明性。

Description

粘附片以及电子元器件的制造方法

技术领域

本发明涉及粘附片以及电子元器件的制造方法。 

背景技术

近年来，由于手机等电子设备的高性能化，磨削技术的重要性已广泛得到认识。在磨削工序中，需要能够可靠地固定被加工物且在剥离时不会带来亚微米级的异物的粘附剂。作为固定被加工物的方法之一，已知采用粘附片的方法(参照专利文献1～3)。 

在制造电子元器件时，经常使用在硅或砷化镓等的半导体晶片上形成电路图案而成的电子元器件集合体或在平板状的绝缘基板等上形成电路图案而成的电子元器件集合体。此外，随着机能的高性能化，半导体晶片上的电路图案逐渐开始使用Si、SiO₂、Si₃N₄、AlSi、AlSiCu、PI等多种多样的材质。 

专利文献1：日本专利特公平06-018190号公报 

专利文献2：日本专利特开2000-008010号公报 

专利文献3：日本专利特许第3729584号公报 

发明的揭示 

然而，上述文献记载的现有技术在以下方面有改进的空间。 

第一，背面研磨(back grinding)被普遍使用，其特征是将电子元器件集合体的电路侧固定于粘附片并对电路的背面进行磨削。但是，在采用现有的粘附片的背面研磨中，当展开卷起的粘附片时，容易发生粘连，并且有时在磨削(背面研磨)后的晶片表面上会产生微小的凹凸(波纹)。 

第二，有些使用者会设置在将保护片(粘附片)粘合于电路面的状态下透过胶带确认电路面的图案和批次的工序，因此保护片(粘附片)还需要透明性。 

本发明是鉴于上述情况而完成的发明，其目的是提供一种粘附片，该粘附片可以抑制在展开卷起的粘附片时发生的粘连，还可以抑制磨削后的晶片表面上产生微小的凹凸(波纹)，且具有透明性。此外，本发明的另一目的是提供使用该粘附片的电子元器件制造方法。 

本发明提供一种粘附片，它是包括片状基材和层叠于基材的一面的粘附剂层的粘附片，基材的一面的平均表面粗糙度为0.1μm～3.5μm，基材的另一面的平均表面粗糙度为0.05μm～0.7μm。 

如果采用该构成，则构成粘附片的基材的两面的平均粗糙度被分别调整至特定范围内，因此可以抑制展开卷起的粘附片时发生的粘连，还可以抑制磨削后的晶片表面上产生微小的凹凸(波纹)，且能够维持粘附片的透明性。 

此外，本发明提供一种电子元器件的制造方法，它是磨削晶片而获得的电子元器件的制造方法，该方法包括：将晶片粘合于上述粘附片的粘附剂层表面的工序；在粘合于粘附片的状态下，磨削晶片的露出面而使其平滑的工序。 

根据该方法，构成粘附片的基材的两面的平均粗糙度被分别调整至特定范围内，因此可以抑制展开卷起的粘附片时发生的粘连，还可以抑制磨削后的晶片表面上产生微小的凹凸(波纹)，且能够维持粘附片的透明性。 

如果采用本发明，则可以抑制展开卷起的粘附片时发生的粘连，还可以抑制磨削后的晶片表面上产生微小的凹凸(波纹)，能够维持粘附片的透明性。 

附图的简单说明 

图1是用于对使用粘附片的晶片的背面研磨进行说明的工序剖视图。 

图2是用于对粘附片的卷起和展开时的粘连进行说明的工序剖视图。 

符号的说明 

101硅晶片 

102真空卡盘工作台 

103粘附剂层 

104剥离用膜 

105剥离衬里 

106基材膜 

108卷起的带剥离衬里的粘附片 

110粘附片 

实施发明的最佳方式 

以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。在所有的附图中，用相同的符号标记相同的构成要件，适当省略说明。 

<术语的说明> 

在本说明书中，单体单元是指来源于单体的结构单元。只要没有特别规定，本发明中的份及％以质量基准表示。 

<实施方式的概要> 

图1是用于对使用粘附片的晶片背面研磨进行说明的工序剖视图。如图1(a)所示，本实施方式的粘附片110包括片状基材106以及层叠于基材106的一面的粘附剂层103。 

该粘附片110中，构成粘附片110的基材106的两面的平均表面粗糙度被调整至特定范围内，因此可以抑制展开卷起的粘附片110时发生的粘连，还可以抑制磨削后的半导体晶片表面上产生微小的凹凸(波纹)，且可以维持粘附片110的透明性。 

<基材> 

本实施方式的粘附片110中，片状基材106的一面、即要涂布粘附剂的一侧的面的平均表面粗糙度(Ra1)优选在0.1μm以上，特别优选在1.0μm以上。如果该平均表面粗糙度(Ra1)在这些下限以上，则可以抑制仅卷起构成粘附片110的基材106时发生在基材106之间的粘连。另一方面，该平均表面粗糙度(Ra1)优选在3.5μm以下，特别优选在3.0μm以下。如果该平均表面粗糙度(Ra1)在这些上限以下，则可以维持透明性，还可以抑制磨削后的半导体晶片101表面上产生微小的凹凸(波纹)。 

此外，在本实施方式的粘附片110中，片状基材106的另一面、即不涂布粘附剂的一侧的面的平均表面粗糙度(Ra2)并无特别限定，在不会引起粘连的范围内使用，具体优选在0.05μm以上，特别优选在0.1μm以上。如果该平均表面粗糙度(Ra2)在这些下限以上，则可以抑制仅卷起构成粘附片110的基材106时发生在基材106之间的粘连。另一方面，该平均表面粗糙度(Ra2)优选在0.7μm以下，特别优选在0.4μm以下。如果该平均表面粗糙度(Ra2)在这些上限以下，则可以维持透明性，还可以抑制磨削后的半导体晶片101表面上产生微小的凹凸(波纹)。 

本实施方式的粘附片110中，由于作为片状基材106，使用EVA(乙烯乙酸乙烯酯)，因此硬度的条件变得容易。即，较好是片状基材106的至少一部分包含乙烯乙酸乙烯酯。特别是当在半导体晶片101的磨削中使用时，如果基材太软时，则来自研磨头(未图示)的冲击导致半导体晶片101的垂直运动，无法磨削成均匀的厚度。此外，当以多层结构形成片状基材106时，较好是多层结构中至少包括1层包含EVA(乙烯乙酸乙烯酯)的层。该情况下，由于多层结构中的至少一层是包含EVA(乙烯乙酸乙烯酯)的层，因此硬度调节也同样变得容易。 

这时，为了调整柔软性，该EVA(乙烯乙酸乙烯酯)中的乙酸乙烯酯的含量优选在3质量％以上，更优选在5质量％以上。当乙酸乙烯酯含量在这些下限以上时，可以吸收磨削时所承受的应力，因此可以抑制磨削后的半导体晶片101开裂。另一方面，为了调整柔软性，该EVA(乙烯乙酸乙烯酯)中乙酸乙烯酯的含量优选在20质量％以下，更优选在15质量％以下。当乙酸乙烯酯含量在这些上限以下时，可以使半导体晶片101的磨削精度提高。 

本实施方式的粘附片110中，作为片状基材106，无需仅使用EVA(乙烯乙酸乙烯酯)，可以进一步采用多种材质。作为这样使用多种材质的方法，可以例举使用混合物、共聚物、层叠膜等的方法。 

本实施方式的粘附片110中，片状材料106的厚度并无特别限定，但从粘附片110的强度的确保和柔软性的维持的角度来看，理想的是10μm～300μm。 

<粘附剂层>

本实施方式的粘附片110中，用于粘附剂层103的粘附剂较好是容易设定粘附力的丙烯酸聚合物，可以通过包含固化剂来更精密地调整粘附力。此外，较好是构成丙烯酸聚合物的丙烯酸单体中的至少一种包括含官能团的单体。该含官能团的单体优选在丙烯酸聚合物中掺合并聚合有0.01质量％～10质量％。如果该含官能团的单体的配比在0.01％质量以上，则对被粘体的粘附力足够强，渗水的发生容易得到抑制；如果该含官能团的单体的配比在10质量％以下，则对被粘体的粘附力不会过强，因此容易抑制粘 附剂残留的发生。 

作为该丙烯酸聚合物中的主要单体，可以例举(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸肉豆寇酯、(甲基)丙烯酸鲸蜡酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸环己基酯、以及(甲基)丙烯酸苄基酯等(甲基)丙烯酸单体。 

作为该丙烯酸单体，特别好是至少一部分包括含官能团的单体。作为该含官能团的单体，优选具有以下官能团的单体：羟基、羧基、环氧基、酰胺基、氨基、羟甲基、磺酸基、氨基磺酸基、(亚)磷酸酯基。在这些单体中，特别优选具有这些官能团的乙烯基化合物，较好是具有羟基的乙烯基化合物。此外，在此所说的乙烯基化合物包括后述的丙烯酸酯。 

作为具有羟基的含官能团的单体，例如有(甲基)丙烯酸-2-羟乙基酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙基酯以及(甲基)丙烯酸-2-羟丁基酯。 

此外，本实施方式的粘附剂层103中，较好是在使上述的丙烯酸聚合物与固化剂反应而使粘附剂层103固化后，构成该丙烯酸聚合物的含羧基的单体于该丙烯酸聚合物中占1质量％以下。换言之，较好是在通过固化剂使粘附剂反应的含官能团的单体中，具有羧基的含官能团的单体占1质量％以下。对金属的粘附力因使用具有羧基的含官能团的单体而增加，所以与固化剂反应后的具有羧基的含官能团的单体如果超过1质量％，则存在对金属的粘附力高而发生粘附剂残留的倾向，较好是在1质量％以下。因此，作为具有羧基的单体，优选容易通过与固化剂的反应而消除的单体，优选使用例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸、马来酸、马来酸酐、衣康酸、富马酸、丙烯酰胺-N-乙醇酸以及肉桂酸。 

本实施方式的粘附片110中，用于粘附剂层103的粘附剂中较好是掺入固化剂。当掺入固化剂时，相对于100质量份丙烯酸聚合物，固化剂的配比优选0.1质量份～20质量份。这是由于如果该固化剂的配比为0.1质量份～20质量份，则可以抑制粘附剂残留的发生。 

作为掺入粘附剂层103的固化剂，有多官能异氰酸酯固化剂、多官能环氧固化剂、1-吖丙因(azirine)化合物、三聚氰胺化合物等，优选多官能异氰酸酯固化剂、多官能环氧固化剂。通过使用多官能环氧固化剂或多官能异氰酸酯固化剂作为上述固化剂的至少一部分，可以选择性地使具有羧基的含官能团单体反应而消除，能够调节固化后的具有羧基的含官能团的单体的量。 

作为多官能异氰酸酯固化剂，例如有芳香族多异氰酸酯固化剂、脂肪族多异氰酸酯固化剂、脂环族多异氰酸酯固化剂。此外，优选脂肪族多异氰酸酯固化剂，特别优选其中的1，6-己二异氰酸酯固化剂。该异氰酸酯固化剂因为可以赋予粘附剂柔软性，对于有凹凸的被粘体也有效，所以优选。 

芳香族多异氰酸酯没有特别的限制，可以例举例如1，3-苯二异氰酸酯、4，4’-连二苯基二异氰酸酯、1，4-苯基二异氰酸酯、4，4’-二苯甲烷二异氰酸酯、2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4，4’-甲苯胺二异氰酸酯、2，4，6-三异氰酸酯基甲苯、1，3，5-三异氰酸酯基苯、联茴香胺二异氰酸酯、4，4’-二苯醚二异氰酸酯、4，4’，4″-三苯基甲烷三异氰酸酯、ω，ω’-二异氰酸酯基-1，3-二甲基苯、ω，ω’-二异氰酸酯基-1，4-二甲基苯、ω，ω’-二异氰酸酯基-1，4-二乙基苯、1，4-四甲基苯二亚甲基二异氰酸酯以及1，3-四甲基苯二亚甲基二异氰酸酯等。 

脂肪族多异氰酸酯没有特别的限制，可以例举例如亚丙基二异氰酸酯、1，4-亚丁基二异氰酸酯、1，6-己二异氰酸酯、1，5-亚戊基二异氰酸酯、1，2-亚丙基二异氰酸酯、2，3-亚丁基二异氰酸酯、1，3-亚丁基二异氰酸酯、1，12-亚十二烷基二异氰酸酯以及2，4，4-三甲基-1，6-己二异氰酸酯等。 

脂环族多异氰酸酯没有特别的限制，例如有3-异氰酸甲酯基-3，5，5-三甲基环己基异氰酸酯、1，3-环戊烷二异氰酸酯、1，3-环己烷二异氰酸酯、1，4-环己烷二异氰酸酯、甲基-2，4-环己烷二异氰酸酯、甲基-2，6-环己烷二异氰酸酯、4，4’-亚甲基双(环己基异氰酸酯)、1，4-双(异氰酸甲酯基)环己烷以及1，4-双(异氰酸甲酯基)环己烷。 

多官能环氧固化剂主要是指具有至少2个环氧基以及至少1个叔氮原子的化合物，可以例举N，N-缩水甘油基苯胺、N，N-缩水甘油基甲苯胺、m-N，N-缩水甘油基氨基苯基缩水甘油基醚、p-N，N-缩水甘油基氨基苯基缩水甘油基醚、异氰脲酸三缩水甘油酯、N，N，N’，N’-四缩水甘油基二氨基二苯基甲烷、N，N，N’，N’-四缩水甘油基-m-苯二甲胺以及N，N，N’，N’，N″-五缩水甘油基二亚乙基三胺等。

<粘附片> 

本实施方式的粘附片110通过在基材106上形成粘附剂层103而制得。在基材106上形成粘附剂层103的方法没有特别的限制，可以使用例如通常的逗号刮刀涂布、唇口涂布、凹版涂布、辊涂、丝网印刷涂布等涂布方式。粘附剂层103可以直接在基材106上形成，也可以在表面进行过剥离处理的剥离纸等上形成粘附剂层103后再转印至基材膜(基材106)。 

本实施方式的粘附剂层103的厚度优选在3μm以上，更优选在5μm以上。如果该厚度在这些下限以上，则可以吸收半导体晶片101上的电路面的凹凸，因此可以抑制半导体晶片101表面产生微凹(dimple)或裂缝。另一方面，该粘附剂层103的厚度优选在1000μm以下，更优选在100μm以下。这是因为如果该厚度在这些上限以下，则可以控制成本。 

本实施方式的粘附片110的保存方法没有特别的限制，可以例举使聚乙烯层叠纸、剥离处理塑料膜等剥离片或剥离纸密合于粘附剂层103的粘附面的方法。 

<电子元器件的制造方法> 

本实施方式的粘附片110用于半导体晶片的背面研磨。即，本实施方式的粘附片110适合用于背面研磨中的半导体电子元器件集合体的固定。粘附片110的被加工物没有特别的限制，通常称为“工件”的电子元器件集合体适合用作被加工物。当用于背面研磨时，将形成在电子元器件集合体上的电路面粘附于粘附片110来使用。 

作为电子元器件集合体，可以例举在绝缘物电路基板(或半导体晶片101)等上形成有电路图案的集合体。作为构成电路面的材质，可以例举Si、SiO₂、Si₃N₄、AlSi、AlSiCu、PI等。作为半导体晶片，可以例举硅晶片或砷化镓等。在这些电子元器件集合体中，优选使用半导体晶片101。 

<背面研磨> 

作为背面研磨的进行方式，除将粘附片110固定在电子元器件集合体的电路侧来磨削电路的背面之外，没有特别的限制，例如可以优选按照图1所示的步骤进行。 

(1)第一工序中，以电子元器件集合体的电路面与粘附片110的粘附剂层103接触的方式，承载于机械加工卡盘工作台上，进行吸附、固定； 

(2)第二工序中，将粘附片110粘附于电路面，沿着电子元器件集合体 的外周部裁剪粘附片110； 

(3)第三工序中，将电子元器件集合体磨削至所需的厚度； 

(4)第四工序中，解除卡盘工作台的吸附，将固定于粘附片110的电子元器件集合体从机械加工工作台上取下； 

(5)第五工序中，将粘附片110与电子元器件集合体剥离，回收电子元器件集合体。 

作为将粘附片110与电子元器件集合体剥离来回收电子元器件集合体的方法，可以例举例如图1所示的下述方法。 

(1)第一步骤中，将电子元器件集合体的磨削面侧吸附于卡盘工作台102而固定； 

(2)第二步骤中，在粘附片110侧粘附通常称为“剥离带”的剥离用粘附膜104； 

(3)第三步骤中，剥离剥离用粘附膜104，粘附片110附着于剥离用粘附膜104上，被从电子元器件集合体剥离； 

(4)第四步骤中，解除卡盘工作台102的吸附，回收电子元器件集合体。 

该方法适合用于电子元器件集合体的绝缘电路基板(或半导体晶片101)的厚度在约100μm以上时。电子元器件集合体经切割而制成电子元器件(芯片)。 

当电子元器件集合体(或半导体晶片101)容易破损的情况下，例如通过作为图1所示的步骤的变形例的下述方法将粘附片110与电子元器件集合体(或半导体晶片101)剥离，回收电子元器件集合体(或半导体晶片101)。 

(1)第一步骤中，将电子元器件集合体(或半导体晶片101)的磨削面固定到承载于机械加工卡盘工作台(未图示)的切割用胶带上； 

(2)第二步骤中，在粘附片110侧粘附通常称为“剥离带”的剥离用粘附膜104； 

(3)第三步骤中，剥离剥离用粘附膜104，粘附片110附着于剥离用粘附膜104上，被从电子元器件集合体(或半导体晶片101)剥离。 

该方法适合用于电子元器件集合体的绝缘电路基板(或半导体晶片101)薄而容易破损时。电子元器件集合体经切割而制成电子元器件。 

<作用效果> 

以下，对本实施方式的作用效果进行说明。 

本实施方式的粘附片110包括片状基材106以及层叠于基材106的一面的粘附剂层103。此外，该粘附片110中，基材106的一面的平均粗糙度为0.1μm～3.5μm且基材106的另一面的平均粗糙度为0.05μm～0.7μm，因此可以抑制在展开卷起的粘附片110时发生的粘连，还可以抑制磨削后的半导体晶片101表面上产生微小的凹凸(波纹)，且能够维持粘附片110的透明性。 

此外，本实施方式的粘附片110中，较好是基材106的至少一部分包含乙烯乙酸乙烯酯。该情况下，基材106的硬度调节变得容易，因此可以抑制来自研磨头(未图示)的冲击导致的半导体晶片101的垂直运动，易于将半导体晶片101磨削成均匀的厚度。 

此外，本实施方式的粘附片110中，基材106可以由多层结构形成且多层结构中的至少一层包含乙烯乙酸乙烯酯。该情况下，与上述的情况同样，基材106的硬度调节变得容易，因此可以抑制来自研磨头(未图示)的冲击导致的半导体晶片101的垂直运动，易于将半导体晶片101磨削成均匀的厚度。 

此外，本实施方式的粘附片110中，上述的乙烯乙酸乙烯酯中的乙酸乙烯酯的含量优选3质量％～20质量％。该情况下，可以吸收磨削时所承受的应力，因此可以抑制磨削后的半导体晶片101开裂。此外，该情况下，可以对粘附片110的柔软性进行调整，所以可以使半导体晶片101的磨削精度提高。 

此外，本实施方式的粘附片110中，粘附剂层103较好是包含丙烯酸聚合物。这是因为容易设定粘附剂层103的粘附力。 

此外，本实施方式的粘附片110中，较好是构成上述丙烯酸聚合物的丙烯酸单体中的至少一种为具有羟基的单体。这是由于该情况下，粘附剂层103对被粘体的粘附力增强，因此渗水的发生得到抑制。 

此外，本实施方式的粘附片110中，较好是上述的具有羟基的单体在丙烯酸聚合物中占0.01质量％～10质量％。该情况下，不仅因粘附剂层103对被粘体的粘附力充分增强而渗水的发生得到抑制，而且由于粘附剂层103对被粘体的粘附力不会变得过强，因此可以抑制粘附剂残留。 

此外，本实施方式的粘附片110中，较好是粘附剂层103还包含固化剂。这是因为该情况下，粘附剂层103对被粘体的粘附力不会变得过强，所以可以抑制粘附剂残留。 

此外，本实施方式的粘附片110中，较好是粘附剂层103相对于100质量份丙烯酸聚合物包含0.1质量份～20质量份的固化剂。这是因为该情况下，粘附剂层103对被粘体的粘附力被调整至适度的范围内，所以可以抑制粘附剂残留。 

此外，本实施方式的粘附片110中，较好是在使上述的丙烯酸聚合物与固化剂反应而使粘附剂层103固化后，构成丙烯酸聚合物的含羧基的单体于丙烯酸聚合物中占1质量％以下。这是因为粘附剂层103对金属的粘附力不会变得过强，因此可以抑制粘附剂残留的发生。 

此外，本实施方式的粘附片110中，较好是上述固化剂的至少一部分为多官能异氰酸酯固化剂。采用多官能异氰酸酯固化剂的原因是该固化剂可以通过与具有羟基及羧基的单体进行反应而将这些基团消除。 

此外，本实施方式的粘附片110中，上述多官能异氰酸酯固化剂优选1，6-己二异氰酸酯固化剂。这是由于该1，6-己二异氰酸酯固化剂可以赋予粘附剂柔软性，对存在凹凸的被粘体也有效。此外，该固化剂可以使羟基和羧基反应而将它们消除，特别是可以选择性地与具有羟基的单体反应来调节含官能团的单体的量。 

此外，本实施方式的粘附片110中，上述固化剂中的至少一部分可以是多官能环氧固化剂。通过掺入多官能环氧固化剂，通过可以同时与羟基和羧基反应而将它们消除。特别是多官能环氧固化剂可以选择性地与具有羧基的单体反应，因此可以选择性地消除该羧基。该固化剂可以对固化后的具有羧基的单体的量进行调节。 

此外，本实施方式的粘附片110优选用于半导体晶片的背面研磨。这是因为如上所述，本实施方式的粘附片110可以抑制展开卷起的粘附片110时发生的粘连，还可以抑制半导体晶片背面研磨后的在半导体晶片101表面上产生微小的凹凸(波纹)，且能够维持粘附片110的透明性。 

此外，本实施方式的电子元器件的制造方法是磨削半导体晶片101而获得的电子元器件的制造方法，该方法包括：将半导体晶片101粘合于上述粘附片110的粘附剂层103表面的工序；在粘合于粘附片的状态下，磨削半导体晶片101的露出面而使其平滑的工序。 

该方法所使用的粘附片110中，如上所述，基材106的两面的平均表面粗糙度被调整至特定的范围内。因此，如果采用该方法，可以抑制展开卷 起的粘附片110时发生的粘连，还可以抑制磨削后的半导体晶片101表面上产生微小的凹凸(波纹)，且能够维持粘附片110的透明性。 

本实施方式的电子元器件的制造方法可以还包括在上述的磨削后将半导体晶片101与粘附剂层103剥离的工序。该方法所使用的粘附片110中，基材106的两面的平均表面粗糙度被调整至特定的范围内，因此可以抑制展开卷起的粘附片110时发生的粘连，还可以抑制磨削后的半导体晶片101表面上产生微小的凹凸(波纹)，且能够维持粘附片110的透明性。 

此外，如果采用这些方法，不仅可以防止展开卷起的粘附片110时发生的粘连，对于由形成电路的各种材质形成的半导体晶片101可以提高磨削性，而且还起到防止亚微米级的污染的效果。即，在采用现有的粘附片的背面研磨中，对于由各种各样的材质形成的半导体晶片101，可能会发生亚微米级的粘附剂残留，但是如果采用这些方法，这些问题可得到解决。 

以上，参照附图对本发明的实施方式进行了说明，但它们仅仅是本发明的示例，还可以采用除上述以外的各种构成。 

例如，上述实施方式中未特别限定半导体晶片101的种类，可以使用任何种类的晶片，诸如硅晶片、砷化镓晶片等。由于不论对于哪一种类的晶片，都有适合对该晶片进行背面研磨的磨削头(未图示)，因此可以使用该磨削头(未图示)实施与上述实施方式同样的电子元器件的制造方法，该情况下也可以获得同样的作用效果。 

实施例

以下，通过实施例对本发明进行进一步的说明，但本发明并不局限于这些实施例。 

<实施例1> 

下面，实施例1的粘附片的制造配方。 

(基材) 

乙烯乙酸乙烯酯基材：将以乙酸乙烯酯含量为8％的乙烯乙酸乙烯酯为主体的市售的颗粒(东曹株式会社(東ソ一社)制，商品名：Ultrathene 520F)熔化，通过T型模共挤出法成形而制成膜。通过控制成形时的压花辊，将基材的一面的平均表面粗糙度(Ra1)设定为2.0μm并将基材的另一面的平均表面粗糙度(Ra2)设定为0.3μm。此外，膜的厚度设为120μm。 

(粘附剂) 

获得由共聚物形成的合成品，该共聚物通过将80％的丙烯酸丁酯、19％的(甲基)丙烯酸甲酯以及1％的丙烯酸-2-羟基乙酯(含官能团的单体)共聚而获得。还有，合成品的玻璃化温度是-53.3℃。 

此外，再将多官能异氰酸酯固化剂1，6-己二异氰酸酯(日本聚氨酯工业株式会社(日本ポリウレタン工業社)制，制品名：Coronate HL的市售品)适当地加入上述的合成品中，制成粘附剂。 

然后，将粘附剂涂布到PET隔膜上，以干燥后的粘附剂层的厚度为20μm的条件进行涂布，再层叠于厚120μm的基材膜，从而获得粘附片。 

<实施例2～4、比较例1～2> 

除将与粘附剂相反的一侧的基材的平均表面粗糙度(Ra2)如表1所示进行改变以外，实施例2～4和比较例1～2与实施例1同样地进行操作。 

<实施例5～8、比较例3～4> 

除将要涂布粘附剂的一侧的基材的平均表面粗糙度(Ra1)如表1所示进行改变以外，实施例5～8和比较例3～4与实施例1同样地进行操作。 

<评价方法> 

(1)磨削性：如图1所示，将粘附片110粘附于5英寸的镜面晶片(半导体晶片101)上(图1(a))，磨削至300μm的厚度(图1(b))，将镜面晶片(半导体晶片101)的磨削面固定到真空卡盘工作台102上(图1(c))，将粘附片110通过剥离用膜104剥离(图1(d))。使用平坦度测定装置(平坦度测试仪，ADE-9500)对经磨削的硅晶片(半导体晶片101)进行测定。面内的凹凸的差值在5μm以下的情况评价为○，5μm以上的情况评价为×。评价结果示于下述的表1。 

装配机：株式会社高鸟(株式会社タカトリ)制的装配机ATM-1100磨削机：株式会社迪斯科(株式会社デイスコ)制的背面研磨机DFG-850(2)粘连：如图2所示，在制得粘附片110之后(图2(a))，与剥离衬里105上进行粘合(图2(b))，卷成卷状(图2(c))。然后，将展开时(图2(c)和图2(d)的中间过程(未图示))未发生粘连的粘附片评价为◎，将发生粘连但可使用的粘附片评价为○，将发生粘连而无法使用的粘附片评价为×。评价结果示于下述的表1。 

(3)透明性：粘附片的透明性使用须贺试验机株式会社(スガ試験機株式会社)制的雾度计(HZ-2)进行测定。将雾度为0～20％的粘附片评价为◎， 将雾度为20～40％的粘附片评价为○，将雾度为40～100％的粘附片评价为×。评价结果示于下述的表1。 

[表1] 

实施例  1

实施例  2

实施例  3

实施例  4

实施例 5

实施例  6

实施例  7

实施例  8

比较例  1

比较例  2

比较例  3

比较例  4

平均表面粗糙度  [μm]Ra1

2.0

2.0

2.0

2.0

0.2

1.0

3.0

3.3

2.0

2.0

0.08

4.0

平均表面粗糙度  [μm]Ra2

0.3

0.08

0.5

0.6

0.3

0.3

0.3

0.3

0.03

0.8

0.3

0.3

雾度[％]

◎

◎

0

○

◎

◎

◎

○

◎

×

◎

×

磨削性

○

○

○

○

○

○

○

○

○

○

○

×

粘连[-]

○

◎

◎

◎

○

◎

◎

◎

×

◎

×

◎

<实验的分析> 

由表中所示的实验结果可知，如果采用本粘附片，则由于构成粘附片的基材的两面的平均表面粗糙度被分别调整至特定范围内，因此可以抑制展开卷起的粘附片时发生的粘连，还可以抑制磨削后的晶片表面上产生微小的凹凸(波纹)，且能够维持粘附片的透明性。 

以上，基于实施例对本发明进行了说明。本领域的技术人员应理解，这些实施例仅仅是示例，可能各种变形例，而这样的变形例也在本发明的范围内。 

产业上利用的可能性 

上述的粘附带抑制基材卷绕时的粘连以及制成带的形式时的粘连，且具有透明性。此外，上述的粘附带对于形成电路的各种材质起到提高磨削性和防止亚微米级的污染的效果。 

Claims (12)

1.一种半导体晶片的背面研磨用粘附片，它是包括片状基材和层叠于所述基材的一面的粘附剂层的粘附片，其特征在于，所述基材的所述一面的平均表面粗糙度为1.0μm～3.3μm，所述基材的另一面的平均表面粗糙度为0.08μm～0.6μm,所述粘附剂层包含丙烯酸聚合物,构成所述丙烯酸聚合物的丙烯酸单体中的至少一种为具有羟基的单体，

所述基材的至少一部分包含乙烯乙酸乙烯酯，所述乙烯乙酸乙烯酯中的乙酸乙烯酯含量为3质量％～20质量％。

2.如权利要求1所述的半导体晶片的背面研磨用粘附片，其特征在于，所述基材由多层结构形成，且所述多层结构中的至少一层包含乙烯乙酸乙烯酯。

3.如权利要求1所述的半导体晶片的背面研磨用粘附片，其特征在于，所述具有羟基的单体在所述丙烯酸聚合物中占0.01质量％～10质量％。

4.如权利要求1所述的半导体晶片的背面研磨用粘附片，其特征在于，所述粘附剂层还包含固化剂。

5.如权利要求4所述的半导体晶片的背面研磨用粘附片，其特征在于，所述粘附剂层相对于100质量份所述丙烯酸聚合物包含0.1质量份～20质量份的所述固化剂。

6.如权利要求4所述的半导体晶片的背面研磨用粘附片，其特征在于，所述固化剂中的至少一部分是多官能异氰酸酯固化剂。

7.如权利要求6所述的半导体晶片的背面研磨用粘附片，其特征在于，所述多官能异氰酸酯固化剂是1,6-己二异氰酸酯固化剂。

8.如权利要求4所述的半导体晶片的背面研磨用粘附片，其特征在于，所述固化剂中的至少一部分是多官能环氧固化剂。

9.如权利要求4所述的半导体晶片的背面研磨用粘附片，其特征在于，使所述丙烯酸聚合物与所述固化剂反应而使所述粘附剂层固化后，构成所述丙烯酸聚合物的含羧基的单体在所述丙烯酸聚合物中占1质量％以下。

10.如权利要求1所述的半导体晶片的背面研磨用粘附片，其特征在于，用于半导体晶片的背面研磨。

11.一种电子元器件的制造方法，它是磨削晶片而获得的电子元器件的制造方法，其特征在于，包括：将所述晶片粘合于权利要求1所述的半导体晶片的背面研磨用粘附片的所述粘附剂层表面的工序；在粘合于粘附片的状态下，磨削所述晶片的露出面而使其平滑的工序。

12.如权利要求11所述的电子元器件的制造方法，其特征在于，还包括：在所述磨削后，将所述晶片与所述粘附剂层剥离的工序。

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