CN101800277A

CN101800277A - 发光器件和发光器件封装

Info

Publication number: CN101800277A
Application number: CN201010118184A
Authority: CN
Inventors: 李尚烈; 宋俊午
Original assignee: LG Innotek Co Ltd
Current assignee: Suzhou Liyu Semiconductor Co ltd
Priority date: 2009-02-10
Filing date: 2010-02-10
Publication date: 2010-08-11
Anticipated expiration: 2030-02-10
Also published as: US8853731B2; US20100200884A1; EP2518782A1; US20120168805A1; US7928464B2; US20110156077A1; US8154046B2; KR100974776B1; EP2216833B1; CN101800277B; EP2216833A1; EP2518782B1

Abstract

本发明提供一种发光器件。所述发光器件包括：导电支撑衬底；在导电支撑衬底上的结合层；在结合层上的反射层；和在反射层上的发光结构层。所述结合层包括：在导电支撑衬底上的焊料结合层以及在焊料结合层上的扩散阻挡层和粘合层中的至少之一，焊料结合层、扩散阻挡层和粘合层由其杨氏模量为9GPa至200GPa的金属或者合金形成。

Description

发光器件和发光器件封装

相关申请

本申请要求2009年2月10日提交的韩国专利申请10-2009-0010703的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及发光器件和发光器件封装。

背景技术

发光二极管(LED)是一种用于将电能转化为光的半导体器件。与相关技术光源例如荧光灯和白炽灯相比，LED具有例如低电耗、半永久寿命周期、快速响应时间、安全和环境友好的优点。正在进行许多研究以利用LED来代替相关技术光源，根据该趋势，LED正日益用作照明设备例如各种灯、液晶显示器、记分板、室内灯和室外灯的光源。

在LED中，堆叠的发光结构层包括：第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，根据施加的电源由所述发光结构层产生光。

在LED中，外延层用于在生长衬底例如蓝宝石衬底上形成发光结构层，然后在该发光结构层上形成反射层。此外，将反射层和导电支撑衬底结合之后，通过移除生长衬底的工艺来制造具有垂直结构的LED。

此外，当通过激光束将生长衬底分离时，由于在缓冲层材料的热化学分解期间产生N2气的爆炸力和机械冲击，在外延层中产生裂缝或者断裂。

而且，在使用Au-Sn、Au-In、Pd-In、Pd-Sn(即焊料结合材料体系)结合反射层和导电支撑衬底的情况下，使用材料例如Pt、W和Cr作为扩散阻挡层以防止Sn或者In的快速扩散。此时，在Pt的情况下，焊料结合材料由于Sn和In的耗尽而具有脆性，在W和Cr的情况下，由于Sn或者In的不良粘附性而出现分离。

发明内容

一些实施方案提供一种具有新的结构的发光器件。

一些实施方案提供一种能够防止在生长衬底分离期间产生裂缝和断裂现象的发光器件。

一些实施方案提供一种用于防止焊料结合材料扩散至反射层或者发光结构层的发光器件。

一些实施方案提供一种用于改善脆性和粘附性的发光器件。

在一个实施方案中，发光器件包括：导电支撑衬底；在所述导电支撑衬底上的结合层(bonding layer)；在所述结合层上的反射层；和在所述反射层上的发光结构，其中所述结合层包括在所述导电支撑衬底上的焊料结合层、以及在所述焊料结合层上的扩散阻挡层和粘合层(adhesion layer)中的至少之一，所述焊料结合层、所述扩散阻挡层和所述粘合层由杨氏模量为9GPa至200GPa的金属或者合金形成。

在另一个实施方案中，发光器件包括：导电支撑衬底；在所述导电支撑衬底上的焊料结合层；在所述焊料结合层上的扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上的粘合层；在所述粘合层上的反射层；和在所述反射层上的发光结构层，其中所述焊料结合层、所述扩散阻挡层和所述粘合层由金属或者合金形成；所述扩散阻挡层或者所述粘合层由包含Cu或者Nb的金属或者合金形成。

在另一个实施方案中，发光器件封装包括：封装体；在所述封装体上设置的第一电极和第二电极；电连接至所述第一电极和所述第二电极的发光器件，其中所述发光器件包括：导电支撑衬底；在所述导电支撑衬底上的结合层；在所述结合层上的反射层；和在所述反射层上的发光结构，其中所述结合层包括在所述导电支撑衬底上的焊料结合层、以及在所述焊料结合层上的扩散阻挡层和粘合层中的至少之一，所述焊料结合层、所述扩散阻挡层和所述粘合层由杨氏模量为9GPa至200GPa的金属或者合金形成。

一个或更多个实施方案的细节在附图和以下的描述中进行阐述。其他特征从说明书、附图以及从权利要求中显而易见。

附图说明

图1是说明根据一个实施方案的发光器件的视图。

图2～11是说明制造根据一个实施方案的发光器件的方法的视图。

图12是根据一个实施方案的包括发光器件的发光器件封装的横截面图。

具体实施方式

在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或者结构称为在衬底、各层(或膜)、区域、垫或者图案“上/上方/上部/之上”时，其可以直接在所述衬底、各层(或膜)、区域、垫或者图案上，或者也可存在中间层。此外，应理解，当层被称为在各层(膜)、区域、图案或者结构“下/下方/下部/之下”时，其可以直接在所述层(膜)、区域、垫或图案下，或者也可存在一个或更多个中间层。因此，其含义应该根据本公开的精神来判断。

在附图中，每个元件的尺寸可以放大以清楚说明，每个元件的尺寸可不同于每个元件的实际尺寸。并非在附图中说明的所有元件必须包含并限于本公开，而是可加入或者删除除了本公开的必要特征以外的元件。

以下，将参考附图描述发光器件、制造该发光器件的方法、以及发光器件封装。

图1是说明根据一个实施方案的发光器件的视图。

参考图1，发光器件100包括：导电支撑衬底175、在导电支撑衬底175上的结合层170、在结合层170上的反射层160、在反射层160上的欧姆接触层150、在结合层170顶部的边界区上的保护层140、在欧姆接触层150和保护层140上的用于产生光的发光结构层135、用于保护发光结构层135的钝化层180、在反射层160和发光结构层135之间的电流阻挡层145、以及在发光结构层135上的电极单元115。

导电支撑衬底175支撑发光结构层135。导电支撑衬底175和电极单元115可对发光结构层135供电。导电支撑衬底175包括铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜-钨(Cu-W)、载体晶片(例如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC等)中的至少一种。导电支撑衬底175的厚度可根据发光器件100的设计而改变，并可为例如50μm～300μm。

在导电支撑衬底175上形成结合层170。结合层170在反射层160和保护层140下形成。结合层170接触反射层160、欧姆接触层150和保护层140，以允许它们强烈地结合导电支撑衬底175。

结合层170包括：具有第一焊料结合层173和第二焊料结合层174的焊料结合层、在第一焊料结合层173上的扩散阻挡层172、以及在扩散阻挡层172上的粘合层171。

结合层170防止在生长衬底分离期间产生裂缝和断裂现象，并且也防止焊料结合材料扩散入反射层160或者发光结构层135。而且，形成结合层170以改善脆性和粘附性。

在结合层170中，粘合层171或者扩散阻挡层172可由杨氏模量为9GPa至200GPa的金属或者合金形成，第一焊料结合层173和第二焊料结合层174可由用于杨氏模量为9GPa至200GPa的焊料结合合金的材料形成。

例如，粘合层171可形成为具有0.05μm至0.2μm的厚度。扩散阻挡层172可形成为具有1μm至3μm的厚度。包括第一焊料结合层173和第二焊料结合层174的焊料结合层可形成为具有2μm至4μm的厚度。

例如，粘合层171或者扩散阻挡层172可由包含铜(129)、Nb(105)、Sn(49)、In(10.1)Sc(79.3)、Ta(185.7)、V(127.7)、Si(113)、Ag(82.7)、Au(130)、Zn(104.5)、Sb(54.7)、Al(70.6)、Ge(79.9)、Hf(141)、La(37.9)、Mg(44.7)、Mn(191)、Ni(199)、Pd(121)和Ti(120)中的至少一种的金属或者合金形成。此外，例如第一焊料结合层173和第二焊料结合层174可由包含Sn(49)、In(10.5)、Ga(9.8)、Bi(34)、Pb(16)和Au(130)中的至少一种的金属或者合金形成。括号中的数字表示杨氏模量(单位GPa)。

如果用于结合层170的材料具有9GPa至200GPa的杨氏模量，则可防止在生长衬底的分离期间产生裂缝和断裂现象。用于粘合层171或者扩散阻挡层172的材料可防止第一焊料结合层173和第二焊料结合层174的Sn或者In的扩散。

粘合层171和扩散阻挡层172可由相同材料形成或者各不同的材料形成。如果使用相同材料，则仅仅形成粘合层171和扩散阻挡层172中之一。

此外，根据所选材料的种类，除了物理气相沉积(PVD)之外，扩散阻挡层172还可通过电镀或者化学镀方法形成。

在该实施方案中，扩散阻挡层172由Cu或者Nb形成，并且具有防止裂缝和断裂现象以及Sn或者In的扩散的极好性能。

例如，粘合层171/扩散阻挡层172/第一焊料结合层173和第二焊料结合层174可由Ti-Ni/Cu/Au-Sn、Nb/Cu/Au-Sn、Nb/Nb-Sn/Au-In或者Nb/Nb/Au-Sn中的一种形成。

在结合层170上可形成反射层160。反射层160反射从发光结构层135入射的光，使得可改善光提取效率。反射层160可选择性地形成，且可以不是必需形成的。

反射层160可由包含Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种的金属或者合金形成。此外，反射层160可使用上述金属或者合金和透明导电材料例如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO形成为具有多层。例如，反射层160可通过IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或者AZO/Ag/Ni来堆叠形成。例如，反射层160可由包括Ag的金属或者合金形成。

在该实施方案中，虽然说明反射层160的顶部接触欧姆接触层150，但是反射层160可接触保护层140、电流阻挡层145或者发光结构层135。

欧姆接触层150可在反射层160上形成。欧姆接触层150欧姆接触第二导电半导体层130，为发光结构层135平稳地供电，并且可包括ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO中的至少一种。欧姆接触层150可选择性地形成，且可以不是必需形成的。

即，欧姆接触层150可选择性地使用透明导电层和金属，并且还可形成为具有包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IrO_x、RuO_x、RuO_x/ITO、Ni、Ag、Ni/IrO_x/Au和Ni/IrO_x/Au/ITO中的至少一种的单层或者多层。

在该实施方案中，虽然说明欧姆接触层150接触电流阻挡层145的底部和侧面，但是欧姆接触层150可设置为与电流阻挡层145间隔开或者可仅仅接触电流阻挡层145的侧面。此外，反射层160可由欧姆接触第二导电半导体层130的材料形成，欧姆接触层150可不形成。

电流阻挡层145可在欧姆接触层150和第二导电半导体层130之间形成。电流阻挡层145具有接触第二导电半导体层130的顶部并且还具有接触欧姆接触层150的底部和侧面。

可形成电流阻挡层145并且其一部分可与电极单元115垂直交叠。因此，电流在电极单元115和导电支撑衬底175之间的最短距离上富集的现象得到缓解以提高发光器件100的发光效率。

电流阻挡层145可由导电率低于反射层160或者欧姆接触层150的材料、用于与第二导电半导体层130肖特基(Schottky)接触的材料或者电绝缘材料形成，并且可包括例如ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO_x、Ti、Al和Cr中的至少一种。

电流阻挡层145可以不是必需形成的，并且可根据发光器件100的结构而省略。

在结合层170的顶部的边界区上可形成保护层140。即，保护层140可在发光结构层135和结合层170之间的边界区域上形成，并且可由使用导电材料的导电保护层或者使用非导电材料的非导电保护层形成。

导电保护层可由透明导电氧化物层形成或者可包括Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W中的至少一种。例如，透明导电氧化物层可由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(氧化铟镓锡)、AZO(氧化铝锌)、ATO(氧化锑锡)和GZO(氧化镓锌)中的至少一种形成。

此外，如果对发光结构层135实施隔离蚀刻以在芯片分离工艺期间通过单元芯片将发光结构层135分离而没有保护层140，则从结合层170产生碎片。所述碎片附于第二导电半导体层130和有源层120之间或者有源层120和第一导电半导体层110之间，使得可产生短路。因此，导电保护层由在隔离蚀刻期间不产生裂缝或者不产生碎片的材料形成。因此，不产生结合层170的碎片并且不产生短路。

由于导电保护层具有导电性，所以电流可通过导电保护层注入发光结构135上。因此，在发光结构层135的边界区上的导电保护层上设置的有源层120处可有效地产生光，并且可改善发光器件的发光效率。

此外，导电保护层减小因电流阻挡层145增加的操作电压，使得发光器件的操作电压可降低。

导电保护层可由与欧姆接触层150相同的材料形成。

非导电保护层具有极低的导电率并因此可基本由非导电材料形成。非导电保护层可由导电率显著低于反射层160或者欧姆接触层150的材料、与第二导电半导体层130进行肖特基接触的材料或者电绝缘材料形成。例如，非导电保护层可由ZnO或者SiO₂形成。

非导电保护层使结合层170和有源层120之间的距离增加。因此，可减小结合层170和有源层120之间发生短路的概率。

此外，如果对发光结构层135实施隔离蚀刻以在芯片分离工艺期间通过单元芯片将发光结构层135分离而没有非保护层140，则从结合层170产生碎片。所述碎片附于第二导电半导体层130和有源层120之间或者有源层120和第一导电半导体层110之间，使得可产生短路。

非导电保护层由在隔离蚀刻期间不产生裂缝或者不产生碎片的材料或者即使其部分产生裂缝或者产生少量碎片也不产生短路的电绝缘材料形成。因此，不产生结合层170的碎片和不产生短路。

保护层140与发光结构层135在垂直方向上部分交叠。

保护层140使结合层170和有源层120之间的侧面的距离增加。因此，可使结合层170和有源层120之间发生短路的概率减小。

保护层140可以不是必需形成的，并且可根据发光器件100的结构而省略。

发光结构层135可在欧姆接触层150和保护层140上形成。

在实施用于分离单元芯片的隔离蚀刻时，在发光结构层135的侧面处可形成倾斜面，并且该倾斜面的一部分与保护层140在垂直方向上交叠。

保护层140的部分顶部可通过隔离蚀刻而暴露。因此，保护层140在垂直方向上接触发光结构层135的部分区域，其它部分在垂直方向上不接触发光结构层135。

发光结构层135可包括III族至V族元素中的多个的化合物半导体层，并且可包括第一导电半导体层110、在第一导电半导体层110下的有源层120、和在有源层120下的第二导电半导体层130。

第一导电半导体层110可由掺杂有第一导电掺杂剂的III族至V族元素化合物半导体例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP形成。如果第一导电半导体层110为N型半导体层，则第一导电掺杂剂包括N型掺杂剂例如Si、Ge、Sn、Se和Te。第一导电半导体层110可形成为单层或者多层，但是不限于此。

有源层120在第一导电半导体层110下形成并且可包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构和量子线结构中的任意一种。有源层120可由使用III族至V族元素的化合物半导体材料的阱层和势垒层例如InGaN阱层/GaN势垒层或者InGaN阱层/AlGaN势垒层来形成。

覆层可在有源层120和第一导电半导体层110之间或者有源层120和第二导电半导体层130之间形成。覆层可由AlGaN基半导体形成。

第二导电半导体层130可在有源层120下形成并且由掺杂有第二导电掺杂剂的III族至V族元素的化合物半导体例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP形成。如果第二导电半导体层130为P型半导体层，则第二导电掺杂剂包括P型掺杂剂例如Mg和Zn。第二导电半导体层130可形成为单层或者多层，但是不限于此。

此外，发光结构层135可包括：在第二导电半导体层130下的N型半导体层。例如，发光结构层135可包括N-P结、P-N结、N-P-N结和P-N-P结结构中的至少一种。

在发光结构层135上形成电极单元115。电极单元115可包括用于引线结合的垫部和从所述垫部延伸的指部(finger part)。指部可分开具有预定图案并且可形成为具有各种形状。

在第一导电半导体层110顶部上可形成粗糙结构图案112以实现光提取效率。因此，粗糙结构图案可在电极单元115上形成，但不限于此。

在发光结构层135的至少一个侧面上可形成钝化层180。此外，钝化层180可在第一导电半导体层110和保护层140上形成，但是不限于此。

可形成钝化层180以对发光结构层135提供电保护。

例如，钝化层180可由氧化硅(SiO_x)、氧氮化硅(SiO_xN_y)、氮化硅(Si₃N₄)和氧化铝(Al₂O₃)中的至少一种形成。

以下，将更详细地描述根据一个实施方案制造发光器件的方法。然而，重复描述将省略或者再次进行简单描述。

参考图2，在生长衬底101上形成发光结构层135。生长衬底101可由蓝宝石(Al₂O₃)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge中的至少一种形成，但是不限于此。

发光结构层135可通过在生长衬底101上生长第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130形成。

发光结构层135可通过各种方法例如有机金属化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)和氢化物气相外延(HVPE)形成，但是不限于此。

此外，在发光结构层135和生长衬底101之间可形成缓冲层(未显示)和/或未掺杂的氮化物层(未显示)，以减小由于晶格常数差异所导致的晶格失配。

参考图3，保护层140在发光结构层135上选择性地形成，对应于单元芯片区。

保护层140可使用掩模图案在单元芯片区的边界上形成。保护层140可使用各种沉积方法例如溅射方法形成。

参考图4，在第二导电半导体层130上可形成电流阻挡层145。电流阻挡层145可使用掩模图案形成。

保护层140和电流阻挡层145可由相同材料形成。在这种情况下，保护层140和电流阻挡层145可使用一个工艺同时形成而无需附加工艺。例如，在第二导电半导体层130上形成SiO₂层之后，保护层140和电流阻挡层145可使用掩模图案同时形成。

参考图5和6，在第二导电半导体层130和电流阻挡层145上形成欧姆接触层150，然后在欧姆接触层150上可形成反射层160。

欧姆接触层150和反射层160可使用E束(电子束)沉积、溅射和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中的一种形成。

参考图7和8，准备导电支撑衬底175。

在保护层140和反射层160上形成粘合层171、扩散阻挡层172和第一焊料结合层173，然后在导电支撑衬底175上形成第二焊料结合层174。例如，粘合层171、第一焊料结合层173和第二焊料结合层174使用PVD方法形成，扩散阻挡层172除了PVD方法之外还可使用电镀或者化学镀方法形成。

此外，因为第一焊料结合层173粘附于第二焊料结合层174，所以图6的结构通过结合层170粘附于导电支撑衬底175。

参考图9，将生长衬底101从发光结构层135移除。图9是图8的结构的倒视图。

生长衬底101可通过激光剥离方法或者化学剥离方法移除。

因为用于结合层170的材料具有9GPa至200GPa的杨氏模量，所以可防止在生长衬底101的分离期间产生裂缝和断裂现象。

参考图10，通过单元芯片区对发光结构层135实施隔离蚀刻，使得将多个发光结构层135分开。例如，隔离蚀刻可使用干蚀刻方法例如感应耦合等离子体(ICP)来实施。

参考图11，钝化层180在保护层140和发光结构层135上形成，然后选择性地将其移除以暴露第一导电半导体层110的顶部。

然后，粗糙结构图案112在第一导电半导体层110上形成以提高光提取效率，并且在粗糙结构图案112上形成电极部115。粗糙结构图案112可通过湿蚀刻工艺或者干蚀刻工艺形成。

然后，利用芯片分离工艺通过单元芯片区域将所述结构分离，使得可制造多个发光器件。

芯片分离工艺可包括通过使用刀片施加物理冲击来分离芯片的断裂工艺、通过对芯片边界辐照激光来分离芯片的激光划片工艺、以及包括湿蚀刻或者干蚀刻的蚀刻工艺，但是不限于此。

参考图12，发光器件封装包括：封装体30、在封装体30上设置的第一电极31和第二电极32、在封装体30上设置以电连接至第一电极31和第二电极32的发光器件100、以及包围发光器件100的模制件40。

封装体30可形成为包括硅材料、合成树脂材料或者金属材料并且可具有侧面倾斜的腔室。

第一电极31和第二电极32彼此电分离并为发光器件100供电。此外，第一电极31和第二电极32反射由发光器件100产生的光以提高光效率，并且将由发光器件100产生的热排至外部。

在封装体30、第一电极31或者第二电极32上设置发光器件100。

发光器件100可使用引线方法、倒装芯片方法或者芯片键合方法中的一种来电连接至第一电极31和第二电极32中之一。在该实施方案中，说明了发光器件100通过引线50电连接至第一电极31并且直接电接触第二电极32。

模制件40包围发光器件100，以便可保护发光器件100。此外，模制件40包括荧光物质，使得由发光器件100发出的光的波长可改变。

一些实施方案可提供一种具有新的结构的发光器件。

一些实施方案可提供一种能够在生长衬底分离期间防止发生裂缝和断裂现象的发光器件。

一些实施方案可提供一种用于防止焊料结合材料扩散至反射层或者发光结构层的发光器件。

一些实施方案可提供一种用于改善脆性和粘附性的发光器件。

在本说明书中对″一个实施方案″、″实施方案″、″示例性实施方案″等的任何引用，表示与实施方案相关描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为关于其它的实施方案来实现这种特征、结构或特性均在本领域技术人员的范围之内。

尽管已经参考其许多说明性的实施方案描述了实施方案，但是很清楚本领域技术人员可以知道很多的其它改变和实施方案，这些也在本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在公开、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而言，可替代的用途也会是显而易见的。

Claims

1.一种发光器件，包括：

导电支撑衬底；

在所述导电支撑衬底上的结合层；

在所述结合层上的反射层；和

在所述反射层上的发光结构层，

其中所述结合层包括：在所述导电支撑衬底上的焊料结合层以及在所述焊料结合层上的扩散阻挡层和粘合层中的至少之一，所述焊料结合层、所述扩散阻挡层和所述粘合层由其杨氏模量为9GPa至200GPa的金属或者合金形成。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述焊料结合层由包括Sn、In、Ga、Bi、Pb和Au中的至少一种的金属或者合金形成。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述扩散阻挡层或者所述粘合层由包括Cu、Nb、Sn、In、Sc、Ta、V、Si、Ag、Au、Zn、Sb、Al、Ge、Hf、La、Mg、Mn、Ni、Pd和Ti中的至少一种的金属或者合金形成。

4.根据权利要求1所述的发光器件，包括在所述发光结构层上的电极单元。

5.根据权利要求1所述的发光器件，包括在所述反射层和所述发光结构层之间的欧姆接触层。

6.根据权利要求1所述的发光器件，包括在所述反射层和所述发光结构层之间的电流阻挡层。

7.根据权利要求1所述的发光器件，包括在所述结合层上的保护层。

8.一种发光器件，包括：

导电支撑衬底；

在所述导电支撑衬底上的焊料结合层；

在所述焊料结合层上的扩散阻挡层；

在所述扩散阻挡层上的粘合层；

在所述粘合层上的反射层；和

在所述反射层上的发光结构层，

其中所述焊料结合层、所述扩散阻挡层和所述粘合层由金属或者合金形成；和

所述扩散阻挡层或者所述粘合层由包括Cu或者Nb的金属或者合金形成。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述粘合层包括Ti-Ni合金；

所述扩散阻挡层包括Cu；和

所述焊料结合层包括Au-Sn。

10.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述粘合层包括Nb；

所述扩散阻挡层包括Cu；和

所述焊料结合层包括Au-Sn。

11.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述粘合层包括Nb；

所述扩散阻挡层包括Nb-Sn合金；和

所述焊料结合层包括Au-In合金。

12.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述粘合层包括Nb；

所述扩散阻挡层包括Nb；和

所述焊料结合层包括Au-Sn合金。

13.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述焊料结合层由包括Sn、In、Ga、Bi、Pb和Au中的至少一种的金属或者合金形成。

14.一种发光器件封装，包括：

封装体；

在所述封装体上设置的第一电极和第二电极；和

连接至所述第一电极和所述第二电极的发光器件，

其中所述发光器件包括：

导电支撑衬底；

在所述导电支撑衬底上的结合层；

在所述结合层上的反射层；和

在所述反射层上的发光结构层，

15.根据权利要求14所述的发光器件封装，其中所述焊料结合层由包括Sn、In、Ga、Bi、Pb和Au中的至少一种的金属或者合金形成。

16.根据权利要求14所述的发光器件封装，其中所述扩散阻挡层或者所述粘合层由包括Cu、Nb、Sn、In、Sc、Ta、V、Si、Ag、Au、Zn、Sb、Al、Ge、Hf、La、Mg、Mn、Ni、Pd和Ti中的至少一种的金属或者合金形成。

17.根据权利要求14所述的发光器件封装，包括在所述发光结构层上的电极单元。

18.根据权利要求14所述的发光器件封装，包括在所述反射层和所述发光结构层之间的欧姆接触层。

19.根据权利要求14所述的发光器件封装，包括在所述反射层和所述发光结构层之间的电流阻挡层。

20.根据权利要求14所述的发光器件封装，包括在所述结合层上的保护层。