[go: up one dir, main page]

CN101741007A - 金属键合硅基激光器的制备方法 - Google Patents

金属键合硅基激光器的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101741007A
CN101741007A CN200810226036A CN200810226036A CN101741007A CN 101741007 A CN101741007 A CN 101741007A CN 200810226036 A CN200810226036 A CN 200810226036A CN 200810226036 A CN200810226036 A CN 200810226036A CN 101741007 A CN101741007 A CN 101741007A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
waveguide
metal layer
bonding area
soi
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200810226036A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101741007B (zh
Inventor
秦国刚
洪涛
陈挺
冉广照
陈娓兮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Peking University
Original Assignee
Peking University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Peking University filed Critical Peking University
Priority to CN2008102260366A priority Critical patent/CN101741007B/zh
Priority to US12/539,500 priority patent/US7939352B2/en
Publication of CN101741007A publication Critical patent/CN101741007A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101741007B publication Critical patent/CN101741007B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
    • H01S5/1032—Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/021—Silicon based substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0215—Bonding to the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0217—Removal of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34346—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers
    • H01S5/34373—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers based on InGa(Al)AsP

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；同时，利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；最后，将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。本发明金键合硅基激光器可用于集成化生产。与直接键合硅基激光器的方法相比，本发明具有操作简单，对环境要求不高，成本较低的优点。

Description

金属键合硅基激光器的制备方法
技术领域
本发明是关于电子器件领域中混合硅基激光器件的制备方法，具体涉及一种金属键合硅基激光器的制备方法。
背景技术
随着微电子技术的发展，人们对计算机的运算速度和信息存储量的要求越来越高。传统的微电子技术以电子为载体，存在电子的传播速度低，带宽窄，且带有电荷容易受电磁干扰的缺陷。而光子的传播速度高，带宽比电子大好几个量级，且具有响应速度快，传输容量大，存储密度高，处理速度快，微型化，集成化以及高度抗电磁干扰性等优点。因此人们希望把光子作为信息载体与成熟的硅微电子技术相结合，实现硅基光电集成。
虽然近几年硅光子学取得了长足的发展，例如硅上外延GaN材料、硅与半导体纳米线形成发光异质结、受激拉曼激光等等。但是，所有的这些方法都无法实现硅基电泵激光，而实现电泵硅基激光是硅基光电集成的先决条件。
最近，人们发展了一种直接键合的方法，将目前已经发展成熟的化合物半导体激光器键合在硅波导上，通过隐失波耦合，将化合物半导体激光器中的激光耦合到硅波导中，从而实现了硅基电泵激光。然而，直接键合的方法存在操作复杂，对环境要求极高和成品率极低等缺点，并且，这种方法只能将整片化合物半导体和整片的硅片进行键合，无法实现集成化生产。
发明内容
本发明克服了现有技术中的不足，提供了一种可实现集成化生产的金属键合硅基电泵激光器的制备方法。
本发明的技术方案是：
一种金属键合硅基激光器的制备方法，其步骤包括：
1)在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；
2)在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；
3)利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；
4)将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。
所述步骤2)具体步骤为：首先在SOI硅片的带有波导面上，从下到上依次蒸镀粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；然后剥离、去除SOI硅片的硅波导和硅阻挡墙上的上述金属层，实现SOI硅片的键合区上从下到上依次镀有粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层。
所述粘附金属层可为Cr/Au，其厚度范围为50～300nm。
所述欧姆接触层可为AuGeNi，其厚度范围为100～300nm。
所述键合金属层可为PdIn、AuSn或In，其厚度范围为600nm～1μm。
所述键合区位于SOI上硅波导两侧4μm以外，键合区的宽度范围可为30μm～300μm，波导的宽度范围为2～9μm。
所述硅波导和硅阻挡墙的高度相等，其范围可为500nm～1.5μm
所述化合物半导体激光器为InP基激光器或GaAs基激光器。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明金键合硅基激光器可以作为有效的硅基光源应用于单片硅基光电集成，光互联等众多领域。更为重要的是该激光器可以用于集成化生产。与直接键合混合硅基激光器的方法相比，该键合方法具有操作简单，对环境要求不高，成本较低，便于集成化生产等优点。另外，该方法也能用于键合光探测器和光放大器等器件，实现光互联。
附图说明
图1为本发明实施例的流程图。
具体实施方式
下面结合图1，以InP激光器为例对本发明作进一步详细描述：
1、在SOI硅片上甩一层光刻胶，并用具有周期结构的光刻板做光刻，显影，定影。如图1(a)所示。
2、利用ICP刻蚀将未被光刻胶盖住的Si刻掉，直到刻出Si波导、键合区和Si阻挡墙，在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙，其目的是防止在键压的过程中，金属层流向硅波导，严重影响光从激光器耦合到硅波导中。Si波导和阻挡墙的高度均为800nm，波导宽3μm，阻挡墙宽1μm，如图1(b)所示。
3、去光刻胶，如图1(c)所示。
4、再次甩胶，光刻，将Si波导、Si阻挡墙用光刻胶盖住，如图1(d)所示。
5、从下到上依次蒸发用以粘附SiO2的金属层Cr/Au(100nm)，N型InP的欧姆接触层AuGeNi(100nm)，键合金属层In(600nm)，如图1(d)所示。
6、剥离，去除Si波导以及挡墙上的光刻胶及其上面的金属，如图1(f)所示。
7、利用MOCVD生长具有腐蚀阻挡层的InP基激光器，即在约100μm厚的N型InP衬底上依次外延生长N型InGaAsP腐蚀阻挡层、N型InP层、InGaAsP下SCH层、多量子阱层、上SCH层、P型InP脊、P型InGaAs层和Ti/Au电极层，如图1(h)所示。
8、用机械的方法将InP基激光器的N型InP衬底磨掉50μm左右，再用盐酸溶液将剩余的InP腐蚀掉，再用硫酸溶液将N型InGaAsP腐蚀阻挡层腐蚀掉，如图1(i)所示。
9、将腐蚀好的InP基激光器和做好波导结构的SOI在光刻机下对准，即将腐蚀好的激光器的N型InP层压在SOI上，键合。这样就得到了键合好的硅基激光器。如图1(g)所示。
本发明中，上述实施例提供了一种优化了的硅基InP激光器的制备方案，本发明不仅局限于此实施例，可以根据实际需要和设计要求做出相应的修改，例如：
键合金属层材料除In外，还可以是PdIn或AuSn。
此外，本发明化合物半导体激光器还可以是GaAs基激光器等其它化合物半导体激光器。
以上通过详细实施例描述了本发明所提供的金属键合硅基激光器的制备方法，本领域的技术人员应当理解，在不脱离本发明实质的范围内，可以对本发明做一定的变形或修改；其制备方法也不限于实施例中所公开的内容。

Claims (8)

1.一种金属键合硅基激光器的制备方法，其步骤包括：
1)在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；
2)在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；
3)利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；
4)将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)具体步骤为：首先在SOI硅片的带有波导面上，从下到上依次蒸镀粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；然后剥离、去除SOI硅片的硅波导和硅阻挡墙上的上述金属层，实现SOI硅片的键合区上从下到上依次镀有粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层。
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述粘附金属层为Cr/Au，其厚度范围为50～300nm。
4.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述欧姆接触层为AuGeNi，其厚度范围为100～300nm。
5.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述键合金属层为PdIn、AuSn或In，其厚度范围为600nm～1μm。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述键合区位于SOI上硅波导两侧4μm以外，键合区的宽度范围为30μm～300μm，波导的宽度范围为2～9μm。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅波导和硅阻挡墙的高度相等，其范围为500nm～1.5μm。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述化合物半导体激光器为InP基激光器或GaAs基激光器。
CN2008102260366A 2008-11-04 2008-11-04 金属键合硅基激光器的制备方法 Expired - Fee Related CN101741007B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008102260366A CN101741007B (zh) 2008-11-04 2008-11-04 金属键合硅基激光器的制备方法
US12/539,500 US7939352B2 (en) 2008-11-04 2009-08-11 Selective area metal bonding Si-based laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008102260366A CN101741007B (zh) 2008-11-04 2008-11-04 金属键合硅基激光器的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101741007A true CN101741007A (zh) 2010-06-16
CN101741007B CN101741007B (zh) 2011-07-27

Family

ID=42131351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008102260366A Expired - Fee Related CN101741007B (zh) 2008-11-04 2008-11-04 金属键合硅基激光器的制备方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7939352B2 (zh)
CN (1) CN101741007B (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102244367A (zh) * 2011-05-27 2011-11-16 北京大学 一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法
CN102340097A (zh) * 2011-09-19 2012-02-01 北京大学 一种硅基激光器及其制备方法
CN102684072A (zh) * 2012-05-30 2012-09-19 北京工业大学 混合集成激光器及其制备方法
CN102882129A (zh) * 2012-10-25 2013-01-16 中国科学院半导体研究所 改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
CN103001121A (zh) * 2012-12-06 2013-03-27 北京大学 电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法
CN103515842A (zh) * 2013-10-10 2014-01-15 北京大学 一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
CN103812001A (zh) * 2014-01-09 2014-05-21 北京大学 利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
CN104092096A (zh) * 2014-06-27 2014-10-08 中国科学院半导体研究所 一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源
CN106887790A (zh) * 2017-04-13 2017-06-23 中国科学院半导体研究所 多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法
CN106921112A (zh) * 2017-04-13 2017-07-04 中国科学院半导体研究所 多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法
CN107567671A (zh) * 2015-04-09 2018-01-09 迪拉斯二极管有限公司 单片式二极管激光器布置结构
CN107634033A (zh) * 2017-09-12 2018-01-26 武汉邮电科学研究院 基于cmos硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法
TWI631783B (zh) * 2009-10-13 2018-08-01 思科皮爾斯科技公司 用於可調式雷射的混合整合之方法與系統

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8611388B2 (en) * 2009-10-13 2013-12-17 Skorpios Technologies, Inc. Method and system for heterogeneous substrate bonding of waveguide receivers
US8559470B2 (en) 2009-10-13 2013-10-15 Skorpios Technologies, Inc. Method and system for hybrid integration of a tunable laser and a phase modulator
US8630326B2 (en) * 2009-10-13 2014-01-14 Skorpios Technologies, Inc. Method and system of heterogeneous substrate bonding for photonic integration
US8615025B2 (en) * 2009-10-13 2013-12-24 Skorpios Technologies, Inc. Method and system for hybrid integration of a tunable laser
US8605766B2 (en) 2009-10-13 2013-12-10 Skorpios Technologies, Inc. Method and system for hybrid integration of a tunable laser and a mach zehnder modulator
US9496431B2 (en) 2013-10-09 2016-11-15 Skorpios Technologies, Inc. Coplanar integration of a direct-bandgap chip into a silicon photonic device
US11181688B2 (en) 2009-10-13 2021-11-23 Skorpios Technologies, Inc. Integration of an unprocessed, direct-bandgap chip into a silicon photonic device
US9316785B2 (en) 2013-10-09 2016-04-19 Skorpios Technologies, Inc. Integration of an unprocessed, direct-bandgap chip into a silicon photonic device
US8867578B2 (en) 2009-10-13 2014-10-21 Skorpios Technologies, Inc. Method and system for hybrid integration of a tunable laser for a cable TV transmitter
US9922967B2 (en) 2010-12-08 2018-03-20 Skorpios Technologies, Inc. Multilevel template assisted wafer bonding
US8358897B1 (en) * 2010-12-10 2013-01-22 Aurrion, Llc High index bonding layer for hybrid photonic devices
US9977188B2 (en) 2011-08-30 2018-05-22 Skorpios Technologies, Inc. Integrated photonics mode expander
US9097846B2 (en) 2011-08-30 2015-08-04 Skorpios Technologies, Inc. Integrated waveguide coupler
CN102638000A (zh) * 2012-04-20 2012-08-15 中国科学院半导体研究所 在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法
WO2014176561A1 (en) 2013-04-25 2014-10-30 Skorpios Technologies, Inc. Method and system for height registration during chip bonding
TWI589326B (zh) * 2013-08-29 2017-07-01 財團法人工業技術研究院 發光模組及應用其之光照系統
US9664855B2 (en) 2014-03-07 2017-05-30 Skorpios Technologies, Inc. Wide shoulder, high order mode filter for thick-silicon waveguides
US10003173B2 (en) 2014-04-23 2018-06-19 Skorpios Technologies, Inc. Widely tunable laser control
WO2015183992A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 Skorpios Technologies, Inc. Waveguide mode expander using amorphous silicon
US10319693B2 (en) 2014-06-16 2019-06-11 Skorpios Technologies, Inc. Micro-pillar assisted semiconductor bonding
US9829631B2 (en) 2015-04-20 2017-11-28 Skorpios Technologies, Inc. Vertical output couplers for photonic devices
US9786641B2 (en) 2015-08-13 2017-10-10 International Business Machines Corporation Packaging optoelectronic components and CMOS circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications
US10109983B2 (en) 2016-04-28 2018-10-23 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Devices with quantum dots
US10566765B2 (en) 2016-10-27 2020-02-18 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Multi-wavelength semiconductor lasers
US10168475B2 (en) * 2017-01-18 2019-01-01 Juniper Networks, Inc. Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics
US10680407B2 (en) 2017-04-10 2020-06-09 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Multi-wavelength semiconductor comb lasers
US10396521B2 (en) 2017-09-29 2019-08-27 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Laser
US10649148B2 (en) 2017-10-25 2020-05-12 Skorpios Technologies, Inc. Multistage spot size converter in silicon photonics
CN108054182B (zh) * 2017-12-19 2024-04-12 苏州矩阵光电有限公司 一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法
CN108963752B (zh) * 2018-09-27 2023-07-25 青岛科技大学 基于圆环形光子晶体纳米梁谐振腔的电驱动激光器
US11360263B2 (en) 2019-01-31 2022-06-14 Skorpios Technologies. Inc. Self-aligned spot size converter

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1674374A (zh) * 2004-03-23 2005-09-28 中国科学院半导体研究所 掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法
US7553687B2 (en) * 2006-06-28 2009-06-30 Intel Corporation Dual seed semiconductor photodetectors
US20080002929A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Bowers John E Electrically pumped semiconductor evanescent laser
CN101132111A (zh) * 2006-08-23 2008-02-27 中国科学院半导体研究所 氮化镓基蓝光激光器的制作方法
CN100533666C (zh) * 2008-03-19 2009-08-26 厦门大学 一种氮化镓基外延膜的制备方法
US7734123B2 (en) * 2008-05-02 2010-06-08 Intel Corporation Evanescent III-V silicon photonics device with spin coat bonding

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI631783B (zh) * 2009-10-13 2018-08-01 思科皮爾斯科技公司 用於可調式雷射的混合整合之方法與系統
CN102244367A (zh) * 2011-05-27 2011-11-16 北京大学 一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法
CN102340097A (zh) * 2011-09-19 2012-02-01 北京大学 一种硅基激光器及其制备方法
CN102684072A (zh) * 2012-05-30 2012-09-19 北京工业大学 混合集成激光器及其制备方法
CN102882129A (zh) * 2012-10-25 2013-01-16 中国科学院半导体研究所 改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
CN103001121A (zh) * 2012-12-06 2013-03-27 北京大学 电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法
CN103515842A (zh) * 2013-10-10 2014-01-15 北京大学 一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
CN103812001B (zh) * 2014-01-09 2017-01-11 北京大学 利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
CN103812001A (zh) * 2014-01-09 2014-05-21 北京大学 利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
CN104092096A (zh) * 2014-06-27 2014-10-08 中国科学院半导体研究所 一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源
CN104092096B (zh) * 2014-06-27 2017-10-03 中国科学院半导体研究所 一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源
CN107567671A (zh) * 2015-04-09 2018-01-09 迪拉斯二极管有限公司 单片式二极管激光器布置结构
CN107567671B (zh) * 2015-04-09 2020-07-28 迪拉斯二极管有限公司 单片式二极管激光器布置结构
CN106887790A (zh) * 2017-04-13 2017-06-23 中国科学院半导体研究所 多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法
CN106921112A (zh) * 2017-04-13 2017-07-04 中国科学院半导体研究所 多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法
CN107634033A (zh) * 2017-09-12 2018-01-26 武汉邮电科学研究院 基于cmos硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20100111128A1 (en) 2010-05-06
US7939352B2 (en) 2011-05-10
CN101741007B (zh) 2011-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101741007A (zh) 金属键合硅基激光器的制备方法
Mathine The integration of III-V optoelectronics with silicon circuitry
CN107968066B (zh) 半导体结构
CN100505352C (zh) 一种led芯片及其制备方法
CN102067346B (zh) 具有钝化层的半导体发光器件及其制造方法
US7439091B2 (en) Light-emitting diode and method for manufacturing the same
CN108736314B (zh) 电注入硅基iii-v族纳米激光器阵列的制备方法
TWI419355B (zh) 高光取出率的發光二極體晶片及其製造方法
CN102244367B (zh) 一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法
JP2011066051A (ja) 機能性領域の移設方法、及び機能性領域を持つ基板構造体
US7135713B2 (en) Light emitting diode and method for manufacturing the same
US8415697B2 (en) Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device
CN108054182B (zh) 一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法
CN111181006B (zh) 片上键合Si/III-V量子点单光子源及其制备方法
CN102340097B (zh) 一种硅基激光器及其制备方法
CN108598228A (zh) 一种大功率紫外led垂直芯片封装结构及其制作方法
CN103001121A (zh) 电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法
CN101958374A (zh) 发光元件及其制造方法
CN118800843A (zh) 一种红光Micro LED芯片及其制备方法
CN103443940B (zh) 发射光的半导体器件
CN114883469B (zh) 改善电流传导的发光二极管芯片及其制备方法
CN207801150U (zh) 第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件
TWI452621B (zh) Separation method of epitaxial element
CN101997270A (zh) 硅基化合物半导体激光器的制作方法
CN116565081A (zh) 改善可靠性的发光二极管及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110727

Termination date: 20141104

EXPY Termination of patent right or utility model