CN101688810A - 具有用于检测热辐射的膜结构的装置、所述装置的制造和使用方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于检测热辐射的装置，其包括：至少一个膜，上面安装用于将所述热辐射转换为电信号的至少一个热检测器元件；以及至少一个电路支撑件，其用于承载所述膜且用于承载用于读出所述电信号的至少一个读出电路，所述检测器元件和所述读出电路通过穿过所述膜的电触点电连接在一起。另外，提供一种制造所述装置的方法，其具有以下方法步骤：a)提供具有所述检测器元件的所述膜和至少一个电直通连接，且提供所述电路支撑件，和b)以所述检测器元件和所述读出电路通过穿过所述膜的电触点电连接在一起的方式将所述膜和所述电路支撑件合在一起。更好以晶圆级实施制造活动：将经功能化的硅衬底堆叠在彼此上，彼此稳固地接合，且随后被分割为个别元件。更好地，所述检测器元件包括热电检测器元件。所述装置适用于运动检测器、存在检测器和热成像照相机。

Description

具有用于检测热辐射的膜结构的装置、所述装置的制造和使用方法

技术领域

本发明涉及一种用于检测热辐射的装置，其具有至少一个热检测器元件以将热辐射转换为电信号。除了所述装置以外，还提供所述装置的制造方法和所述装置的使用方法。

背景技术

用于检测热辐射的装置从例如DE 100 04 216 A1中已知。此装置被描述为热检测器。检测器元件是热电检测器元件。其具有包括两个电极层的层构造，其中具有热电敏感材料的热电层布置于电极层之间。此材料是锆钛酸铅(LeadZirconate Titanate，PZT)。电极包括例如铂或吸热的铬/镍合金。

热检测器元件连接到由硅制成的检测器支撑件(硅晶圆)。为了在检测器元件与检测器支撑件之间提供电和热绝缘，在检测器元件与检测器支撑件之间布置绝缘层。绝缘层具有在检测器元件的区域上方延伸的被排空的腔、用于所述腔的支撑层，以及覆盖所述支撑层和腔的盖。支撑层包括多晶硅。盖由硼磷硅玻璃(boron-phosphorus-Silicate glass，BPSG)制成。为了读出、处理和/或进一步传输由检测器元件产生的电信号，在检测器支撑件中集成读出电路。读出电路是通过应用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductors，CMOS)技术而制造。

用于检测热辐射的可比较装置从DE 195 25 071 A1中已知。热检测器元件也是如上所述的热电检测器元件。检测器元件布置在多层检测器支撑件上。检测器元件在其电极层中的一者处施加于检测器支撑件的硅层。硅层位于检测器支撑件的电绝缘膜上。所述膜包括例如三层，即Si3N4/SiO2/Si3N4。再次，将膜施加于检测器衬底的硅衬底。硅衬底具有带有一区域的辐射窗(检测窗)，所述区域出于所有实践目的对应于热电检测器元件的区域。辐射窗是硅衬底中的孔口。借此，向下移除衬底的支撑材料(硅)直到膜为止。热辐射通过辐射窗到达检测器元件，在所述检测器元件处产生可被评估的电信号。在所述方面中，所述膜通过提供热辐射的合适透射方式来使得自身能够被区别。在相对于检测器元件横向位移的硅层中，集成有用于电信号的读出电路。检测器支撑件还充当用于读出电路的电路支撑件。

在已知检测器的情况下，可提供多个检测器元件(检测器元件阵列)。在所述情形中，来自检测器元件中的每一者的电信号将被单独读出。正常情况下，与检测器元件中的每一者的电极层的电接触是通过接合线来实现。然而，这意味着需要相当大的空间用于检测器元件的布线，其导致检测器元件的有限的、相对低的封装密度(检测器支撑件中每单位面积的检测器元件数目)。

发明内容

本发明的目的是指定用于检测热辐射的紧凑装置，其与现有技术相比具有较低的空间要求。

为了解决此任务，描述一种用于检测热辐射的装置，其包括：至少一个膜，上面布置至少一个用于将热辐射转换为电信号的热检测器元件；以及至少一个电路支撑件，其用以承载所述膜且承载至少一个用以读出电信号的读出电路，使得检测器元件和读出电路通过膜电连接在一起。

此外，为了解决此任务，描述用于制造所述装置的方法，其具有以下方法步骤：

a)提供具有检测器元件和至少一个电直通连接的膜，且提供电路支撑件，和b)以检测器元件和读出电路由穿过膜的电触点连接在一起的方式组装膜和读出电路支撑件。

充当检测器支撑件的膜包括一个膜层或多个膜层。在此上下文中，可使用多个无机或有机材料。举例来说，膜层可由二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN4)制成。而且，可想象出所提到的层中的若干层的复合结构。这些材料层的特定优点在于其电和热绝缘性质。这些材料充当电和热绝缘体。

根据本发明，可实现一种紧凑的、节省空间的多层结构，其包括膜和电路载体。可通过例如CMOS技术将评估电路直接集成到电路支撑件中。还可想象，电路支撑件仅提供一条与检测器元件连接的线。此线将检测器元件与布置于电路支撑件中的内部专用集成电路(Applied Specific Integrated Circuit，ASIC)或与外部ASIC电连接。外部ASIC可被接合。借助于“倒装芯片(Flip-Chip)”技术(见下文)制成与外部ASIC的接触是有利的。

待检测的热辐射具有1μm以上的波长。更好地，波长是选自5μm与15μm之间的范围。热检测器元件是基于例如塞贝克效应(Seebeck Effect)。更好地，热检测器元件是热电检测器元件。如起初描述，热电检测器元件包括具有热电敏感材料的热电层，其中电极材料涂覆于每一侧。热电敏感材料例如是例如铌酸锂(LiNbO3)或锆钛酸铅的陶瓷。可想象的替代物是铁电聚合物，例如聚偏氟乙烯(PVDF)。用于电极层的电极材料可为例如铂或铂合金。铬镍电极也是可想象的，如同导电氧化物的电极的情况。通常，检测器元件具有矩形区域，其边缘长度为25μm到200μm。

根据特定实施例，电路支撑件和膜相对于彼此布置，以使得在膜与电路支撑件之间存在由膜和电路支撑件界定的至少一个腔，其位于电路侧上。腔使电路支撑件和膜彼此热解耦。

在特定实施例中，提供至少一个盖以防护检测器元件。电路支撑件、膜和盖以堆叠布置，其中膜位于电路支撑件与盖之间。盖保护检测器元件免受有害的环境影响。典型的环境影响可为例如灰尘、湿气、可侵蚀检测器元件的组件或不利地影响检测器元件的功能的腐蚀性化学品。

根据又一实施例，膜和盖相对于彼此布置，以使得在膜与盖之间存在至少一个腔，其位于盖侧上。盖侧上的腔用以使膜或膜上的检测器元件与盖彼此热解耦。

为了改进热解耦的程度，电路侧和/或盖侧上的腔可被排空或能够被排空。在此程度上，所述腔可彼此独立地被排空。更好地，电路侧上的腔和盖侧上的腔通过膜中的开口连接在一起。开口是例如膜中的狭缝。随后，对一个腔的排空则导致对另一腔的自动排空。

与用以检测热辐射的效应无关，在每个例子中通过形成检测器元件的释放相关效应的热敏感材料来吸收热辐射是必要的。吸收是直接通过热敏感材料来实现。然而，还可想象由检测器元件的电极或电极层吸收热辐射。此外，还可能由直接邻近于检测器元件的吸收物体吸收热辐射，在此之后以此方式拾取的一定量的热通过对流或传导而传递到热敏感材料。吸收物体充当能量传输器。举例来说，吸收物体以涂层的形式直接涂覆于检测器元件。

更好地，用于检测热辐射的装置经设计以使得热辐射直接撞击在检测器元件上。由此可见，在特定实施例中，膜、电路支撑件和/或盖具有至少一个辐射窗，所述辐射窗具有允许热辐射照射检测器元件的特定透射性能。辐射窗集成在盖中、检测器支撑件中和/或电路支撑件中。检测器元件和辐射窗相对于彼此布置，以使得对检测器元件的照射是通过检测器元件的转动远离检测器载体的正面(正面辐射)和/或检测器元件的朝向检测器元件转动的背面(背面辐射)来实现的。辐射窗在检测元件的方向上具有特定透射能力。透射率尽可能高，且例如达到至少50％且特定来说达到70％与几乎95％之间。

任何更好的材料均可用于电路支撑件或盖。半导电材料(例如，元素锗)或不同的半导电化合物是尤其合适的，原因在于电路或组件的集成的可能性。根据特定实施例，电路支撑件和/或盖包括硅。在每一情况下，将硅衬底用作盖和/或电路支撑件。可采用CMOS技术来将选择的结构和功能性集成到衬底中。由于硅具有相对于热辐射的低吸收系数，因此辐射窗可更加非常容易地集成在硅衬底中：硅衬底本身形成辐射窗。借助于硅衬底中对应功能性的合适布置，热辐射以不受阻碍方式(即，不受遮蔽)撞击在检测器元件上是可能的。

透射性能并不仅取决于制成辐射窗的材料的吸收系数。另一决定性因数是辐射窗的厚度。辐射窗形成检测器支撑件或电路支撑件的薄化区域是有利的。在特定实施例中，检测器元件经布置为与盖中的孔口相对。盖中的此孔口是盖的具有相对低厚度的区域。在此区域中，盖厚度由于例如材料的移除而特别薄。盖中的孔口形成辐射窗，所述辐射窗集成在盖中且热辐射穿过所述辐射窗撞击在检测器元件上。更好地，检测器元件距盖中的孔口一定距离。盖中的孔口是膜与盖之间的腔的构成部分，且位于盖侧。

在特定实施例中，膜和电路支撑件和/或膜和盖和/或直通连接和电路支撑件和/或直通连接和盖通过永久材料接合且特定来说通过气密永久材料接合稳固结合在一起。为了实现稳固接合，制造永久材料接合。膜与电路支撑件之间的稳固接合是通过在膜的直通电触点与电路支撑件之间制造永久材料接合来实现的。膜与盖之间的稳固接合是通过在膜与盖之间制造永久材料接合来实现的。

装置的不同组成物之间的永久材料接合可同时或连续制造。永久材料接合是以形成能够被排空的腔(位于盖侧或位于开关侧)的方式来设计。装置的本身在腔中的组件(例如，在位于盖侧的腔中的检测器元件)受到气密永久材料接合保护而免受环境影响。材料与周围环境之间不会发生任何交换。这允许装置在侵蚀性环境中使用。

每一永久材料接合可由更好的材料形成，例如粘合剂。在将永久材料接合放在适当位置的同时在电极层与读出电路之间插入导电连接是尤其有利的。为此，在特定实施例中永久材料接合具有导电材料。这尤其涉及集成在膜中的直通电触点与电路支撑件或集成在电路支撑件中的读出电路之间的永久材料接合。然而，如果用于检测器元件的布线组件集成在盖中，那么当位于盖与膜或膜上的检测器元件之间时，具有导电能力的永久材料接合可为有利的。

预先指定所谓的“倒装芯片”技术用于制造永久材料接合。由此了解与构造和连接技术(AVT)相关联的组装方法，其尤其在电子领域中已证明其本身有效地用于制造呈无遮盖形式的与半导体微芯片或集成电路的触点。通过使用倒装芯片技术，将不具有任何连接线的芯片直接安装在衬底上，其中有源触点侧面向下(电路支撑件)。永久固定是借助于由导电材料制成的所谓的“凸块”来实现。这导致非常短的引线长度。这被本发明利用：其形成紧凑的装置。而且，由于非常短的引线长度，将干扰待读出的电信号的不合意的分散感应性和电容效应减到最小。此影响在存在相对少量的检测器元件待连接上时以尤其有利的方式起作用。而且在倒装芯片技术的帮助下，可同时制成许多电连接，其带来成本和时间的巨大节省。

可采用不同的技术来实施“倒装芯片”技术，且因此实施永久材料接合的制造。在特定实施例中，可选择使用包括粘合、焊接和/或接合方法的群组中的一者。在所述上下文中，粘合剂接合或共晶接合均是可想象的。在焊接的情况下，将焊料凸块(焊接球)施加于装置的待结合在一起的支撑特征或组件中的一者或两者。所述方法与粘合相比是更好的，因为当使用粘合剂时可发生有机物质(溶剂、粘合剂材料)的脱气。尤其与腔的排空相关，这是需要谨记的因素。然而，借助于粘合剂的使用可为必须的或有利的。

当使用粘合剂时，可具有许多不同的选择：粘合可通过使用不导电的粘合剂来实现。在所述情形中，将凸块施加于适当支撑特征的接触区域。凸块包括例如铝或金。在此之后，涂覆粘合剂层且在粘合剂层上布置适当元件。在粘合剂干燥时，其收缩且形成电触点。

同样地，可使用各向同性导电粘合剂。将导电粘合剂材料涂覆于支撑特征的接触表面。随后将具有其接触区域的物体放置在具备粘合剂的点上。可以热方式或通过使用UV辐射使粘合剂硬化，借此使得制成导电材料接合。

或者，可使用各向异性导电粘合剂。各向异性导电粘合剂是包括具有低含量导电微粒的非导电粘合剂的接合材料。将各向异性导电粘合剂放置于支撑特征(电路支撑件、膜)的接触区域上。由于低含量的导电微粒，其在已涂覆粘合剂之后彼此不接触。没有形成导电接触。当物体放置在适当位置时，非导电粘合剂被压缩，直到支撑特征的接触区域与所施加物体的接触区域之间的微粒被迫使在一起，借此在所述接触区域之间产生导电结合为止。

为了提供膜，尤其将采用以下方法步骤：d)使用牺牲材料提供牺牲支撑元件，c)在牺牲支撑元件的表面的一区段上布置膜，且将膜和用以承载膜的膜支撑元件合在一起，和e)移除牺牲材料以使得膜至少部分被释放。更好地，牺牲支撑元件包括硅。膜支撑元件例如用作用于膜的临时支撑件。然而，膜支撑件元件可稍后用作用于检测器元件的盖。在牺牲支撑件上布置膜且将膜和膜支撑特征合在一起可同时或连续发生。在此方面，材料的移除意味着例如向下侵蚀掉硅的反向面直到膜为止。此外，膜与连接到电路支撑件的直通连接一起保留在膜支撑件上。

产生直通连接可使用多种步骤方法步骤来实现。根据特定实施例，在将膜布置于牺牲支撑件上之前或在将膜布置于牺牲支撑件上之后实施以下进一步的方法步骤：f)在膜中钻孔，和g)用导电材料填充孔，使得制成电触点。

根据方法的特定实施例，在正在形成稳固连接时和/或在其形成之后将盖侧上的腔和/或电路侧上的腔排空。举例来说，在真空下制造在堆叠的组件之间的永久材料接合。在永久材料接合形成的情况下将每一腔排空。还可想象，首先形成腔且稍后将腔排空。此处应记住，可连续或同时将腔排空。在同时排空的情况下，腔可以等压方式连接。这意味着堆叠中的两个腔中的压力相同，且腔由例如膜中的孔连接。

装置可具有单个检测器元件。然而关于装置用作存在检测器或特定来说用作热敏相机，提供若干检测器元件是合意的且甚至必要的。因此在特定实施例中，提供具有若干检测器元件的至少一个阵列。这意味着一个检测器元件表示阵列中的一个像素。检测器阵列特征在于例如检测器元件的柱形和/或蜂窝式布置。在蜂窝式或柱形布置的情况下，检测器元件分布于特定方向上的一个维度中。在柱形和蜂窝式布置的情况下，分布具有二维特征。检测器阵列包括例如240×320个个别元件。这对应于相对低分辨率标准QVGA。还可想象选择检测器元件的区域型分布。可为每一检测器元件提供辐射窗。然而，有利的是，装置具有单个辐射窗用于若干或所有检测器元件。这允许使装置的制造简化。

根据又一实施例，装置具有壳体。从膜和电路支撑件的稳固附接且从膜和盖的稳固附接产生堆叠，其周围布置有壳体。此壳体保护堆叠及其组件部分免受有害环境影响(例如，湿气)且还免受机械损坏。此处将确保的一点是，落在检测器元件上的辐射不会受到壳体的不利影响。为此，将准许热辐射的高透射率的辐射窗集成到壳体中。

壳体可包括由任何选定材料制成的外壳。更好地，外壳是铸造化合物。为了提供铸造，可使用注射模制方法或模制方法的群组中的一者。这些方法在成本方面是尤其有利的。所述方法涉及将非交联或部分交联合成材料施加于堆叠。随后通过曝露于UV光时合成材料进行热感应或硬化。为集成辐射窗，例如使用掩模，一旦已将合成材料放在适当位置或在所述材料已经硬化之后所述掩模便被移除。这是通过使用例如与弹簧加载的嵌件配合的转移模具来实现。还可想象采用由具有较高的热辐射透射率的材料制造的辐射窗，其在合成材料已放在适当位置且硬化之后保留在壳体中。

所描述方法可用以制造单个用于检测热辐射的装置。然而，同时并行制造若干装置是有利的。因此，在特定实施例中，以晶圆级制造若干用于热辐射检测的装置。当制造完成时，将装置或堆叠分离。晶圆用于电路支撑件且可能用于盖以及(特定来说)硅晶圆，所述硅晶圆中的每一者具备如上所述合在一起的若干相关组件和功能性。更好在壳体的施加之前将堆叠彼此分离。所述分离或分割例如通过锯切、侵蚀或类似方法来进行。当分离完成时，将壳体施加于装置的堆叠中的每一者。

根据本发明的又一方面，将装置用作运动检测器、存在检测器和/或热成像照相机。对于移动报告器，具有单个检测器元件的装置可为足够的。对于存在报告器，装置可装配有若干检测器元件。对于热成像照相机，装置需要大量检测器元件，例如240×320个检测器元件(以符合QVGZ标准)。这可通过针对检测器元件使用简单且节省空间的布线技术来实现。

概括来说，可识别出本发明的以下优点：

-用于检测热辐射的装置是紧凑的。

-由于夹层构造的缘故，许多检测器元件可以节省空间的方式连接。

-检测器元件的电极与所指派的读出电路或读出元件之间的电引线较短。影响检测器元件的检测能力的导致干扰的电感和电容效应与接合线相比明显减少。

-借助于形成触点的方式，可将高度并行性引入到制造操作中。

-由于气密的永久材料接合，容易进入能够被排空且带来装置的改进敏感性的腔，且保护检测器元件。

附图说明

通过参考若干实施例和相关联图式，以下呈现用于检测热辐射的装置。图式具有示意性性质且不是按比例绘制。

图1以横截面展示用于检测热辐射的装置。

图2以横截面展示检测器支撑件上的检测器元件。

具体实施方式

用于检测热辐射的装置1具有堆叠10，堆叠10具有：膜11，其具有用于将热辐射转换为电信号的检测器元件111的检测器阵列110；电路支撑件12，其具有用于读出电信号的读出电路121；以及至少一个盖13，其用以覆盖检测器元件，其中膜和盖相对于彼此布置，以使得在检测器支撑件的检测器元件与盖之间，在盖侧上存在位于堆叠中的由检测器支撑件和盖界定的腔14，同时电路支撑件和相对于彼此布置，以使得在检测器支撑件与电路支撑件之间，在电路侧上存在至少一个由电路支撑件和检测器支撑件界定的腔15，且所述腔被排空。腔通过膜中的狭缝连接在一起。

检测器元件是具薄层构造的热电检测器元件，其具有两个电极层112和布置于电极层之间的热电层113(图3)。热电层是具有热电敏感性质的约1μm厚的PZT层。电极层由约20nm厚的铂和铬镍合金制成。

所述膜是Si3N4/SiO2/Si3N4的三层。将读出电路集成到用于检测器元件的电路支撑件中。

电路支撑件和盖包括硅衬底。检测器元件布置在第一堆叠腔内以与盖中的未图示的孔口相对。在孔口的区域中布置有共同辐射窗17，辐射通过共同辐射窗17撞击在检测器元件上。辐射从前侧通过。

膜、盖、检测器支撑件和电路支撑件通过气密的永久材料接合16全部稳固接合在一起。根据第一实施例，永久材料接合包括焊料材料。将支撑件(硅衬底)焊接在一起。或者，通过接合制成永久材料接合。

向在电路支撑件与膜之间制成的检测器元件提供电连接123。借助于布线或读出电路从检测器元件读出电信号。盖与膜之间的永久材料接合还包括导电材料。请注意，在此处每一情况下提供电绝缘元件161。

为了提供膜，采取以下步骤：制备由硅制成的牺牲支撑件，将具有直通连接的膜布置到牺牲支撑件的表面的一区段，以及移除牺牲材料以使得膜至少部分被释放。为了移除硅，从背部侵蚀掉硅直到膜。这留下了具有直通连接的膜，所述直通连接随后连接到电路支撑件。

直通连接可通过选定的一系列方法步骤来制造。根据特定实施例，在将膜布置于牺牲支撑件上之前或在将膜布置于牺牲支撑件上之后，采取以下方法步骤：f)在膜中钻孔，和g)用导电材料填充孔，使得电直通连接有效。

在永久材料接合的制造期间，施加真空以使得在正产生的腔中形成欠压。在正在形成堆叠中的腔时将其排空。或者，在已制成永久材料接合之后将堆叠中的腔排空。

一旦堆叠已制成，便向其提供壳体20。通过溅射铸造技术将非交联合成材料涂覆于堆叠，且随后使其交联。或者，可使用模制技术。在所述上下文中，必须谨慎确保盖中的辐射窗保持自由，即，所述窗不被覆盖。

为了制造装置，提供具有检测器阵列的膜、具有读出电路的电路支撑件以及盖，且如上所述将其稳固地连接在一起。以晶圆级实施制造的下一阶段。向硅晶圆提供许多适当功能性(读出电路，和可能的盖孔口)。以晶圆级制备电路支撑件以及膜和盖。如上所述将这些经功能化的硅晶圆稳固地连接在一起。制成含有许多个别堆叠的晶圆堆叠。在已完成连接活动之后，通过锯切穿过晶圆堆叠来将个别堆叠隔离，且随后向其中的每一者提供壳体。

所述装置适用于运动检测器或存在检测器。对于在热成像照相机中的应用，提供多个堆叠或装置，每一装置具有一个堆叠。

Claims (25)

1.一种用于检测热辐射的装置(1)，其包括

至少一个膜(11)，上面布置有至少一个用于将热辐射转换为电信号的热检测器元件(111)，以及

至少一个电路支撑件(12)，其用以承载所述膜且用以承载至少一个用以读出所述电信号的读出电路(121)，使得所述检测器元件和所述读出电路通过电直通连接(120)穿过所述膜而电连接。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述电路支撑件和所述膜相对于彼此布置，使得在所述膜与电路支撑件之间存在至少一个由所述电路支撑件和所述膜界定的腔(15)。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中

提供至少一个盖以防护所述检测器元件，且

所述电路支撑件、所述膜和所述盖以堆叠布置，使得所述膜布置于所述电路支撑件与所述盖之间。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述膜和所述盖相对于彼此布置，使得在所述膜与所述盖之间的所述盖侧上提供至少一个腔(14)。

5.根据权利要求2到4中任一权利要求所述的装置，其中面对所述电路侧的所述腔和/或面对所述盖侧的所述腔被排空或能够被排空。

6.根据权利要求4或5所述的装置，其中所述电路侧的腔和所述盖侧的腔通过所述膜中的开口(114)连接在一起。

7.根据权利要求4到6中任一权利要求所述的装置，其中所述膜、所述电路支撑件和/或所述盖具有至少一个具有特定透射能力的用于所述热辐射的辐射窗(17)，借此所述热辐射可照射所述检测器元件。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的装置，其中所述电路支撑件和/或所述盖包括硅。

9.根据权利要求4到8中任一权利要求所述的装置，其中所述检测器元件经布置以与盖孔口相对。

10.根据权利要求1到9中任一权利要求所述的装置，其中所述膜和所述电路支撑件和/或所述膜和所述盖和/或所述直通连接和所述盖以永久材料接合(16)稳固地接合在一起。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述永久材料接合具有导电材料。

12.根据权利要求1到11中任一权利要求所述的装置，其中提供至少一个具有若干检测器元件的检测器阵列。

13.根据权利要求1到12中任一权利要求所述的装置，其中所述装置具有壳体(20)。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述壳体包括铸造材料。

15.一种制造根据前述权利要求中任一权利要求所述的装置的方法，其包括以下方法步骤：

a)提供具有检测器元件的膜和至少一个直通电触点，且制备电路支撑件，以及

b)以所述检测器元件和读出电路通过穿过所述膜的电触点电连接在一起的方式将所述膜和所述电路支撑件合在一起。

16.根据权利要求15所述的方法，其中实施以下方法步骤：

d)使用牺牲材料提供牺牲支撑件，

c)在所述牺牲支撑件的表面的一区段上布置膜，且将所述膜和膜支撑件合在一起，以及

e)移除牺牲材料以使得所述膜至少部分被释放。

17.根据权利要求16所述的方法，其中在将所述膜布置于所述牺牲支撑件上之前或在将所述膜布置于所述牺牲支撑件上之后，采取以下方法步骤：

f)在所述膜中钻孔，以及

g)用导电材料填充所述孔以使得实现所述直通电触点。

18.根据权利要求15到17中任一权利要求所述的方法，其包括以下方法步骤：

h)借助于穿过所述膜的所述电触点与所述电路支撑件之间的永久材料接合来稳固地接合所述膜与所述电路支撑件。

19.根据权利要求15到18中任一权利要求所述的方法，其具有以下方法步骤：

i)通过在所述膜与盖之间制造永久材料接合来稳固地接合所述膜与所述盖。

20.根据权利要求18或19所述的方法，其中通过选择包括粘合剂、焊料材料和/或接合材料的群组中的一者来制造所述永久材料接合。

21.根据权利要求18到20中任一权利要求所述的方法，其中在所述稳固接合期间和/或在其之后将所述电路侧的腔和/或所述盖侧的腔排空。

22.根据权利要求19到21中任一权利要求所述的方法，其中通过所述稳固地接合所述膜与所述电路支撑件且通过所述稳固地接合所述膜与所述盖来形成堆叠(10)，且在所述堆叠处布置壳体(20)。

23.根据权利要求22所述的方法，其中为了布置所述壳体，实施从包括注射模制或模制的群组中选择的方法。

24.根据权利要求15到23中任一权利要求所述的方法，其中以晶圆级制造许多用于检测热辐射的装置，且当已完成所述制造时将所述装置彼此分离。

25.一种将所述装置作为运动检测器、存在检测器和/或热成像照相机的使用。

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