CN101576859A - 非易失性存储器数据写入方法、存储系统及其控制器 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 24
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
一种用于非易失性存储器的数据写入方法。此方法首先会于主机上执行预先存储在非易失性存储器上的非易失性存储器写入程序,并且通过非易失性存储器写入程序来管理欲写入至非易失性存储器的数据。之后,通过非易失性存储器写入程序执行写入启动指令以暂时地解除非易失性存储器的写入保护,以及执行写入指令将欲写入的数据从主机中以非易失性存储器的写入单元为单位写入至非易失性存储器之中未记录数据的写入单元中,其中完成数据写入之后会执行写入保护指令以再次启动写入保护。由此,能够防止非易失性存储器因非预期的多次写入而造成损坏。
Description
技术领域
本发明有关于一种数据写入方法、存储系统及其控制器,且特别有关于一种非易失性存储器数据写入方法、非易失性存储器存储系统及其控制器。
背景技术
近年来,由于数字相机、具有照相功能的手机、MP3,以及MP4的成长十分迅速,所以使得消费者对存储介质的需求也急剧增加。综观现今所有的存储介质而言,由于非易失性存储器(例如,快闪存储器(Flash Memory))具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以最适合内建于上述所举例的多种可携式多媒体装置中。因此,使得快闪存储器的市场蓬勃发展。
一般来说,当上述以快闪存储器为存储介质的可携式(可移除式)存储装置耦接至主机系统时,主机系统会将此装置视为外接磁盘驱动器,并且通过主机系统内的文件管理系统直接对此外接磁盘驱动器进行反复地存取。由于此类存储介质上的数据可容易地变更,因此不适于存储具唯一性或具永久性的数字内容。例如,系统厂商可能需要提供装置的固件码给客户进行更新,系统厂商会希望使用仅能写入一次的存储介质记录此固件码,以避免固件码遭不明人士窜改而损毁系统。因此,若能够开发一套特殊的写入程序以使得原本可重复多次写入与擦除的快闪存储器仅能进行“一次写入”,将可更扩大快闪存储器的应用范围。
此外,在快闪存储器的生产过程中,由于其工艺上的因素可能会生产出仅能写入极少数次的不良快闪存储器。如上所述,由于市场上也有需要仅能读取的快闪存储器的市场,因此若能够开发一套特殊的写入程序以使得此类不良快闪存储器在写入时限于特定次数内,由此可将充分使用原不良快闪存储器,而提升快闪存储器的产出。
发明内容
本发明提供一种非易失性存储器存储系统,其所执行的数据写入程序能够防止非易失性存储器因多次写入而造成损坏。
本发明提供一种控制器,其所执行的写入程序能够防止非易失性存储器因多次写入而造成损坏。
本发明提供一种数据写入方法,其能够防止非易失性存储器因多次写入而造成损坏。
本发明提出一种数据写入方法,其适用于具有多个写入单元的非易失性存储器。此数据写入方法包括于主机上执行非易失性存储器写入程序,并且通过此非易失性存储器写入程序管理欲写入至此非易失性存储器的数据。此数据写入方法也包括通过非易失性存储器写入程序执行写入启动指令以暂时地解除此非易失性存储器的写入保护,以及通过此非易失性存储器写入程序执行写入指令将欲写入的数据从主机中以上述写入单元为单位来写入至此非易失性存储器之中未记录数据的写入单元中。最后,在完成数据的写入后,通过非易失性存储器写入程序执行写入保护指令,以启动非易失性存储器的写入保护。
在本发明的一实施例中,上述的每一写入单元仅能被写入一次。
在本发明的一实施例中,上述的数据写入方法还包括分别地记录写入单元的写入次数,以及分别地判断欲写入数据的写入单元的写入次数是否小于预设写入次数阈值,其中仅将欲写入的信息写入至写入次数小于预设写入次数阈值的写入单元中。
在本发明的一实施例中,上述的写入单元为扇区、页或区块。
在本发明的一实施例中,上述的数据写入方法还包括通过非易失性存储器写入程序执行擦除指令,以清除记录在此非易失性存储器上的所有数据。
在本发明的一实施例中,上述的管理欲写入至该非易失性存储器的数据的步骤包括对该数据进行收集作业与排列作业的至少其中之一。
本发明提出一种非易失性存储器存储系统,其包括用以连接至主机的总线接口、非易失性存储器、非易失性存储器写入程序以及控制器。非易失性存储器具有多个写入单元以存储数据。非易失性存储器写入程序是由主机执行以进行多个数据写入步骤。控制器耦接至总线接口与非易失性存储器,用以初始化地执行非易失性存储器的写入保护、识别非易失性存储器写入程序的写入启动指令以解除写入保护并且识别非易失性存储器写入程序的写入保护指令以启动非易失性存储器的写入保护,其中这些数据写入步骤包括管理欲写入至非易失性存储器的数据、执行写入启动指令、执行写入指令来将数据从主机中以写入单元为单位来写入至非易失性存储器之中未记录数据的写入单元中以及执行写入保护指令。
在本发明的一实施例中,上述的每一写入单元仅能被写入一次。
在本发明的一实施例中,上述的数据写入步骤还包括分别地记录写入单元的写入次数,以及分别地判断欲写入数据的写入单元的写入次数是否小于预设写入次数阈值,其中仅将欲写入的信息写入至写入次数小于预设写入次数阈值的写入单元中。
在本发明的一实施例中,上述的写入单元为扇区、页或区块。
在本发明的一实施例中,上述的数据写入步骤还包括通过非易失性存储器写入程序执行擦除指令以清除记录在非易失性存储器上的所有数据。
在本发明的一实施例中,上述的非易失性存储器写入程序存储在非易失性存储器上。
在本发明的一实施例中,上述的管理欲写入至该非易失性存储器的数据的步骤包括对该数据进行收集作业与排列作业的至少其中之一。
本发明提出一种控制器,其适用于具有非易失性存储器的存储系统,其中此非易失性存储器具有多个写入单元。此控制器包括非易失性存储器接口、微处理单元以及写入保护模块。微处理单元用以识别非易失性存储器写入程序的写入启动指令与写入保护指令。非易失性存储器接口耦接至微处理单元用以存取非易失性存储器。写入保护模块耦接至微处理单元,写入保护模块用以初始化地执行写入保护以防止非易失性存储器上的任何写入作业、依据写入启动指令暂时地解除写入保护并且依据写入保护指令启动非易失性存储器的写入保护,其中非易失性存储器写入程序是在连接至上述存储系统的主机上执行以进行多个数据写入步骤,这些数据写入步骤包括管理欲写入至非易失性存储器的数据、执行写入启动指令、执行写入指令来将数据从主机中以写入单元为单位、通过微处理单元与非易失性存储器接口来写入至非易失性存储器之中未记录数据的写入单元中、以及执行写入保护指令。
在本发明的一实施例中,上述的每一写入单元仅能被写入一次。
在本发明的一实施例中,上述的数据写入步骤还包括分别地记录写入单元的写入次数,以及分别地判断欲写入数据的写入单元的写入次数是否小于预设写入次数阈值,其中仅将欲写入的信息写入至写入次数小于预设写入次数阈值的写入单元中。
在本发明的一实施例中,上述的写入单元为扇区、页或区块。
在本发明的一实施例中,上述的数据写入步骤还包括通过此非易失性存储器写入程序执行擦除指令以清除记录在此非易失性存储器上的所有数据。
在本发明的一实施例中,上述的非易失性存储器为快闪存储器。
本发明提出一种控制器,其适用于具有非易失性存储器的存储系统,其中此非易失性存储器具有多个写入单元。此控制器包括非易失性存储器接口、微处理单元以及写入保护模块。微处理单元用以识别非易失性存储器写入程序的写入启动指令与写入保护指令。非易失性存储器接口耦接至微处理单元用以存取非易失性存储器。写入保护模块耦接至微处理单元,写入保护模块用以初始化地执行写入保护以防止非易失性存储器上的任何写入作业、依据写入启动指令暂时地解除写入保护并且依据写入保护指令启动非易失性存储器的写入保护,其中非易失性存储器写入程序是由连接至上述存储系统的主机所执行,并且微处理器单元会在写入保护模块暂时地解除写入保护之后从主机中接收与管理欲写入至非易失性存储器的数据并且以写入单元为单位通过非易失性存储器接口来将数据写入至非易失性存储器之中未记录数据的该些写入单元中。
在本发明的一实施例中,上述的每一写入单元仅能被写入一次。
在本发明的一实施例中,上述的微处理器单元会分别地记录写入单元的写入次数、分别地判断欲写入数据的写入单元的写入次数是否小于预设写入次数阈值并且仅将欲写入的数据写入至写入次数小于预设写入次数阈值的写入单元中。
在本发明的一实施例中,上述的写入单元为扇区、页或区块。
在本发明的一实施例中,上述的微处理器单元会根据非易失性存储器写入程序的擦除指令来清除记录在此非易失性存储器上的所有数据。
在本发明的一实施例中,上述的非易失性存储器为快闪存储器。
本发明因采用写入保护机制防止非易失性存储器的写入作业,并且仅能通过非易失性存储器写入程序进行写入作业,由此防止非易失性存储器因多次写入而造成损坏。
附图说明
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并结合附图,作详细说明如下。
图1是根据本发明第一实施例示出非易失性存储器存储系统的概要方块图。
图2是根据本发明第一实施例示出信息写入方法的流程图。
图3是根据本发明第一实施例示出关于写入作业方面控制器的部分运作流程图。
图4是根据本发明第二实施例示出信息写入方法的流程图。
图5是根据本发明第二实施例示出关于写入与擦除作业方面控制器的部分运作流程图。
主要组件符号说明
100:快闪存储器存储系统
110:快闪存储器控制器
110a:微处理单元
110b:非易失性存储器接口
110c:写入保护模块
120:总线接口
130:快闪存储器
130-0、130-1、130-2、130-N:物理区块
S201、S203、S205、S207、S209:数据写入方法的步骤
S301、S303、S305、S307、S309、S311、S313、S315:控制器的运作步骤
S401、S403、S405、S407、S409、S411:数据写入方法的步骤
S501、S503、S505、S507、S509、S511、S513、S515、S517:控制器的运作步骤
具体实施方式
为能达成在原本可重复写入与擦除的非易失性存储器上限制仅能“写入一次”或“写入特定次数”,本发明于非易失性存储器存储系统上提供一软件程序(例如,非易失性存储器写入程序)。当使用者欲写入数据至此非易失性存储器存储系统时,必须通过在主机系统上执行此软件程序才可进行数据的写入。此外,通过此软件程序与非易失性存储器存储系统的控制器之间的协调,以限制非易失性存储器存储系统上非易失性存储器的每一写入单元的写入次数。以下将结合附图以多个实施例来更详细说明本发明。
[第一实施例]
图1是根据本发明第一实施例示出非易失性存储器存储系统的概要方块图。
请参照图1,非易失性存储器存储系统100包括控制器110、总线接口120以及非易失性存储器130。通常非易失性存储器存储系统100会以可移除式的方式与主机200一起使用,以使主机200可将数据写入至非易失性存储器存储系统100或从非易失性存储器存储系统100中读取数据。在本实施例中,非易失性存储器存储系统100为记忆卡。但必须了解的是,在本发明另一实施例中,非易失性存储器存储系统100也可以是随身盘。
控制器110会控制总线接口120以及非易失性存储器130的整体运作,例如数据的存储、读取与擦除等。控制器110包括微处理单元110a以及非易失性存储器接口110b。
微处理单元110a会控制非易失性存储器接口110b与写入保护模块110c的运作。
非易失性存储器接口110b是电性连接至微处理单元110a并且用以存取非易失性存储器130。也就是,主机200欲写入至非易失性存储器130的数据会经由非易失性存储器接口110b转换为非易失性存储器130所能接受的格式。
写入保护模块110c是电性连接至微处理单元110a并且用以初始化地执行写入保护以防止非易失性存储器130上的任何写入作业。
此外,虽未示出于本实施例,但控制器110可还包括缓冲存储器、存储器管理模块、错误校正模块与电源管理模块等一般快闪存储器控制器常见的功能模块。
总线接口120用以通过总线300连接于主机200。在本实施例中,总线接口120为SD接口。然而,必须了解的是本发明不限于此,总线接口120可以是USB接口、IEEE 1394接口、SATA接口、MS接口、MMC接口、PCIExpress接口、CF接口、IDE接口或其它适合的数据传输接口。
非易失性存储器130是电性连接控制器110并且用以存储数据。在本实施中,非易失性存储器130为多层单元(Multi Level Cell,MLC)NAND快闪存储器。然而,必须了解的是,本发明不限于此。在本发明另一实施例中,单层单元(Single Level Cell,SLC)NAND快闪存储器也可应用于本发明。
非易失性存储器130会分割为多个物理区块(physical block)130-0至130-N。一般而言,在快闪存储器中物理区块为擦除的最小单位。也即,每一物理区块含有最小数目的一并被擦除的单元。每一物理区块通常会分割为数个页(page),例如64页、128页、256页等。页通常为编程化(program)的最小单元,但要特别说明的是于有些不同的快闪存储器设计,最小的编程化单位也可为一个扇区(sector)大小,即一页中有多个扇区并以一扇区为编程化的最小单元。换言之,页为写入数据或读取数据的最小单元。每一页通常包括使用者数据区D与冗余区R。使用者数据区D用以存储使用者的数据,而冗余区R用以存储系统性的数据(例如,错误校正码(error correcting code,ECC))。为对应于磁盘驱动器的扇区(sector)大小,一般而言,使用者数据区D通常为512字节,而冗余区R通常为16字节。也就是,一页为一个扇区。然而,也可以多个扇区形成一页,例如一页包括4个扇区。在本实施例中,非易失性存储器130的写入单元为一个页。在本发明另一实施例中,非易失性存储器130的写入单元也可设计为一个区块或一个扇区。值得一提的是,非易失性存储器130的每一页或每一区块仅能被重复写入极少的次数(例如,100次)。因此,在本实施例中将此非易失性存储器存储系统100设计为仅能进行“写入一次”。
特别是,根据本发明实施例的非易失性存储器存储系统100,控制器110的写入保护模块110c在出厂设定中会被设定防止写入非易失性存储器130的写入保护。因此,根据本发明实施例的非易失性存储器存储系统100还包括非易失性存储器写入程序(未示出),此非易失性存储器写入程序可由主机200执行以完成根据本发明实施例的数据写入步骤,其中此非易失性存储器写入程序的写入启动指令与写入保护指令可被控制器110的微处理单元110a所识别,并且控制器110的写入保护模块110c会依据此写入启动指令与写入保护指令来启动或解除非易失性存储器130的写入保护,稍后将结合图2详细说明此信息写入步骤。换言之,根据本发明实施例的非易失性存储器存储系统100必须通过执行上述非易失性存储器写入程序才能进行数据的写入。
在本实施例中,上述非易失性存储器写入程序是与使用者所存储的数据一起存储在非易失性存储器130的同一磁盘分割区。然而,在本发明另一实施例中,也可在非易失性存储器130中独立分割一磁盘分割区来存储非易失性存储器写入程序以方便主机200的使用者点选与执行。此外,在本发明另一实施例中,也可将所存储的非易失性存储器写入程序设定为只读,以防止使用者误删。再者,此程序也可独立地存储在存储介质中,供使用者安装于主机200或非易失性存储器130中。
图2是根据本发明第一实施例示出数据写入程序(方法)的流程图。
请参照图2,在步骤S201中,使用者于主机200上执行存储在非易失性存储器130上的非易失性存储器写入程序。接着,在步骤S203中通过非易失性存储器写入程序(未示出)管理欲写入至非易失性存储器130的数据,其中管理欲写入至非易失性存储器130的数据包括将数据收集为一个写入单位及/或对数据的写入的地址顺序进行排列等。例如,非易失性存储器写入程序可显示窗口(windows)接口,以提供使用者管理欲写入至非易失性存储器130的数据。值得一提的是,在本实施例中管理欲写入至非易失性存储器130的数据的步骤是在主机200上执行的非易失性存储器写入程序中进行,然而在本发明另一实施例中,主机200也可直接将数据传递给控制器110,并且由控制器110来管理欲写入至非易失性存储器130的数据。
之后,当主机200的使用者执行非易失性存储器写入程序以开始写入指令时,在步骤S205中,非易失性存储器写入程序会执行写入启动指令以暂时地解除非易失性存储器130的写入保护。
在解除非易失性存储器130的写入保护后,在步骤S207中非易失性存储器写入程序会执行写入指令,将上述数据从主机200中以写入单元为单位来写入至非易失性存储器130中,并且在步骤S209中控制器110的写入保护模块110c会在完成数据的写入后,依据非易失性存储器写入程序的写入保护指令再次启动非易失性存储器的写入保护。
此外,在本实施例中由于非易失性存储器130的写入单元仅能被写入一次,因此在步骤S207中控制器110会提供非易失性存储器130之中未记录过数据的写入单元以写入数据。特别是,在步骤S207中可能会因已无可记录的空间而由控制器110响应写入错误的讯息。以下将结合图3详细说明控制器110的运作。
图3是根据本发明第一实施例示出关于写入作业方面控制器110的部分运作流程图。
当非易失性存储器存储系统100开机后,控制器100会处于等候来自于主机200的指令的状态。请参照图3,在步骤S301中会接收到主机200的指令。接着,在步骤S303中会判断所接收的指令为写入启动指令或一般写入指令。倘若在步骤S303中判断所接收的指令是写入启动指令时,则在步骤S305中会暂时地解除非易失性存储器130的写入保护。
倘若在步骤S303中判断所接收的指令是一般写入指令时,则在步骤S307中会判断非易失性存储器130的写入保护是否已启动。倘若在步骤S307中判断非易失性存储器130的写入保护已被启动时,则在步骤S309中会响应主机200一写入错误讯息。倘若在步骤S307中判断非易失性存储器130的写入保护未被启动时,则在步骤S311中会判断非易失性存储器130之中是否存有未记录数据的写入单元。倘若在步骤S311中判断非易失性存储器130之中存有未记录数据的写入单元时,则在步骤S313中会将数据写入至未记录数据的写入单元,并且在步骤S315中会再启动非易失性存储器130的写入保护。倘若在步骤S309中判断非易失性存储器130之中存有未记录数据的写入单元时,则执行步骤S309。
[第二实施例]
本发明第二实施例的非易失性存储器存储系统的架构相同于第一实施例(如图1),因此在此不再重复说明。第二实施例与第一实施例的不同之处在于第二实施例的非易失性存储器存储系统的写入程序可允许在非易失性存储器的写入单元上重复写入预先定义的次数。
图4是根据本发明第二实施例示出数据写入程序(方法)的流程图。
请参照图4,在步骤S401中使用者于主机200上执行存储在非易失性存储器130上的非易失性存储器写入程序。接着,在步骤S403中通过非易失性存储器写入程序管理欲写入至非易失性存储器130的数据。
之后,当主机200的使用者执行非易失性存储器写入程序以开始写入指令时,在步骤S405中非易失性存储器写入程序会执行写入启动指令以暂时地解除非易失性存储器130的写入保护。
在解除非易失性存储器130的写入保护后,在步骤S407中非易失性存储器写入程序会执行写入指令,将上述数据从主机200中以写入单元为单位来写入至非易失性存储器130中。在步骤S409中,控制器110会在写入数据的写入单元上的写入计数值中计数(例如,在计数值上加1)。例如,在本实施例中计数值被记录在每一写入单元的冗余区R,但必须了解的是本发明不限于此。
最后,在步骤S411中控制器110会根据非易失性存储器写入程序的写入保护指令再次启动非易失性存储器的写入保护。值得一提的是,在本实施例中,由于非易失性存储器130的写入单元仅能被写入预定的次数,因此在步骤S407中,控制器110会提供非易失性存储器130之中未达到写入次数的写入单元以写入数据。特别是,在步骤S407中可能会因已无可记录的空间而由控制器110响应写入错误的讯息。以下将结合图5详细说明控制器110的运作。
图5是根据本发明第二实施例示出关于写入与擦除作业方面控制器110的部分运作流程图。
当非易失性存储器存储系统100开机后,控制器100会处于等候来自于主机200的指令的状态。请参照图5,在步骤S501中会接收到主机200的指令。接着,在步骤S503中会判断所接收的指令为写入启动指令或一般写入指令。倘若在步骤S503中判断所接收的指令是写入启动指令时,则在步骤S505中会暂时地解除非易失性存储器130的写入保护。
倘若在步骤S503中判断所接收的指令是一般写入指令时,则在步骤S507中会判断非易失性存储器130的写入保护是否已启动。倘若在步骤S507中判断非易失性存储器130的写入保护已被启动时,则在步骤S509中会响应主机200一错误讯息。倘若在步骤S507中判断非易失性存储器130的写入保护未启动时,则在步骤S511中会判断非易失性存储器130之中是否存有未记录数据(或记录无效数据)且写入次数小于预设写入次数阈值的写入单元。倘若在步骤S511中判断存有未记录数据(或记录无效数据)且写入次数小于预设写入次数阈值的写入单元时,则在步骤S513中会将数据写入至未记录数据的写入单元并且在步骤S515中会在写入数据的写入单元的写入计数值上计数(例如,在计数值上加1)。最后,在步骤S517中会再启动非易失性存储器130的写入保护。倘若在步骤S511中判断非易失性存储器130之中无存有未记录数据(或记录无效数据)且写入次数小于预设写入次数阈值的写入单元时,则执行步骤S509。
在本发明另一实施例中,数据写入程序可还包括通过非易失性存储器写入程序执行擦除指令以清除记录在非易失性存储器130上的所有数据。
综上所述,本发明提出以写入保护机制来控制非易失性存储器写入次数,并且通过非易失性存储器写入程序执行对非易失性存储器进行的数据写入,由此可以批次写入方式写入数据与限定写入次数,而避免频繁写入小量数据而使仅能写入少数次数的非易失性存储器损毁。通过此开发的非易失性存储器写入程序,可有效地使用在快闪存储器的生产过程中产出仅能写入极少次数的不良快闪存储器,由此可提升原非良品的使用,降低制造的成本。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上,但是其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当以后附的权利要求为准。
Claims (25)
1.一种数据写入方法,其适用于具有多个写入单元的非易失性存储器,该数据写入方法包括:
执行非易失性存储器写入程序;
通过该非易失性存储器写入程序管理欲写入至该非易失性存储器的数据;
通过该非易失性存储器写入程序执行写入启动指令,以暂时地解除该非易失性存储器的写入保护;
通过该非易失性存储器写入程序执行写入指令,将该数据从该主机中以所述写入单元为单位来写入至该非易失性存储器之中未记录数据的所述写入单元中;以及
在完成该数据的写入后,通过该非易失性存储器写入程序执行写入保护指令,以启动该非易失性存储器的写入保护。
2.如权利要求1所述的数据写入方法,其中每一写入单元仅能被写入一次。
3.如权利要求1所述的数据写入方法,还包括:
分别地记录所述写入单元的写入次数;以及
分别地判断欲写入该信息的所述写入单元的写入次数是否小于预设写入次数阈值,
其中仅写入该信息至写入次数小于该预设写入次数阈值的所述写入单元中。
4.如权利要求1所述的数据写入方法,其中每一写入单元为扇区、页或区块。
5.如权利要求1所述的数据写入方法,还包括通过该非易失性存储器写入程序执行擦除指令以清除记录在该非易失性存储器上的所有数据。
6.如权利要求1所述的数据写入方法,其中管理欲写入至该非易失性存储器的数据的步骤包括对该数据进行收集作业与排列作业的至少其中之一。
7.一种非易失性存储器存储系统,包括:
总线接口,用以连接至主机;
非易失性存储器,具有多个写入单元以存储数据;
非易失性存储器写入程序,用以由该主机执行以进行多个数据写入步骤;以及
控制器,耦接至该总线接口与该非易失性存储器,用以初始化地执行该非易失性存储器的写入保护,识别该非易失性存储器写入程序的写入启动指令,以解除该非易失性存储器的写入保护,并且识别该非易失性存储器写入程序的写入保护指令,以启动该非易失性存储器的写入保护,
其中所述数据写入步骤包括管理欲写入至该非易失性存储器的数据、执行该写入启动指令、执行写入指令将该数据从该主机中以所述写入单元为单位来写入至该非易失性存储器之中未记录数据的所述写入单元中,以及执行该写入保护指令。
8.如权利要求7所述的非易失性存储器存储系统,其中每一写入单元仅能被写入一次。
9.如权利要求7所述的非易失性存储器存储系统,其中所述数据写入步骤还包括:
分别地记录所述写入单元的写入次数;以及
分别地判断欲写入该信息的所述写入单元的写入次数是否小于预设写入次数阈值,
仅写入该信息至写入次数小于该预设写入次数阈值的所述写入单元中。
10.如权利要求7所述的非易失性存储器存储系统,其中每一写入单元为扇区、页或区块。
11.如权利要求7所述的非易失性存储器存储系统,其中所述数据写入步骤还包括通过该非易失性存储器写入程序执行擦除指令以清除记录在该非易失性存储器上的所有数据。
12.如权利要求7所述的非易失性存储器存储系统,其中该非易失性存储器写入程序存储在该非易失性存储器上。
13.如权利要求7所述的非易失性存储器存储系统,其中管理欲写入至该非易失性存储器的数据的步骤包括对该数据进行收集作业与排列作业的至少其中之一。
14.一种控制器,其适用于具有非易失性存储器的存储系统,其中该非易失性存储器具有多个写入单元,该控制器包括:
微处理单元,用以识别非易失性存储器写入程序的写入启动指令与写入保护指令;
非易失性存储器接口,耦接至该微处理单元,用以存取该非易失性存储器;以及
写入保护模块,耦接至该微处理单元,用以初始化地执行写入保护以防止该非易失性存储器上的任何写入作业、依据该写入启动指令暂时地解除该写入保护,并且依据该写入保护指令启动该非易失性存储器的写入保护,
其中该非易失性存储器写入程序在连接至该存储系统的主机上执行以进行多个数据写入步骤,所述数据写入步骤包括管理欲写入至该非易失性存储器的数据、执行该写入启动指令、执行写入指令将该数据从该主机中以所述写入单元为单位来通过该微处理器与该非易失性存储器接口写入至该非易失性存储器之中未记录数据的所述写入单元中,以及执行该写入保护指令。
15.如权利要求14所述的控制器,其中每一写入单元仅能被写入一次。
16.如权利要求14所述的控制器,其中所述数据写入步骤还包括:
分别地记录所述写入单元的写入次数;以及
分别地判断欲写入该信息的所述写入单元的写入次数是否小于预设写入次数阈值,
仅写入该信息至写入次数小于该预设写入次数阈值的所述写入单元中。
17.如权利要求14所述的控制器,其中每一写入单元为扇区、页或区块。
18.如权利要求14所述的控制器,其中该数据写入步骤还包括通过该非易失性存储器写入程序执行擦除指令以清除记录在该非易失性存储器上的所有数据。
19.如权利要求14所述的控制器,其中该非易失性存储器为快闪存储器。
20.一种控制器,其适用于具有非易失性存储器的存储系统,其中该非易失性存储器具有多个写入单元,该控制器包括:
微处理单元,用以识别非易失性存储器写入程序的写入启动指令与写入保护指令;
非易失性存储器接口,耦接至该微处理单元,用以存取该非易失性存储器;以及
写入保护模块,耦接至该微处理单元,用以初始化地执行写入保护以防止该非易失性存储器上的任何写入作业、依据该写入启动指令暂时地解除该写入保护,并且依据该写入保护指令启动该非易失性存储器的写入保护,
其中该非易失性存储器写入程序由连接至该存储系统的主机所执行,并且该微处理器单元会在该写入保护模块暂时地解除该写入保护之后,从该主机中接收与管理欲写入至该非易失性存储器的数据,并且以所述写入单元为单位,通过该非易失性存储器接口来将该数据写入至该非易失性存储器之中未记录数据的所述写入单元中。
21.如权利要求20所述的控制器,其中每一写入单元仅能被写入一次。
22.如权利要求20所述的控制器,其中该微处理器单元分别地记录所述写入单元的写入次数、分别地判断欲写入该数据的所述写入单元的写入次数是否小于预设写入次数阈值、并且仅写入该数据至写入次数小于该预设写入次数阈值的所述写入单元中。
23.如权利要求20所述的控制器,其中每一写入单元为扇区、页或区块。
24.如权利要求20所述的控制器,其中微处理器单元根据该非易失性存储器写入程序的擦除指令来清除记录在该非易失性存储器上的所有数据。
25.如权利要求20所述的控制器,其中该非易失性存储器为快闪存储器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2008100962472A CN101576859A (zh) | 2008-05-06 | 2008-05-06 | 非易失性存储器数据写入方法、存储系统及其控制器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CNA2008100962472A CN101576859A (zh) | 2008-05-06 | 2008-05-06 | 非易失性存储器数据写入方法、存储系统及其控制器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101576859A true CN101576859A (zh) | 2009-11-11 |
Family
ID=41271794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2008100962472A Pending CN101576859A (zh) | 2008-05-06 | 2008-05-06 | 非易失性存储器数据写入方法、存储系统及其控制器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101576859A (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2008-05-06 CN CNA2008100962472A patent/CN101576859A/zh active Pending
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