CN101409220A

CN101409220A - 被处理体的导入口机构和处理系统

Info

Publication number: CN101409220A
Application number: CNA2008101677502A
Authority: CN
Inventors: 小山胜彦; 似鸟弘弥; 竹内靖
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2007-10-03
Filing date: 2008-09-27
Publication date: 2009-04-15
Anticipated expiration: 2028-09-27
Also published as: KR20090034756A; US20090092468A1; TW200943463A; CN101409220B; JP2009088437A

Abstract

提供不产生被处理体的位置偏移，可迅速平稳地将收纳容器体内气氛置换为惰性气体的被处理体导入口机构和处理系统。其包括用于分隔容器体搬送区域(34)和被处理体移放区域(36)之间并具有开口闸门(52)的分壁壁38和放置收纳被处理体(W)的收纳容器体(2)的放置台(54)。还设置具有可开闭地关闭开口闸门(52)的开闭门(56)的开闭门机构(57)，在开闭门(56)上设有开闭开闭盖(12)的盖开闭机构(64)。还设有在开口闸门(52)的内周具有向着收纳容器体2内喷射惰性气体用的由多孔材料作成筒体状的多孔气体喷身管(80)的气体喷射装置(100)、和具有对利用惰性气体清洗的收纳容器体(2)内气氛进行排气的排气口(82)的排气装置(102)。

Description

被处理体的导入口机构和处理系统

相关申请的参考

本专利申请享受2007年10月3日提出的作为日本申请的特愿2007-259689的利益。引用这些在先申请的全部所示内容作为本说明书的一部分。

技术领域

本发明涉及将被处理体从以气密状态收纳有半导体晶片等被处理体的收纳容器体导入被处理体移载区域内的导入口机构和使用该机构的处理系统。

背景技术

通常，当制造IC或LSI等半导体集成电路时，对半导体晶片反复进行各种成膜处理，氧化扩散处理和蚀刻处理等。当进行各处理时必需在对应的装置间搬送半导体晶片。

在这种情况下，如已知那样，为了提高成品率，必需避免半导体晶片的表面上附着形成颗粒或自然氧化膜。因此，随着高集成化和高微细化的要求增大，具有在搬送晶片时使用能够容纳多块晶片并且内部密闭的收纳容器体的倾向。作为这种收纳容器体通常已知有FOUP(注册商标)(例如，日本特开平8-279546号公报、日本特开平9-306975号公报、日本特开平11-274267号公报)。

在这种收纳容器体内通常为了防止颗粒附着在收纳在其中的晶片表面上，而被形成为清洁度高的清洁空气的气氛。

但是，在处理所述收纳容器体的处理系统中，通常设置有利用搬送机构搬送上述收纳容器体的容器体搬送区域；和取出收纳容器体的开闭盖，为了热处理，从内部将半导体晶片移载至晶片舟等上的被处理体移载区域(例如，日本特开2003-37148号公报、日本特开2004-22674号公报、日本特开2005-79250号公报)。为了进行晶片的交换，利用具有可开闭的开口闸门的分隔壁，分隔两区域。为了防止自然氧化膜附着在晶片表面上，在裸露被处理体状态下进行搬送的上述被处理体移载区域内被形成为惰性气体例如氮气气氛。

然而，由晶片尺寸引起例如收纳25块300mm(12英寸)尺寸的晶片的收纳容器体的容量达到40～45升左右。因此，在使上述收纳容器体通过开口闸门向被处理移载区域开放的情况下，容器内部开放时，该收纳容器体内的清洁空气流入被形成为氮气气氛的被处理体移载区域内。结果，氮气气氛被大量的清洁空气稀释，使被处理体移载区域成为氮气气氛的优点受损害。

因此，例如如上述的日本特开平11-274267号公报、日本特开2004-22674号公报以及日本特开2005-79250号公公开的那样，设置惰性气体置换装置或在搬入舟上设置氮气喷嘴。由此，可在使上述收纳容器体朝向被处理体移载区域内开放之前，将氮气导入该收纳容器体内，用氮气来置换内部气氛。

[专利文献1]：日本特开平8-279546号公报

[专利文献2]：日本特开平9-306975号公报

[专利文献3]：日本特开平11-274267号公报

[专利文献4]：日本特开2003-37148号公报

[专利文献5]：日本特开平2004-22674号公报

[专利文献6]：日本特开平2005-79250号公报

然而，在上述的日本特开平11-274267号公报、日本特开2005-79250号公报所示的现有的结构中，导入的惰性气体从气体喷射孔等喷射出，直接与晶片本身碰撞。因此，由于喷射气体的冲力可能会将晶片吹飞，或者松动使位置偏移。为了防止这种情况，必须控制喷射气体的流速或流量，因此，惰性气体的置换作业变长，存在使生产率降低的问题，另外，由于导入的惰性气体可能会漏出至操作者的操作区域，因此希望更提高针对这种情况的安全性。

另外，在上述日本特开2004-22674号公报所示的现有的结构中。使从喷嘴喷射的N₂气体先与晶片以外的其他部分冲突，削弱其冲力后，导入晶片中，用N₂气体进行置换。然而，在这种情况下，由于N₂气从喷嘴的特定的喷射孔喷射，因此使喷射的N₂气体先与其他构件冲突，减弱N2气体的冲力，但其冲力仍较强，如所述那样，有可能使晶片松动引起位置偏移等。

发明内容

本发明是为了解决上述问题提出的，其目的是提供使内部收纳的被处理体不产生位置偏移等，可对收纳容器体内的气氛迅速而且平稳地进行惰性气体转换，提高生产率的被处理体的导入口机构和使用该机构的处理系统。

本发明的一种被处理体的导入口机构，它可将收纳在具有开闭盖的收纳容器体中的被处理体，从容器体搬送区域取入成为惰性气体气氛的被处理移载区域内，其特征为，它具有：分隔壁，用于分隔所述容器体搬送区域和所述被处理体移载区域之间，具有在与所述收纳容器体抵接的状态下，使所述被处理体通过的开口闸门；载置台，设在所述容器体搬送区域中，用于载置所述收纳容器体；开闭门机构，其具有从被处理体移载区域侧能够开闭地关闭所述分隔壁的所述开口闸门的开闭门；盖开闭机构，设在所述开闭门上，开闭所述收纳容器体的所述开闭盖；气体喷射装置，用于向所述收纳容器体内喷射惰性气体，具有沿着所述开口闸门的内周部设置并且由多孔材料制成筒体状的多孔气体喷射管；以及排气装置，设置在所述开口闸门中的除去设置有所述多孔气体喷射管的内周部以外的内周部上，并具有对利用从所述多孔气体喷射管喷射的所述惰性气体清洗的所述收纳容器体内的气氛进行排气的排气口。

在这种情况下，上述多孔气体喷射管具有带有除去大小为数nm～数百nm范围以上的颗粒的过滤性能的过滤器功能。另外例如上述开闭门的周边部向上述开口闸门弯曲，其垂直截面和水平截面都作成コ字形。

另外，例如上述开口闸门形成为四角形，上述多孔气体喷射管沿着上述开口闸门的四边内至多三边设置。上述多孔气体喷射管中心由选自金属系多孔材料，陶瓷系多孔材料和树脂系多孔材料构成中1种以上的材料制成。

本发明的一种处理系统，其用于将收纳在具有开闭盖的收纳容器体中的被处理体从容器体搬送区域取入形成为惰性气体气氛的被处理移载区域内，对所述被处理体进行热处理，其特征在于，包括：被处理体导入口机构，用于从所述容器体搬送区域将所述被处理气体取入所述被处理体移载区域内；处理容器，其设在所述被处理体移载区域中，用于对所述被处理体实施热处理；被处理体舟，其设在所述被处理体移载区域中，分多层载置所述被处理体；舟升降机构，其设在所述被处理体移载区域中，升降所述被处理体舟；使所述被处理体舟插入或脱出所述处理容器内；以及被处理体移载机构，其设在所述被处理体移载区域中，在所述被处理体舟和开放所述开闭盖的所述收纳容器体之间移载所述被处理体，所述被处理体导入口机构具有：分隔壁，用于分隔所述容器体搬送区域和所述被处理体移载区域之间，并具有在与所述收纳容器体抵接的状态下使所述被处理体通过的开口闸门；

载置台，其设在所述容器体搬送区域中，用于载置所述收纳容器体；开闭门机构，其具有从被处理体移载区域侧可开闭地关闭所述分隔壁的所述开口闸门的开闭门；盖开闭机构，其设在所述开闭门上，开闭所述收纳容器体的所述开闭盖；气体喷射装置，用于向所述收纳容器体内喷射惰性气体，具有沿着所述开口闸门的内周部设置并且由多孔材料制成筒体状的多孔气体喷射管；以及排气装置，其设置在所述开口闸门中的除去设置所述多孔气体喷射管的内周部以外的内周部上，并具有对利用从所述多孔气体喷射管喷射的所述惰性气体清洗的所述收纳容器体内的气氛进行排气的排气口。

根据本发明的被处理体的导入口机构和处理系统，可发挥以下的好的作用效果。即，根据本发明，从具有设在开口闸门的内周上的由多孔材料作成筒体状的多孔气体喷射管的气体喷射装置喷射惰性气体。这样，可从多孔气体喷射管的全部表面喷射惰性气体。因此，喷射的惰性气体的冲力或流速可大大降低。这样，可以不产生被处理体的位置偏移，可以迅速而平稳地进行惰性气体的置换可提高生产率。

附图说明

图1A、图1B为表示通常的被处理体的收纳容器体的立体图。

图2为表示具有本发明的被处理体的导入口机构的处理系统的图。

图3为从被处理体移送区域观察覆盖开口闸门的开闭门的俯视图。

图4为表示导入口机构的载置台的俯视图。

图5A、图5B为表示设置在导入口上的收纳容器体的截面图。

图6A、图6B为表示气体喷射装置的多孔气体喷射管的图。

图7为表示取出载置在载置台上的收纳容器体的开闭盖时的动作的图。

图8为表示取出载置在载置台上的收纳容器体的开闭盖时的动作的图。

图9为表示取出载置在载置台上的收纳容器体的开闭盖时的动作的图。

具体实施方式

以下，根据附图，详细说明本发明的一个实施例的被处理体的导入口机构和使用该机构的处理系统。

首先，参照图1A、图1B说明收纳容器体2。图1A表示取下开闭盖12前的立体图，图1B表示取下开闭盖12后的立体图。

如图1A、图1B所示，该收纳容器体2具有一侧作为开口部4形成，另一侧作成大致半椭圆形状的盒容器6。在该盒容器6内壁面上多层地设置有例如搁板状或槽状的支撑部8。通过在该支撑部8上载置并支撑作为被处理体的例如直径为300mm的半导体晶片W的周边部，可以以大致相等的间距分多层收纳半导体晶片W。在该盒容器6的顶部设有把持其全体时抓握的把手10。通常，在一个盒容器6内可以收纳25块或13块晶片W。

在盒容器6的开口部4上可装拆地安装有四边形的板状的开闭盖12，使该盒容器6内成为密闭状态。另外，该盒容器6的内部被形成清洁空气的气氛。

在开闭盖12上设置有二个锁紧机构14。通过解除锁紧机构14，可从开口部4取下并脱离开闭盖12。具体而言，该锁紧机构14具有可转动地安装在开闭盖12的高度方向的大致中央的圆板状的锁紧板16。在该锁紧板16上形成细长的凹部状的钩槽18。在该锁紧板16上沿上下方向分别设置有1对通过将圆弧运动变换为直线运动的曲柄机构(未图示)连接的出没销20。通过使该锁紧板16正反旋转90°，可使上下的出没销20分别沿上下方向出没。

如图1B所示，当锁紧时，该出没销20的前端插入分隔上述开口部4的上缘部和下缘部的销孔22(图1B中只表示下缘部)中并卡合。这样，不能将开闭盖12从开口部4取下。

另外，在该盒容器6的底部的下表面上设置有多个定位凹部(未图示)。如后所述，当将收纳容器体2载置在载置台等上时对其进行定位。在该盒容器6的底部下表面上还设置有作为盒固定装置的锁紧片(未图示)。当利用后述的旋转钩结合上述锁紧片时，收纳容器体2被锁紧，使其不能从放载台上运动。

另外，作为盒固定装置也可以设置将载置在载置台上的收纳容器体2从上方压紧固定的压紧装置来代替上述锁紧片或旋转钩。

其次，参照图2和图3说明具有本发明的被处理体的导入口机构的处理系统。

首先，如图2所示，该被处理体的处理系统30整体被由不锈钢等制成的框体32包围。框体32的内部被分隔为，用于搬送上述收纳容器体2的容器体搬送区域34、和以裸露的方式搬送作为被处理体的半导体晶片W的作为被处理体移载区域的晶片移载区域36。容器体搬送区域34和晶片移载区域36利用分隔壁38分开为二个。

清洁空气向下流入上述容器体搬送区域34内。上述晶片移载区域36内为密闭状态，将N₂气体或Ar气体等稀有气体供给其中，形成惰性气体气氛。在这里，晶片移载区域36内形成N₂气体气氛。

另外，处理系统30具有输入口40，储料器41，导入口机构42和处理容器46。其中，输入口40用于将收纳容器体2搬入和搬出处理系统30内，储料器41用于暂时贮留上述收纳容器体2。另外，导入口机构42通过将收纳容器体2内的晶片W取入上述晶片移载区域36内，例如移载至被处理体舟44上。处理容器46对移载至被处理体舟44上并被保持的半导体晶片W进行给定的热处理。

在上述输入口40上的框体32的一个表面上形成平常开放的盒搬入搬出口48。用于载置从外部搬送的收纳容器体2的外侧载置台50向着框体32内侧可水平移动地设在该盒搬入搬出口48的外侧。

另一方面，在上述储料器41中例如呈二列二层地设有暂时载置保管上述收纳容器体2的搁板等。在设置上述导入口机构42的位置上，在隔开两区域34、36之间的分隔壁38上形成具有与收纳容器体2的开口大致相同大小的一个或多个开口闸门52(参照图4)。

另外，在开口闸门52的容器搬送区域34侧，水平地设置有1个载置台54。在该设置台54上可载置收纳容器体2。在该载置台54和上述输入口40之间设置具有升降机功能的容器体搬送机构58。容器体搬送机构58可在上述输入口40、储料器41和载置台54之间任意地搬送上述收纳容器体2。

另外，在上述开口闸门52的晶片移载区域36侧设有具有开闭开口闸门52的开闭门56的开闭门机构57。以后，详述该部分的结构。

如图3所示，在该开闭门56的上下分别设有导轨60。上述开闭门56由分别沿着导轨60移动的一对臂部62支撑。在使上述开闭门56从开口闸门52稍微浮起后，通过使开闭门56沿着导轨60向横方向滑动移动，可以开闭开口闸门52。

另外，在开闭门56上设置有用于开闭上述收纳容器体2的开闭盖12的盖开闭机构64。作为盖开闭机构64例如可以使用上述的日本特开平8-279546号公报、日本特开平11-274267号公报、日本特开2005-79250公报中所公开的盖开闭机构。

在该晶片移载区域36内设有使晶片舟那样的被处理体舟44升降的舟升降机构68。在该舟升降机构68和上述导入口机构42之间设有可旋转和屈伸地构成的被处理体移载机构70。该被处理体移载机构70通过升降机72可上下运动。因此，通过驱动被处理体移载机构70的臂70A屈伸、旋转以及升降，可在载置台54上的收纳容器体2和被处理体舟44之间进行晶片W的移载。在这种情况下，上述被处理体称放机构70的臂70A可以设置多个例如5个左右，可以先进行最大5块晶片的移载。

上述被处理体杆舟44例如由石英制成，能够以规定的间距分多层地支撑例如25～150块左右的晶片。在该晶片移载区域36的上方配置有石英制的圆筒体状的上述处理容器46。在该处理容器46的周围设置有未图示的加热器，可以先对多块晶片W进行成膜或氧化扩散等规定的热处理。

在处理容器46的下方配置有利用舟升降机构68可升降的盖74.在将被处理体舟44载置在该盖74上的状态下，使被处理体舟44上升，由此，可将该被处理体舟44从处理容器46的下端开口部取入处理容器46内部。这时处理容器46的下端开口部利用上述盖74气密地封闭。

另外，在上述处理容器46的下端开口部设有滑动移动的、可关闭该开口部的闸门76。沿着上述导入口机构42的开口闸门52的内周部，设有本发明的特征的多孔气体喷射管80和排气口82。

以下，参照图4、图5A和图5B包括上述导入口机构42在内。对上述多孔气体喷射管80和排气口82等的结构详细进行说明。

在这里，图5A表示设置在导入口机构42上的收纳容器体2的横截面图，图5B表示设置在导入口机构42上的收纳容器体2的纵截面图。

首先，如图4、图5A、图5B所示，上述载置台54具有设在其上部的滑动基座84。该滑动基座84以跨越二对导轨86的方式进行设置，可向开口闸门52侧滑动移动。在该滑动基座84的上表面上设有多个在图示的例子中为3个的突起状的定位突起88。通过将设在上述收纳容器体2的底部的定位凹部(未图示)嵌入该定位突起88上来进行定位，可以直接将该收纳容器体2载置在滑动基座84上。

另外，在该滑动基座84的中央部设有可以旋转地构成的旋转钩90(参照图4)。通过将该旋转钩90掛在收纳容器体2的底部的锁紧片(未图示)上，可将收纳容器体2固定在滑动基座84上。另外，在如这样将收纳容器体2固定在滑动基座84上的状态下，通过使滑动基座84向开口闸门52滑动移动，使该收纳容器体2的前方周边部与开口闸门52的周边部抵接。

开口闸门52作成四边形(参照图3)。在开口闸门52的容器体搬送区域34侧的周围形成例如由氟橡胶等制成的密封件92。如上所述，通过使滑动移动的收纳容器体2的前方周边部与该密封件92压紧接触，可以确保该部分的密封性。

另一方面，如上所述设置有从开口闸门52的晶片移载区域36侧，可开闭地关闭开口闸门52的上述开闭门56。该开闭门56的周边部向开口闸门52弯曲，其垂直截面和水平截面者都形成为コ字形。即，开闭门56形成为所谓的一侧开放的箱体。另外，开闭门56设定为比上述开口闸门52的开口尺寸稍大。

在该开闭门56的前端侧周围形成例如由氟橡胶等制成的密封件94。当该密封件94与上述开口闸门52的周边部接触时，可提高该部分的密封性。并且，该开闭门56如上述那样稍微离开分隔壁38，由此，可以沿着导轨60(参照图3)在水平方向只移动规定的距离。

在开闭门56内与它一体地设置有上述盖开闭机构64。盖开闭机构64由作动器95驱动，来开闭上述收纳容器体2的开闭盖12(参照图5A、图5B)。具体而言，盖开闭机构64具有可单独地前进后退的基座96。在该基座96上在水平方向并排设置有可以旋转的一对钩98(参照图4)。通过使该钩98嵌入上述开闭盖12的钩槽18(参照图1A、图1B)中，使钩正反旋转，可以进行锁紧机构14的锁紧和脱开。

但是，在开口闸门52的周边部设有作为本发明的特征的喷射惰性气体的气体喷射装置100、和对通过惰性气体的喷射进行清洗的收纳容器体2内的气氛进行排气的排气装置102。具体而言，上述气体喷射装置100具有沿着内周设在上述开口闸门52上的、由多孔材料作成筒体状的上述多孔气体喷射管80。

该多孔气体喷射管80沿着作成四边形的开口闸门52的四边中垂直的一个边或边缘部立起设置。多孔气体喷射管80设置在不妨碍上述可装拆的开闭盖12的位置上。

作为上述多孔材料可以使用例如由不锈钢构成的金属网眼多孔材料。在中途载置有开闭阀104的气体导入管106与该多孔气体喷射管80的下端连接。气体导入管106可根据需要，供给作为惰性气体的N₂气体。

图6A为多孔气体喷射管80的立体图，图6B为多孔气体喷射管80的垂直截面图。

如图6A、图6B所示，上述多孔气体喷射管80利用具有通气性的多孔材料形成为中空的圆筒体形状，同时其上端部利用密封件108密闭。因此，导入上述多孔气体喷射管80内的N₂气体在该多孔气体喷射管80内上升并沿其全周方向，使气体流的流速降低并放出。在这种情况下，由于N₂气体遍布多孔气体喷射管80的高度方向的整个区域上，并且从其全周放出，因此可以在其流速大大减小的状态下，喷射大量的N₂气体。

该多孔材料具有除去在N₂气体中包含的颗粒的过滤功能。该过滤性能被设定为，可以除去数nm～数百nm范围以上、例如20nm以上大小的颗粒。在图6B中，多孔气体喷射管80的内径H1为4～10mm的程度。外径H2为6～12mm的程度。高度设定为比上述开口闸门52的高度稍小。

作为上述多孔材料，除了上述的不锈钢外，还可以从使用了铝等的金属系多孔材料，使用了氧化铝等陶瓷系多孔材料和使用了特氟隆(注册商标)或PEEK(注册商标)等的树脂系多孔材料所构成的组合中选择一种以上的材料加以使用。

另一方面，上述排气装置102具有设在上述开口闸门52的内周部的上述排气口82。该排气口82设在上述开口闸门52中的设置有多孔气体喷射管80的内周以外的内周部上。具体而言，在这里，上述排气口82为开口闸门52的底边的部分，设在与上述多孔气体喷射管80的设置位置相反一侧的位置上。另外，排气通路110与该排气口82连接，该排气通路110与未图示的工厂排气导管道连接，通过工厂排气导管道等，始终被抽吸。这样，可以对利用上述N₂气体进行清洗的上述收纳容器体2内的气氛进行高效率地抽吸排气。

下面，说明以上这样构成的处理系统的动作。

首先，说明半导体晶片W整个流程。如图2所示，从外部载置在输入口40上的收纳容器体2利用容器体搬送机构58送入成为清洗空气气氛的容器搬送区域34内。接着，收纳容器2在暂时保管在储料器41中后，或不经由储料器41，直接载置在导入口机构42的载置台54上。

接着，利用盖开闭机构64打开收纳容器体2的开闭盖12。然后，利用从气体喷射装置100的多孔气体喷射管80喷射的N₂气体置换收纳容器体2内的清洗空气。然后，再通向横方向滑动移动开闭门56，开放开口闸门52。由此，上述收纳容器体2内向形成为N₂气体气氛的晶片移载区域36开放。

然后，利用上述晶片移载区域36内的被处理体移载机构70，将上述收纳容器体2内的半导体晶片W多块地多块地移载到被处理体舟44上。在晶片W移载结束后，驱动舟升降机构68，将晶片W导入上方的处理容器46内。接着，在处理容器46内对晶片W进行规定的热处理。热处理后的晶片W经过与上述路径相反的路径，向处理系统外方搬出。

下面，参照图7～图9详细说明导入口机构42的动作。

首先，当将收纳容器体2载置在载置台54上时，直接将收纳容器体2载置在滑动基座84(参照图4)上。这时，通过收纳容器体2的底部的定位凹部(未图示)与滑动基座84的定位突起88互相嵌合，收纳容器体2在滑动基座84上被定位。

通过使旋转钩90旋转，旋转钩90与收纳容器体2的锁紧片(未图示)结合，两者一体地固定。另外，使滑动基座84向开口闸门52侧水平移动，使收纳容器体2的周边部与设在开口闸门52中的密封件92抵接。图7表示此时的状态。在该时刻，开口闸门52还被开闭门56完全关闭。

接着，驱动设在开闭门56上的盖开闭机构64，使钩98插入开闭盖12的钩槽18(参照图1A、图1B)中并旋转，由此，解除锁紧机构14。这样，如图8所示，取下开闭盖12，使收纳容器体2内开放。该收纳容器体2内预先有清洁空气的气氛。为了使N₂气体置换清洁的空气，接着，将作为惰性气体的大量N₂气体供给到气体喷射装置100的多孔气体喷射管80内。

供给多孔气体喷射管80内的N₂气体，在多孔气体喷射管80内上升，如箭头112(参照图8)所示，从多孔气体喷射管80的全周喷出。从多孔气体喷射管80喷出的N₂气体流入上述开放的收纳容器体2内，排出收纳容器体2内的清洗空气进行清洗。该被清洗的收纳容器体2内的清洗空气(气氛)从设置在上述多孔气体喷射管80的相反侧的底部的排气装置102的排气口82被抽吸，向系统外排出。

在这里，由于从上述气体喷射装置100供给大量的N₂气体，所以N₂气体在上述气体喷射装置100的气体导入管106内以相当快的流速流动。当该N₂气体被导入上述多孔气体喷射管80内时，该N₂气体遍布多孔气体喷射管80的高度方向的整个区域，并且从其全周放出。因此，大量的N₂气体可以在大大减小流速的状态下从多孔气体喷射管80放出乃至喷射出。在这种情况下，向着晶片W方向喷射的N₂气体全部直接流入收纳容器体2内。

另一方面，向着与晶片W相反一侧的方向喷射的N₂气体，如箭头113(参照图8)所示，在与开闭门56等冲撞反向后，流入上述收纳容器体2内。无论怎样的情况下，N₂气体的流速都大大降低。因此，不会产生收纳在收纳容器体2内的晶片W的位置偏移等，可以迅速地将收纳容器体2内的气氛置换为N₂气体。另外，由于可削弱喷射的N₂气体的冲力，所以因支撑在上述盖开闭机构64上的开闭盖12不松动，而可以抑制颗粒的发生。

另外，因为该多孔气体喷射管80同时存在具有规定的过滤性能的过滤功能，因此，可以除去N₂气体中包含的数nm～数百nm范围以上例如20nm以上的颗粒。从上述多孔气体喷射管80喷射的N₂气体最终被排气口82吸收，向系统外排出。因此，N₂气不会漏出至操作者的操作区域，可以维持高的安全性。

这样，如果利用N₂气体置换收纳容器体2内的气氛，则接着如图9所示，使开闭门56以如箭头114所示那样销微离开开口闸门52的方式进行移动，进一步如箭头116所示，沿着导轨60(参照图3)，向横方向滑动移动。这样，收纳容器体2的内部向为N₂气体气氛的晶片移载区域36侧开放。此后的晶片W的移载如上述。

这样，在本发明中，当利用N₂气体置换收纳容器体2内的气氛时，从设在开口闸门52的内周上的、具有由多孔材料制成的筒体状的多孔气体喷射管80的气体喷射装置100喷射惰性气体。根据这种结构，由于惰性气体从多孔气体喷射管80的整个表面喷射出，所以可以大大降低喷射的惰性气体的冲力或流速。因此，不会产生作为被处理体的半导体晶片W的位置偏移等，可以迅速而平稳地进行惰性气体的置换，可以提高生产率。

(实施例)

在这里，通过使用本实施例的被处理体的导入口机构和现有的被处理体的导入口机构进行N₂气置换的比较实验，对其评价结果进行了说明。所使用的收纳容器体2是可以收纳25块直径为300mm的晶片的容器体，当喷射N₂气时，N₂气体的流量被设定为在因N₂气体流速而不使晶片松动的范围内的最大值。

在现有的舟机构的情况下，N₂气体流量为60～90升/min的程度，到收纳容器体内的氧浓度降低至基准值时，需要145～170秒的程度。与此相对，在本申请发明的被处理体的导入口机构的情况下，N₂气流量能够以160～200升/分的程度供给，到收纳容器体内的氧浓度降低到基准值时，需要110～130秒，这样，可以确认，在本发明的情况下，N₂置换收纳容器体内的气氛的时间，与现有的导入口机构比较，可缩短到3/4的程度。

另外，在上述实施例中，以沿着四边形的开口闸门52的一边设置一根多孔气体喷射管80的情况为例进行了说明，但不限于此，也可以沿着上述排气口82所设有的除去一边以外的其他的边，分别设置2根或3根多孔气体喷射管80。

另外，这里是通过向横方向滑动移动开闭门56，开闭开口闸门52，但不限于此，也可以通过从开口闸门52向上方向滑动移动，或者从开口闸门的52向下方向滑动移动，来开闭开口闸门52。另外，这里，以使用N₂气体作为惰性气体的情况为例说明，但不限于此，也可以使用Ar气体、He气体等稀有气体。

这里，作为处理系统30，对在晶片移载区域36的前段设置容器体搬送区域34的情况进行了说明，但不限于此。也可以采用不设置容器体搬送区域34，而将该部分作为清洁室内的作业区域，操作者直接将收纳容器体2载置在导入口机构42的载置台54上那样结构的处理系统。另外，这里以半导体晶片作为被处理体为例进行了说明，但不限于此。对于玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等也可以使用本发明。

Claims

1.一种被处理体的导入口机构，用于将收纳在具有开闭盖的收纳容器体中的被处理体，从容器体搬送区域取入形成为惰性气体气氛的被处理体移载区域内，其特征在于，包括：

分隔壁，用于分隔所述容器体搬送区域和所述被处理体移载区域之间，具有在与所述收纳容器体抵接的状态下，使所述被处理体通过的开口闸门；

载置台，设在所述容器体搬送区域中，用于载置所述收纳容器体；

开闭门机构，其具有从被处理体移载区域侧能够开闭地关闭所述分隔壁的所述开口闸门的开闭门；

盖开闭机构，设在所述开闭门上，开闭所述收纳容器体的所述开闭盖；

气体喷射装置，用于向所述收纳容器体内喷射惰性气体，具有沿着所述开口闸门的内周部设置并且由多孔材料制成筒体状的多孔气体喷射管；以及

排气装置，设置在所述开口闸门中的除去设置有所述多孔气体喷射管的内周部以外的内周部上，并具有对利用从所述多孔气体喷射管喷射的所述惰性气体清洗的所述收纳容器体内的气氛进行排气的排气口。

2.如权利要求1所述的被处理体的导入口机构，其特征在于：

所述多孔气体喷射管具有过滤器功能，该过滤器功能具有除去大小为数nm～数百nm范围以上的颗粒的过滤性能。

3.如权利要求1所述的被处理体的导入口机构，其特征在于：

所述开闭门的周边部朝向所述开口闸门侧弯曲，其垂直截面和水平截面都成形为コ字形。

4.如权利要求1所述的被处理体的导入口机构，其特征在于：

所述开口闸门形成为四边形，所述多孔气体喷射管沿着所述开口闸门的四边内至多三边设置。

5.如权利要求1所述的被处理体的导入口机构，其特征在于：

所述多孔气体喷射管选由选自金属类多孔材料，陶瓷类多孔材料和树脂类多孔材料中的1种以上的材料构成。

6.一种处理系统，其用于将收纳在具有开闭盖的收纳容器体中的被处理体从容器体搬送区域取入形成为惰性气体气氛的被处理移载区域内，对所述被处理体进行热处理，其特征在于，包括：

被处理体导入口机构，用于从所述容器体搬送区域将所述被处理气体取入所述被处理体移载区域内；

处理容器，其设在所述被处理体移载区域中，用于对所述被处理体实施热处理；

被处理体舟，其设在所述被处理体移载区域中，分多层载置所述被处理体；

舟升降机构，其设在所述被处理体移载区域中，升降所述被处理体舟；使所述被处理体舟插入或脱出所述处理容器内；以及

被处理体移载机构，其设在所述被处理体移载区域中，在所述被处理体舟和开放所述开闭盖的所述收纳容器体之间移载所述被处理体，

所述被处理体导入口机构具有：

分隔壁，用于分隔所述容器体搬送区域和所述被处理体移载区域之间，并具有在与所述收纳容器体抵接的状态下使所述被处理体通过的开口闸门；

载置台，其设在所述容器体搬送区域中，用于载置所述收纳容器体；

开闭门机构，其具有从被处理体移载区域侧可开闭地关闭所述分隔壁的所述开口闸门的开闭门；

盖开闭机构，其设在所述开闭门上，开闭所述收纳容器体的所述开闭盖；

排气装置，其设置在所述开口闸门中的除去设置所述多孔气体喷射管的内周部以外的内周部上，并具有对利用从所述多孔气体喷射管喷射的所述惰性气体清洗的所述收纳容器体内的气氛进行排气的排气口。