CN101221926A - 液晶显示单元结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种液晶显示单元结构及其制造方法，该方法包含下列步骤：于一基板上形成一图案化第一金属层，其包含一第一数据导线段及一下栅极垫；形成一图案化介电层，以于该第一数据导线段上定义多个第一开口以及于该下栅极垫上定义一第二开口；形成一图案化第二金属层，其包含一共享电极线、一第二数据导线段及一上栅极垫，其中，该上栅极垫通过该第一开口与该下栅极垫呈电性连接，以及该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接；形成一图案化保护层；以及形成一图案化透明导电层。采用本发明，可避免寄生电容Cpd效应产生的问题，工艺简单、成本低。
Description
技术领域
本发明涉及一种制造液晶显示单元的方法；尤其涉及一种用于液晶显示器的制造液晶显示单元的方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器亮度不足及背光源耗电高一直是令人垢病的严重问题。影响液晶显示器发光效果的参数之一为像素开口率，像素开口率的定义为像素的透光面积与像素面积的比率。所以像素开口率的设计直接影响背光源的利用率，也影响显示器的显示亮度。因此近年来改善像素开口率，意即增大像素开口率，是非常重要的研发方向。业界也开发新技术以期能使液晶显示器的开口率向上提升，达成具低耗电但高亮度的液晶显示器的目的。
在薄膜晶体管液晶显示器设计中，为了增加开口率，现有技术的方法之一是将像素电极(pixel electrode)(一般是一透明导电电极，例如Indium TinOxide)的面积增加，且与栅极电路及源极/漏极电路重迭，如此可以使得开口率增加10～20％左右。但是此举将使像素电极趋于接近数据导线(dataline)。若两者过于接近，两者间将进一步产生过大的寄生电容(parasiticcapacitance)Cpd。以下进一步说明寄生电容Cpd的影响。
于一般薄膜晶体管元件当中，常于像素电极与数据导线间设置一具有较高的介电常数的介电质，例如SiNx薄膜。较高的介电常数将导致Cpd增大。若寄生电容Cpd的电容值过高，将进一步致使像素电极上充饱的电荷在下一个帧(frame)转换前，受到数据导线传送不同电压的影响，而产生串音效应(crosstalk)。串音效应衍生的电气特性，可能会造成输出错误，同时其所产生的寄生效应会严重地影响信号的完整性，导致薄膜晶体管液晶显示错误，影响液晶显示器显示帧的质量。
目前业界研已存有许多减少寄生电容Cpd效应的方式。图1说明其一方式。于一基板101上设置有共享电极线(common line)103、介电层105、数据导线107、保护层(passivation layer)109以及像素电极111。其中，共享电极线103与像素电极111间形成一储存电容Cs。像素电极111与数据导线107间存在一寄生电容Cpd。此结构的保护层109，使得共享电极线103与像素电极111间的距离增大而降低了寄生电容Cpd的影响。
然而，图1的结构也同时增加了共享电极线103与像素电极111间的距离，使得共享电极线103与像素电极111间的储存电容Cs减少，并进一步导致与储存电容相关的电极表面积必须加大，以维持总储存电容Cst的值。该电极的表面积增加，意味开口率减少。另外，由于增加一保护层109，使得工艺必须更加复杂，而导致生产成本增加。在一具体的实施例中，此方法将造成数据导线107上方的黑色矩阵(black matrix)(图未示出)宽度达20微米(μm)以上。
再者也可于像素电极与数据导线间，设置一稳定电场屏蔽，以降低数据导线对像素电极的寄生电容值。一般的屏蔽方式，常利用一金属屏蔽以包覆导线，产生金属电场屏蔽效应。然金属屏蔽与导线过于接近时，金属屏蔽会受导线的电场耦合(coupling)效应而累积电荷。因此，需额外将金属屏蔽接地或导通一稳定电压，使其同时具有屏蔽作用，及避免金属屏蔽累积电荷。
现有技术的利用金属屏蔽具并有高开口率的结构，如图2所示。该结构于基板201上设有一第一绝缘层203、第二绝缘层205、数据导线207、第三绝缘层209、像素电极211、与储存电极(storage electrode)213。储存电极213设置于数据导线207与像素电极211间，且具共享(common)电位，以用来屏蔽数据导线207与像素电极211间的寄生电容Cpd效应。此方法对于开口率的影响较小，在一具体的实施例中，此方法将可使数据导线207上方的黑色矩阵(图未示出)宽度缩减至10微米(μm)。此方法较一般像素结构而言，必须额外增加一绝缘层及一金属层以为屏蔽用的电极。然而，此将造成工艺复杂化，且不利生产时间与成本。
其它降低寄生电容Cpd的方式，例如增加储存电容的大小，以降低一个子像素单元(sub-pixel)中寄生电容Cpd于总电容Ctotal中所占的影响比例。然而，若采用增加储存电容方式，必须增大与储存电容相关的不透光电极的面积，此也将影响开口率。另一方式也可利用经曝光成型(photo-imaged)及SOG(spin on glass)方式涂敷(coating)有机低介电常数绝缘膜(organicinsulator film，K＝2.7～3.5)于适当处，以降低数据导线与像素电极间的寄生电容效应，甚至进一步使像素电极可以与数据导线重迭。然，若采用有机低介电常数绝缘膜，因该材料易有吸湿(water adsorption)、黄化(yellowed)及界面附着性(interface adhesion)不佳等问题，可能影响工艺良率(yield)及产出速度(throughput)。或再一方式，于设计划素时，将像素电极与数据导线之间的距离保持为大于一定值。然此距离越大，寄生电容Cpd效应虽越小，却也导致像素开口率降低。
前述的各方法虽可以减少前述寄生电容Cpd效应产生的问题，但是仍存在许多缺点，例如影响开口率、使工艺复杂化、不利生产时间与成本等。数据导线与像素电极间的寄生电容Cpd效应问题仍为此一业界亟待解决的问题。有鉴于此，提供一制造液晶显示单元的方法，并能改善寄生电容Cpd效应问题为此一业界所殷切期盼者。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供液晶显示单元结构及其制造方法，可避免现有技术寄生电容Cpd效应产生的问题及为解决此一问题而造成的工艺复杂化、不利生产时间与成本等缺点。
为实现上述目的，本发明提供一种制造一液晶显示单元结构的方法，包含：于一基板上形成一图案化第一金属层，其包含一第一数据导线段及一下栅极垫；形成一图案化介电层，以于该第一数据导线段上定义多个第一开口以及于该下栅极垫上定义一第二开口；形成一图案化第二金属层，其包含一共享电极线、一第二数据导线段及一上栅极垫，其中，该上栅极垫通过该第一开口与该下栅极垫呈电性连接，以及该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接；形成一图案化保护层；以及形成一图案化透明导电层。
而且，为实现上述目的，本发明提供一种制造一液晶显示单元结构的方法，包含：于一基板上形成一图案化第一金属层，其包含一栅极导线、一第一数据导线段及一下栅极垫；在该基板上依序形成一介电层、一半导体层及一光刻胶层；使用半调光掩膜进行微影程序；移除部分该光刻胶层，形成多个第一开口以曝露该第一数据导线段两端上方的该半导体层表面，及至少形成一第二开口以曝露该下栅极垫上方的该半导体层表面；移除该些第一开口及该第二开口内的该半导体层及/或其下的该介电层；移除部份该光刻胶层，使残余的该光刻胶层至少位于该栅极导线上方；移除未被该光刻胶层覆盖的该半导体层；移除剩余的该光刻胶层，以形成一图案化介电层及一图案化半导体层；形成一图案化第二金属层于该图案化介电层及该图案化半导体层上，其包含一共享电极线、一第二数据导线段及一上栅极垫，其中，该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接，该上栅极垫通过该第二开口与该下栅极垫呈电性连接；形成一图案化保护层；以及形成一图案化透明导电层。
而且，为实现上述目的，本发明提供一种制造液晶显示单元结构的方法，包含：于一基板上依序形成一第一数据导线段及覆盖该第一数据导线段的一图案化介电层，其中，该图案化介电层具有多个第一开口位于该第一数据导线段两端；形成一图案化半导体层于该数据导线上方；形成一第二数据导线段以及一共享电极线于该图案化半导体层上，其中该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接；形成一图案化保护层；以及形成一图案化透明导电层。
而且，为实现上述目的，本发明提供一种制造液晶显示单元结构的方法，包含：于一基板上依序形成一第一数据导线段及覆盖该数据导线的一介电层；形成一第一半导体层；形成一蚀刻停止层于该第一数据导线段上方的该第一半导体层上；形成一第二半导体层于该第一半导体层及该蚀刻停止层上；蚀刻该介电层、该第一半导体层及该第二半导体层，以于该介电层上定义多个第一开口，以暴露该第一数据导线段的两端，并图案化该介电层、该第一半导体层及该第二半导体层；形成一第二数据导线段以及一共享电极线于该图案化第二半导体层上，其中该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接；形成一图案化保护层；以及形成一图案化透明导电层。
而且，为实现上述目的，本发明提供一种液晶显示单元结构，包含：一第一数据导线段形成于一基板上；一图案化介电层覆盖该第一数据导线段；一图案化第一半导体层形成于该图案化介电层上；一图案化第二半导体层形成于该图案化第一半导体层上；以及一共享电极线及一第二数据导线段形成于该图案化第二半导体层上；其中，该图案化介电层于第一数据导线段两端具有多个第一开口，供该第一数据导线段电性连接该第二数据导线段。
采用本发明，可避免寄生电容Cpd效应产生的问题，工艺简单、成本低。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为现有技术的示意图；
图2为另一现有技术的示意图；
图3A至图3N为本发明第一实施例的工艺示意图，其中图3E至图3H使用半调(halftone)光掩膜进行微影程序及蚀刻程序工艺以形成图3D的工艺示意图；
图4A至图4L为本发明第二实施例的工艺示意图；以及
图5A至图5L为本发明第三实施例的工艺示意图。
其中，附图标记：
101、201、301、401、501：基板103、3071、4071、5071：共享电极线
105、305’、405’、505’：介电层 107、207：数据导线
109：保护层 111、211：像素电极
203：第一绝缘层 205：第二绝缘层
209：第三绝缘层 213：储存电极
3011：晶体管区域 303、403、503：图案化第一金属层
3033：下栅极垫 3031、4031、5031：第一数据导线段
3035、4035、5035：栅极导线 305、405、505：图案化介电层
307：图案化第二金属层 3075、4075、5075：源/漏极电极
3073：上栅极垫 3077、4077、5077：第二数据导线段
309、409、509：图案化保护层 311、411、511：图案化透明导电层
313、413：图案化半导体层 313’：半导体层
3131’、5131’：第一半导体层 3133’、5133’：第二半导体层
321：第三开口 319、417、517：第一开口
315：光刻胶层 317、421、521：第二开口
3131、4131、5131：图案化第一半导体层
3133、4133、5133：图案化第二半导体层
515：蚀刻停止层
具体实施方式
图3A至图3N为本发明第一实施例的示意图。图3A为图3B的上视图，图3B为对应图3A中剖面线AA’、BB’、CC’及DD’的剖面示意图。首先参考图3B，在一基板301上形成图案化第一金属层303。基板301一般常为玻璃基板，尤其不含碱金属离子(如钠、钾离子)且低热膨胀率的玻璃。基板301经过适当的清洗后，使用适当的方法，例如沉积或者溅镀(sputter)的方法，将金属材料全面涂敷于基板301上，之后，利用显影及蚀刻工艺将不需要的金属材料移除，使金属材料于基板301上形成图案化第一金属层303。另也可使用印刷或类似印刷的方式，直接于基板301上形成一图案化第一金属层303。本领域技术人员可知形成图案化第一金属层303不限前述的方法，可视使用上的需要，选用其它的方法。
承上所述，可依据工艺上的需求，选择形成图案化第一金属层303的材料，其可为钼(molybdenum)、钽(tantalum)、铬(Chromium)、钨(tungsten)、铝(aluminum)、其它可导电的金属或前述金属的合金。图案化第一金属层303也可包含于一多层(multi-layer)结构之中，例如先设置一阻障层(barrier layer)，再于该阻障层上形成图案化第一金属层303，以避免金属离子沉积时扩散入基板。
前述所形成的图案化第一金属层303包含一第一数据导线段3031、一下栅极垫3033及一栅极导线3035。其中，该栅极导线3035位于液晶显示单元结构中的一晶体管区域3011内且与该下栅极垫3033呈电性连接。
继续参考图3C及图3D，其中图3C为图3D的上视图，形成一图案化介电层305与一图案化半导体层313。图案化介电层305包含于第一数据导线段3031上定义多个第一开口319以暴露第一数据导线段3031的端点，以及于下栅极垫3033上方，以一暴露下栅极垫3033的第二开口317。常用的实施方式如下，但可视使用上的需要，选用其它的方法、步骤或进行顺序，而不以此为限：利用化学气相沉积(CVD)方法依序将介电材料及半导体材料全面设置于基板301上。再利用微影及蚀刻方式，形成一图案化介电层305及图案化半导体层313。前述图案化介电层305的介电材料可为氮化硅或其它材料。
另一常用的实施方法，可利用化学气相沉积的方法将一介电材料全面涂敷于基板301上，之后，利用显影及蚀刻工艺将不需要的介电材料移除，形成图案化介电层305，其中包含前述的第一开口319及第二开口317。接着，利用化学气相沉积的方法将半导体材料全面涂敷于基板301上，并利用显影及蚀刻工艺将不需要的半导体材料移除，形成前述的半导体层313，其结果仍然如图3D所示。
图案化半导体层313位于液晶显示单元结构中的晶体管区域3011内的图案化介电层305上。可视使用上的需要，半导体层313可包含于多层结构中。以下，将以图案化半导体层313包含图案化第一半导体层3131以及于其上的图案化第二半导体层3133为例进行说明。例如，但不以此为限，图案化第一半导体层3131可为一非晶硅层(amorphous-silicon layer)，图案化第二半导体层3133可为一N型离子重掺杂非晶硅层，其中图案化第二半导体层3133于该图案化第一半导体层3131的上方利用植入、沉积或其它方法将N型离子掺杂入图案化第一半导体层3131所形成。前述的半导体材料可为非晶硅层或其它材料。
为取得较有利的液晶显示面板的生产时间，再另一常用的实施方法也即选用可降低工艺次数的半调光掩膜(half-tone mask)，以进行微影程序及蚀刻程序，以获致图3D的结构。图3E至图3H是使用半调光掩膜进行微影程序及蚀刻程序工艺以形成图3D的结构，说明如下。首先参考图3E，于基板301上依序形成介电层305’、一半导体层313’以及光刻胶层315。其中，半导体层313’包含第一半导体层3131’以及于其上的第二半导体层3133’。于预定形成第一开口319及第二开口317之初，也即下栅极垫3033上方及部分第一数据导线段上方3031，分别移除部份半导体层313’的表面。然后，续参图3F，进行蚀刻程序以移除第一开口319及第二开口317内经暴露的半导体层313’。于此，可选择性决定是否进一步移除第一开口319及第二开口317内的部分介电层305’。为便于说明起见，以下将以已移除第一开口319及第二开口317内的部分介电层305’的态样进行说明。
之后，如图3G所示，进行光刻胶层315移除工艺，再除去另一部份的光刻胶层315。于此步骤中，至少于栅极导线3035上方留存部份光刻胶层315，并至少暴露第一数据导线段3031上的半导体层313’。其后，如图3H所示，移除未被该光刻胶层315覆盖的半导体层313’，以形成图案化半导体层313。同时若于图3F的步骤中选择于第一开口319及第二开口317内残留部分介电层305’，也于此步骤中同时移除，以形成图案化介电层305，并暴露第一数据导线段3031的端点(即第一开口319处)及暴露下栅极垫3033(即第二开口317处)。最后，进行第二次光刻胶材料移除工艺，移除剩余的光刻胶层315以形成如图3D的结构。
续参考图3I及图3J，其中图3I为图3J的上视图，形成一图案化第二金属层307，此设计可在显示区域也可在周围电路区域。所形成的图案化的第二金属层307包含共享电极导线3071、上栅极垫3073、源/漏极电极3075及第二数据导线段3077。其中，源/漏极电极3075设置于栅极导线3035上方的部分图案化半导体层313上且与该重迭部分图案化半导体层313呈电性连接。图案化第二金属层307通过该第一开口319及第二开口317，与图案化第一金属层303呈电性连接。详言之，第一数据导线段3031通过第一开口319与第二数据导线段3077呈电性连接，如此，致使第一数据导线段3031与第二数据导线段3077共同组成液晶显示单元所必须的数据导线；上栅极垫3073通过第二开口317与下栅极垫3033呈电性连接，如此，也致使栅极导线3035与上栅极垫3073呈电性连接。
常用的形成图案化第二金属层307方式如下，但可视使用上的需要，选用其它的方法、步骤或进行顺序，而不以此为限：利用溅镀的方法全面涂敷金属材料，再利用显影及蚀刻工艺将不需要的金属材料移除，以形成图案化的第二金属层307。视应用上的需要，图案化第二金属层307所使用的材料可与图案化第一金属层303相同或不同。另外，由于本实施例中图案化半导体层313包含图案化第一半导体层3131及图案化第二半导体层3133，所以通常会利用干蚀刻方法或其它方法于栅极导线上方，蚀刻图案化第二半导体层3133以进一步暴露图案化第一半导体层3131。
再参考图3K及图3L，其中图3K为图3L的上视图，形成一图案化保护层309。形成方式如下(但不以此为限)，利用化学气相沉积的方法全面形成一介电材料层。之后，再利用显影及蚀刻工艺将不需要的介电材料移除，以形成图案化保护层309。其中，包含于一下栅极垫3033上方，第二开口317内，暴露部分上栅极垫3073的上表面，以及于源/漏极电极3075上的适当处形成一第三开口321以暴露部分源/漏极电极3075。当然，可视使用上的需要，也可选用其它的方法、步骤或进行顺序以形成图案化保护层309。图案化保护层309所使用的材料可为氮化硅或其它材料。
最后，参考图3M及图3N，其中图3M为图3N的上视图，形成一图案化透明导电层311，其中图案化透明导电层311通过第三开口321与源/漏极电极3075呈电性连结，以及通过第二开口317与上栅极垫3073呈电性连结。通常利用溅镀的方法全面涂敷导电材料。之后，再利用显影及蚀刻工艺将不需要的导电材料移除，以形成图案化透明导电层311。当然，视工艺的需要，也可选用其它的方法以形成图案化透明导电层311。图案化透明导电层311所使用的材料可为氧化铟锡(Indium Tin Oxide)或其它材料。
图4A至图4L为本发明第二实施例的示意图。图4A是图4B的上视图，图4B为对应图4A中剖面线AA’、BB’及CC’的剖面示意图。本领域技术人员当可理解，第一实施例中的步骤可应用于本实施例，故本实施例部分内容将适度省略。首先参考图4B，于一基板401上形成图案化第一金属层403。图案化第一金属层403包含一第一数据导线段4031及一栅极导线4035。
续参参考图4C及图4D，其中图4C为图4D的上视图，形成一介电层405’。之后，形成一图案化半导体层413于部分第一数据导线段4031与栅极导线4035上方。其中，图案化半导体层413包含图案化第一半导体层4131及图案化第二半导体层4133。图案化第一半导体层4131可为一非晶硅层，图案化第二半导体层4133可为一N型离子重掺杂非晶硅层，但不以此为限。形成该图案化半导体层413的步骤如下，但不以此为限：先广泛形成一第一半导体层于介电层405’上，再形成一第二半导体层于该第一半导体层上，然后进行一微影及蚀刻程序同时将第一半导体层及第二半导体层图案化，以形成图案化半导体层413。或者，也可分别形成图案化第一半导体层4131及图案化第二半导体层4133，以形成图案化半导体层413。
之后，如图4E及图4F所示，图4E为图4F的上视图，移除部分介电层405’以形成图案化介电层405，其中包含于该第一数据导线段端点上方的介电层405’中形成多个第一开口417。参考图4G及图4H，其中图4G为图4H的上视图，于该些第一开口417内的第一数据导线段4031上、部分数据导线4031上方的该图案化第二半导体层4133上、以与栅极导线4035上方的该图案化第二半导体层4133上，分别形成一第二数据导线段4077、一共享电极线4071以及一源/漏极电极4075。其中，该第二数据导线段4077是可通过该些第一开口417与该第一数据导线段4031呈电性连接，而源/漏极电极4075则与栅极导线4035上方的该图案化第二半导体层4133呈电性连接。
再参考参考图4I及图4J，其中图4I图4J的上视图，形成一图案化保护层409，并于源/漏极电极4075上的适当处形成一第二开口421以暴露部分源/漏极电极4075。保护层409所使用的材料可为氮化硅或其它材料。最后，参考图4K及图4L，其中图4K图4L的上视图，形成一图案化透明导电层411，其中图案化透明导电层411通过第二开口421与源/漏极电极4075呈电性连结。图案化透明导电层411所使用的材料可为氧化铟锡或其它材料。
图5A至图5L为本发明另一实施例的示意图。图5A为图5B的上视图，图5A为对应图5B中剖面线AA’、BB’及CC’的剖面示意图。本领域技术人员当可理解，第一实施例中的步骤可应用于本实施例，故本实施例部分内容将适度省略。首先参考图5B，于一基板501上形成图案化第一金属层503。图案化第一金属层503包含一第一数据导线段5031及一栅极导线5035。
续参图5C及图5D，其中图5C图5D的上视图，形成一介电层505’。之后，形成一第一半导体层5131’。接续形成一蚀刻停止层515于部分第一数据导线段5031与栅极导线5035上方。然后参考图5E及图5F，其中图5E图5F的上视图，形成一第二半导体层5133’于该第一半导体层5131’上及蚀刻停止层515上。其中，图案化第一半导体层5131可为一非晶硅层，图案化第二半导体层5133可为一N型离子重掺杂非晶硅层，蚀刻停止层的材料可选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅及有机材料所组成的群族之一及其组合，只要能达到蚀刻停止目的的材料均可。
接续参考图5G及图5H，其中图5G图5H的上视图，蚀刻该介电层505’、第一半导体层5131’及第二半导体层5133’，以形成图案化介电层505、图案化第一半导体层5131以及图案化第二半导体层5133。同时，于该介电层505’中定义多个第一开口517，以暴露该第一数据导线段5031的端点。然后，同时形成一第二数据导线段5077于第一开口517内、一共享电极线5071于部分第一数据导线段5031上方以及一源/漏极电极5075于栅极导线5035上方的图案化第二半导体层5133上。其中，该第二数据导线段5077通过该些第一开口517与该第一数据导线段5031呈电性连接，而源/漏极电极5075则与栅极导线5035上方的部分图案化第二半导体层5133呈电性连接。
再参考图5I及图5J，其中图5I为图5J的上视图，形成一图案化保护层509，并于源/漏极电极5075上的适当处形成一第二开口521以暴露部分源/漏极电极5075。保护层509所使用的材料可为氮化硅或其它材料。最后，参考图5K及图5L，其中图5K为图5L的上视图，形成一图案化透明导电层511，其中图案化透明导电层511通过第二开口521与源/漏极电极5075呈电性连结。图案化透明导电层511所使用的材料可为氧化铟锡或其它材料。
综上所述，本发明通过形成共享电极于部分数据线上方的手段，有效应用于制造液晶显示单元的方法，以达到以解决寄生电容Cpd效应问题的功效。若搭配半调光掩膜(half-tone mask)进行微影程序，则可进一步使工艺简化、节省生产时间与成本等；倘若更进一步于图案化透明导电层及数据导线间设置前述半导体层及/或蚀刻停止层，则更可进一步减少数据导线传输信号时的负载。本发明实具产业利用价值。
上述各实施例，均不限于附图所示的内容，尤其本领域技术人员参酌在此揭露的技术内容，当能思及各式不同的实施样态、实施方法、实施步骤或实施的进行顺序。例如，可视需求于第一实施例中的图案化第一半导体层3131及图案化第二半导体层3133之间再设置一介电材料层以为蚀刻停止层或于各实施例中的各金属层下设置一阻障层。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (17)
1.一种制造一液晶显示单元结构的方法，其特征在于，包含：
于一基板上形成一图案化第一金属层，其包含一栅极导线、一第一数据导线段及一下栅极垫；
在该基板上依序形成一介电层、一半导体层及一光刻胶层；
使用半调光掩膜进行微影程序；
移除部分该光刻胶层，形成多个第一开口以曝露该第一数据导线段两端上方的该半导体层表面，及至少形成一第二开口以曝露该下栅极垫上方的该半导体层表面；
移除该些第一开口及该第二开口内的该半导体层及/或其下的该介电层；
移除部份该光刻胶层，使残余的该光刻胶层至少位于该栅极导线上方；
移除未被该光刻胶层覆盖的该半导体层；
移除剩余的该光刻胶层，以形成一图案化介电层及一图案化半导体层；
形成一图案化第二金属层于该图案化介电层及该图案化半导体层上，其包含一共享电极线、一第二数据导线段及一上栅极垫，其中，该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接，该上栅极垫通过该第二开口与该下栅极垫呈电性连接；
形成一图案化保护层；以及
形成一图案化透明导电层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该形成该图案化保护层的步骤包含：
形成一保护层；以及
至少移除该第二开口上方的该保护层以暴露该第二开口内的该上栅极垫。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该图案化第二金属层还包含位于该栅极导线上方的一源/漏极电极。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该图案化半导体层包含一非晶硅层及一N型离子重掺杂非晶硅层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该保护层包括一氮化硅层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该透明导电层包括一氧化铟锡层。
7.一种制造液晶显示单元结构的方法，其特征在于，包含：
于一基板上依序形成一第一数据导线段及覆盖该第一数据导线段的一图案化介电层，该图案化介电层具有多个第一开口位于该第一数据导线段两端；
形成一图案化半导体层于该数据导线上方；
形成一第二数据导线段以及一共享电极线于该图案化半导体层上，该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接；
形成一图案化保护层；以及
形成一图案化透明导电层。
8.根据权利要求7的方法，其特征在于，该图案化半导体层包含一图案化第一半导体层及其上的图案化第二半导体层。
9.根据权利要求8的方法，其特征在于，形成该图案化半导体层的步骤包含：
形成一第一半导体层；
形成一第二半导体层于该第一半导体层上；以及
进行一微影及蚀刻程序以同时将该第一半导体层及该第二半导体层图案化。
10.根据权利要求8的方法，其特征在于，形成该图案化半导体层的步骤包含：
形成一图案化第一半导体层；以及
形成一图案化第二半导体层于该图案化第一半导体层上。
11.一种制造液晶显示单元结构的方法，其特征在于，包含：
于一基板上依序形成一第一数据导线段及覆盖该数据导线的一介电层；
形成一第一半导体层；
形成一蚀刻停止层于该第一数据导线段上方的该第一半导体层上；
形成一第二半导体层于该第一半导体层及该蚀刻停止层上；
蚀刻该介电层、该第一半导体层及该第二半导体层，以于该介电层上定义多个第一开口，以暴露该第一数据导线段的两端，并图案化该介电层、该第一半导体层及该第二半导体层；
形成一第二数据导线段以及一共享电极线于该图案化第二半导体层上，该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接；
形成一图案化保护层；以及
形成一图案化透明导电层。
12.一种制造一液晶显示单元结构的方法，其特征在于，包含：
于一基板上形成一图案化第一金属层，其包含一第一数据导线段及一栅极导线及下栅极垫；
形成一图案化介电层，以于该第一数据导线段上定义多个第一开口以及于该下栅极垫上定义一第二开口；
形成一图案化第二金属层，其包含一共享电极线、一第二数据导线段及一上栅极垫，该上栅极垫通过该第一开口与该下栅极垫呈电性连接，以及该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接；
形成一图案化保护层；以及
形成一图案化透明导电层。
13.一种液晶显示单元结构，其特征在于，包含：
一第一数据导线段设置于一基板上；
一图案化介电层覆盖该第一数据导线段；
一图案化第一半导体层设置于该图案化介电层上；
一图案化第二半导体层设置于该图案化第一半导体层上；以及
一共享电极线及一第二数据导线段设置于该图案化第二半导体层上；
该图案化介电层于第一数据导线段两端具有多个第一开口，以供该第一数据导线段电性连接该第二数据导线段。
14.根据权利要求13所述的结构，其特征在于，还包含一蚀刻停止层于该图案化第一半导体层及该图案化第二半导体层之间。
15.根据权利要求13所述的结构，其特征在于，该图案化第一半导体层为一非晶硅层。
16.根据权利要求13所述的结构，其特征在于，该图案化第二半导体层为一N型离子重掺杂非晶硅层。
17.根据权利要求13所述的结构，其特征在于，该蚀刻停止层材料选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅及有机材料所组成的群族之一及其组合。
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