CN101226337A - 除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置及方法,该装置包括一激光光源、一透镜组以及一平台。平台与透镜组保持一适当的距离,并供容纳与放置具有护膜的掩模。从该激光光源发出的激光经过该透镜组投射至平台上,且投射至平台的激光穿过护膜并除去位于掩模上的杂质。本发明的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的方法的一较佳实施例包括下列步骤:提供一激光光源以及一平台;将具有护膜的掩模放置于平台上;以及使激光从激光光源投射至平台,并穿过该护膜,从而除去位于掩模上的杂质。本发明的优点在于:不必拆卸薄膜也能清除掩模上的杂质或异物。
Description
技术领域
本发明涉及一种除去掩模上的杂质的装置及方法,特别涉及一种除去被薄膜覆盖的掩模上的杂质的装置及方法。
背景技术
在公知的掩模的制造过程中,当一基材经由蚀刻而形成图案后,就成为可利用的掩模,形成图案的掩模若在图形中产生缺陷,则必须经过掩模激光修整机(photomask laser repair machine)对图案进行修整,然后经过清洗并在掩模上覆盖一薄膜(pellicle)以保护掩模上的图案,避免图案受损或异物附着于掩模上而影响曝光显影的结果。当掩模被薄膜覆盖了以后,会对掩模进行一缺陷检验,以检验掩模中是否存在杂质或异物,若测出存在会影响曝光显影的异物,则必须拆除薄膜(薄膜拆卸后就无法再度使用),通过掩模激光修整机对清洗过程中所产生的损伤做修补,重新清洗掩模,然后再覆盖一新的薄膜,之后才能出厂,这样的过程不仅耗时,同时会增加薄膜的用量,由于薄膜相当昂贵,由此也会增加成本,因此希望发展出一种不必拆卸薄膜也能清除掩模上的杂质或异物的方法。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种不必拆卸薄膜也能清除掩模上的杂质或异物的装置及方法。
本发明的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置的一较佳实施例包括一激光光源、一透镜组以及一平台。平台与透镜组保持一适当的距离,并供容纳与放置具有护膜的掩模。从该激光光源发出的激光经过透镜组投射至平台上,且投射至平台的激光穿过护膜并除去位于掩模上的杂质。
上述较佳实施例中的装置还包括用于观测掩模图形的一观测元件,该观测元件可为一光耦合器,观测元件可通过穿过该掩模的汞光源,或者是从该掩模反射的汞光源,来观测位于该掩模上的杂质。
在上述较佳实施例中,激光光源可为脉冲激光(pulse laser)或连续光波激光(continuous wave laser)。
在上述较佳实施例中,透镜组包括多个透镜,所述透镜的放大倍率均不相同,激光通过所述透镜中的一个透镜投射至平台上。
本发明的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的方法的一较佳实施例包括下列步骤:提供一激光光源以及一平台;将具有护膜的掩模放置于该平台上;以及使激光从该激光光源投射至该平台,并穿过该护膜,从而除去位于该掩模上的杂质。
上述的较佳实施例中的方法还包括下列步骤:提供一透镜组,该透镜组具有多个透镜,所述透镜具有不同的放大倍率;根据该杂质的尺寸,使该激光通过所述透镜中的一个透镜投射至该平台。
上述的较佳实施例中的方法还包括下列步骤:提供一观测元件;利用该观测元件观测该掩模。
上述的较佳实施例中的方法还包括下列步骤:利用穿过该掩模的任意波长范围的光源来观测该掩模,在一优选方案中,利用穿过该掩模的汞光源来观测该掩模。
上述的较佳实施例中的方法还包括下列步骤:利用从该掩模反射的任意波长范围的光源来观测该掩模,在一优选方案中,利用从该掩模反射的汞光源来观测该掩模。
与传统技术相比,本发明的优点在于:不必拆卸薄膜也能清除掩模上的杂质或异物。
为了使本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举一较佳实施例,并配合所附附图,进行如下详细说明。
附图说明
图1为本发明的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置的示意图。
图2表示激光穿过护膜而击中位于掩模上的杂质的机制。
图3为NEC SL458型的掩模激光修整机的示意图。
其中,附图标记说明如下:
3杂质 5护膜 7掩模 10激光光源
20机体 30透镜组 40平台 50光管路
60反射镜 70观测元件 80气体喷头 90气体供给管
具体实施方式
图1为本发明的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置,该装置包括一激光光源10、机体20、透镜组30、平台40、光管路50、反射镜60以及观测元件70。当在已覆盖护膜5的掩模7上检测出存在有杂质时,将覆盖有护膜5的掩模7放置于平台40上,激光从激光光源10经过机体20并通过透镜组30调整照射的范围,然后穿过护膜5击中位于掩模7上的杂质,如图2所示,通过激光的能量将杂质3燃烧或击碎成粒径更小的颗粒,只要颗粒的粒径小于会影响曝光显影的临界值以下,即可达到要求。由于在掩模7上需要移除杂质的区域都是曝光显影时的曝光区,因此激光在击中杂质3后会穿透掩模7而进入光管路50中,经由反射镜60反射进入观测元件70中,由此可以观测掩模7的修整后的图形,并检测杂质3是否已经被击灭或击碎至不致影响曝光的极微小颗粒。激光光源10的形式可为脉冲激光或连续光波激光。
上述的透镜组30包括多个透镜,这些透镜具有不同的倍率,使用不同的透镜可以改变激光照射的范围,因此根据观测元件70所观测到的杂质粒径的大小来选择使用不同的透镜。另外,在本实施例中,观测元件70使用光耦合器(CCD),但不限于此,也可以使用其它观测元件。在本实施例中,观测元件70是通过穿透掩模7的汞光源来观测掩模图形,在另一实施例中,观测元件70也可以设置于平台40的上方,通过从掩模7反射的汞光源来观测掩模图形,这两个实施例的不同之处在于,若通过穿透掩模7的光源进行观测,则掩模图形的曝光区显示的是亮区,而杂质部分显示为暗区;若通过从掩模7反射的光源进行观测,则掩模图形的曝光区显示的是暗区,而杂质部分显示为亮区。亦即,观测元件可通过穿过掩模的任意波长范围的光源来观测位于掩模上的杂质,也可通过从该掩模反射的任意波长范围的光源来观测位于掩模上的杂质。
由于在掩模的制造过程中,掩模激光修整机是具有激光光源的装置,因此也可以将掩模激光修整机改装成除去位于被护膜覆盖的掩模表面上的杂质的装置,以NEC SL458型的掩模激光修整机为例,如图3所示,除了照射激光的动作模块部分之外,在平台40上还包括有可实施化学汽相沉积的模块,该模块包括一气体喷头(gas port)80以及一气体供给管(gas tube)90。激光可从气体喷头80的通孔82照射至掩模7,将掩模图案中多余的部分削除,化学汽相沉积的模块则可修补掩模图案中的缺陷。在NEC SL458型的掩模激光修整机中,由于掩模放置于平台40及气体喷头80之间,其间的空间过于狭小,无法容纳已覆盖护膜5的掩模7,因此若要置入已覆盖护膜5的掩模7,必须将化学汽相沉积的模块(包括气体喷头80以及气体供给管90)移除,使平台40与透镜组30之间具有足够的空间,以容纳已覆盖护膜5的掩模7,并重新设定机体20内的激光控制参数。
本发明对于掩模及护膜的形态并无限定,任何形态的掩模与护膜均可使用。杂质的形态包括有机物及无机物,或者是掩模表面图形的材质(如铬(Chrome)、MoSiNOx)的残留物或碎屑等。有机物可由激光的能量燃烧而被除去,而无机物或掩模表面图形的材质的残留物或碎屑则可通过激光的能量而被击碎成粒径更小的极细微颗粒。
虽然上面以较佳实施例公开了本发明,但其并非用以限定本发明,本领域的技术人员在不脱离本发明的构思和范围内可进行各种改动与修改,因此本发明的保护范围由权利要求书所请求保护的范围来限定。
Claims (12)
1.一种除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置,包括:
一激光光源;
一透镜组;以及
一平台,其与该透镜组保持一适当的距离,并供容纳与放置具有护膜的掩模,其中从该激光光源发出的激光经过该透镜组投射至该平台上,且投射至该平台的激光穿过该护膜并除去位于该掩模上的杂质。
2.如权利要求1所述的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置,其中,该装置还包括用于观测该掩模的一观测元件。
3.如权利要求2所述的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置,其中,该观测元件为一光耦合器。
4.如权利要求2所述的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置,其中,该观测元件通过穿过该掩模的任意波长范围的光源来观测位于该掩模上的杂质。
5.如权利要求2所述的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置,其中,该观测元件通过从该掩模反射的任意波长范围的光源来观测位于该掩模上的杂质。
6.如权利要求1所述的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置,其中,该激光光源为脉冲激光或连续光波激光。
7.如权利要求1所述的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的装置,其中,该透镜组包括多个透镜,所述透镜的放大倍率均不相同,激光通过所述透镜中的一个透镜投射至该平台上。
8.一种除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的方法,该方法包括下列步骤:
提供一激光光源以及一平台;
将具有护膜的掩模放置于该平台上;以及
使激光从该激光光源投射至该平台,并穿过该护膜,从而除去位于该掩模上的杂质。
9.如权利要求8所述的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的方法,其中,该方法还包括下列步骤:
提供一透镜组,该透镜组具有多个透镜,所述透镜具有不同的放大倍率;
根据该杂质的尺寸调整激光的能量大小,使激光通过所述透镜中的一个透镜投射至该平台。
10.如权利要求9所述的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的方法,其中,该方法还包括下列步骤:
提供一观测元件;
利用该观测元件观测该掩模。
11.如权利要求10所述的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的方法,其中,该方法还包括下列步骤:
利用穿过该掩模的任意波长范围的光源来观测该掩模。
12.如权利要求10所述的除去位于被护膜覆盖的掩模上的杂质的方法,其中,该方法还包括下列步骤:
利用从该掩模反射的任意波长范围的光源来观测该掩模。
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101834118A (zh) * | 2009-03-09 | 2010-09-15 | 株式会社日立高新技术 | 掩膜构件的清洗装置及清洗方法以及有机el显示器 |
| CN102034937A (zh) * | 2009-09-28 | 2011-04-27 | 株式会社日立高新技术 | 有机el用掩模清洗方法、有机el用掩模清洗装置及有机el显示器的制造装置 |
| CN102236248A (zh) * | 2010-04-20 | 2011-11-09 | 株式会社Cowindst | 用于修复半色调掩模的方法和系统 |
| CN102650031A (zh) * | 2012-04-19 | 2012-08-29 | 彩虹(佛山)平板显示有限公司 | 一种mask表面附着有机物的清除方法 |
| CN103394490A (zh) * | 2008-09-17 | 2013-11-20 | 株式会社日立高新技术 | 有机el用掩模清洁装置及方法 |
| CN101788770B (zh) * | 2009-01-26 | 2014-05-14 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 组装薄胶膜于光掩模上的方法、设备及其组装体 |
| CN107209451A (zh) * | 2015-02-03 | 2017-09-26 | Asml荷兰有限公司 | 掩模组件和相关联的方法 |
| WO2019024091A1 (zh) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 激光修复方法和激光修复设备 |
| TWI673566B (zh) * | 2018-02-13 | 2019-10-01 | 特銓股份有限公司 | 光罩洗淨設備以及光罩洗淨方法 |
-
2007
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103394490A (zh) * | 2008-09-17 | 2013-11-20 | 株式会社日立高新技术 | 有机el用掩模清洁装置及方法 |
| CN101788770B (zh) * | 2009-01-26 | 2014-05-14 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 组装薄胶膜于光掩模上的方法、设备及其组装体 |
| CN101834118A (zh) * | 2009-03-09 | 2010-09-15 | 株式会社日立高新技术 | 掩膜构件的清洗装置及清洗方法以及有机el显示器 |
| CN101834118B (zh) * | 2009-03-09 | 2012-12-26 | 株式会社日立高新技术 | 掩膜构件的清洗装置及清洗方法以及有机el显示器 |
| CN102034937A (zh) * | 2009-09-28 | 2011-04-27 | 株式会社日立高新技术 | 有机el用掩模清洗方法、有机el用掩模清洗装置及有机el显示器的制造装置 |
| CN102236248A (zh) * | 2010-04-20 | 2011-11-09 | 株式会社Cowindst | 用于修复半色调掩模的方法和系统 |
| CN102650031A (zh) * | 2012-04-19 | 2012-08-29 | 彩虹(佛山)平板显示有限公司 | 一种mask表面附着有机物的清除方法 |
| CN107209451A (zh) * | 2015-02-03 | 2017-09-26 | Asml荷兰有限公司 | 掩模组件和相关联的方法 |
| US11029595B2 (en) | 2015-02-03 | 2021-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Mask assembly and associated methods |
| US11086213B2 (en) | 2015-02-03 | 2021-08-10 | Asml Netherlands B.V. | Mask assembly and associated methods |
| US11635681B2 (en) | 2015-02-03 | 2023-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Mask assembly and associated methods |
| WO2019024091A1 (zh) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 激光修复方法和激光修复设备 |
| TWI673566B (zh) * | 2018-02-13 | 2019-10-01 | 特銓股份有限公司 | 光罩洗淨設備以及光罩洗淨方法 |
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