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CN101167245A - 基于差分电感器的低噪声放大器 - Google Patents

基于差分电感器的低噪声放大器 Download PDF

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CN101167245A CNA2006800139662A CN200680013966A CN101167245A CN 101167245 A CN101167245 A CN 101167245A CN A2006800139662 A CNA2006800139662 A CN A2006800139662A CN 200680013966 A CN200680013966 A CN 200680013966A CN 101167245 A CN101167245 A CN 101167245A
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Abstract

低噪声放大器包括一对差分放大器晶体管(M1，M2)，它们以其漏极连接到相应的共射共基放大器晶体管(M3，M4)。在放大器晶体管(M1，M2)的栅连接到输入差分电感器(L1)以用于接收RF输入信号的同时，将放大器晶体管(M1，M2)的源极连接到源差分电感器(L2)。共射共基放大器晶体管(M3，M4)的漏极连接到负载差分电感器(L3)以及连接到包括两个源极跟随器(M01，M02)的缓冲器电路(260)的输入端。由电流源(272)通过电流镜(M5，M6)提供差分放大器的尾电流。

Description

基于差分电感器的低噪声放大器
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，特别是涉及低噪声放大器。
背景技术
射频(RF)接收器的前端通常具有低噪声放大器(LNA)、混频器和一些滤波器。因为LNA是接收器的第一级，所以它的性能常常对接收器性能设定了极限。通常，LNA展示至天线的50Ω输入阻抗，由此将功率传递最大化。可以采用具有电感器的差分LNA来提供这种输入匹配。
但是，传统差分LNA可能有一些缺点。典型的差分LNA一般需要六个单端电感器，因此与使用三个单端电感器的单端LNA相比占用了约两倍的硅面积且消耗更多功率。另一方面，单端LNA具有比差分LNA更差的共模抑制和偶次失真。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种装置，包括：
具有第一和第二差分电感器的输入匹配电路，在具有输入端子的输入端上与输入电阻匹配，所述输入匹配电路提供输入电压；
差分放大器电路，连接到所述输入匹配电路以将所述输入电压转换成电流；
输出电路，在具有输出端子的输出端上提供具有低输出阻抗的输出电压缓冲器；
连接到所述差分放大器电路的共射共基放大电路，增加所述输入端子与所述输出端子之间的隔离。
根据本发明的第二方面，提供了一种方法，包括：
使用两个差分电感器来匹配输入电阻，所述两个差分电感器提供输入电压；
使用差分放大器电路将所述输入电压转换成电流；
在具有输出端子的输出端上提供具有低输出阻抗的输出电压缓冲器；以及
使用共射共基放大电路来增加所述输入端子和所述输出端子之间的隔离。
根据本发明的第三方面，提供了一种系统，包括：
连接到天线的射频(RF)滤波器，接收RF输入信号；
连接到所述RF滤波器的低噪声放大器(LNA)，将所述RF输入信号放大，所述LNA包括：
具有第一和第二差分电感器的输入匹配电路，在具有输入端子的输入端上与输入电阻匹配，所述输入匹配电路提供输入电压；
连接到所述输入匹配电路的差分放大器电路，将所述输入电压转换成电流；
输出电路，在具有输出端子的输出端上提供具有低输出阻抗的输出电压缓冲器；
连接到所述差分放大器电路的共射共基放大电路，增加所述输入端子与所述输出端子之间的隔离。
连接到所述LNA的镜像抑制滤波器，削弱镜像信号，并阻止所述镜像信号破坏期望的RF信号；
连接到所述镜像抑制滤波器的混频器，将所述RF信号与来自本地振荡器的振荡器信号混合；以及
连接到所述混频器的中频(IF)滤波器，从所混合的信号中提取期望的IF信号。
附图说明
通过参考用于说明本发明实施例的下文描述和附图，可以更好地理解本发明的实施例。在这些附图中：
图1是示出其中可实施本发明的一个实施例的系统的示意图。
图2是示出根据本发明的一个实施例的低噪声放大器(LNA)的示意图。
图3是示出根据本发明的一个实施例的LNA的布局的示意图。
具体实施方式
在下文描述中，提出多个特定细节。但是，要理解本发明可以在没有这些特定细节的情况下实施。在另一些实例中，未示出公知的电路、结构和技术以免妨碍对本文描述的理解。
本发明的一个实施例可以描述成常常作为流程图、程序图、结构图或框图来说明的流程。虽然流程图可以作为顺序的流程来描述操作，但是这些操作的许多操作可以并行或同时执行。此外，操作的次序是可以重新安排的。当其操作完成时，流程终止。流程可以对应于方法、程序、过程、制造或加工方法等。
本发明的一个实施例是一种使用三个差分电感器设计差分LNA的技术。与使用六个单端电感器的传统差分LNA相比，该设计占用约一半的硅面积。采用全部差分电感器，由于差分电感器结构的对称特性，所得到的差分LNA可以实现较之单端LNA更好的共模抑制和更少的二次失真。
图1是示出其中可以实施本发明的一个实施例的系统100的示意图。系统100包括天线110、射频(RF)滤波器120、低噪声放大器(LNA)130、镜像抑制滤波器140、混频器150、本地振荡器(LO)160以及中频率(IF)滤波器170。
天线110作为通信系统的一部分接收RF信号。可以从任何适合的信号源(例如移动装置、蜂窝电话等)生成RF信号。RF滤波器120对接收到的RF信号滤波以消除任何非期望的噪声分量。在一个实施例中，RF信号在高达4至6吉赫(GHz)的频率范围内。
LNA 130提供对滤波的RF输入信号的放大。它提供足够的增益以降低后续级中生成的噪声，同时对输入信号引入尽可能小的噪声。LNA 130优选地具有低噪声系数(NF)、具有足够线性的增益和适合的输入匹配。输入匹配通常对于单端LNA为50Ω而对于差分LNA为100Ω。在一个实施例中，LNA 130是差分LNA。与单端LNA相比，差分LNA通常具有较好的对干扰的共模抑制以及理论上理想地消除二次谐波。LNA 130利用差分电感器来提供有效的硅面积利用、成本降低以及改善噪声系数。
镜像抑制滤波器140削弱降频到与期望的RF信号相同的中频(IF)频带，由此破坏原期望的RF信号的镜像信号。混频器150将滤波的输入信号与来自本地振荡器160的振荡信号混合。该振荡器信号位于信号处理所期望的频率。IF滤波器170从混合的信号中滤掉非期望的信号分量，而保留位于供进一步处理的IF频率的期望的信号分量。
图2是示出根据本发明的一个实施例的低噪声放大器(LNA)130的示意图。LNA 130包括输入前端电路210、输入匹配电路220、差分放大器电路230、共射共基放大电路240、调谐电路250、输出电路260和电流偏置电路270。LNA 130具有输入端205和输出端295。输入端205和输出端295分别是差分输入和输出端子。
输入前端电路210包括电容器C1 272、C2 274和C5 286，电阻器R1 282和R2 284以及偏置电压源285。电容器C1 272和C2 274位于LNA 130的输入端205。它们是用于隔离来自其他电路级的不同的偏置电压并减少大的带外干扰和LNA非线性的交流电(AC)耦合电容器。电容器C5 286和电阻器R1 282和R2 284用于隔离从配置电压源285到输入匹配电路220的噪声耦合。
输入匹配电路220提供匹配功能。在一个实施例中，该匹配输入电阻是100Ω。它具有第一和第二差分电感器L1 222和L2 224。第一差分电感器L1 222连接在输入端205的差分输入端上并连接到差分放大器电路230。第二差分电感器L2 224连接于差分放大器电路230与电流偏置电路270之间。
差分放大器电路230连接到输入匹配电路220，以将输入电压转换成输入电压。它包括晶体管M1 222和M2 224。这两个晶体管的栅连接到第一差分电感器222的两个差分端子。这两个晶体管的源极连接到差分电感器L2 224的两个端子。这两个晶体管的漏极连接到共射共基放大电路240。晶体管M1 222和M2 224一起将差分输入电压转换成差分输入电流。
共射共基放大电路240连接到差分放大器电路230和输出电路260，以增加差分放大器电路230与输出电路260之间的隔离。它包括晶体管M3 242和M4 244。这两个晶体管的栅连接到电压源VDD。它们的源极连接到差分放大器电路230中的晶体管M1 222和M2 224的漏极。它们的漏极连接到调谐电路250和差分放大器电路230。
调谐电路250包括第三差分电感器L3 252，它实质上用于与处于工作频率的共射共基放大电路240和输出电路260产生的寄生电压谐振。在一个实施例中，该工作频率具有4至6GHz的范围。
输出电路260提供具有低输出阻抗的输出电压缓冲器以驱动下一级。输出电路260包括第一、第二、第三和第四输出晶体管MO1232、MO2 234、MO3 236和MO4 238，以及两个电容器C3 276和C4278。第一和第二输出晶体管MO1 232和MO2 234以它们的栅连接到调谐电路250中的第三差分电感器L3 252，以它们的漏极连接到电压源VDD，以及它们的源极经由电容器C3 276和C4 278提供输出295。电容器C3 276和C4 278是帮助减少带外干扰和LNA非线性导致的偶次失真的AC耦合电容器。第三和第四输出晶体管MO3 236和MO4238以它们的漏极连接到第一和第二输出晶体管MO1 232和MO2 234的源极，以它们的栅连接到第二偏置电压275，以及以它们的源极连接到地线电压。
电流偏置电路270包括电流源272和电流镜电路274。电流源272提供偏置电流。电流镜电路274将偏置电流经由第二差分电感器L2224映像(mirror)到差分放大器电路230和共射共基放大电路240。电流镜电路274包括在电流镜配置中连接的两个晶体管M5 264和M6266。
上文的电路的电感器、电容器和电阻器的典型值为如下所示：C1＝2picoFarads(pF)，C2＝2pF，C3＝2pF，C4＝2pF，C5＝2pF，L1＝5nanoHenry(nH)，L2＝0.8nH，L3＝5nH，R1＝R2＝2KΩ。差分电感器可设计成具有大于11的质量系数Q。最终的LNA具有4GHz至6GHz的工作频率范围。可使用互补型金属氧化物半导体(CMOS)(例如砷化镓(GaAs)、双极CMOS(BiCMOS)以及硅锗(SiGe))工艺或任何其他适合的工艺以在芯片上实现整个LNA。
图3是示出根据本发明的一个实施例的LNA的布局300的示意图。布局300包括输入/输出焊盘312、314、316和318，第一、第二和第三差分电感器322、324和326，以及其他组件和电路330。
I/O焊盘312、314、316和318提供连接到LNA 130的输入端和输出端的焊盘。第一、第二和第三差分电感器322、324和326分别对应于图2所示的第一、第二和第三差分电感器222、224和252。它们中至少一个具有八边形螺旋几何形状。如图3所示，所有三个具有八边形螺旋几何形状，并配置为差分配置。但是，差分电感器的形状可以是圆形、正方形或六边形。布局322可对应于两端口差分配置。布局324和326可对应于单端口差分配置。其他组件和电路330对应于图2所示的其余电路和组件。
由于差分电感器的对称配置，所以最终的LNA较之使用单端电感器的LNA具有更好的共模抑制，以及更小的二次失真。此外，还可使用非八边形几何形状的几何形状，例如圆形、正方形和六边形。
对该LNA的模拟显示如下结果。在5GHz处，噪声系数(NF)为1.8dB，S参数为S11＝-24dB，S22＝-24dB，S21＝17dB，以及S12＝-43dB。从1.2V电源，功耗为14mW。该工艺是90nm RF CMOS工艺。所占用的物理硅面积是0.4mm2。与使用六个单端电感器且就S参数而言具有相似电气性能的常规LNA相比，此布局表示至少36％晶片减少面积，从而产生显著的成本降低。
虽然已根据多个实施例描述了本发明，但是本领域技术人员会认识到本发明不限于所描述的这些实施例，而是可在所附权利要求的精神和范围内进行修改和改变。因此本说明书应视为解释性的而非限制性的。

Claims (20)

1.一种装置，包括：
具有第一和第二差分电感器的输入匹配电路，在具有输入端子的输入端上与输入电阻匹配，所述输入匹配电路提供输入电压；
差分放大器电路，连接到所述输入匹配电路以将所述输入电压转换成电流；
输出电路，在具有输出端子的输出端上提供具有低输出阻抗的输出电压缓冲器；
连接到所述差分放大器电路的共射共基放大电路，增加所述输入端子与所述输出端子之间的隔离。
2.如权利要求1所述的装置，还包括：
连接到所述共射共基放大电路的第三差分电感器，在工作频率上与关联的寄生电容谐振。
3.如权利要求1所述的装置，还包括：
提供偏置电流的电流源；以及
连接到所述电流源的电流镜电路，对所述偏置电流进行映像以偏置所述差分放大器电路。
4.如权利要求1所述的装置，还包括：
在所述输入端和输出端上的电容器，至少将偏置电压与前一级和下一级分离，并且降低带外干扰导致的偶次失真和低噪声放大器(LNA)的非线性；以及
连接到第一偏置电压源的电阻器电路，隔离从所述第一偏置电压源到所述输入匹配电路的噪声耦合。
5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述差分放大器电路包括：
第一和第二晶体管，具有连接到所述第一差分电感器的栅以及连接到所述第二差分电感器的源极。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述共射共基放大电路包括：
第三和第四晶体管，具有连接到电压源的栅、连接到所述第一和第二晶体管的漏极的源极以及连接到所述第三差分电感器的漏极。
7.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述输出电路包括：
第一和第二输出晶体管，具有连接到所述第三差分电感器的栅、连接到电压源的漏极和提供所述输出的源极；以及
第三和第四输出晶体管，具有连接到所述第一和第二输出晶体管的源极的漏极及连接到第二偏置电压的栅。
8.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一、第二和第三差分电感器这三者中至少一个具有八边形螺旋几何形状。
9.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述工作频率在约4吉赫(GHz)与6GHz之间的范围内。
10.一种方法，包括：
使用两个差分电感器来匹配输入电阻，所述两个差分电感器提供输入电压；
使用差分放大器电路将所述输入电压转换成电流；
在具有输出端子的输出端上提供具有低输出阻抗的输出电压缓冲器；以及
使用共射共基放大电路来增加所述输入端子和所述输出端子之间的隔离。
11.如权利要求10所述的方法，还包括：
提供第三差分电感器以在工作频率上使用第三差分电感器与关联的寄生电容谐振。
12.如权利要求10所述的方法，还包括：
使用电流源来提供偏置电流；以及
对所述偏置电流进行映像以偏置所述差分放大器电路。
13.如权利要求10所述的方法，还包括：
在所述输入端和所述输出端上使用电容器来降低带外干扰导致的偶次失真；
使用电阻器电路将第一偏置电压源与所述输入匹配电路隔离。
14.如权利要求11所述的方法，还包括：
以单端口和两端口配置之一将所述第一、第二和第三差分电感器这三者中的至少一个设置成八边形螺旋几何形状。
15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，提供包括：
提供所述第三差分电感器以在工作频率上谐振，所述工作频率在约4吉赫(GHz)与6GHz之间的范围内。
16.一种系统，包括：
连接到天线的射频(RF)滤波器，接收RF输入信号；
连接到所述RF滤波器的低噪声放大器(LNA)，将所述RF输入信号放大，所述LNA包括：
具有第一和第二差分电感器的输入匹配电路，在具有输入端子的输入端上与输入电阻匹配，所述输入匹配电路提供输入电压；
连接到所述输入匹配电路的差分放大器电路，将所述输入电压转换成电流；
输出电路，在具有输出端子的输出端上提供具有低输出阻抗的输出电压缓冲器；
连接到所述差分放大器电路的共射共基放大电路，增加所述输入端子与所述输出端子之间的隔离。
连接到所述LNA的镜像抑制滤波器，削弱镜像信号，并阻止所述镜像信号破坏期望的RF信号；
连接到所述镜像抑制滤波器的混频器，将所述RF信号与来自本地振荡器的振荡器信号混合；以及
连接到所述混频器的中频(IF)滤波器，从所混合的信号中提取期望的IF信号。
17.如权利要求16所述的系统，其特征在于，所述LNA还包括：
连接到所述共射共基放大电路的第三差分电感器，在工作频率与关联的寄生电容谐振。
18.如权利要求16所述的系统，其特征在于，所述LNA还包括：
提供偏置电流的电流源；以及
连接到所述电流源的电流镜电路，对所述偏置电流进行映像以偏置所述差分放大器电路。
19.如权利要求17所述的系统，其特征在于，所述第一、第二和第三差分电感器这三者中至少一个具有八边形螺旋几何形状。
20.如权利要求17所述的系统，其特征在于，所述工作频率在约4吉赫(GHz)至6GHz之间的范围内。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101841318A (zh) * 2009-01-16 2010-09-22 特克特朗尼克公司 多功能字识别器元件
CN104348430A (zh) * 2013-07-30 2015-02-11 上海海尔集成电路有限公司 低噪声放大器和芯片
CN105743525A (zh) * 2014-12-31 2016-07-06 三星电子株式会社 控制通信系统中的功率的装置和方法
CN106063125A (zh) * 2014-02-28 2016-10-26 瑞典爱立信有限公司 低噪声放大器电路
CN106160673A (zh) * 2016-06-30 2016-11-23 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 谐波抑制方法及相应的低噪声放大器、通信终端
CN107332523A (zh) * 2017-06-09 2017-11-07 中山大学 一种抑制频率牵引效应的功率放大器
CN114900138A (zh) * 2022-05-20 2022-08-12 成都明夷电子科技有限公司 一种基于SiGe-BiCMOS工艺的共源共基放大器

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006333390A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Furukawa Electric Co Ltd:The 低雑音増幅回路
KR100833624B1 (ko) * 2007-03-26 2008-05-30 삼성전자주식회사 싱글 엔디드 2단 증폭기를 이용한 ａｂ급 전차동 증폭기 및증폭 방법
JP4998211B2 (ja) * 2007-10-31 2012-08-15 アイコム株式会社 低雑音増幅器及び差動増幅器
JP5001805B2 (ja) * 2007-11-30 2012-08-15 ラピスセミコンダクタ株式会社 増幅回路
US8010055B2 (en) * 2008-02-13 2011-08-30 Viasat, Inc. Method and apparatus for RF communication system signal to noise ratio improvement
KR101055850B1 (ko) * 2009-04-21 2011-08-09 부산대학교 산학협력단 잡음과 왜곡 특성을 개선시키는 상보적 회로
EP2600525A3 (en) * 2009-04-30 2014-04-09 Freescale Semiconductor, Inc. Wireless communication device and semiconductor package device having a power amplifier therefor
JP5355366B2 (ja) * 2009-12-02 2013-11-27 株式会社東芝 差動増幅回路および無線受信機
US8310309B2 (en) * 2010-05-03 2012-11-13 Qualcomm, Incorporated Noise-canceling for differential amplifiers requiring no external matching
US8242844B2 (en) * 2010-06-28 2012-08-14 Silicon Laboratories Inc. LNA circuit for use in a low-cost receiver circuit
JP5269021B2 (ja) * 2010-09-22 2013-08-21 株式会社東芝 増幅器、送信器
TWI441462B (zh) * 2010-10-13 2014-06-11 Univ Nat Taiwan 雙模射頻收發器及其射頻訊號接收方法
EP3036868B1 (en) * 2013-08-19 2020-10-14 ARRIS Enterprises LLC Fiber-optic node with forward data content driven power consumption
US9692368B2 (en) 2014-09-09 2017-06-27 Qualcomm Incorporated Dual-band low noise amplifier
CN104935287B (zh) * 2015-06-26 2018-01-30 英特尔公司 射频接收器及其电感耦合单端输入差分输出低噪声放大器
CN105680802B (zh) * 2015-11-30 2018-10-16 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种低功耗单片集成宽带低噪声放大器
US9735737B2 (en) 2015-12-08 2017-08-15 Skyworks Solutions, Inc. High-gain low noise figure complementary metal oxide semiconductor amplifier with low current consumption
CN106936399B (zh) * 2017-03-03 2019-01-29 东南大学 一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器
US10447206B2 (en) * 2017-09-29 2019-10-15 Nxp Usa, Inc. Radio frequency (RF) receiver circuit
TWI748868B (zh) * 2021-02-08 2021-12-01 大陸商蘇州明緯科技有限公司 直流電壓轉換裝置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5049837A (en) * 1990-06-25 1991-09-17 Tektronix, Inc. Push-pull transformer coupled RF amplifier with response to DC
US5859558A (en) 1997-04-11 1999-01-12 Raytheon Company Low voltage analog front end
JP3147096B2 (ja) * 1998-07-24 2001-03-19 日本電気株式会社 差動型電子回路
JP3841195B2 (ja) * 1998-12-02 2006-11-01 富士通株式会社 差動増幅器
US6509796B2 (en) * 2000-02-15 2003-01-21 Broadcom Corporation Variable transconductance variable gain amplifier utilizing a degenerated differential pair
US6778594B1 (en) * 2000-06-12 2004-08-17 Broadcom Corporation Receiver architecture employing low intermediate frequency and complex filtering
US6763230B2 (en) * 2001-02-20 2004-07-13 Industrial Technology Research Institute Frequency-lock filtering receiver
GB0117591D0 (en) * 2001-07-18 2001-09-12 Zarlink Semiconductor Ltd Television tuner
US6707367B2 (en) * 2002-07-23 2004-03-16 Broadcom, Corp. On-chip multiple tap transformer and inductor
US7039381B2 (en) * 2002-07-23 2006-05-02 Broadcom Corporation On-chip differential inductor and applications thereof
JP3710439B2 (ja) * 2002-07-26 2005-10-26 三菱電機株式会社 パワーモジュールのゲート駆動回路
JP4543805B2 (ja) * 2003-08-07 2010-09-15 富士通株式会社 差動増幅回路
US7286013B2 (en) * 2003-09-18 2007-10-23 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd Coupled-inductance differential amplifier

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101841318A (zh) * 2009-01-16 2010-09-22 特克特朗尼克公司 多功能字识别器元件
CN104348430A (zh) * 2013-07-30 2015-02-11 上海海尔集成电路有限公司 低噪声放大器和芯片
US9564857B2 (en) 2013-07-30 2017-02-07 Shanghai Eastsoft Microelectronics Co., Ltd. Low noise amplifier and chip
CN104348430B (zh) * 2013-07-30 2018-02-09 上海东软载波微电子有限公司 低噪声放大器和芯片
US11057005B2 (en) 2014-02-28 2021-07-06 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Low noise amplifier circuit
CN106063125A (zh) * 2014-02-28 2016-10-26 瑞典爱立信有限公司 低噪声放大器电路
US12375044B2 (en) 2014-02-28 2025-07-29 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Low noise amplifier circuit
US9948248B2 (en) 2014-02-28 2018-04-17 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Low noise amplifier circuit
CN106063125B (zh) * 2014-02-28 2018-09-07 瑞典爱立信有限公司 低噪声放大器电路
US10454431B2 (en) 2014-02-28 2019-10-22 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Low noise amplifier circuit
CN105743525A (zh) * 2014-12-31 2016-07-06 三星电子株式会社 控制通信系统中的功率的装置和方法
CN106160673A (zh) * 2016-06-30 2016-11-23 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 谐波抑制方法及相应的低噪声放大器、通信终端
CN106160673B (zh) * 2016-06-30 2021-03-30 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 谐波抑制方法及相应的低噪声放大器、通信终端
US10771018B2 (en) 2016-06-30 2020-09-08 Vanchip (Tianjin) Technology Co., Ltd. Harmonic suppression method, corresponding low-noise amplifier, and communication terminal
CN107332523B (zh) * 2017-06-09 2021-01-15 中山大学 一种抑制频率牵引效应的功率放大器
CN107332523A (zh) * 2017-06-09 2017-11-07 中山大学 一种抑制频率牵引效应的功率放大器
CN114900138A (zh) * 2022-05-20 2022-08-12 成都明夷电子科技有限公司 一种基于SiGe-BiCMOS工艺的共源共基放大器

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