CN101130876B - 用于半导体制程中的金属防腐蚀清洗液 - Google Patents
用于半导体制程中的金属防腐蚀清洗液 Download PDFInfo
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Abstract
本发明是关于一种用于半导体制程中金属防腐蚀的清洗液。其特征在于，包括一种或多种不仅能够有效清除金属表面各种残留，同时能够有效防止金属表面腐蚀的化学添加剂。本发明的清洗液不仅能够有效清除金属表面各种残留，大大降低对后续工艺的干扰，而且能够大大降低金属材料的表面点蚀，减低表面腐蚀程度，从而降低缺陷，提高清洗效率和产品良率，增加产品收益率。
Description
技术领域
本发明涉及一种清洗液，尤其涉及用于半导体制程中的金属防腐蚀清洗液。
背景技术
典型的清洗液有去离子水、过氧化氢溶液和稀氨水，它们主要用于清洗前一工艺中残留液，比如经化学机械抛光工艺后，金属表面残留的抛光液，经过刻蚀去强光阻工艺后，残留的去强光阻液以及经过沉积工艺后的残留液等。其中前一工艺残留液被清洗后，金属表面仍然可能存在一些由清洗液引入的有机物残留从而影响下一工艺制程，或者金属表面的腐蚀仍然存在，金属表面的腐蚀会影响金属表面平坦度质量也使缺陷水平居高不下，从而降低了产品良率和收益率。
一些清洗液已被公开，比如美国第US2002169088号专利中的清洗液包括羧酸，含氮化合物和磷酸(carboxylic acid，phosphoric acid，amine acid)。世界专利第WO 2005093031号专利中的酸性清洗液包括有机酸和含氮抑制剂。世界专利第WO 2005085408号专利中的碱性清洗液包括有机酸和含氮抑制剂。中国专利CN01104317.2中的清洗液包括有机酸，腐蚀抑制剂，醇胺，多醇类化合物，这些都是关于清洗液或清洗液的使用方法。美国专利US6147002中的清洗液是关于一种酸性水溶液的清洗液，其还包括0.5～5重量％的含氟物质，该清洗液适合于清洗铜金属半导体晶片的集成电路元器件。但上述专利中的清洗液，或是含有毒性物质，对环境不友善；或是清洗效率不够高，或是有残留对后续工艺产生不良影响等缺陷；或是清洗使用范围窄，例如US6443814专利的清洗液只能够清洗含铜金属层的晶片。
因此，有必要开发出一种金属清洗液能够不仅能够有效清除金属表面各种残留，大大降低对后续工艺的干扰。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述问题，提供一种用于半导体制造中有效清除金属表面各种残留，大大降低对后续工艺的干扰的清洗液。
本发明的上述目的通过下列技术方案来实现：该清洗液包括一种载体，还包括一种或多种有效清除金属表面各种残留，有效防止金属表面腐蚀的有机酸化学添加剂。
所述的有机酸类化学添加剂为有机羧酸、有机膦酸或有机磺酸以及它们的形成盐形成的组合物。
所述的有机羧酸为柠檬酸、草酸、酒石酸、琥珀酸或马来酸以中的一种或多种的组合。
所述的有机膦酸包括烷基膦酸、苯基膦酸、1-羟基乙烯基-1、1-二膦酸、亚甲基膦酸、乙烯基-二胺-4、亚甲基膦酸、环丁烷基-三胺-5-亚甲基膦酸或多氨基多醚基四亚甲基膦酸中的一种或多种的组合。
所述的有机磺酸包括甲基磺酸、乙基磺酸、二甲基磺酸或丁基磺酸内酯中的一种或多种的组合。
所述的含氮氨基酸和它的形成盐包括甘氨酸、丙氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、缬氨酸、胱氨酸、半胱氨酸、甲硫氨酸、苏氨酸、丝氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、脯氨酸、羟脯氨酸，谷氨酸、天门冬氨酸、赖氨酸或精氨酸中的一种或多种的组合。
本发明所述的有机羧酸化学添加剂的重量百分比含量较佳地为0.05～5％。
所述的有机膦酸化学添加剂的重量百分比含量较佳地为0.02～0.5％。
所述的有机磺酸化学添加剂的重量百分比含量较佳地为0.02～1％。
所述的氨基酸化学添加剂的重量百分比含量较佳地为0.05～5％。
本发明所述的清洗液还包括PH调节剂、表面活性剂和/或聚合物金属防腐抑制剂。
所述的聚合物金属防腐抑制剂为聚丙烯酸类化合物、丙烯酸类化合物与苯乙烯的共聚化合物、丙烯酸类化合物与顺丁烯二酸酐的共聚化合物、丙烯酸类化合物与丙烯酸酯类的共聚化合物、膦酰基羧酸共聚物、丙烯酸-丙烯酸酯-磺酸盐三元共聚物或者丙烯酸-丙烯酸酯-膦酸-磺酸盐四元共聚物。
所述的聚合物金属防腐抑制剂范围分子量在2,000～3,000,000。
所述的多聚羧酸和/或其盐为式I化合物：
式I
其中，R1、R2独自地为氢原子或碳原子数小于3的烷基，R3为H、K、Na或NH4。
所述的聚丙烯酸类化合物较佳地为聚丙烯酸。
所述的聚丙烯酸类化合物分子量范围较佳地为5,000～30,000。
所述的聚丙烯酸类化合物重量百分比含量较佳地为10ppm～5000ppm。
本发明所述的清洗液还包括含氮杂环化合物为苯并三唑、吡唑和/或咪唑。
所述的清洗液还包括含氮杂环化合物为重量百分比含量为0～0.1％。
本发明所述的清洗液的pH值范围较佳地为2～7。
所述的载体为醇类和/或水。
本发明所述的清洗液在金属衬底中的用途。
所述的金属衬底为铜、铝、钽、氮化钽、钛、氮化钛、银或金。
在本发明中，所述的清洗液可用于下列工艺制成中：抛光、刻蚀(去强光阻后)、沉积以及其他保护步骤中。
由于该化学添加剂用于本发明的清洗液中，降低对后续工艺的干扰，大大降低金属材料的表面点蚀，减低表面腐蚀程度，从而降低了缺陷，提高了清洗效率和产品良率，增加了收益率。
本发明的积极进步效果在于：本发明的清洗液能够大大降低金属材料的腐蚀程度从而(1)使缺陷明显下降；(2)大大改善了金属表面的平坦度质量；(3)提高产品良率(4)提高工艺操作窗口。
附图说明
图1A为使用传统清洗溶液(1％柠檬酸，0.1％苯并三唑)清洗后的铜/钽/二氧化硅表面的扫描电子显微镜(SEM)图；
图1B为本发明实施例1中的清洗溶液清洗后的铜/钽/二氧化硅表面的扫描电子显微镜(SEM)图；
图2A为使用传统清洗溶液(1％柠檬酸，0.1％苯并三唑)后的铜/钽/二氧化硅表面的扫描电子显微镜(SEM)图；
图2B为本发明实施例2中清洗溶液清洗后的铜/钽/二氧化硅表面的扫描电子显微镜(SEM)图。
具体实施方式
实施例1
将含有2％citric acid(柠檬酸)和聚丙烯酸(分子量5000)10ppm和水为余量的清洗液(pH＝2.4)用于化学机械抛光液抛光后的铜/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。清洗结果见图1A，1B。
结果显示，图中亮线部分为金属，使用传统清洗液的晶片(如图1A)，金属表面有较严重的残留；使用本发明的清洗液清洗后的金属表面(如图1B)光滑，未见明显残留或腐蚀，缺陷率明显下降，金属表面的粗糙度得到明显改善。
实施例2
将含有0.5％多氨基多醚基四亚甲基膦酸和水为余量的清洗液(pH＝2.5)用于化学机械抛光液抛光后的铜/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。清洗结果见图2A，2B。
结果显示，使用传统清洗液的晶片(如图2A)，金属表面有较严重的腐蚀；使用本发明的清洗液清洗后的金属表面(如图2B)的光滑，未见明显残留或腐蚀，缺陷率明显下降，金属表面的粗糙度得到明显改善。
实施例3
将含有0.2％甲基磺酸，聚丙烯酸(分子量5000)5000ppm和水为余量的清洗液(pH＝2.5)用于化学机械抛光液抛光后的铜/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例4
将含有1％柠檬酸和水为余量的清洗液(pH＝2.5)用于化学机械抛光液抛光后的铜/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例5
将含有0.1％Glycine(甘氨酸)和聚丙烯酸(分子量5000)100ppm和水为余量的清洗液(pH＝2.5)用于化学机械抛光液抛光后的铝/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例6
将含有0.1％丁烷膦酰基-1，2，4-三羧酸和水为余量的清洗液(pH＝2.1)用于化学机械抛光液抛光后的铜/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例7
将含有0.2％环己基-二胺-4，亚甲基膦酸和水为余量的清洗液(pH＝2.1)用于化学机械抛光液抛光后的钽/氮化钽/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例8
将含有0.02％环己基-二胺-4，亚甲基膦酸和0.5％Citric acid水为余量的清洗液(pH＝3.0)用于化学机械抛光液抛光后的钛/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例9
将含有0.05％丁烷膦酰基-1，2，4-三羧酸和0.8％柠檬酸和水为余量的清洗液(pH＝3.5)用于化学机械抛光液抛光后的铜/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例10
将含有0.5％丁烷膦酰基-1，2，4-三羧酸和2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸10ppm和水为余量的清洗液(pH＝3.5)用于化学机械抛光液抛光后的铜/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
本发明所使用的原料和试剂均为市售产品。
实施例11
将含有1％苯基膦酸和0.05％酒石酸和水为余量的清洗液(pH＝3.0)用于化学机械抛光液抛光后的钛/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例12
将含有1％二甲基磺酸和5％琥珀酸和水为余量的清洗液(pH＝3.0)用于化学机械抛光液抛光后的钛表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例13
将含有1％丁基磺酸内酯和0.05％甲硫氨酸和水为余量的清洗液(pH＝3.0)用于化学机械抛光液抛光后的钛/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例14
将含有5％羟脯氨酸和聚丙烯酸5000ppm(分子量为20,000)和水为余量的清洗液(pH＝7.0)用于化学机械抛光液抛光后的钛/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例15
将含有1％天门冬氨酸和聚丙烯酸10ppm(分子量为10,000)和水为余量的清洗液(pH＝7.0)用于化学机械抛光液抛光后的钛/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
实施例16
将含有0.1％环己基-二胺-4，亚甲基膦酸和聚丙烯酸500ppm(分子量为30,000)和水为余量的清洗液(pH＝7.0)用于化学机械抛光液抛光后的钽/二氧化硅表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为：下压力1.0-2.0psi、抛光盘的转速50-70rpm、抛光头转速70-90rpm、抛光液流速200-300ml/min、抛光时间1-2min；(2)然后在下压力1.5psi、抛光盘的转速25rpm、抛光头转速25rpm、分别使用传统清洗液和该发明清洗液，清洗液流速在300ml/min，抛光时间0.5-1min；(3)用清洗液及聚乙烯醇(PVA)滚刷对晶片表面进行刷洗2min，滚刷转速为300rp，清洗头转速280rpm，清洗液流量300ml/min；(4)再用去离子水及PVA滚刷刷洗2min，滚刷转速为300rpm清洗头转速280rpm，去离子水流量300ml/min。
本发明所使用的原料和试剂均为市售产品。
Claims (5)
1.一种用于半导体中金属防腐蚀的清洗液，其特征在于：包括水，还包括一种或多种有效清除金属表面各种残留，同时有效防止金属表面腐蚀的有机酸化学添加剂以及聚合物金属防腐抑制剂，
所述的有机酸化学添加剂为有机羧酸、有机膦酸、有机磺酸或含氮氨基酸以及它们的形成盐形成的组合物；
所述的聚合物金属防腐抑制剂为聚丙烯酸，所述的聚丙烯酸的分子量为5,000～30,000、重量百分比含量为10ppm～5000ppm；
其中，所述的有机羧酸化学添加剂的重量百分比含量为0.05～5％；所述的有机膦酸化学添加剂的重量百分比含量为0.02～1％；所述的有机磺酸化学添加剂的重量百分比含量为0.02～1％；所述的氨基酸化学添加剂的重量百分比含量为0.05～5％；
所述的有机羧酸为柠檬酸、草酸、酒石酸、琥珀酸或马来酸中的一种或多种的组合；
所述的有机膦酸包括烷基膦酸、苯基膦酸和多氨基多醚基四亚甲基膦酸中的一种或多种的组合；
所述的有机磺酸包括甲基磺酸、乙基磺酸或二甲基磺酸中一种或多种的组合；
所述的清洗液的pH值范围为2～7，
其中，所述的清洗液还包括含氮杂环化合物，所述含氮杂环化合物为苯并三唑、吡唑和/或咪唑。
2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的含氮氨基酸包括甘氨酸、丙氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、缬氨酸、胱氨酸、半胱氨酸、甲硫氨酸、苏氨酸、丝氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、脯氨酸、羟脯氨酸，谷氨酸、天门冬氨酸、赖氨酸或精氨酸中的一种或多种的组合。
3.如权利要求1或2所述的清洗液，其特征在于：所述的清洗液还包括pH调节剂和/或表面活性剂。
4.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的含氮杂环化合物为重量百分比含量为0～0.1％。
5.如权利要求1所述的清洗液在金属或金属化合物衬底中的用途，其特征在于：所述的金属衬底为铜、铝、钽、钛、银或金；所述金属化合物衬底为氮化钽或氮化钛。
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- 2006-08-25 CN CN2006100304568A patent/CN101130876B/zh active Active
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