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CN101032008A - 半导体制造装置、半导体制造装置的流量修正方法和程序 - Google Patents

半导体制造装置、半导体制造装置的流量修正方法和程序 Download PDF

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CN101032008A
CN101032008A CNA2006800009315A CN200680000931A CN101032008A CN 101032008 A CN101032008 A CN 101032008A CN A2006800009315 A CNA2006800009315 A CN A2006800009315A CN 200680000931 A CN200680000931 A CN 200680000931A CN 101032008 A CN101032008 A CN 101032008A
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Abstract

本发明提供一种半导体制造装置，能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正，包括：将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210)，比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300)，控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置，在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压，在MFC中设定修正的设定电压。

Description

半导体制造装置、半导体制造装置的流量修正方法和程序
技术领域
本发明涉及由质量流量控制器等流量控制器控制气体或液体的流量而对基板进行规定的处理的半导体制造装置、流量修正方法、程序。
背景技术
现有技术中，在用来制造半导体设备等的工序例如使用成膜气体的成膜工序、使用蚀刻气体的蚀刻工序等中，在将各种气体或者液体供给到半导体制造装置的情况下，在其供给流路上设置有流量控制器例如质量流量控制器(MFC)，由此来控制流量。
该质量流量控制器(MFC)，一般这样构成供给流路，即，分流成设置有由发热电阻线构成的作为流量传感器的上游侧传感器与下游侧传感器的侧流路以及与之并行的主流路。在上游侧传感器处热量被夺走而温度降低，相反，在下游侧传感器处热量被赋予而温度上升。结果，在上游侧传感器与下游侧传感器处产生温度差，通过检测该温度差而可以检测供给流路的流量。质量流量控制器(MFC)根据来自这种流量传感器的输出来控制流量调整阀的开度，由此，能够将供给流路的流量调整成设定流量。
但是，在使用这种质量流量控制器(MFC)中，因流量传感器所卷入的管路的污染(腐蚀或生成物附着等)等，有时实际流量(实际上通过质量流量控制器的气体的流量)偏离设定流量。例如，即使是实际流量零(0)的情况下，相当于由流量传感器所检测的流量的检测电压值也不为零(0)，往往稍微错开而产生误差(例如参照专利文献1)。作为这种零点的错位(零点漂移)，例如有随着使用时间慢慢加大的倾向和输出电压对流量的变化比率(梯度)变动(变化范围漂移)。在本说明书中，将这种零点漂移称为基于使用的零点漂移(第一零点漂移)。
而且，质量流量控制器(MFC)有时因其设置姿势的不同也发生根据气体分子量或者压力等的零点的错位(零点漂移)。因在半导体制造装置的小型化或配管系统的构成上或设置空间等的关系，质量流量控制器(MFC)的流量传感器所卷设的侧流部(与主流部平行的部分)有时必须设置成垂直姿势。
可是，如果设置成垂直姿势，则即使流体不在供给流路中流动，也在质量流量控制器(MFC)内例如在侧流部与主流部之间因其温度差而产生根据气体的分子量或压力的流动，有时发生零点的错位(零点漂移)。该现象一般称为热虹吸现象(thermal siphon)(例如参照专利文献2)。在本说明书中，将这种零点漂移称为基于设置姿势的零点漂移(第二零点漂移)，与上述基于使用的零点漂移(第一零点漂移)相区别。在产生该第二零点漂移的情况下，将第一零点漂移量加到其第二零点漂移量上，成为实际上可能产生的零点漂移量。这样一来，有时在质量流量控制器(MFC)的零点漂移中，不仅包括第一零点漂移，还包括第二零点漂移。
专利文献1：日本特开2005-38058号公报
专利文献2：日本特开平11-64060号公报
在这种质量流量控制器(MFC)中，如果产生上述第一零点漂移、第二零点漂移等零点漂移，则因为供给流路中的气体或液体的流量设定流量与实际流量偏离，因此，存在着其零点漂移量越大，则气体或者液体等的供给流量控制的精度越低，对晶片W的处理的影响也变得不能忽视这样的问题。
特别是，近年来，因为半导体器件等的图形越来越微细化，各膜的膜厚也变得更薄，所以，在成膜工序、蚀刻工序等半导体制造工序中，希望能够以更高的精度控制气体或者液体等的供给流量。因此，对上述零点漂移的对策的重要性也增大。
这一点，例如在专利文献1中，记载有在关闭设置在质量流量控制器(MFC)的上游侧和下游侧的截止阀的状态下，也就是实际气体(实际上通过质量流量控制器的气体)不流动的状态下检测质量流量控制器(MFC)的输出电压(MFC输出电压)，通过修正其来以更高的精度控制气体供给流量的技术。这样一来，在例如质量流量控制器(MFC)以水平姿势设置的情况下等不发生热虹吸现象引起的第二零点漂移的情况，可以正确地检测第一零点漂移。但是，在例如质量流量控制器(MFC)以垂直姿势设置的情况下等根据条件而发生由于热虹吸现象引起的零点漂移，所以有时无法足够地进行零点修正。
即，在专利文献1中，在检测零点漂移时即使形成关闭设置在质量流量控制器(MFC)的上游侧和下游侧的截止阀的状态，但是即使像这样形成实际气体不流动的状态，在发生热虹吸现象的情况下也发生第二零点漂移。而且，其第二零点漂移量因残留于质量流量控制器(MFC)内的流体的有无、残留的流体种类(分子量)以及压力而不同。因此，即使单单在关闭截止阀的状态下检测零点漂移，在例如在残留与基板处理时使用的气体不同的气体的状态下检测零点漂移的情况，由于其零点漂移量中所含有的第二零点漂移量与在基板处理时实际上可能产生的第二零点漂移量不同，所以无法正确地检测在基板处理时实际上可能产生的第二零点漂移，有时无法足够地进行零点修正。
此外，在专利文献2中，记载有除了质量流量控制器(MFC)的侧流部与主流部之外，设置有与侧流部平行的平行流路，通过由加热器加热该平行流路，来防止热虹吸现象引起的质量流量控制器(MFC)内部的流动的技术。但是，质量流量控制器(MFC)由各种制造商销售，在用某个特定制造商的质量流量控制器(MFC)构成生产线的情况，存在着在将质量流量控制器(MFC)更换成其他公司的产品时，无法进行其调整的缺点。此外，设置有与质量流量控制器(MFC)的侧流部平行的平行流路，并设置加热器而使内部的构成复杂化，并且因质量流量控制器(MFC)的设置环境以及使用状况，还有可能根据这些的加热器的温度控制成为必要等质量流量控制器(MFC)本身的控制复杂化。
发明内容
因此，本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种通过正确地检测基板处理时实际上可能发生的基于热虹吸现象的零点漂移量而进行正确的修正，可以与流量控制器的设置姿势无关而进一步提高流量控制的精度的半导体制造装置、半导体制造装置的流量修正方法、程序。
为了解决上述问题，根据本发明的一个方面，提供一种半导体制造装置，其特征在于，包括：对基板实施用来制造半导体装置的处理的处理部；将气体供给到所述处理部内的气体供给路；设置在所述气体供给路，比较来自检测所述气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器；分别设置在所述流量控制器的上游侧与下游侧的截止阀；以及在所述流量控制器中设定对应于由所述气体供给路所供给的气体的气体流量的设定电压的控制部，其中，所述控制部在实行基板处理前，预先至少利用在基板处理时所使用的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压储存于存储装置，在实行基板处理时，基于储存于所述存储装置的所述流量控制器的输出电压修正对应于基板处理时所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压。
为了解决上述课题，本发明另一方面提供一种半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于：其是利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器，将气体供给到处理部，对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正方法，其中，包括：在实行基板处理前，预先至少利用在基板处理时所使用的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭设置于所述流量控制器的上游侧和下游侧的各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为零点漂移量储存于存储装置中的零点漂移检测工序；和在实行基板处理时，基于储存于所述存储装置中的所述流量控制器的零点漂移量修正对应于基板处理时所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的零点漂移修正工序。
如果利用这种装置或方法，则可以正确地检测在实际的基板处理时基于可能产生的热虹吸现象的零点漂移量(第二零点漂移量)。即，因为基于热虹吸现象的零点漂移量的大小因气体种类(气体的分子量)而异，因此，通过利用基板处理时所使用的气体检测基于热虹吸现象的零点漂移量(第二零点漂移量)，而能够正确地检测实际的基板处理时可能产生的零点漂移量。
此外，在储存检测的基于热虹吸现象的零点漂移量(第二零点漂移量)，实行基板处理时，通过修正对应于基板处理时所使用的气体流量的设定电压，而可以正确地修正第二零点漂移量。由此，可以与流量控制器的设置姿势无关且正确地检测并修正基于热虹吸现象的零点漂移量。
为了解决上述课题，本发明另一方面提供一种半导体制造装置，其特征在于，包括：对基板实施用来制造半导体装置的处理的处理部；将多种气体分别供给到所述处理部内的多个气体供给路；分别设置在所述各气体供给路上，比较来自检测所述气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的多个流量控制器；分别设置在所述各流量控制器的上游侧与下游侧的截止阀；以及在所述各流量控制器中设定对应于由所述各气体供给路供给的气体的气体流量的设定电压的控制部，其中，所述控制部在实行基板处理前，针对所述各流量控制器预先至少利用在基板处理时所使用的气体对所述各流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将针对各流量控制器的输出电压储存于存储装置中，在实行基板处理时，基于针对所述各流量控制器储存于所述存储装置中的输出电压，针对所述各流量控制器修正对应于基板处理时所使用的气体种类的气体流量的设定电压，并在所述各流量控制器中分别设定修正后的气体流量的设定电压。
为了解决上述课题，本发明另一方面提供一种半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于：其是利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的多个流量控制器，将多种气体供给到处理部，对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正方法，其包括：在实行基板处理前，预先至少利用在基板处理时所使用的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭设置在所述流量控制器的上游侧和下游侧的各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为零点漂移量储存于存储装置中的零点漂移检测工序；以及在实行基板处理时，基于储存于所述存储装置中的所述流量控制器的零点漂移量修正对应于基板处理时所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的零点漂移修正工序。
如果利用这种装置或方法，则在使用多个流量控制器向处理部供给多个气体种类而进行基板处理的情况下，也可以针对各流量控制器正确地检测在基板处理时基于实际上可能产生的热虹吸现象的零点漂移量而进行可靠的修正。由此，可以与各流量控制器的设置姿势无关而进一步提高流量控制的精度。
为了解决上述课题，本发明另一方面提供一种半导体制造装置，其特征在于，包括：对基板实施用来制造半导体装置的处理的处理部；将多种气体分别供给到所述处理部内的多个气体供给路；分别设置在所述各气体供给路，比较来自检测所述气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的共同的流量控制器；分别设置在所述流量控制器的下游侧的所述各气体供给路上的下游侧截止阀；设置在所述流量控制器的上游侧上的上游侧截止阀；以及在所述流量控制器中分别设定对应于由所述各气体供给路所供给的各气体种类的气体流量的设定电压的控制部，其中，所述控制部在实行基板处理前，针对基板处理时所使用的各气体种类预先至少利用所述气体对所述各流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将针对各气体种类的输出电压储存于存储装置中，在实行基板处理时，基于储存于所述存储装置中的针对各气体种类的所述流量控制器的输出电压分别修正对应于基板处理时所使用的各气体种类的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中分别设定修正后的气体流量的设定电压。
为了解决上述课题，本发明另一方面提供一种半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于：其是利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器，将多种气体供给到处理部，对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正方法，其包括：在实行基板处理前，针对基板处理时所使用的气体种类预先至少利用所述气体对所述各流量控制器内进行置换并在关闭设置在所述流量控制器的上游侧与下游侧的各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将针对各气体种类的输出电压作为零点漂移量储存于存储装置中的零点漂移检测工序；和在实行基板处理时，基于储存于所述存储装置中的针对各气体种类的零点漂移量分别修正对应于基板处理中所使用的各气体种类的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的零点漂移修正工序。
如果用这种装置或方法，则在使用共同的流量控制器向处理部分别供给多个气体种类而进行基板处理的情况下，也可以在基板处理时使用各气体种类时正确地检测基于实际上可能产生的热虹吸现象的零点漂移量而进行可靠的修正。由此，可以与流量控制器的设置姿势无关而进一步提高流量控制的精度。
为了解决上述课题，本发明另一方面提供一种半导体制造装置，其特征在于，包括：对基板实施用来制造半导体装置的处理的处理部；将气体供给到所述处理部内的气体供给路；设置在所述气体供给路，比较来自检测所述气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器；分别设置在所述流量控制器的上游侧与下游侧的截止阀；能够对所述流量控制器内进行真空排气的真空排气装置；以及在所述流量控制器中设定对应于由所述气体供给路供给的气体的气体流量的设定电压的控制部，其中，所述控制部在实行基板处理前，预先利用所述真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，至少利用与基板处理时同样的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为第二零点漂移量储存于存储装置中，在实行基板处理时，利用所述真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，基于储存于所述存储装置的所述第二零点漂移量修正对应于基板处理中所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压。
为了解决上述课题，本发明另一方面提供一种半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于：其是利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器，将气体供给到处理部，对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正方法，其包括：在实行基板处理前，预先利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气而在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，并基于该第一零点漂移量进行修正，之后，至少利用与基板处理时同样的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为第二零点漂移量储存于存储装置的第二零点漂移检测工序；和在实行基板处理时，利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，基于储存于存储装置中的所述第二零点漂移量修正对应于基板处理中所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的第二零点漂移修正工序。
如果利用这种装置或方法，则由于在检测基于热虹吸现象的第二零点漂移量进行修正前，检测基于流量控制器的使用的第一零点漂移量进行修正，所以可以不影响第一零点漂移，正确地检测基于热虹吸现象的第二零点漂移量。而且，在检测第一零点漂移量时，不仅关闭流量控制器的各截止阀而形成实际气体不流动的状态，而且由于对流量控制器内进行真空排气所以成为在流量控制器内没有可能产生流动的流体本身的真空状态。因此，由于不发生热虹吸现象，所以可以在没有基于该热虹吸现象的第二零点漂移的状态下检测第一零点漂移量。由此，可以正确地检测第一零点漂移量。
此外，在实行基板处理时，也是由于在修正基于热虹吸现象的第二零点漂移量前，检测基于流量控制器的使用的第一零点漂移而进行修正，所以可以不影响第一零点漂移而可靠地修正基于热虹吸现象的第二零点漂移量。由此，可以与流量控制器的设置姿势无关而进一步提高流量控制的精度。
为了解决上述课题，本发明另一方面提供一种半导体制造装置，其特征在于，包括：对基板实施用来制造半导体装置的处理的处理部；将气体供给到所述处理部内的气体供给路；设置在所述气体供给路，比较来自检测所述气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器；分别设置在所述流量控制器的上游侧与下游侧的截止阀；能够对所述流量控制器内进行真空排气的真空排气装置；以及在所述流量控制器中设定对应于由所述气体供给路供给的气体的气体流量的设定电压的控制部，其中，所述控制部在实行基板处理前，预先利用所述真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，至少利用与基板处理时同样的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为第二零点漂移量储存于存储装置，在实行基板处理时，利用所述真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于将对应于基板处理中所使用的气体流量的设定电压储存于所述存储装置中的所述第二零点漂移量和实行基板处理时所检测的所述第一零点漂移量进行零点修正，在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压。
为了解决上述课题，本发明另一方面提供一种半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于：其是利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器，将气体供给到处理部，对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正方法，其中，包括：在实行基板处理前，预先利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，至少利用与基板处理时同样的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为第二零点漂移量储存于存储装置中的第二零点漂移检测工序；和在实行基板处理时，利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于将对应于基板处理所使用的气体的气体流量的设定电压储存于所述存储装置中的所述第二零点漂移量和实行基板处理时检测到的所述第一零点漂移量进行修正，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的第二零点漂移修正工序。
如果利用这种装置或方法，则因为在实行基板处理时，检测第一零点漂移量与第二零点漂移量，基于第一零点漂移量与第二零点漂移量的两方修正对应于基板处理时所使用的气体流量的设定电压，故可以同时修正第一零点漂移量与第二零点漂移量。由此，可以与流量控制器的设置姿势无关而进一步提高流量控制的精度。
此外，也可以在每当检测第一零点漂移量的同时还将累计的第一零点漂移量储存于上述存储装置中，在检测所述第一零点漂移量时，在将该第一零点漂移量加到直到上一次为止所累计的第一零点漂移量的值超出预定的阈值的情况进行报知处理。由此，可以告知流量控制器的故障或更换时期等。
为了解决上述课题，本发明另一方面提供一种程序，其特征在于：其是用来实行利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器，将气体供给到处理部，对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正处理的程序，其中，在计算机中实行在实行基板处理前，预先至少利用基板处理时所使用的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭设置在所述流量控制器的上游侧和下游侧的各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为零点漂移量储存于存储装置中的零点漂移检测处理，以及在实行基板处理时，基于储存于所述存储装置中的所述流量控制器的零点漂移量修正对应于基板处理时所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的零点漂移修正处理。
如果利用这种程序，则可以正确地检测在实际的基板处理时可能发生的基于热虹吸现象的零点漂移量(第二零点漂移量)，能够可靠地进行可以修正的流量控制处理。
为了解决上述课题，本发明另一方面提供一种程序，其特征在于：其是用来实行利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器，将气体供给到处理部，对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正处理的程序，其中，在计算机中实行在实行基板处理前，预先利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，至少利用与基板处理时同样的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为第二零点漂移量储存于存储装置中的第二零点漂移检测处理；以及在实行基板处理时，利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，基于储存于所述存储装置中的所述第二零点漂移量修正对应于基板处理中所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的第二零点漂移修正处理。
如果利用这种程序，则可以实行能够在没有第二零点漂移量的影响的状态下正确地检测并修正流量控制器的基于使用的第一零点漂移量，并且可以在没有第一零点漂移量的影响的状态下正确地检测并修正基于热虹吸现象的第二零点漂移量的流量控制处理。
如果利用本发明，则可以正确地检测基板处理时可能产生的基于热虹吸现象的零点漂移量而进行可靠修正。由此，可以与流量控制器的设置姿势无关而更加提高流量控制的精度。此外，可以与流量控制器的构成无关而正确地检测并修正基于热虹吸现象的零点漂移量。
附图说明
图1是表示根据本发明的第一实施方式的半导体制造装置的构成例的方框图。
图2是表示图1中所示的质量流量控制器的构成例的图。
图3是表示第二零点漂移量与气体种类的关系的图。
图4是表示图1中所示的控制部的构成例的方框图。
图5是表示该实施方式中的第一零点漂移信息的具体例的图。
图6是表示该实施方式中的第二零点漂移信息的具体例的图。
图7是表示流量修正处理的程序框图。
图8是表示第一零点漂移处理的程序框图。
图9是表示第一零点漂移处理的程序框图。
图10是表示第二零点漂移处理的程序框图。
图11是表示第二零点漂移处理的程序框图。
图12是表示根据本发明的第二实施方式的半导体制造装置的具体例的方框图。
图13是表示该实施方式中的第一零点漂移信息的具体例的图。
图14是表示该实施方式中的第二零点漂移信息的具体例的图。
标号说明
100：热处理装置；110：热处理部；112：反应管；114：保持120：排气系统；122：排气管；124：真空排气装置；130：旁路管线；132：旁通管；134：排气侧旁通截止阀；136：供给侧旁通截止阀；200：气体供给系统；202：气体供给管；204：主阀；210(210A～210D)：气体供给路；212(212A～212D)：气体供给管；220(220A～220D)：气体供给源；222(222A～222D)：调压阀；224(224A～224D)：压力计；230(230A～230D)：第一截止阀(上游侧截止阀)；240(240A～240C)：质量流量控制器(MFC)；241：主流路；242：侧流路；243：上游侧传感器；244：下游侧传感器；245：旁通路；246：控制阀(流量调整阀)；247：MFC控制电路；250(250A～250C)：第二截止阀(下游侧截止阀)；260(260A～260D)：单向阀；262(262A～262C)：截止阀；300：控制部；310：CPU；320：RAM；330：显示装置；340：输入输出装置；350：报知装置；360：各部控制器；370：程序数据存储装置；371：加工处理程序；372：流量修正处理程序；373：第一零点漂移检测处理程序；374：第一零点漂移检测处理程序；375：第二零点漂移检测处理程序；376：第二零点漂移修正处理程序；380：处理数据存储装置；381：加工处理信息；382：流量修正信息；W：晶片。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的最佳实施方式详细地进行说明。其中，在本说明书和附图中，对实质上具有相同结构的构成要素，标注同一标号并省略其重复的说明。
(根据第一实施方式的半导体制造装置的构成例)
首先，根据第一实施方式的半导体制造装置并参照附图来对本发明进行说明。这里，作为半导体制造装置，以对基板例如半导体晶片(以下单称为“晶片”)进行规定热处理的热处理装置为例进行说明。图1是表示根据第一实施方式的热处理装置的构成例的图。热处理装置100具有作为对晶片W进行处理(例如热处理)的处理部的热处理部110。如图1所示，热处理部110例如由构成反应容器(处理容器)或者反应室(处理室)的纵型反应管112所构成。成为能够将搭载有多张晶片W的保持具114搬入到该反应管112内。在该热处理部110中，包括：对反应管112内进行排气的排气系统120、用来将规定的气体供给到反应管112内的气体供给系统200、以及配置于反应管112的外侧的图未示出的加热装置(例如加热器)。
热处理部110，在将搭载有多张晶片W的保持具114搬入到反应管112内的状态下，由气体供给系统200将规定的气体供给到反应管112内，并且由排气系统120进行反应管112内的排气，同时，通过利用加热装置从反应管112的外侧进行的加热来对晶片W进行规定的热处理。
排气系统120例如将由真空泵等所构成的真空排气装置124经由排气管122连接于反应管112的顶部而构成。气体供给系统200连接用来将多种气体分别供给到例如气体供给管202的各气体供给路210A～210D而构成。气体供给管202经由主阀204而连接于反应管112的下方侧面。
此外，排气系统120的排气管122经由旁通管130迂回连接于气体供给系统200的气体供给管202。旁通管130在气体供给管202中的各气体供给路210A～210D的连接部的下游侧、主阀204的上游侧的部位连接旁通管132而构成。在旁通管132的排气系统120侧连接着排气侧旁通截止阀134，在旁通管132的气体供给系统200侧连接着供给侧旁通截止阀136。
此处，对气体供给系统200的各气体供给路210A～210D进行说明。在图1所示的热处理装置100中，以能够将四种气体(SiH4气体、Si2H6气体、SiH2Cl2气体、N2气体)供给到反应管112的情况为例。在这些气体当中，SiH4气体、Si2H6气体、SiH2Cl2气体主要作为反应气体使用，N2气体主要作为用来吹洗各气体供给路210A～210D以及反应管110的吹洗气体使用。
这样，对作为反应气体而使用的SiH4气体、Si2H6气体、SiH2Cl2气体的气体供给路210A～210C而言，同样地构成。即，各气体供给路210A～210C分别具有针对SiH4气体、Si2H6气体、SiH2Cl2气体的气体供给源220A～220C，各气体供给源220A～220C连接成分别经由气体供给管212A～212C而合流于气体供给管202。
在各气体供给路210A～210C的气体供给管212A～212C上，作为用来调整来自气体供给源220A～220C的流量的流量控制器之一例而设置有质量流量控制器(MFC)240A～240C。这里的质量流量控制器(MFC)240A～240C也可以分别使用不同容量。例如，质量流量控制器(MFC)分别使用500cc、3000cc、2000cc的容量。
在各质量流量控制器(MFC)240A～240C的上游侧和下游侧分别设置有第一截止阀(上游侧截止阀)230A～230C、第二截止阀(下游侧截止阀)250A～250C。通过关闭第一截止阀230A～230C、第二截止阀250A～250C的双方，而可以阻断各质量流量控制器(MFC)240A～240C中流体的流动(在本具体例中为气体的流动)。即，能够使实际上通过各质量流量控制器(MFC)240A～240C的气体流量为0。
而且，如图1中所示，也可以在气体供给源220A～220C与第一截止阀(上游侧截止阀)230A～230C之间，设置调节器222A～222C与压力计(PT)224A～224C。
另一方面，作为吹洗气体所使用的N2气体的气体供给路210D具有N2气体的气体供给源210D，可以将来自该气体供给源210D的N2气体经由其他各气体供给路210A～210C的质量流量控制器(MFC)240A～240C、第二截止阀250A～250C而向反应管112供给。由此，对于N2气体而言，因为可以利用质量流量控制器(MFC)240A～240C，所以没有必要个别地设置质量流量控制器(MFC)。
具体地说，N2气体的气体供给源220D由气体供给管212D分别经由单向阀260A～260C、截止阀262A～262C而连接于各气体供给路210A～210C的第一截止阀230A～230C与质量流量控制器(MFC)240A～240C之间。此外，在气体供给路210D的气体供给管212D上，与其他气体供给路210A～210C同样，连接着调节器222D、压力计(PT)224D、第一截止阀(上游侧截止阀)230D。而且，在由质量流量控制器(MFC)240A～240C来控制N2气体的流量的情况下，也可以将上述截止阀262A～262C作为设置在质量流量控制器(MFC)的上游侧的第一截止阀(上游侧截止阀)而控制。
这里，参照附图对质量流量控制器(MFC)进行说明。图2是表示根据本发明的质量流量控制器(MFC)的构成例的图。因为质量流量控制器(MFC)240A～240C是同样的构成，因此，从表示各构成要素的标号中省略A～C而典型地进行说明。因而，例如质量流量控制器(MFC)240这样的情况表示各质量流量控制器(MFC)240A～240C。
如图2中所示，质量流量控制器(MFC)240在其内部具有在气体供给管212上分流的主流路241与侧流路242。具体地说，在质量流量控制器(MFC)240内，从气体导入口所导入的来自气体供给管212的气体暂时由主流路241与侧流部242所分流，然后再次合流，之后，经由作为流量调整部的控制阀(流量调整阀)246而从气体导出口向气体供给管212导出。
在侧流部242上，设置有测量气体供给管212内的流量用的流量传感器。流量传感器由设置在侧流部242的上游侧的上游侧传感器243和设置在侧流部242的下游侧的下游侧传感器244组成。上游侧传感器243与下游侧传感器244例如由发热电阻线来构成。
在主流路241上设置有旁通路245。该旁通路245构成为使主流路241中的流量、温度、压力等成为与侧流路242同样的特性。由此，可以防止流量传感器(上游侧传感器243、下游侧传感器244)中的测量误差。
这种质量流量控制器(MFC)240的流量检测原理如下所述。即，在上游侧传感器243中，如果流体流动则带走热量从而温度下降，相反，在下游侧传感器244中带来热量从而温度上升。结果，在上游侧传感器243与下游侧传感器244中产生温度差，通过检测根据该温度差的输出电压(MFC输出电压)而可以检测流量。
在质量流量控制器(MFC)240中设置有通过根据来自流量传感器(上游侧传感器243、下游侧传感器244)的输出来控制控制阀(流量调整阀)246的开度而将气体供给管212的流量调整成设定流量的MFC控制电路247。MFC控制电路247，虽然图未示出，但是除了由例如以上游侧传感器243与下游侧传感器244的电阻值之差作为电压信号检测的桥式电路和放大该电压信号的放大电路组成的流量检测部之外，还具有将作为设定流量接收的设定信号(设定电压)与来自放大电路37的电压进行比较，根据其比较结果(偏差)将用来调整控制阀246的开度的操作信号输出到控制阀246的比较部等。
MFC控制电路247经由例如信号变换部(图未示出)而连接于热处理装置100的控制部300。该信号变换部将来自质量流量控制器(MFC)240的模拟信号变换成数字信号，将来自控制部300的数字信号变换成模拟信号。
在由这种质量流量控制器(MFC)240进行流量控制的情况下，热处理装置100的控制部300以设定流量(设定电压)作为流量设定指令向MFC控制电路247发送。于是，MFC控制电路247则控制气体供给管212的流量使得成为上述设定信号(设定电压)。此外，如果MFC控制电路247从热处理装置100的控制部300收到零点设定指令，则成为将当前的状态设定成流量零。而且，如果MFC控制电路247收到来自热处理装置100的控制部300的流量检测指令，则成为进行流量检测并将其结果作为根据流量的MFC输出电压(例如以5V为满量程(FS)的电压检测值)向控制部300发送。例如热处理装置100的控制部300基于来自MFC控制电路247的MFC输出电压来检测第一零点漂移和第二零点漂移。
这种MFC控制电路247与热处理装置100的控制部300之间的数据的交换，经由例如GHOST网络来进行。GHOST网络是由设置在控制部300中的称为GHOST(General High-Speed Opyimum ScalableTransceiver：通用高速最佳可缩放收发器)的LSI来实现的网络。称为GHOST的LSI可以搭载于作为例如后述的各部控制器360而构成的MC(模块控制器)的MC板。在GHOST网络中可以连接多个I/O模块。通过将各MFC控制电路连接于该I/O模块的I/O部，而构筑GHOST网络。
可是，一般来说，质量流量控制器(MFC)，如已经叙述的那样，在使用中有时实际流量脱离设定流量。例如即使是实际流量为零(0)的情况，相当于由流量传感器(例如上游侧传感器243、下游侧传感器244)所检测的流量的检测电压值也不为零(0)，往往稍微错开而产生误差。这种零点的错开(零点漂移)如果是根据例如使用时间慢慢地加大的倾向，则有输出电压对流量的变化比率(斜率)变动的情况(量程漂移)。这里，将这种零点漂移称为基于使用的零点漂移(第一零点漂移)。
作为第一零点漂移产生的原因，例如，如果因制造商出厂时的环境温度与用户侧的环境温度而产生误差，则可以考虑作为桥式电路的要素的线圈状的发热电阻线(传感器)的包敷材料的历时劣化或者剥离、发热电阻线的线圈的松弛、电路部分的问题、电源电压的变动、传感器卷绕的管路的污染(腐蚀或生成物附着)等。
如果产生这种第一零点漂移，则由于气体流量在设定流量与实际流量中产生偏差，所以第一零点漂移的漂移量越大，则给予晶片W的处理的影响也越大。因此，在本实施方式中，进行定期地检测以修正这种第一零点漂移的处理。
此外，质量流量控制器(MFC)，一般来说，有时还因其设置姿势而发生根据气体分子量或者压力等的零点的错开(零点漂移)。该情况下的零点漂移在水平地设置(例如横置)的情况不发生。可是，如果水平以外的姿势、例如垂直地设置(例如纵置、L字置)，则存在着发生的危险。在本说明书中，将这种零点漂移称为基于设置姿势的零点漂移(第二零点漂移)，与上述基于使用的零点漂移(第一零点漂移)相区别。
因为半导体制造装置的小型化，或配管系统的构成上或设置空间等关系，例如，如图2所示，质量流量控制器(MFC)240的上游侧传感器243、下游侧传感器244卷绕设置的侧流部242(与主流部241平行的部分)有时不得不设置成垂直状态(垂直姿势)。可是，如果设置成垂直姿势，则根据气体的分子量或者压力有时会发生第二零点漂移。该现象称为热虹吸现象。
这里，参照图2说明热虹吸现象发生的原因。通过质量流量控制器(MFC)240的侧流部242的气体如果被上游侧传感器243、下游侧传感器244所加热，则加热的气体在侧流部242内上升，接着，在主流路241的旁通路245中被冷却而下降，再次向侧流部242返回。因此，在侧流部242与主流路241之间产生气体的循环流。因而，例如，如图2中所示，在质量流量控制器(MFC)240其气体导入口成为下方地设置的情况，气体顺向地流过上游侧传感器243、下游侧传感器244所卷绕设置的侧流部242内而发生正的输出，相反，在气体导入口成为上方的情况，则发生负的输出。虽然这里举出在质量流量控制器(MFC)240纵置地设置的情况产生热虹吸现象的例子进行说明，但是，即使是质量流量控制器(MFC)240横置地设置的情况，在例如因安装误差等而从水平倾斜地设置的情况也可能发生热虹吸现象。
这种基于质量流量控制器(MFC)240的设置姿势的零点漂移(第二零点漂移)，与上述基于质量流量控制器(MFC)的使用的零点漂移(第一零点漂移)不同，漂移量不因使用而变动，例如，如图3中所示，其主要取决于设置姿势、气体种类(气体的分子量)、以及压力的固有值。
图3例如是表示如图2所示的纵置地设置的质量流量控制器(MFC)中的气体种类与第二零点漂移量的关系的曲线图。这里，通过下面这种实验，得到图3中所示的曲线图的实验结果。首先，形成在质量流量控制器(MFC)内不产生流动的没有流体本身的真空状态，也就是不产生热虹吸现象引起的第二零点漂移的状态而确认零点位置的输出电压。接着，将分子量不同的气体(例如SF6气体、SiH2Cl2气体、F2气体、NH3气体)分别供给到质量流量控制器(MFC)内后，作为上述输出电压的增加量测定第二零点漂移量。图3是以百分率表示输出电压对满量程(FS∶5V)的比率。因而，直方图的直方越长则表示第二零点漂移量越大。
如果根据图3，则查明按NH3气体、F2气体、SiH2Cl2气体、SF6气体的顺序，也就是随着分子量加大，基于设置姿势的零点漂移(第二零点漂移)也加大。而且，这些基于设置姿势的零点漂移(第二零点漂移)不因质量流量控制器(MFC)的使用而变动。
这样一来，由于基于设置姿势的零点漂移(第二零点漂移)取决于气体种类(气体的分子量)或压力，所以，如果在例如将热处理装置100最初设置于工厂时或改变压力条件等时检测漂移量，则在以后运行热处理装置100时，只要考虑该漂移量确定气体的流量即可。
因为如这样第二零点漂移是因质量流量控制器(MFC)240的设置姿势而产生，所以，例如以适当的定时进行第一零点漂移修正，也存在着因第二零点漂移而气体的流量的设定流量与实际流量的偏差。而且，即使在检测零点漂移时，将设置在质量流量控制器(MFC)240的上游侧和下游侧的截止阀230、250形成关闭状态，也就是实际气体不流动的状态，在未将质量流量控制器(MFC)240内真空排气的情况下，有时也产生热虹吸现象。
在该情况下，如上所述，第二零点漂移量因残留于质量流量控制器(MFC)内的流体的种类(分子量)或压力而不同。因而，在单单关闭截止阀230、250的状态下，即使检测到零点漂移，在例如残留与晶片处理时使用的气体不同的气体的状态下检测到零点漂移的情况，有时也无法正确地检测在晶片处理时实际上可能产生的零点漂移，无法充分地进行零点修正。
因此，在本发明中，通过后述的流量修正处理正确地检测并可靠地修正基于晶片处理时实际上可能产生的热虹吸现象的零点漂移量(第二零点漂移量)，不考虑流量控制器的设置姿势，可以更加提高流量控制的精度。
根据本实施方式的热处理装置100，实行这种包括针对第一零点漂移和第二零点漂移的检测处理和修正处理的流量修正处理。上述流量修正处理由例如控制热处理装置100的各部的控制部300基于规定的程序来实行。
(控制部的构成例)
进行上述流量修正处理的控制部300的构成例示于图4。图4是表示控制部300的具体构成例的方框图。如图4所示，控制部300包括：构成控制部主体的CPU(中央处理装置)310、设置有用于CPU 310进行的各种数据处理而使用的存储区等的RAM(随机存取存储器)320、由显示操作画面或者选择画面等的液晶显示器等所构成的显示装置330、能够进行由操作者进行的过程方案的输入或编辑等各种数据的输入和向规定的记录介质进行的过程方案或处理记录的输出等各种数据的输出等的输入输出装置340、在热处理装置100中发生异常时进行报知的警报器(例如蜂鸣器)等报知装置350、以及基于来自CPU 310的指令控制热处理装置100的各部用的各部控制器360。各部控制器360具有基于例如CPU 310的指令将例如设定流量的设定指令、零点设置指令等控制信号发送到各质量流量控制器240等流量控制器的流量控制器控制器。对于设定流量而言，成为利用例如0～5V(FS：满量程)的设定电压可以将质量流量控制器240的流量设定成0～100％。
此外，控制部300具有储存用来实行热处理装置100的各种处理的处理程序的程序数据存储装置370、以及为了实行处理程序而储存必要的信息(数据)的处理数据存储装置380。程序数据存储装置370、处理数据存储装置380可以构筑于例如硬盘(HDD)等存储区。CPU 310根据需要从程序数据存储装置370、处理数据存储装置380读出所需的程序、数据等，以实行各种处理程序。
程序数据存储装置370具有对例如晶片W实行过程处理用的过程处理程序371、用来实行导入例如反应管112内的气体流量的修正处理的流量修正处理程序372。过程处理程序371基于例如作为后述过程处理信息381的所储存的气体流量、压力等过程方案来控制各部，并且将气体导入到反应管112内，并且对晶片W实施作为过程处理的例如热处理。
流量修正处理程序372主要包括第一零点漂移检测处理程序373、第一零点漂移修正处理程序374、第二零点漂移检测处理程序375、以及第二零点漂移修正处理程序376。第一零点漂移检测处理程序373是检测并存储基于各质量流量控制器(MFC)240的使用的零点漂移量(第一零点漂移量)用的程序。第一零点漂移修正处理程序374是基于第一零点漂移量而进行第一零点漂移修正用的程序。第二零点漂移检测处理程序375是检测并存储基于各质量流量控制器(MFC)240的设置姿势的零点漂移量(第二零点漂移量)用的程序。第二零点漂移修正处理程序376是基于第二零点漂移量而进行第二零点漂移修正用的程序。
这些第一零点漂移检测处理程序373、第一零点漂移修正处理程序374、第二零点漂移检测处理程序375、第二零点漂移修正处理程序376可以作为例如流量修正处理程序的子程序而构成，此外，也可以作为单独的程序来构成。而且，第一零点漂移检测处理程序373、第一零点漂移修正处理程序374、第二零点漂移检测处理程序375、第二零点漂移修正处理程序376也可以在过程处理程序371中在对质量流量控制器(MFC)240设定气体流量时实行。
处理数据存储装置380具有储存例如实行对晶片的过程处理所需的信息的过程处理信息381、储存实行导入反应管112的气体的流量修正处理所需的数据的流量修正信息382等。过程处理信息381储存对晶片的过程处理的过程方案(例如气体流量、压力等)。
流量修正信息382包括储存基于质量流量控制器(MFC)240的使用的第一零点漂移的漂移量的第一零点漂移信息383、以及基于质量流量控制器(MFC)240的设置姿势的零点漂移的漂移量的第二零点漂移信息384。
(第一零点漂移信息的具体例)
这里，首先参照图5说明第一零点漂移信息383的具体例。图5是表示第一零点漂移信息383的数据表的具体例的图。第一零点漂移信息383包括例如MFC(k)、第一零点漂移量(Ek)的项目。
在MFC(k)的项目中，储存有进行第一零点漂移的检测和修正的质量流量控制器(FMC)的种别。下标k是用来指定质量流量控制器(MFC)。在第一零点漂移量(Ek)的项目中，储存有累积通过例如后述的第一零点漂移检测处理所检测的第一零点漂移量的第一零点漂移量Ek。
此外，在进行第一零点漂移的检测和修正的质量流量控制器(MFC)有多个的情况下，在第一零点漂移信息383中，储存有针对各质量流量控制器(MFC)的第一零点漂移量(Ek)。例如在图1中所示那种构成的热处理装置100中，由于具有第一～第三质量流量控制器(MFC)240A～240C，所以，对于第一零点漂移信息383而言也是针对各质量流量控制器(MFC)240A～240C储存第一零点漂移量E1～E3。而且，第一零点漂移信息383的项目不限于图5中所示。
由于第一零点漂移量如上所述根据质量流量控制器(MFC)240的使用时问而变大，所以，在例如上述第一零点漂移量Ek的项目中储存第一零点漂移量的累计值。即，每当检测第一零点漂移量就将该第一零点漂移量加到直到前次为止的第一零点漂移量的累计值的值作为新的累计值更新并储存。这种第一零点漂移量的累计值在例如各质量流量控制器(MFC)240A、240B、240C的异常判断中使用。例如，如果第一零点漂移量的累计值脱离预先设定的阈值则进行报知处理。
(第二零点漂移信息的具体例)
接下来参照图6说明上述第二零点漂移信息384的具体例。图6是表示第二零点漂移信息384的数据表的具体例的图。第二零点漂移信息384包括例如MFC(k)、气体种类(Gk)、压力(Pk)、第二零点漂移量(Vk)的项目。
在MFC(k)的项目中，储存进行第二零点漂移的检测和修正的质量流量控制器(MFC)的种别。下标k用来指定质量流量控制器(MFC)。在气体种类(Gk)的项目中，储存利用质量流量控制器(MFC)控制流量的运用气体(晶片处理时使用的气体)。在压力(Pk)的项目中，储存利用质量流量控制器(MFC)控制流量的运用气体的运用压力(晶片处理时的压力)。在第二零点漂移量(Vk)的项目中，储存例如通过后述的第二零点漂移检测处理所检测的第二零点漂移量。
此外，在进行第二零点漂移的检测和修正的质量流量控制器(MFC)有多个的情况下，在第二零点漂移信息384中，储存针对各质量流量控制器(MFC)的气体种类(Gk)、压力(Pk)、第二零点漂移量(Vk)。在例如图1中所示那种构成的热处理装置100中，由于具有第一～第三质量流量控制器(MFC)240A～240C，所以就第二零点漂移信息384而言也是与第一零点漂移信息383的情况同样针对各质量流量控制器(MFC)240A～240C储存第二零点漂移量V1～V3。而且，第二零点漂移信息384的项目不限于图6中所示。
这种第二零点漂移量如上所述是根据质量流量控制器(MFC)240的设置姿势、运用气体种类(气体的分子量)、运用压力确定的固有的值。因而，在上述第二零点漂移量(Vk)的项目中，储存在将例如热处理装置100最初设置于工厂的初始导入时通过第二零点漂移检测处理所检测的值。此外，优选是储存其后每当有例如运用气体种类、运用压力等的变更的情况实行第二零点漂移检测处理所检测的值。这种第二零点漂移量的固有值，在例如将气体导入反应管112内的情况下，对各质量流量控制器(MFC)240A、240B、240C进行设定流量的设定指令时使用。即，将按第二零点漂移量修正作为过程处理信息381的过程方案所储存的设定流量的流量作为设定流量进行设定指令。由此，可以对供给到热处理部110的实际气体流量不给予第二零点漂移量的影响。
(流量修正处理的具体例)
接下来，对利用质量流量控制器(MFC)进行流量控制的情况的流量修正处理的具体例进行说明。图7是表示根据本实施方式的流量修正处理的主流程的程序框图。在根据本实施方式的流量修正处理中，修正起因于基于质量流量控制器(MFC)的使用的第一零点漂移和基于设置姿势的第二零点漂移两方的设定流量与实际流量的偏差。该流量修正处理基于流量修正处理程序针对各质量流量控制器(MFC)240A～240C实行。这里，从图1中所示的表示气体供给系统200的各构成要素的标号中省略A～C而典型地进行说明。因而，例如质量流量控制器(MFC)240的情况表示各质量流量控制器(MFC)240A～240C。
如图7中所示，根据本实施方式的流量修正处理，如果热处理装置100运行，则首先在步骤S110中判断是否将热处理装置100最初设置于工厂的初始导入时。在步骤S110中判断成是热处理装置100的初始导入时的情况下，实行零点漂移检测处理，也就是第一零点漂移检测处理(步骤S200)、第一零点漂移修正处理(步骤S300)、第二零点漂移检测处理(步骤S400)。
这里，在第二零点漂移检测处理(步骤S400)前，实行第一零点漂移检测处理(步骤S200)和第一零点漂移修正处理(步骤S300)，是因为仅检测第二零点漂移的漂移量的缘故。即，因为即使产生第一零点漂移其也在流量修正成零的状态下检测第二零点漂移的缘故。由此，可以正确地检测第二零点漂移。
在步骤S110中判断成不是热处理装置100的初始导入时的情况下，在步骤S120中判断在MFC运用条件中是否有变更。这里的MFC运用条件的变更，是在第二零点漂移修正处理中无法照原样利用已经储存于第二零点漂移信息384中的第二零点漂移量这种条件中变更的情况，例如可以举出运用气体种类的变更、运用压力的变更、质量流量控制器(MFC)本身的更换等。在步骤S120中，在MFC运用条件中有变更的情况下，通过实行步骤S200～S400的处理，基于所变更的MFC运用条件重新检测第二零点漂移并储存于第二零点漂移信息384。
在步骤S120中判断成MFC运用条件中没有变更的情况下，在步骤S130中判断是否实行晶片处理。因为每当进行晶片的处理在该晶片处理前修正第一零点漂移和第二零点漂移的缘故。在步骤S130中判断成实行晶片处理的情况下，实行零点漂移修正处理，也就是第一零点漂移检测处理(步骤S200)、第一零点漂移修正处理(步骤S300)、第二零点漂移修正处理(步骤S500)而回到步骤S120的处理。
这里，在第二零点漂移修正处理(步骤S500)前实行第一零点漂移检测处理(步骤S200)和第一零点漂移修正处理(步骤S300)是因为仅修正第二零点漂移的漂移量的缘故。即，即使产生第一零点漂移其也在修正成零的状态下修正第二零点漂移的缘故。由此，由于可以在没有第一零点漂移的影响的状态下，修正第二零点漂移，所以第二零点漂移的修正也可以正确地进行。
在步骤S130中判断成不实行晶片处理的情况下，在步骤S140中判断热处理装置100的运行是否停止，在判断成热处理装置100的运行停止的情况下回到步骤S120的处理，在判断成热处理装置100的运行未停止的情况下结束一系列的流量修正处理。
图7中所示的第一零点漂移检测处理(步骤S200)、第一零点漂移修正处理(步骤S300)、第二零点漂移检测处理(步骤S400)、第二零点漂移修正处理(步骤S500)分别基于第一零点漂移检测处理程序373、第一零点漂移修正处理程序374、第二零点漂移检测处理程序375、第二零点漂移修正处理程序376来实行。
而且，由于第一零点漂移检测处理(步骤S200)和第一零点漂移修正处理(步骤S300)，相当于第二零点漂移检测处理(步骤S400)的事前处理，所以也可以将这些第一零点漂移检测处理(步骤S200)、第一零点漂移修正处理(步骤S300)、第二零点漂移检测处理(步骤S400)作为一系列的第二零点漂移检测处理来考虑。同样，由于第一来零点漂移检测处理(步骤S200)、第一零点漂移修正处理(步骤S300)相当于第二零点漂移修正处理(步骤S500)的事前处理，所以也可以将这些第一零点漂移检测处理(步骤S200)、第一零点漂移修正处理(步骤S300)、第二零点漂移修正处理(步骤S500)作为一系列的第二零点漂移修正处理来考虑。
此外，在实行第二零点漂移检测处理(步骤S400)或第二零点漂移修正处理(步骤S500)时，如果对第一零点漂移而言用其他方法等进行补偿，则没有必要一定将第一零点漂移检测处理(步骤S200)和第一零点漂移修正处理(步骤S300)作为事前处理来实行。
而且，在图7中所示的流量修正处理的具体例中，虽然对于第一零点漂移检测处理(步骤S200)、第一零点漂移修正处理(步骤S300)、第二零点漂移修正处理(步骤S500)而言，对每当晶片处理时实行的情况进行了说明，但是不一定局限于这些，也可以每经过规定时间而进行。在以下中，对图7中所示的步骤S300～S500的处理详细地进行说明。
(第一零点漂移检测处理的具体例)
首先，参照图8中所示的子程序说明第一零点漂移检测处理(步骤S200)的具体例。如图8中所示，控制部300首先通过步骤S210～S240，将质量流量控制器(MFC)240内形成真空状态。即，在步骤S210中关闭第一截止阀(上游侧截止阀)230，在步骤S220中强制打开质量流量控制器(MFC)240的控制阀246。在该状态下，在步骤S230中进行质量流量控制器(MFC)240内的抽真空处理。通过打开例如排气侧旁通截止阀134和供给侧旁通截止阀136而经由旁通线130利用真空排气装置124进行抽真空处理。接着，在步骤S240中关闭第二截止阀(下游侧截止阀)250。
通过这种步骤S210～S240，由于质量流量控制器(MFC)240内成为没有产生流动的流体本身的真空状态，所以不产生热虹吸现象引起的第二零点漂移。
在该情况下，假如在未将质量流量控制器(MFC)240内抽真空的情况下，即使关闭例如第一截止阀(上游侧截止阀)230与第二截止阀(下游侧截止阀)250，只要在质量流量控制器(MFC)240内存在着流动，就可能因热虹吸现象而产生第二零点漂移。因而，在这种状态下，即使检测MFC输出电压，则在该输出电压中不仅包含第一零点漂移量还包含第二零点漂移量。因此，无法正确地检测第一零点漂移。
这一点，由于在本实施方式中，将质量流量控制器(MFC)240内形成不产生第二零点漂移的真空状态后，在下一个步骤S250以后检测MFC的输出电压，所以可以在不含有第二零点漂移的状态下检测第一零点漂移量。由此，可以正确地检测第一零点漂移量。
在该状态下，等到MFC输出电压的输出稳定。然后，如果MFC输出电压的输出稳定，则在步骤S250中将MFC输出电压作为此次的第一零点漂移量E0检测。具体地说，将流量检测指令发送到MFC控制电路247而接收MFC输出电压。在该情况下，如果不产生第一零点漂移则MFC输出电压为零，如果产生第一零点漂移则MFC输出电压不为零。
接着，在步骤S260中将直到前次所累计的第一零点漂移量Ek由Ek＝Ek+E0来更新并储存。即，将此次第一零点漂移量E0加到第一零点漂移信息383的第一零点漂移量Ek的项目中所储存的直到前次中累计的第一零点漂移量Ek上，作为新的第一零点漂移量Ek储存。例如，如果在图5中所示的第一零点漂移信息383中第一质量流量控制器(MFC)240A的直到前次所累计的第一零点漂移量取为E1，则通过E1＝E1+E0更新第一零点漂移量E1并储存。
接着，在步骤S270中判断如上所述更新的第一零点漂移量Ek是否超过预先设定的阈值，在判断成超过阈值的情况，在步骤S280中进行报知处理。作为报知处理，利用例如报警器等报知装置350发生警告声，或者在液晶板等显示装置330上进行警告显示。由此，可以得知质量流量控制器(MFC)240的故障或更换时间等。作为上述阈值将例如成为基准值的电压值的±0.3V(300mV)取为阈值，在第一零点漂移量的累计值Ek偏离该阈值的情况实行报知处理。这是因为在这种情况下，考虑质量流量控制器(MFC)240的问题的缘故。在步骤S270中判断成第一零点漂移量的累计值Ek不超过预先设定的阈值的情况下，结束第一零点漂移检测处理。
而且，在进行第一零点漂移检测处理的情况下，也可以最初进行事前检查处理，以便能够可靠地检测质量流量控制器(MFC)240的第一零点漂移。作为事前检查处理，可以举出例如半导体制造装置的电源投入后规定时间(例如4小时以上)的暖气运行、配置气体供给系统200的容器(气罐)内的正常排气(例如2小时以上)、在利用加热器进行温度调整的情况等待该温度的稳定、第一截止阀(上游侧截止阀)230和第二截止阀(下游侧截止阀)250等的泄漏检查等。优选确认在这类事前检查中没有异常后进行第一零点漂移检测处理。
(第一零点漂移修正处理的具体例)
接下来，参照图9中所示的子程序说明第一零点漂移修正处理(步骤S300)的具体例。如图9中所示，控制部300首先在步骤S310中对质量流量控制器(MFC)240进行零点设定指令。具体地说，控制部300向质量流量控制器(MFC)240发送零点设定指令，将当前的状态设定成流量零。例如在步骤S200中，在质量流量控制器(MFC)240内没有流体的真空状态下所检测的第一零点漂移量Ek不为零的情况下，该状态被设定成流量零。
接着，在步骤S320中检测MFC输出电压确认进行零点设定。即，确认MFC输出电压不为零。这样一来，如果第一零点漂移修正处理结束，则回到图7中所示的流量修正处理，接着，实行第二零点漂移检测处理(步骤S400)而结束第一零点漂移修正处理。
(第二零点漂移检测处理的具体例)
接下来，参照图10中所示的子程序说明第二零点漂移检测处理(步骤S400)的具体例。如图10中所示，控制部300首先在步骤S410中将质量流量控制器(MFC)240内置换成运用气体(例如如果是质量流量控制器(MFC)240A则为SiH4气体)。具体地说，打开例如第一截止阀(上游侧截止阀)230和第二截止阀(下游侧截止阀)250而将运用气体导入质量流量控制器(MFC)240内，并且通过打开排气侧旁通截止阀134和供给侧旁通截止阀136经由旁通线130利用真空排气装置124进行抽真空处理。此时，通过交互地重复运用气体的导入与抽真空处理的循环换气也可以将质量流量控制器(MFC)240内置换成运用气体。
接着，通过步骤S420～步骤S440，以运用压力将运用气体封入质量流量控制器(MFC)240内。即，在步骤S420中关闭第二截止阀(下游侧截止阀)250，在步骤S430中强制打开质量流量控制器(MFC)240的控制阀246，在步骤S440中将质量流量控制器(MFC)240内形成运用压力。具体地说，关闭第二截止阀(下游侧截止阀)250的状态下，导入运用气体直到质量流量控制器(MFC)240内成为运用压力。然后，如果质量流量控制器(MFC)240内成为运用压力，则在步骤S450中关闭第一截止阀(上游侧截止阀)230，停止运用气体的导入。由此，运用气体以运用压力被封入质量流量控制器(MFC)240内。
在该状态下，等待MFC输出电压的输出稳定。然后，如果MFC输出电压的输出稳定，则在步骤S460中检测MFC输出电压V。具体地说，将流量检测指令发送到MFC控制电路247作为第二零点漂移量V接收MFC输出电压。在该情况下，如果不产生第二零点漂移则MFC输出电压为零，如果产生第二零点漂移则MFC输出电压不为零。此外，在本实施方式中，因为已经进行第一零点漂移检测(步骤S200)和修正(步骤S300)，故可以在不含有第一零点漂移量的状态下检测第二零点漂移量。由此，可以正确地检测第二零点漂移量。
接着，在步骤S470中照原样储存第二零点漂移量V。即，在第二零点漂移信息384的第二零点漂移量Vk的项目中照原样储存第二零点漂移量V。例如，在图6中所示的第二零点漂移信息384中对第一质量流量控制器(MFC)240A的SiH4气体而言，将所检测的第二零点漂移量V作为第二零点漂移量V1SiH4储存。
接着，在步骤S480中判断所有的运用气体和运用压力中的检查是否结束。这是因为如上所述因为第二零点漂移量因气体种类(气体分子量)与压力而不同，因此在对一个质量流量控制器(MFC)而言具有多个运用气体与运用压力的情况下，对各运用气体而言有必要在各运用压力下分别检测第二零点漂移。
例如在图1中所示的构成例中，因为第一质量流量控制器(MFC)240A中的运用气体有SiH4与N2，所以针对各运用气体检测第二零点漂移。此时在一种气体中有多个运用压力的情况下针对各运用压力检测第二零点漂移。
在步骤S480中判断成所有的运用气体和运用压力下的检查未结束的情况下回到步骤S410的处理，在判断成所有的运用气体和运用压力下的检查结束的情况下结束第二零点漂移检测处理。
而且，在进行第二零点漂移检测处理的情况下，与上述第一零点漂移检测处理的情况同样，也可以最初进行事前检查处理，以便质量流量控制器(MFC)240的第二零点漂移可以可靠地检测。这里的事前检查处理的具体例，与上述针对第一零点漂移检测处理的事前检查处理是同样的。
(第二零点漂移修正处理的具体例)
接下来，参照图11中所示的子程序说明第二零点漂移修正处理(步骤S500)的具体例。如图11中所示，控制部300首先在步骤S510中基于例如处理数据存储装置380的过程处理信息381取得此后进行晶片处理的运用气体、运用压力、运用气体流量V。而且、运用气体、运用压力、运用气体流量V也可以通过触摸屏等输入输出装置340的操作由操作者输入。
接着，在步骤S520中基于处理数据存储装置380的第二零点漂移信息394取得所取得的运用气体和运用压力。在该情况下，在进行晶片处理时利用多个质量流量控制器(MFC)240对气体流量进行控制的情况下，针对各质量流量控制器(MFC)240取得第二零点漂移信息394。
接着，在步骤S530中，将在取得的运用气体流量V上加上第二零点漂移量Vk的流量(V＝V+Vk)作为修正后的设定流量V来对质量流量控制器(MFC)240进行设定。具体地说，控制部300将设定流量V的设定指令向质量流量控制器(MFC)240的MFC控制电路247进行发送。于是，MFC控制电路247以第二零点漂移已修正的流量V进行流量设定。
由此，在晶片处理时，利用第一零点漂移与第二零点漂移两方已修正的流量V控制流量。因而，可以不受第一零点漂移和第二零点漂移两方的影响，进行精度更高的流量控制。
而且，虽然在图7中所示的流量修正处理中，举出在实行晶片处理时，在步骤S200中检测第一零点漂移量，在步骤S300中修正第一零点漂移量后，在步骤S500中修正零点漂移量的情况为例，但是不一定限定于此，第一零点漂移量的修正与第二零点漂移量的修正也可以同时进行。
即，也可以基于储存于第二零点漂移信息384的第二零点漂移量和实行晶片处理时检测的第一零点漂移量修正对应于晶片处理时使用的气体的气体流量的设定电压，在质量流量控制器(MFC)240中设定修正后的气体流量的设定电压。具体地说，省略第一零点漂移修正处理(步骤S300)，也就是不进行零点设定指令，在第二零点漂移修正处理(步骤S500)中进行还考虑第一零点漂移量的修正。也可以例如在图11中所示的步骤S530中，作为修正在取得的运用气体流量V上加上第二零点漂移量Vk和刚刚检测到的第一零点漂移量E的流量(V＝V+Vk+E)后的设定流量V在质量流量控制器(MFC)240中设定。由此，可以同时进行第一零点漂移量的修正与第二零点漂移量的修正。
在这种构成的根据第一实施方式的热处理装置100中，可以正确地检测基于实际的晶片处理时产生的热虹吸现象的零点漂移量(第二零点漂移量)。即，因为基于热虹吸现象的零点漂移量的大小因气体种类(气体分子量)而异，因此通过用晶片处理时使用的气体检测基于热虹吸现象的零点漂移量(第二零点漂移量)，可以正确地检测实际的晶片处理时可能产生的零点漂移量。
此外，储存检测的基于热虹吸现象的零点漂移量(第二零点漂移量)后，在实行晶片处理时，通过修正对应于晶片处理时使用的气体流量的设定电压，可以正确地修正第二零点漂移量。由此，不论质量流量控制器(MFC)240的设置姿势如何，均可以提高流量控制的精度。进而，不论质量流量控制器(MFC)240的构成如何，均可以正确地检测基于热虹吸现象的零点漂移量。
此外，对根据第一实施方式的热处理装置100所具有的各质量流量控制器(MFC)240A～240C而言，因为实行上述那种流量修正处理，因此，无论各质量流量控制器(MFC)240A～240C的设置姿势如何，均可以进一步提高流量控制的精度。
此外，由于在检测基于热虹吸现象的第二零点漂移量前，检测并修正质量流量控制器(MFC)240的基于使用的第一零点漂移量，所以可以不影响第一零点漂移且正确地检测基于热虹吸现象的第二零点漂移量。而且，在检测第一零点漂移量时，关闭质量流量控制器(MFC)240的各截止阀230、250，不仅形成实际气体不流动的状态，而且由于质量流量控制器(MFC)240内真空排气，所以在质量流量控制器(MFC)240内成为没有能够产生流动的流体本身的真空状态。因此，由于不发生热虹吸现象，所以可以在也没有基于该热虹吸现象的第二零点漂移的状态下检测第一零点漂移量。由此，可以正确地检测第一零点漂移量。
此外，在实行晶片处理时也是，由于在修正基于热虹吸现象的第二零点漂移量前，检测并修正质量流量控制器(MFC)240的基于使用的第一零点漂移，所以可以不影响第一零点漂移且可靠地修正基于热虹吸现象的第二零点漂移量。由此，无论质量流量控制器(MFC)240的设置姿势如何，可以更加提高流量控制的精度。
(根据第二实施方式的半导体制造装置的构成例)
接下来，参照附图，对根据第二实施方式的半导体制造装置说明本发明。这里，与第一实施方式的情况同样，作为半导体制造装置，举出对晶片进行规定的热处理的热处理装置为例进行说明。图12是表示根据第二实施方式的热处理装置的构成例的图。根据第二实施方式的热处理装置100，气体供给系统200的构成与根据第一实施方式的热处理装置100不同。即，根据第一实施方式的热处理装置100构成为针对作为运用气体的各SiH4气体、Si2H6气体、SiH2Cl2气体分别利用第一～第三质量流量控制器(MFC)240A～240C进行流量控制，与此相对照，根据第二实施方式的热处理装置100构成为对作为运用气体的各SiH4气体、Si2H6气体、SiH2Cl2气体利用共同的一个第一质量流量控制器(MFC)240A进行流量控制这一点上不同。
具体地说，SiH4气体、Si2H6气体、SiH2Cl2气体的气体供给路210A～210C分别在第一截止阀(上游侧截止阀)230A～230C的下游侧处合流，连接于质量流量控制器(MFC)240A的气体导入口。此外，例如作为吹洗气体而使用的N2气体的气体供给路210D经由单向阀260D、第一截止阀(上游侧截止阀)230D而在第一截止阀(上游侧截止阀)230A～230C的下游侧处合流，连接于质量流量控制器(MFC)240A的气体导入口。
根据第二实施方式的第一零点漂移信息383，如图13中所示，仅储存共同的质量流量控制器(MFC)240A的第一零点漂移量(Ek)即可。此外，根据第二实施方式的第二零点漂移信息384，如图14中所示，仅储存共同的质量流量控制器(MFC)240A的气体种类(Gk)、压力(Pk)、第二零点漂移量。
在这种根据第二实施方式的热处理装置100中，与根据第一实施方式的热处理装置100同样可以运用图7～图11中所示那种流量修正处理。例如，在图12中所示的热处理装置100中，利用一个共同的质量流量控制器(MFC)240A控制多个运用气体(SiH4气体、Si2H6气体、SiH2Cl2气体、N2气体)的流量。因此，在根据第二实施方式的第二零点漂移检测处理(步骤S400)中，针对各运用气体检测第二零点漂移量，将各运用气体的第二零点漂移量预先储存于图14中所示那种第二零点漂移信息384。
然后，在晶片处理时，实行第一零点漂移检测处理(步骤S200)和第一零点漂移修正处理(步骤S300)后，通过第二零点漂移修正处理(步骤S500)基于第二零点漂移信息384修正针对各运用气体的设定流量。由此，在晶片处理时利用第一零点漂移与第二零点漂移两方所修正的流量V控制流量。
如果利用这种根据第二实施方式的热处理装置100，则使用共同的质量流量控制器(MFC)240A分别向热处理部110供给多个气体种类而进行晶片处理。在这种情况下也是，通过进行与第一实施方式同样的流量修正处理，在晶片处理时使用各气体种类时可以正确地检测并修正基于实际上可能产生的热虹吸现象的零点漂移量。由此，可以无论质量流量控制器(MFC)240A的设置姿势如何，更加提高流量控制的精度。
而且，对通过上述实施方式详述的本发明而言，可以运用于由多个机器所构成的系统，也可以运用于由一个机器组成的系统。将储存实现上述实施方式的功能的软件的程序的存储介质等介质供给到系统或装置，通过该系统或装置的计算机(或CPU或MPU)读出并实行储存于存储介质等介质中的程序，可以实现本发明是不用说的。
在该情况下，从存储介质等介质所读出的程序本身成为实现上述实施方式的功能，储存该程序的存储介质等介质构成本发明。作为用来供给程序的存储介质等介质，可以用例如Floppy(注册商标)软盘、硬盘、光盘、光磁性盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁带、非易失性存储器卡、ROM、或者经由网络的下载等。
而且，通过计算机实行读出的程序，不仅实现上述实施方式的功能，而且基于该程序的指示，在计算机上运行的OS等进行实际的处理的一部或者全部，通过该处理实现上述实施方式的功能的情况，也包含于本发明。
此外，从存储介质等介质所读出的程序，写入插入计算机的功能扩展板或连接于计算机的功能扩展单元中所备有的存储器后，基于该程序的指示，该功能扩展板或功能扩展单元中所备有的CPU等进行实际的处理的一部或全部，通过该处理实现上述实施方式的功能的情况，也包含于本发明。
虽然以上，参照附图就本发明的最佳实施方式进行了说明，但是本发明不限定于此例是不用说的。只要是本领域技术人员，在权利要求书中所述的范围内，可以得到各种变形例或修正例是显而易见的，对这些而言应该明白当然属于本发明的技术范围。
例如，虽然在上述第一和第二实施方式中，作为半导体制造装置举出热处理装置为例进行了说明，但是不一定限定于此，只要是利用质量流量控制器等流量控制器控制气体或液体的流量而对基板进行规定的处理的半导体制造装置，可以运用于各种的种类的半导体制造装置。例如作为半导体制造装置除了热处理装置之外，也可以运用于蚀刻装置或成膜装置。
工业实用性
本发明运用于利用质量流量控制器等流量控制器控制气体或液体的流量而对基板进行规定的处理的半导体制造装置，半导体制造装置的流量修正方法，程序是可能的。

Claims (13)

1.一种半导体制造装置，其特征在于，包括：
对基板实施用来制造半导体装置的处理的处理部；
将气体供给到所述处理部内的气体供给路；
设置在所述气体供给路，比较来自检测所述气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器；
分别设置在所述流量控制器的上游侧与下游侧的截止阀；以及
在所述流量控制器中设定对应于由所述气体供给路所供给的气体的气体流量的设定电压的控制部，其中，
所述控制部在实行基板处理前，预先至少利用基板处理时所使用的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，并将该输出电压储存于存储装置，
在实行基板处理时，基于储存于所述存储装置的所述流量控制器的输出电压修正对应于基板处理时所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压。
2.一种半导体制造装置，其特征在于，包括：
对基板实施用来制造半导体装置的处理的处理部；
将多种气体分别供给到所述处理部内的多个气体供给路；
分别设置在所述各气体供给路上，比较来自检测所述气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的多个流量控制器；
分别设置在所述各流量控制器的上游侧与下游侧的截止阀；以及
在所述各流量控制器中设定对应于由所述各气体供给路所供给的气体的气体流量的设定电压的控制部，其中
所述控制部在实行基板处理前，针对所述各流量控制器预先至少利用基板处理时所使用的气体对所述各流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，并将针对各流量控制器的输出电压储存于存储装置，
在实行基板处理时，基于针对所述各流量控制器储存于所述存储装置中的输出电压，分别针对所述各流量控制器修正对应于基板处理时所使用的气体种类的气体流量的设定电压，并在所述各流量控制器中分别设定修正后的气体流量的设定电压。
3.一种半导体制造装置，其特征在于，包括：
对基板实施用来制造半导体装置的处理的处理部；
将多种气体分别供给到所述处理部内的多个气体供给路；
设置在所述各气体供给路合流的合流路上，比较来自检测所述气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的共同的流量控制器；
分别设置在所述流量控制器的下游侧的所述各气体供给路上的下游侧截止阀；
设置在所述流量控制器的上游侧的上游侧截止阀；以及
在所述流量控制器中分别设定对应于由所述各气体供给路所供给的各气体种类的气体流量的设定电压的控制部，其中，
所述控制部在实行基板处理前，针对基板处理时所使用的各气体种类预先至少利用所述气体对所述各流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将针对各气体种类的输出电压储存于存储装置，
在实行基板处理时，基于储存于所述存储装置中的针对各气体种类的所述流量控制器的输出电压，分别修正对应于基板处理时所使用的各气体种类的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中分别设定修正后的气体流量的设定电压。
4.一种半导体制造装置，其特征在于，包括：
对基板实施用来制造半导体装置的处理的处理部；
将气体供给到所述处理部内的气体供给路；
设置在所述气体供给路上，比较来自检测所述气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器；
分别设置在所述流量控制器的上游侧与下游侧上的截止阀；
能够对所述流量控制器内进行真空排气的真空排气装置；以及
在所述流量控制器中设定对应于由所述气体供给路所供给的气体的气体流量的设定电压的控制部，其中，
所述控制部在实行基板处理前，预先利用所述真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，至少利用与基板处理时同样的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为第二零点漂移量储存于存储装置，
在实行基板处理时，利用所述真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，基于储存于所述存储装置中的所述第二零点漂移量修正对应于基板处理中所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压。
5.一种半导体制造装置，其特征在于，包括：
对基板实施用来制造半导体装置的处理的处理部；
将气体供给到所述处理部内的气体供给路；
设置在所述气体供给路上，比较来自检测所述气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器；
分别设置在所述流量控制器的上游侧与下游侧的截止阀；
能够对所述流量控制器内进行真空排气的真空排气装置；以及
在所述流量控制器中设定对应于由所述气体供给路供给的气体的气体流量的设定电压的控制部，其中，
所述控制部在实行基板处理前，预先利用所述真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，至少利用与基板处理时同样的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为第二零点漂移量储存于存储装置，
在实行基板处理时，利用所述真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于将对应于基板处理所使用的气体的气体流量的设定电压储存于所述存储装置中的所述第二零点漂移量和实行基板处理时检测到的所述第一零点漂移量而进行修正，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压。
6.一种半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于：
其是利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器，将气体供给到处理部，并对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于，包括：
在实行基板处理前，预先至少利用在基板处理时所使用的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭设置于所述流量控制器的上游侧以及下游侧的各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为零点漂移量储存于存储装置中的零点漂移检测工序；和
在实行基板处理时，基于储存于所述存储装置中的所述流量控制器的零点漂移量修正对应于基板处理时所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的零点漂移修正工序。
7.一种半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于：
其是利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的多个流量控制器，将多种气体供给到处理部，对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正方法，其包括：
在实行基板处理前，预先针对所述各流量控制器至少利用在基板处理时所使用的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭设置在所述流量控制器的上游侧和下游侧的各截止阀的状态下，检测来自所述流量控制器的输出电压，将这些针对各流量控制器的输出电压作为零点漂移量储存于存储装置中的零点漂移检测工序；和
在实行基板处理时，针对所述各流量控制器基于针对所述各流量控制器储存于所述存储装置中的输出电压分别修正对应于基板处理时所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述各流量控制器中分别设定修正后的气体流量的设定电压的零点漂移修正工序。
8.一种半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于：
其是利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器，将多种气体供给到处理部，对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正方法，其包括：
在实行基板处理前，预先针对基板处理时所使用的各气体种类至少利用所述气体对所述各流量控制器内进行置换并在关闭设置在所述流量控制器的上游侧和下游侧的各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将针对各气体种类的输出电压作为零点漂移量储存于存储装置中的零点漂移检测工序；和
在实行基板处理时，基于储存于所述存储装置中的针对各气体种类的零点漂移量分别修正对应于基板处理中所使用的各气体种类的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的零点漂移修正工序。
9.一种半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于：
其是利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器，将气体供给到处理部并对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正方法，其包括：
在实行基板处理前，预先利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气而在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，并基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，至少利用与基板处理时同样的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为第二零点漂移量储存于存储装置中的第二零点漂移检测工序；和
在实行基板处理时，利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，基于储存于存储装置中的所述第二零点漂移量修正对应于基板处理中所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的第二零点漂移修正工序。
10.一种半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于：
其是利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器，将气体供给到处理部并对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正方法，其包括：
在实行基板处理前，预先利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，至少利用与基板处理时同样的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为第二零点漂移量储存于存储装置中的第二零点漂移检测工序；和
在实行基板处理时，利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于将对应于基板处理中所使用的气体流量的设定电压储存于所述存储装置中的所述第二零点漂移量和实行基板处理时检测到的所述第一零点漂移量进行修正，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的第二零点漂移修正工序。
11.如权利要求9或10所述的半导体制造装置的流量修正方法，其特征在于：
在检测所述第一零点漂移量的同时还将累计的第一零点漂移量储存于所述存储装置中，
在检测所述第一零点漂移量时，在将该第一零点漂移量加到直到上一次为止所累计的第一零点漂移量的值超出预定的阈值的情况下进行报知处理。
12.一种程序，其特征在于：
其是用于实行利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器将气体供给到处理部，对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正处理的程序，其中，
该程序用于在计算机中实行下述处理：
在实行基板处理前，预先至少利用基板处理时所使用的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭设置在所述流量控制器的上游侧和下游侧的各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为零点漂移量储存于存储装置的零点漂移检测处理，和
在实行基板处理时，基于储存于所述存储装置中的所述流量控制器的零点漂移量修正对应于基板处理时所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的零点漂移修正处理。
13.一种程序，其特征在于：
其是用于实行利用比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压而控制所述气体供给路的气体流量为设定流量的流量控制器将气体供给到处理部，对该处理部内的基板进行用来制造半导体装置的处理的半导体制造装置的流量修正处理的程序，其中，
该程序用于在计算机中实行下述处理：
在实行基板处理前，预先利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，至少利用与基板处理时同样的气体对所述流量控制器内进行置换并在关闭所述各截止阀的状态下检测来自所述流量控制器的输出电压，将该输出电压作为第二零点漂移量储存于存储装置中的第二零点漂移检测处理，和
在实行基板处理时，利用真空排气装置对所述流量控制器内进行真空排气并在关闭所述各截止阀的状态下作为第一零点漂移量检测所述流量控制器的输出电压，基于该第一零点漂移量进行零点修正，之后，基于储存于所述存储装置中的所述第二零点漂移量修正对应于基板处理中所使用的气体的气体流量的设定电压，并在所述流量控制器中设定修正后的气体流量的设定电压的第二零点漂移修正处理。
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