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CN101000842A - Mems开关 - Google Patents

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CN101000842A
CN101000842A CNA2006101375965A CN200610137596A CN101000842A CN 101000842 A CN101000842 A CN 101000842A CN A2006101375965 A CNA2006101375965 A CN A2006101375965A CN 200610137596 A CN200610137596 A CN 200610137596A CN 101000842 A CN101000842 A CN 101000842A
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Abstract

本发明公开了一种微电子机械系统(MEMS)开关，包括：基底；固定信号线，形成在基底上；可动信号线，与所述固定信号线的上表面和下表面中的一个表面分开；至少一个压电致动器，连接到所述可动信号线的第一端上，以使所述可动信号线与所述固定信号线接触或分开。所述至少一个压电致动器包括：第一电极；压电层，形成在所述第一电极上；第二电极，形成在所述压电层上；连接层，形成在所述第二电极上并与所述可动信号线连接。

Description

MEMS开关
技术领域
与本发明相关的装置涉及一种利用MEMS技术制造的MEMS(微电子机械系统)开关，例如RF(射频)开关，更具体地讲，涉及一种通过利用压电元件或致动器而被驱动的MEMS开关。
背景技术
在利用MEMS技术的RF元件中，RF开关被最广泛地制造。RF开关是无线通信终端和微波或毫米波段系统中的一种元件，其通常被用在阻抗匹配电路中或用于选择地传输信号。
图1是显示传统的MEMS开关的示例性结构的俯视图，图2是沿着图1的II-II’线截取的截面图。
参照图1和图2，具有彼此分开预定距离的触点3a的信号线3形成在基底2的上表面的中部。由支撑物(anchor)5支撑的可动电极6位于触点3a之上。接触构件6a形成在可动电极6的中部，与触点3a互相连接。
固定电极7形成在基底2上，在信号线3的两侧，这样，固定电极7与其之间的可动电极6一起产生静电力，从而拉动可动电极6的接触构件6a并使其与触点3a接触。
根据上述构造的传统的MEMS开关，当将直流电压施加到固定电极7上时，可动电极6被充电，从而在可动电极6和固定电极7之间产生静电力。结果，可动电极6被拉向基底2。随着可动电极6被拉动，在可动电极6的中部形成的接触构件6a的两侧部分都与信号线3的触点3a接触。
然而，传统的MEMS开关的结构为，在操作期间，接触构件6a的两侧部分都与信号线3的触点3a接触。这种结构不仅增加了接触电阻(contactresistance)，而且随之插入损耗(insertion loss)也增加。
发明内容
本发明的示例性实施例解决了以上问题和/或缺点，并提供至少以下描述的优点。因此，本发明的一方面在于提供一种MEMS开关，该开关具有对信号线改进的接触结构，从而减小了接触电阻，随之插入损耗也减小。
本发明的另一方面在于提供一种MEMS开关，该MEMS开关能够用低电压驱动。
对于本发明的其它方面和优点，一部分将在下面的描述中进行阐述，一部分将通过描述而清楚，或者可以通过实施本发明而理解。
根据本发明的示例性实施例的一方面，提供了一种MEMS开关，包括：基底；固定信号线，形成在基底上；可动信号线，与所述固定信号线的上表面分开；至少一个压电致动器，连接到所述可动信号线的第一端上，以使所述可动信号线与所述固定信号线接触或分开。
所述至少一个压电致动器可包括：第一电极；压电层，形成在所述第一电极上；第二电极，形成在所述压电层上；连接层，形成在所述第二电极上并与所述可动信号线连接。
所述至少一个压电致动器可包括第一端和自由端，所述第一端具有被支撑在所述基底上的支撑部分，所述自由端连接到所述可动信号线上。
所述第一电极和第二电极可分别由从Al、Au、Pt、W、Mo、Ta、Pt-Ta、Ti和Pt-Ti中选择的材料形成。
所述压电层可由从PZT、PLZT、ZnO、PMN、PMN-PT、PZN、PZN-PT和AlN中选择的材料形成。
所述连接层可由从SiXNY和AlN中选择的材料形成。
所述至少一个压电致动器可包括被布置在所述可动信号线的相对侧的两个压电致动器。
所述两个压电致动器的连接层可互相连接在一起，从而使所述两个压电致动器互相连接。
所述可动信号线可包括被支撑在所述基底上的支撑部分。
根据本发明的示例性实施例的另一方面，提供了一种微电子机械系统开关，包括：基底；固定信号线，与所述基底的上表面分开；可动信号线，与所述基底的上表面和所述固定信号线的下表面分开；至少一个压电致动器，连接到所述可动信号线的第一端上，以使所述可动信号线与所述固定信号线接触或分开。
所述至少一个压电致动器可包括：第一电极；压电层，形成在所述第一电极之下；第二电极，形成在所述压电层之下；连接层，形成在所述第二电极之下并与所述可动信号线连接。所述至少一个压电致动器可包括第一端和自由端，所述第一端具有被支撑在所述基底上的支撑部分，所述自由端连接到所述可动信号线上。
所述第一电极和第二电极可分别由从Al、Au、Pt、W、Mo、Ta、Pt-Ta、Ti和Pt-Ti中选择的材料形成。
所述压电层可由从PZT、PLZT、ZnO、PMN、PMN-PT、PZN、PZN-PT和AlN中选择的材料形成。
所述连接层可由从SiXNY和AlN中选择的材料形成。
所述至少一个压电致动器可包括被布置在所述可动信号线的相对侧的两个压电致动器。
所述两个压电致动器的连接层可互相连接在一起，从而使所述两个压电致动器互相连接。
所述可动信号线可包括被支撑在所述基底上的支撑部分。
对于本领域技术人员来说，通过下面结合附图公开本发明示例性实施例的详细描述，本发明的其它目的、优点和显著的特定将变得清楚。
附图说明
通过下面参照附图对本发明示例性实施例进行的描述，本发明的以上方面和特点将会更加清楚，其中：
图1是传统的MEMS开关的示例性结构的俯视图；
图2是沿图1的II-II’线截取的截面图；
图3是根据本发明示例性实施例的MEMS开关的示例性结构的透视图；
图4是沿图3的IV-IV’线截取的截面图；
图5是根据本发明另一示例性实施例的MEMS开关的示例性结构的透视图；
图6是沿图5的VI-VI’线截取的截面图。
在所有附图中，相同的附图标号应当被理解为指示相同的元件、特征和结构。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的实施例，其例子表示在附图中，其中，相同的标号始终指示相同的元件。以下参照附图描述这些实施例以解释本发明。
图3是根据本发明示例性实施例的MEMS开关的示例性结构的透视图，图4是沿图3的IV-IV’线截取的截面图。
参照图3和图4，根据本发明示例性实施例的MEMS开关100包括基底101、固定信号线110、可动信号线130和压电致动器150。
固定信号线110形成在基底101的中部的一侧，而可动信号线130形成在基底101的中部的另一侧。可动信号线130的第一端，即其自由端与基底101的上表面分开预定间隙G1，并且与固定信号线110的第一端重叠。可动信号线130的第二端具有线支撑部分131，以使可动信号线130能够在基底101上伸出悬臂，其中，可动信号线130的第二端位于其自由端的相对侧，而可动信号线的自由端与固定信号线110的第一端对应。
固定信号线110和可动信号线130分别由导电的金属，如Au等制成。
向下驱动可动信号线130的自由端并使其与固定信号线110的第一端接触的压电致动器150包括：第一电极151；压电层153，形成在第一电极151上；第二电极155，形成在压电层153上；连接层157，形成在第二电极155上并与可动信号线130的上表面连接。
第一电极151和第二电极155分别可以由Al、Au、Pt、W、Mo、Ta、Pt-Ta、Ti或Pt-Ti制成。
压电层153可以由PZT、PLZT、ZnO、PMN、PMN-PT、PZN、PZN-PT或AlN制成。
连接层157可以由SiXNY(氮化硅)或AlN制成。
在压电致动器150的第一端具有连接到基底101上的致动器支撑部分159，从而压电致动器150能够在基底101上伸出悬臂。压电致动器150的第二端，即其自由端连接到可动信号线130的自由端上。
如图3和图4所示，压电致动器150最好，但不是必须，被构造为使得多个压电致动器，即，被设置在可动信号线130的两侧的两个压电致动器具有共同的连接层157，从而压电致动器能够通过该连接层互相连接。然而，也可将压电致动器构造成为具有单一的压电致动器的结构，而不是具有通过连接层157连接的多个压电致动器的结构。
以下，将详细描述上述构造的根据本发明示例性实施例的MEMS开关100的操作。
首先，当将预定等级的电压施加到第一电极151和第二电极155上时，在第一电极151和第二电极155之间产生电场。在第一电极151和第二电极155之间形成的压电层153在与电场垂直的方向上变形。此时，由于连接层157支撑着第二电极155的上表面，所以压电层153沿着向下的方向(箭头A的方向)弯曲。
随着压电层153沿着向下的方向弯曲，可动信号线130降低并与固定信号线110接触，由此传输信号。
图5是根据本发明另一示例性实施例的MEMS开关200的示例性结构的透视图，图6是沿图5的VI-VI’线截取的截面图。
参照图5和图6，除了压电致动器250沿着向上的方向(箭头B的方向)被驱动以使可动信号线230向上移动，从而使可动信号线230与固定信号线210接触之外，根据本发明另一示例性实施例的MEMS开关200具有与图3和图4中所示的MEMS开关100相同的基本结构。
更具体地，根据本发明另一示例性实施例的MEMS开关200包括固定信号线210、可动信号线230和压电致动器250。固定信号线210的第一端与基底201的上表面分开预定的第二间隙G2。可动信号线203的第一端，即其自由端与基底201的上表面分开预定的第三间隙G3，并与固定信号线210的下表面隔开预定的第四间隙G4。压电致动器250连接到可动信号线230的自由端上，从而压电致动器250能够使可动信号线230与固定信号线210接触或者分开。
在固定信号线210的第二端具有形成在基底201上的线支撑部分211，从而固定信号线210能够在基底201上伸出悬臂。在可动信号线230的第二端也具有形成在基底201上的线支撑部分231，从而可动信号线230也能够在基底201上伸出悬臂。
压电致动器包括：第一电极251；压电层253，形成在第一电极251之下；第二电极255，形成在压电层253之下；连接层257，形成在第二电极255之下并与可动信号线230的自由端的下表面连接。
在压电致动器250的第一端具有形成在基底201上的支撑部分259，从而压电致动器250能够在基底201上伸出悬臂。压电致动器250的第二端，即其自由端连接到可动信号线230的自由端上。
和MEMS开关100的压电致动器150一样，压电致动器250最好，但不是必须，被构造为使得多个压电致动器，即，被设置在可动信号线230的两侧的两个压电致动器具有共同的连接层257，从而压电致动器能够通过该连接层互相连接。然而，也可将压电致动器250构造成为具有单一的压电致动器的结构，而不是具有通过连接层257连接的多个压电致动器的结构。
由于图5和图6中所示的根据本发明另一示例性实施例的MEMS开关的各个部件的构造和材料与参照图3和图4解释的MEMS开关100的各个部件的构造和材料相同，所以将省略对其详细的描述和说明。
此外，除了压电层253沿着向上的方向(箭头B的方向)弯曲以使可动信号线230向上移动之外，图5和图6中所示的根据本发明另一示例性实施例的MEMS开关200的操作与参照图3和图4解释的MEMS开关100的操作相同。因此，将省略对根据本发明另一示例性实施例的MEMS开关200的操作的详细描述和说明。
通过上述描述清楚的是，根据本发明的示例性实施例，MEMS开关不是用静电驱动方法来驱动，而是用压电驱动方法来驱动。因此，根据本发明示例性实施例的MEMS开关能够用低电压驱动。
此外，根据本发明的示例性实施例，压电MEMS开关被构造为使得可动信号线具有与固定信号线接触的单一触点，由此减小了接触电阻，随之插入损耗也减小。
虽然已经显示并描述了本发明的示例性实施例，但是本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以对这些实施例进行改变，而本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (19)

1、一种微电子机械系统开关，包括：
基底；
固定信号线，形成在基底上；
可动信号线，与所述固定信号线的上表面分开；
至少一个压电致动器，连接到所述可动信号线的第一端上，以使所述可动信号线与所述固定信号线接触或分开。
2、如权利要求1所述的微电子机械系统开关，其中，所述至少一个压电致动器包括：
第一电极；
压电层，形成在所述第一电极上；
第二电极，形成在所述压电层上；
连接层，形成在所述第二电极上并与所述可动信号线连接。
3、如权利要求1所述的微电子机械系统开关，其中，所述至少一个压电致动器包括第一端和自由端，所述第一端具有被支撑在所述基底上的支撑部分，所述自由端连接到所述可动信号线上。
4、如权利要求2所述的微电子机械系统开关，其中，所述第一电极和第二电极分别由从Al、Au、Pt、W、Mo、Ta、Pt-Ta、Ti和Pt-Ti中选择的材料形成。
5、如权利要求2所述的微电子机械系统开关，其中，所述压电层由从PZT、PLZT、ZnO、PMN、PMN-PT、PZN、PZN-PT和AlN中选择的材料形成。
6、如权利要求2所述的微电子机械系统开关，其中，所述连接层由从SiXNY和AlN中选择的材料形成。
7、如权利要求2所述的微电子机械系统开关，其中，所述至少一个压电致动器包括被布置在所述可动信号线的相对侧的两个压电致动器。
8、如权利要求7所述的微电子机械系统开关，其中，所述两个压电致动器的连接层互相连接在一起，从而使所述两个压电致动器互相连接。
9、如权利要求2所述的微电子机械系统开关，其中，所述可动信号线包括被支撑在所述基底上的支撑部分。
10、一种微电子机械系统开关，包括：
基底；
固定信号线，与所述基底的上表面分开；
可动信号线，与所述基底的上表面和所述固定信号线的下表面分开；
至少一个压电致动器，连接到所述可动信号线的第一端上，以使所述可动信号线与所述固定信号线接触或分开。
11、如权利要求10所述的微电子机械系统开关，其中，所述至少一个压电致动器包括：
第一电极；
压电层，形成在所述第一电极之下；
第二电极，形成在所述压电层之下；
连接层，形成在所述第二电极之下并与所述可动信号线连接。
12、如权利要求10所述的微电子机械系统开关，其中，所述至少一个压电致动器包括第一端和自由端，所述第一端具有被支撑在所述基底上的支撑部分，所述自由端连接到所述可动信号线上。
13、如权利要求11所述的微电子机械系统开关，其中，所述第一电极和第二电极分别由从Al、Au、Pt、W、Mo、Ta、Pt-Ta、Ti和Pt-Ti中选择的材料形成。
14、如权利要求11所述的微电子机械系统开关，其中，所述压电层由从PZT、PLZT、ZnO、PM[N、PMN-PT、PZN、PZN-PT和AlN中选择的材料形成。
15、如权利要求11所述的微电子机械系统开关，其中，所述连接层由从SiXNY和AlN中选择的材料形成。
16、如权利要求11所述的微电子机械系统开关，其中，所述至少一个压电致动器包括被布置在所述可动信号线的相对侧的两个压电致动器。
17、如权利要求16所述的微电子机械系统开关，其中，所述两个压电致动器的连接层互相连接在一起，从而使所述两个压电致动器互相连接。
18、如权利要求11所述的微电子机械系统开关，其中，所述可动信号线包括被支撑在所述基底上的支撑部分。
19、一种微电子机械系统开关，包括：
基底；
固定信号线，形成在所述基底上；
可动信号线，与所述固定信号线的上表面和下表面中的一个表面分开；
至少一个压电致动器，连接到所述可动信号线的第一端上，以使所述可动信号线与所述固定信号线接触或分开。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107128873A (zh) * 2017-05-09 2017-09-05 北方工业大学 Mems微驱动器及其制作方法
CN108417453A (zh) * 2018-01-24 2018-08-17 瑞声科技（南京）有限公司 一种射频微机械开关及制作方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101385327B1 (ko) 2008-02-20 2014-04-14 엘지전자 주식회사 멤즈 스위치
US8222796B2 (en) * 2008-10-15 2012-07-17 International Business Machines Corporation Micro-electro-mechanical device with a piezoelectric actuator
JP5176148B2 (ja) * 2008-10-31 2013-04-03 富士通株式会社 スイッチング素子および通信機器
EP2370345B1 (en) * 2008-11-26 2017-07-05 NXP USA, Inc. Electromechanical transducer device having thermal compensation
EP2449670B1 (en) 2009-06-29 2015-01-21 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming an electromechanical transducer device
JP5483574B2 (ja) * 2010-06-03 2014-05-07 日本電信電話株式会社 Ｍｅｍｓスイッチ
JP5803615B2 (ja) 2011-11-29 2015-11-04 富士通株式会社 電子デバイスとその製造方法
KR101380604B1 (ko) * 2012-12-06 2014-04-09 한국과학기술원 기계식 스위치
US9708176B2 (en) * 2015-05-28 2017-07-18 Invensense, Inc. MEMS sensor with high voltage switch

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5905241A (en) * 1997-05-30 1999-05-18 Hyundai Motor Company Threshold microswitch and a manufacturing method thereof
JP2001076605A (ja) 1999-07-01 2001-03-23 Advantest Corp 集積型マイクロスイッチおよびその製造方法
US6359374B1 (en) * 1999-11-23 2002-03-19 Mcnc Miniature electrical relays using a piezoelectric thin film as an actuating element
US6366186B1 (en) * 2000-01-20 2002-04-02 Jds Uniphase Inc. Mems magnetically actuated switches and associated switching arrays
US6479920B1 (en) * 2001-04-09 2002-11-12 Wisconsin Alumni Research Foundation Direct charge radioisotope activation and power generation
US20030015768A1 (en) * 2001-07-23 2003-01-23 Motorola, Inc. Structure and method for microelectromechanical system (MEMS) devices integrated with other semiconductor structures
US6924966B2 (en) 2002-05-29 2005-08-02 Superconductor Technologies, Inc. Spring loaded bi-stable MEMS switch
KR100485787B1 (ko) * 2002-08-20 2005-04-28 삼성전자주식회사 마이크로 스위치
KR20040092228A (ko) 2003-04-25 2004-11-03 엘지전자 주식회사 저전압 마이크로 스위치
KR20050076149A (ko) * 2004-01-19 2005-07-26 엘지전자 주식회사 압전 구동형 알에프 미세기전 시스템 스위치 및 그 제조방법
KR100661347B1 (ko) * 2004-10-27 2006-12-27 삼성전자주식회사 미소 박막 구조물 및 이를 이용한 ｍｅｍｓ 스위치 그리고그것들을 제조하기 위한 방법
JP4740751B2 (ja) * 2005-01-21 2011-08-03 パナソニック株式会社 電気機械スイッチ
KR100693345B1 (ko) * 2005-11-30 2007-03-09 삼성전자주식회사 Ｍｅｍｓ 스위치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107128873A (zh) * 2017-05-09 2017-09-05 北方工业大学 Mems微驱动器及其制作方法
CN107128873B (zh) * 2017-05-09 2019-04-16 北方工业大学 Mems微驱动器及其制作方法
CN108417453A (zh) * 2018-01-24 2018-08-17 瑞声科技（南京）有限公司 一种射频微机械开关及制作方法

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