CN100359624C

CN100359624C - 等离子体显示器结构

Info

Publication number: CN100359624C
Application number: CNB2004100014725A
Authority: CN
Inventors: 陈柏丞; 吴俊翰; 潘政光
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AUO Corp
Priority date: 2004-01-08
Filing date: 2004-01-08
Publication date: 2008-01-02
Anticipated expiration: 2024-01-08
Also published as: CN1556543A

Abstract

本发明提供一种等离子体显示器(PDP)结构，由第一基板的第一面与第二基板的第一面相对夹构而成，其间设置阻隔壁将该第二基板第一面分隔出复数个相间设置的第一、第二与第三次像素区，其中分别涂布红荧光体、绿荧光体与蓝荧光体，而每相邻的涂布红荧光体的第一次像素区、涂布绿荧光体的第二次像素区与涂布蓝荧光体的第三次像素区构成一像素区，而在每一像素区中，涂布红荧光体的第一次像素区与涂布绿荧光体的第二次像素区的面积均小于涂布蓝荧光体的第三次像素区，且该等次像素区中均填充氖气(Ne)。

Description

等离子体显示器结构

技术领域

本发明涉及等离子体显示器(plasma display panel，PDP)，特别是涉及改进的等离子体显示器发光单元的结构，以增进色彩表现。

背景技术

等离子体显示器(Plasma display panels，PDP)目前已成为彩色显示器的主流产品之一，其特点在于厚度薄、重量轻、以及大尺寸可视面积等。

图1所示为现有技术的一种PDP结构中的发光单元剖面图。现有技术的PDP结构是由前玻璃基板11与后玻璃基板12对准封装所组成，而其间则以阻隔壁19隔间。在前板11在面对后板12的表面上，设置复数长条状、彼此相间呈平行排列的维持电极(sustain electrode)13与扫描电极(scanelectrode)14(图1中仅示意性的绘示一对维持与扫描电极13与14)。在维持与扫描电极13与14表面进一步覆盖一介电层15，例如含铅玻璃或其类似材料，而在其表面更进一步覆盖一保护层16，如氧化镁，而整体形成一前板结构100。

在后板12面对前板11的表面上，同样平行设置多个长条状的寻址电极(address electrode)17(图1中仅示意性的绘示一条寻址电极17)，而其上则覆盖一介电层18，例如含铅玻璃或其类似材料。接着，于其表面上，相对于两两相邻的寻址电极17间设置长条状阻隔壁19。而在每两条阻隔壁19间所形成的凹槽中分别涂布代表三原色红(R)、蓝(B)与绿(G)的荧光材料20R、20B与20G，而整体形成一后板结构200。

将后板12上的寻址电极17及与前板11上的维持与扫描电极13与14呈垂直交错方式组合起来后，则在两阻隔壁19间与每个寻址电极17及维持与扫描电极13与14交错处，构成复数个放电空间21，如图1所示。接着在放电空间21中填充惰性气体，主要为氖气(Ne)，以及少量的氙气(Xe)作为缓冲气体。

上述等离子体显示器画面的产生，当维持与扫描电极13与14施加电压时，则在放电空间2 1引发持续性放电以产生紫外光。而紫外光被发光单元21中的荧光材料20R、20B或20G吸收后散发三原色的红光、蓝光或绿光，通过调控三原色的叠加形成多色阶，构成全彩显示。一般而言，显示画面的色彩表现，则受发光单元的色纯度(Color Purity)、亮度等影响。

发明内容

根据本发明，发现一般填充于PDP发光单元中的氖气(Ne)在放电状态下会同时产生橘色的可见光，影响色纯度与色温表现。因此，本发明的一个目的在于改善PDP发光单元中因填充氖气所产生的色纯度与色温偏差，以提升PDP的画质表现。

为达上述目的，本发明提供一种等离子体显示器(PDP)结构，由第一基板的第一面与第二基板的第一面相对夹构而成，其间设置阻隔壁将该第二基板第一面分隔出多个相间设置的第一、第二与第三次像素区，其中分别涂布红荧光体、绿荧光体与蓝荧光体，而每相邻的涂布红荧光体的第一次像素区、涂布绿荧光体的第二次像素区与涂布蓝荧光体的第三次像素区构成一像素区，而在每一像素区中，涂布红荧光体的第一次像素区与涂布绿荧光体的第二次像素区的面积均小于涂布蓝荧光体的第三次像素区，且这些次像素区中均填充氖气(Ne)。

而在优选实施例中，上述等离子体显示器(PDP)结构中不同大小的第一、第二与第三次像素区，其对应的寻址电极均设置于各次像素区的大体中央位置。

而在另一优选实施例中，涂布红荧光体的第一次像素区面积小于涂布绿荧光体的第二次像素区，而第二次像素区则小于涂布蓝荧光体的第三次像素区。使每一像素区中的红次像素区面积小于绿次像素区小于蓝次像素区。

附图说明

图1所示为现有技术的一种PDP结构中的发光单元剖面图。

图2所示为现有技术的一种等边六角蜂巢形次像素结构及其寻址电极设计。

图3A至3E所示为根据本发明的一种次像素结构及其寻址电极设计。

图4所示为根据本发明的另一种次像素结构。

图5所示为根据本发明的另一种次像素结构。

图6所示为根据本发明的另一种次像素结构。

简单符号说明

11：玻璃基板、12：玻璃基板、13：维持电极、14：扫描电极、15：介电层、16：保护层、17：寻址电极、18：介电层、19、阻隔壁、20R：红色荧光体、20G：绿色荧光体、20B：蓝色荧光体、100：前板结构、200：后板结构、20：后板、22：阻隔壁、24：像素、R：红色次像素区、G：绿色次像素区、B：蓝色次像素区、26R：红色次像素寻址电极线、26G：绿色次像素寻址电极线、26B：蓝色次像素寻址电极线、28：寻址电极区块、30：后板、32：阻隔壁、34：像素、36R：红色次像素寻址电极线、36G：绿色次像素寻址电极线、36B：蓝色次像素寻址电极线、38R：红色次像素寻址电极区块、38G：绿色次像素寻址电极区块、38B：蓝色次像素寻址电极区块、40：后板、41、42、43：阻隔壁、44：像素、50：后板、51、52：阻隔壁、54：像素、60：后板、61、62、63、65：阻隔壁、64：像素。

具体实施方式

为了让本发明的上述目的、特征、及优点能更明显易懂，以下配合所附图式，作详细说明。

一般等离子体显示器是通过前后板间夹设阻隔壁(rib)以分隔出放电空间，同时作为上下面板间真空封合时的支撑物。而产生红、蓝、绿三原色的荧光体材料，则以相间方式，填入由阻隔壁与后板所组成的凹槽形次像素区(sub-pixel)中，而等离子体显示器中的每一像素(pixel)是由红色、蓝色与绿色荧光体的三个次像素(sub-pixel)，也就是三原色发光单元所组成。当前板与后板结构分别制造完成后则进行真空封合(sealing)，最后将氖气(Ne)填入前后板夹合间的各次像素区中。而由于氖气在等离子体激发时，会产生橘色色温，而橘色的色温为红色与绿色的组合，使得等离子体显示器启动发光时，因为氖气橘色色温的加成作用，使红色与绿色次像素区的发光强度会较蓝色次像素区增加，影响三原色的色纯度与亮度表现。因此本发明主要通过三原色的次像素区的空间大小调整，以校正三原色的色纯度与亮度表现。

下述实施例以图2所示的六角蜂巢状(honeyeomb)次像素设计为基础型式，根据本发明精神设计而产生的等离子体显示器结构。然而本发明并非以此为限，其它形状的次像素区设计，也可以根据本发明的精神加以变化。

首先以图2说明一般六角蜂巢状次像素设计。如图2所示，在等离子体显示器后板20上以现有技术的喷砂制程(sandblasting)在后板20上定义形成等边六角蜂巢状的阻隔壁22。每一个等边六角形则为一个次像素区，彼此相接，而将红蓝绿三色荧光材料相间涂布于次像素区中。每一红(R)、蓝(B)与绿(G)互相相接的次像素区构成一像素(pixel)24。而后板20上也设置红、蓝与绿色次像素区的寻址电极线26R、26B与26G。如图2所示，各寻址电极线平行设置于等边六角形次像素区的一对对边之间，而穿过六角形次像素区的一对对角。而在每个等边六角形次像素区寻址电极在线设置寻址电极区块28以控制各次像素区。

实施例一

以图2为基础，参见图3A，所示为根据本发明所形成的以六角蜂巢状为基础的等离子体显示器后板的像素设计。在等离子体显示器的后板30上，仍形成等边六角形的绿色次像素区(G)，其每两对平行对边间的距离为X。而蓝色次像素区B除了保留原等边六角形的区域外，更调整原来蓝与红色次像素区(B与R)间相邻的阻隔壁32向红色次像素区(R)平行推移Δx的距离，使蓝色次像素区(B)向外扩张Δx形成八角形，而原六角形的红色次像素区(R)的面积则相对缩小Δx，如图3A所示。图中的次像素中的虚线表示原图2中等边六角形次像素阻隔壁。如图3A所示，调整后的次像素面积：红色次像素区(R)＜绿色次像素区(G)＜蓝色次像素区(B)。而所组成的每一由一个蓝色、红色与绿色次像素区(B、R与G)所组成的像素34总面积仍与图2中的标准型相同。

为了更有效控制调整后的次像素区，在优选实施例中，也相对调整寻址电极区块的位置，使其位于各次像素区域的中心位置，以有效控制各次像素空间的发光效率。参见图3B，所示为根据本发明的一种寻址电极的配置方式。红、蓝与绿色次像素区的寻址电极线36R、36B与36G仍穿过各次像素区的一对对角，而在蓝与红色次像素区(B与R)内部的寻址电极线36B与36R呈长方形凹入状，使寻址电极线大致通过蓝与红色次像素区(B与R)内部的中心线，而优选的内凹距离L＝Δx/2。而绿色次像素区G的电极线则保持不变，呈一直线平行通过绿色次像素区(G)的一对对边之间，而穿过绿色次像素区(G)的一对对角。而红、蓝、绿次像素区(R、B与G)中设置相同大小的矩形寻址区块38R、38B与38G，其短边长度为D，分别设置于寻址电极线36R、36B与36G上，使寻址电极线36R、36B与36G通过寻址电极区块36R、36B与36G的D/2位置上。上述寻址电极的设计特别适用于ΔX＞D时。

参见图3C，所示为根据本发明的另一种寻址电极的配置方式。图3C所示为根据本发明，对图3A像素的另一种寻址电极设计。其中，蓝与红色次像素区(B与R)内部的寻址电极线36B与36R仍呈长方形凹入状，但其内凹距离L＝Δx/2+S。而绿色次像素区(G)仍保持不变，呈一直线平行通过绿色次像素区(G)的一对对边之间，而穿过绿色次像素区(G)的一对对角。而红、蓝次像素区(R与B)中的寻址电极线36R与36B上，分别设置相同大小，短边宽度为D的矩形寻址区块38R与38B，其设置位置在内凹寻址电极线36R与36B的内侧占D/2+S，而外侧占D/2-S。藉此，仍可保持寻址电极区块38R与38B整体上仍分别位于红、蓝次像素区(R与B)的中央位置。绿色次像素区(G)的寻址电极区块38G，则仍以D/2的位置设置于寻址电极线36G上。上述寻址电极的设计适用于Δx＞D时。

图3D所示为根据本发明的再一种寻址电极的配置方式。图3D所示为根据本发明，对图3A像素的另一种寻址电极设计。其中，蓝与红色次像素区(B与R)内部的寻址电极线36B与36R仍呈长方形凹入状，但其内凹距离L＝Δx/2-S。而绿色次像素区(G)仍保持不变，呈一直线通过绿色次像素区(G)的一对对边的中轴，而穿过绿色次像素区(G)的一对对角。而红、蓝次像素区(R与B)中的寻址电极线36R与36B上，分别设置相同大小，短边宽度为D的矩形寻址区块38R与38B，其设置位置在内凹寻址电极线36R与36B的内侧占D/2-S，而外侧占D/2+S。藉此，仍可保持寻址电极区块38R与38B整体上仍分别位于红、蓝次像素区(R与B)的中央位置。绿色次像素区(G)的寻址电极区块38G，则仍以D/2的位置设置于寻址电极线36G上。上述寻址电极的设计适用于Δx＞D时。

图3E所示为根据本发明的再一种寻址电极的配置方式。图3E所示为根据本发明，对图3A像素的再一种寻址电极设计。当预定的矩形寻址电极区块的短边长度D大于蓝色次像素区B的阻隔壁向红色次像素区R推移的距离Δx时(D＞Δx)，则寻址电极线36B、36G与36R分别以直线方式平行设置于蓝、绿与红色次像素区(B、G与R)的一对对边之间，而穿过该等次像素区的一对对角。而红、蓝次像素区(R与B)中的寻址电极线36R与36B上，分别设置相同大小，短边宽度为D的矩形寻址区块38R与38B。在同像素中，蓝色次像素区B中的矩形寻址区块38B其位置在其寻址电极线36B邻红色次像素区R侧占(D+Δx)/2，而另一侧占(D-Δx)/2。相似的，同像素中的红色次像素区R中的矩形寻址区块38R其位置在寻址电极线36R邻蓝色次像素区B侧占(D-Δx)/2，而另一侧占(D+Δx)/2。也就是，蓝色与红色次像素区(B与R)中的寻址电极区块38B与38R往增大区域平移Δx/2。藉此，使寻址电极区块38R与38B整体上仍分别位于红、蓝次像素区(R与B)的中央位置。而绿色次像素区(G)的寻址电极区块38G，则仍以D/2的位置设置于寻址电极线36G上。

实施例二

以图2为基础，参见图4，所示为根据本发明所形成的以六角蜂巢状为基础的等离子体显示器后板的像素设计。在等离子体显示器的后板40上，以图2中的等边六角形次像素形状予以变形(图中的次像素中的虚线表示原等边六角形次像素阻隔壁)，将蓝色次像素区B与红色次像素区R相邻的阻隔壁43向红色次像素区R平移ΔX的距离，而原蓝色次像素区B与阻隔壁43相邻的阻隔壁41与42也随之向外扩张，使蓝色次像素区B仍为六角形，但面积较图2中者加大，而红色次像素区R的面积则相对缩小ΔX。同时，绿色次像素区G与上下蓝色次像素区B相邻的两端的阻隔壁41与42则相对往绿色次像素区G内缩，使绿色次像素区的面积缩小。如图4所示，一般调整后的次像素面积仍为红色次像素区(R)＜绿色次像素区(G)＜蓝色次像素区(B)。而所组成的每一个像素44总面积仍与图2中的标准型相同。

为了更有效控制上述调整后的次像素区，在较佳实施例中，更可仿照实施例一的设计，相对调整寻址电极线与寻址电极区块的位置，使其位于各次像素区域的中心位置，以有效控制各次像素空间的发光效率。

实施例三

以图2为基础，参见图5，所示为根据本发明所形成的以六角蜂巢状为基础的等离子体显示器后板的像素设计。在等离子体显示器的后板50上，以图2中的边长为Y的等边六角形次像素形状予以变形(图中的次像素中的虚线表示原等边六角形次像素的阻隔壁)，将蓝色次像素区B与上下相接的红色次像素区R相邻的阻隔壁51与52分别往上与往下移动ΔY的距离，使蓝色次像素区B向外扩张为帽盖状的八角形，而相邻的六角形红色次像素区R的面积相对缩小，而绿色次像素区G仍维持等边六角形。如图5所示，调整后的次像素面积为红色次像素区(R)＜绿色次像素区(G)＜蓝色次像素区(B)。而所组成的每一个像素54总面积仍与图2中的标准型相同。

为了更有效控制上述调整后的次像素区，在优选实施例中，更可仿照实施例一的设计，相对调整寻址电极线与寻址电极区块的位置，使其位于各次像素区域的中心位置，以有效控制各次像素空间的发光效率。

实施例四

以图2为基础，参见图6，所示为根据本发明所形成的以六角蜂巢状为基础的等离子体显示器后板的像素设计。在等离子体显示器的后板60上，以图2中的边长为Y的等边六角形次像素形状予以变形(图中的次像素中的虚线表示原等边六角形次像素的阻隔壁)，将蓝色次像素区B与上方及下方相接的红色与绿色次像素区(R与G)相邻的阻隔壁61与63、62与65分别往上与往下分别移动ΔY的距离，使蓝色次像素区B向外扩张，呈上下对称拉长的六角形，而其相邻的六角形红色与绿色次像素区(R与G)的面积相对缩小。如图6所示，调整后的次像素面积为红色次像素区(R)＜绿色次像素区(G)＜蓝色次像素区(B)。而所组成的每一个像素64总面积仍与图2中的标准型相同。

根据上述实施例所形成的后板结构，当与前板进行真空封合后，灌入以氖气为主的惰性气体后，当施加电压产生紫外线，而激发各次像素中的红、绿与蓝色荧光体时，由于蓝色荧光体的第三次像素区的面积大于红色与绿色次像素区，可适度调整氖气所发出的橘色色温，校正红、绿、蓝三色次像素区的颜色纯度与强度。

虽然以上实施例均以六角蜂巢状的次像素阻隔壁设计为基础与说明，但根据本发明的精神，也可应用于其它形状的次像素设计，例如长条间隔状的阻隔壁设计、方格状(grid type)的阻隔壁设计等，均可根据本发明的精神，调整红蓝绿三次像素空间的相对大小，使红色次像素区≤绿色次像素区＜蓝色次像素区，以修正因为填充橘色色温氖气而产生的色偏。

虽然本发明已结合优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以后附的权利要求所界定者为准。

Claims

1.一种等离子体显示器结构，包含：

一第一基板；

一第二基板；

一阻隔壁结构，设置于该第二基板的第一面上，而当该第一基板的第一面与该第二基板的第一面相对夹构时，用以将该第二基板的第一面分隔出多个相间设置的第一、第二与第三次像素区，其中分别涂布红荧光体、绿荧光体与蓝荧光体，而每相邻的涂布红荧光体的第一次像素区、涂布绿荧光体的第二次像素区与涂布蓝荧光体的第三次像素区构成一像素区，而在每一像素区中，位于该涂布红荧光体的第一次像素区与该涂布蓝荧光体的第三次像素区之间的阻隔壁向该涂布红荧光体的第一次像素区推移，使该涂布红荧光体的第一次像素区与该涂布绿荧光体的第二次像素区均小于该涂布蓝荧光体的第三次像素区，且这些次像素区中均填充氖气；以及

多个第一、第二与第三寻址电极，设置于该第二基板的第一面上，该多个第一、第二与第三寻址电极包括分别穿过该第一、第二与第三次像素区的寻址电极线，以及分别位于该第一、第二与第三次像素区中央的位置的寻址电极区块。

2.如权利要求1所述的等离子体显示器结构，其中该寻址电极区块为矩形的。

3.如权利要求1所述的等离子体显示器结构，其中每一像素区中的该涂布红荧光体的第一次像素区小于或等于该涂布绿荧光体的第二次像素区。

4.如权利要求1所述的等离子体显示器结构，其中该第一、第二与第三次像素区为六角形。

5.如权利要求1所述的等离子体显示器结构，其中该涂布红与绿荧光体的第一与第二次像素区为六角形，而该涂布蓝荧光体的第三次像素区为八角形。

6.如权利要求1所述的等离子体显示器结构，其中该第二次像素区为等边六角形。

7.如权利要求1所述的等离子体显示器结构，其中每一像素区为12角形。

8.如权利要求1所述的等离子体显示器结构，其中在该涂布红荧光体的第一次像素区和涂布蓝荧光体的第三次像素区中，该寻址电极线呈长方形凹入状使得该寻址电极区块分别位于各次像素区的中央位置。

9.如权利要求1所述的等离子体显示器结构，其中在该涂布红荧光体的第一次像素区和涂布蓝荧光体的第三次像素区中，该寻址电极区块设置得在各自的寻址电极线两侧的宽度不同以位于各次像素区的中央位置。