CN109844904B

CN109844904B - 通过等离子体处理的氟化铝减少

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Publication number: CN109844904B
Application number: CN201780061897.0A
Authority: CN
Inventors: V·B·沙赫; A·K·辛格; B·库玛; G·巴拉苏布拉马尼恩; 金柏涵
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2016-08-05
Filing date: 2017-07-18
Publication date: 2023-04-28
Anticipated expiration: 2037-07-18
Also published as: KR20180016308A; US20180036775A1; US10688538B2; KR102007019B1; CN109844904A; WO2018026509A1

Abstract

本文所述的实施方式总的来说涉及用于从半导体基板处理腔室的一个或多个内表面原位去除不想要的沉积堆积物的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括由含氟清洁气体混合物来形成反应氟物质。所述方法进一步包括将所述反应氟物质递送到基板处理腔室的处理容积中。所述处理容积包括一个或多个含铝内表面，所述一个或多个含铝内表面上形成有不想要的沉积物。所述方法进一步包括允许所述反应氟物质与所述不想要的沉积物和所述基板处理腔室的所述含铝内表面反应以形成氟化铝。所述方法进一步包括将含氮清洁气体混合物暴露于原位等离子体以在所述处理容积中形成反应氮物质。所述方法进一步包括允许所述反应氮物质与氟化铵反应以将所述氟化铝转化为氮化铝。

Description

通过等离子体处理的氟化铝减少

技术领域

本文所述的实施方式总的来说涉及用于从半导体基板处理腔室的一个或多个内表面原位去除不想要的沉积堆积物的方法和装置。

背景技术

在沉积工艺期间可能发生材料在诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理腔室的壁和腔室部分之类的内表面上的不想要的沉积。这种不想要的沉积可能在腔室内产生颗粒和薄片，从而造成工艺条件的漂移，并且更重要是影响工艺再现性和均匀性。

为了在减少生产拥有成本并保持膜质量的同时实现高腔室可用性，通常使用腔室清洁来从处理腔室的内表面(包括壁和工艺套件，例如喷头等)去除材料残留物。不幸地，大多数的当前腔室清洁工艺不利地影响处理腔室的内表面，从而造成产生附加的颗粒和薄片。

因此，需要用于从基板处理腔室去除不想要的沉积物而不会不利地影响基板处理腔室的表面的方法。

发明内容

本文所述的实施方式总的来说涉及用于从半导体基板处理腔室的一个或多个内表面原位去除不想要的沉积堆积物的方法和装置。在一个实施方式中，提供一种用于清洁基板处理腔室的方法。所述方法包括由含氟清洁气体混合物来形成反应氟物质。所述方法进一步包括将所述反应氟物质递送到基板处理腔室的处理容积中。所述处理容积包括一个或多个含铝内表面，所述一个或多个含铝内表面上形成有不想要的沉积物。所述方法进一步包括允许所述反应氟物质与所述不想要的沉积物和所述基板处理腔室的所述含铝内表面反应以形成氟化铝。所述方法进一步包括将含氮清洁气体混合物暴露于原位等离子体以在所述处理容积中形成反应氮物质。所述方法进一步包括允许所述反应氮物质与氟化铵反应以将所述氟化铝转化为氮化铝。

在另一个实施方式中，提供一种用于清洁基板处理腔室的方法。所述方法包括使含氟清洁气体混合物流入与基板处理腔室流体地耦合的远程等离子体源中。所述基板处理腔室具有处理容积，所述处理容积具有一个或多个含铝内表面，所述一个或多个含铝内表面具有形成在所述一个或多个含铝内表面上的不想要的沉积物。所述方法进一步包括由所述含氟清洁气体混合物形成反应氟物质并将反应氟物质运输到所述处理容积中。所述方法进一步包括允许所述反应氟物质与所述不想要的沉积物和所述基板处理腔室的所述含铝内表面反应以形成氟化铝。所述方法进一步包括使含氮清洁气体混合物流入所述处理容积中并将所述含氮清洁气体混合物暴露于原位等离子体以形成反应氮物质。所述方法进一步包括允许所述反应氮物质与氟化铵反应以将所述氟化铝转化为氮化铝。

在又一实施方式中，提供一种用于清洁基板处理腔室的方法。所述方法包括使含氟清洁气体混合物流入与基板处理腔室流体地耦合的远程等离子体源中。所述基板处理腔室具有处理容积，所述处理容积具有包括加热器基座的一个或多个含铝内表面，所述一个或多个含铝内表面包括具有形成在上的不想要的电介质沉积物。所述方法进一步包括将所述基板处理腔室加热到从约300摄氏度至约650摄氏度的范围内的温度。所述方法进一步包括从所述含氟清洁气体混合物来形成反应氟物质并将所述反应氟物质运输到所述处理容积中。所述方法进一步包括允许所述反应氟物质与所述不想要的介电沉积物和所述基板处理腔室的所述含铝内表面反应以形成氟化铝。所述方法进一步包括使含氮清洁气体混合物流入处理容积中并将所述含氮清洁气体混合物暴露于原位等离子体以形成反应氮物质。所述方法进一步包括允许所述反应氮物质与氟化铵反应以将所述氟化铝转化为氮化铝。

附图说明

为了能够详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，可以参考实施方式进行对上面简要地概述的实施方式的更具体描述，所述实施方式中的一些实施方式在附图中示出。然而，将注意，附图仅示出了本公开内容的典型实施方式，并且因此不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其它等效的实施方式。

图1描绘了可用于本文所述的实施方式的实践的沉积处理系统的示意图；

图2A描绘了根据本文所述的实施方式的描绘可用于清洁沉积处理系统的方法的一个实施方式的工艺流程图；以及

图2B描绘了作为根据本文所述的实施方式的图2A的工艺流程图的继续的工艺流程图。

为了便于理解，已尽可能使用相同的参考数字来标示各图共有的相同元件。预期的是，一个实施方式的元件和特征可以有利地并入其它实施方式中，而无需进一步叙述。

具体实施方式

以下公开内容描述用于从基板处理腔室去除氟化铵的技术。在以下描述中并在图1、图2A和图2B中阐述特定细节以提供对本公开内容的各种实施方式的透彻理解。未在以下公开内容中阐述描述经常与等离子体沉积和氟化铵去除相关联的熟知结构和系统的其它细节，以避免不必要地混淆对各种实施方式的描述。

各图中所展示的细节、尺寸、角度和其它特征中的许多细节、尺寸、角度和其它特征仅说明特定实施方式。因此，在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下，其它实施方式可以具有其它细节、部件、尺寸、角度和特征。另外，可以在没有以下所述的若干细节的情况下实践本公开内容的进一步的实施方式。

以下将参考可以使用任何合适的薄膜沉积系统来执行的PECVD工艺来描述本文所述的实施方式。合适系统的示例包括可使用

处理腔室的

系统、PRECISION

系统、

系统、

GT^TM系统和

SE^TM系统，它们可从加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司(Applied Materials，Inc.)购得。能够执行PECVD工艺的其它工具也可以适于受益于本文所述的实施方式。另外，可以善用能够实现本文所述的PECVD工艺的任何系统。本文所述的装置描述是说明性的，并且不应被诠释或解释为限制本文所述的实施方式的范围。

在沉积工艺期间可能发生材料(例如，电介质材料)在诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理腔室的壁和腔室部分之类的内部含铝表面上的不想要的沉积。这样的不想要的沉积可能在腔室内产生颗粒和薄片，从而造成工艺条件的漂移，并且更重要是影响工艺再现性和均匀性。

为了在减少生产拥有成本并保持膜质量的同时实现高的腔室可用性，通常使用腔室清洁来从处理腔室的含铝内表面(包括壁和工艺套件，例如，喷头等)去除材料残留物。目前，使用反应氟物质(例如，氟自由基)去除不想要的沉积物。遗憾的是，大多数目前的腔室清洁工艺不利地影响处理腔室的内表面，导致产生附加的颗粒和薄片。例如，在氟自由基清洁期间，氟自由基附着在加热器的含铝表面(例如，氮化铝表面)上，并且将氮化铝转化成氟化铝。通常，氟化铝沉积物在约480摄氏度时开始升华。接着，氟化铝凝结并在面板/喷头上形成层。在工艺期间，氟化铝沉积物可能剥落并落到晶片上，从而不利地影响产量。因而，晶片上的氟化铝颗粒(缺陷)具有非常严格的规范，因为它们显著地影响产量。此外，随着针对颗粒的规范越来越严格，最好使加热器或面板上具有氟化铝。

本公开内容的实施方式将加热器上的氟化铝转化为等离子体环境中的其它化合物。氟化铝被转化为在高温晶片处理中不会产生问题的非挥发性化合物，诸如氮化铝或氧化铝。

图1描绘根据本文所述的实施方式的可以执行不想要的沉积的原位去除的基板处理系统132的示意图。基板处理系统132包括：基板处理腔室100，所述基板处理腔室100耦合到气体面板130；和控制器110。基板处理腔室100通常包括限定处理容积126的顶壁124、侧壁101和底壁122。支撑基座150被提供在基板处理腔室100的处理容积126中。支撑基座150由基座杆160支持并且通常可以由铝、陶瓷和其它合适的材料制成。可以使用位移机构(未示出)在基板处理腔室100内部在垂直方向上移动支撑基座150。

支撑基座150可以包括加热器元件170，所述加热器元件170适于控制被支持在支撑基座150的表面192上的基板190的温度。在一个实施方式中，加热器元件170嵌入在支撑基座150中。可以通过从电源106向加热器元件170施加电流来电阻性地加热支撑基座150。加热器元件170可以由封装在镍-铁-铬合金(例如，

)鞘管中的镍-铬线制成。从电源106供应的电流受控制器110调节以控制由加热器元件170产生的热量，因此在膜沉积期间将基板190和支撑基座150保持在基本恒定的温度。可以调整所供应的电流以选择性地将支撑基座150的温度控制在约100摄氏度至约700摄氏度之间。

诸如热电偶之类的温度传感器172可以嵌入支撑基座150中以便以常规方式来监测支撑基座150的温度。控制器110使用测量到的温度来控制供应给加热器元件170的功率，以将基板保持在选定温度。

真空泵102耦合到形成在基板处理腔室100底部中的端口。真空泵102用于在基板处理腔室100中保持选定气体压力。真空泵102还从基板处理腔室100抽空后处理气体和工艺的副产物。

基板处理系统132可以进一步包括用于控制腔室压力的附加装置(例如，位于基板处理腔室100与真空泵102之间的阀(例如，节流阀和隔离阀))，以控制腔室压力。

基板处理系统132可以进一步包括用于将净化气体供应到处理容积126的净化气源104。

具有多个孔径128的喷头120被安置在支撑基座150上方的基板处理腔室100的顶部上。喷头120的孔径128用于将工艺气体引入到基板处理腔室100中。孔径128可以具有不同的尺寸、数目、分布、形状、设计和直径，以便于各种工艺气体的流动以满足不同的工艺要求。喷头120连接到气体面板130，所述气体面板130允许在工艺期间将各种气体供应到处理容积126。由离开喷头120的工艺气体混合物形成等离子体，以增强工艺气体的热分解，这导致材料沉积在基板190的表面191上。

喷头120和支撑基座150可以在处理容积126中形成一对间隔开的电极。一个或多个RF电源140通过匹配网络138向喷头120提供偏置电位，以促进在喷头120与支撑基座150之间产生等离子体。替代性地，RF电源140和匹配网络138可以耦合到喷头120、支撑基座150，或耦合到喷头120和支撑基座150两者，或耦合到被安置在基板处理腔室100外部的天线(未示出)。在一个实施方式中，RF电源140可以在约50kHz至约13.6MHz的频率下提供约100瓦特至约3000瓦特的功率。在另一个实施方式中，RF电源140可以在约50kHz至约13.6MHz的频率下提供约500瓦特至约1800瓦特的功率。在一些实施方式中，经由远程等离子体源152将等离子体供应给处理容积126。

控制器110包括中央处理单元(CPU)112、存储器116和用于控制工艺序列并调节来自气体面板130的气流的支持电路114。CPU 112可以是可以在工业环境中使用的任何形式的通用计算机处理器。软件程序可被存储在存储器116中(诸如随机存取存储器、只读存储器、软盘或硬盘驱动器、或其它形式的数字存储)。支持电路114通常耦合到CPU 112，并且可以包括高速缓存、时钟电路、输入/输出系统、电源等。通过被统称为信号总线118的多条信号缆线来处理控制器110与基板处理系统132的各种部件之间的双向通信，所述信号总线118中的一些信号总线在图1中被示出。

其它沉积腔室也可受益于本公开内容，并且以上列出的参数可根据用于形成非晶碳层的特定沉积腔室而变化。例如，其它沉积腔室可以具有更大或更小的容积，这要求气体流率大于或小于可从应用材料公司购得的沉积腔室所引用的气体流率。

在一些实施方式中，将本公开内容中的流率表示为标准立方厘米每分钟(“sccm”)每内部腔室容积。将内部腔室容积定义为气体可占用的腔室的内部的容积。例如，基板处理腔室100的内部腔室容积是由侧壁101、底壁122和顶壁124限定的容积减去喷头120和支撑基座150/基座杆160在基板处理腔室100中所占用的容积。

图2A为描绘根据本文所述的实施方式的可用于清洁沉积处理系统的方法200的一个实施方式的工艺流程图。图2B描绘工艺流程图，其为根据本文所述的实施方式的图2A的工艺流程图的继续。沉积基板处理系统可以是类似于图1中所描绘的基板处理系统132的PECVD系统。在操作210处，将包括电介质的层沉积在安置于基板处理腔室的处理容积中的基板之上。基板可以类似于基板190。示例性的含电介质层包括但不限于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。在将含电介质层沉积在基板之上期间，可以在包括基板处理腔室的腔室部件的内表面之上沉积电介质和/或含电介质的化合物。在一个实施方式中，内表面包括例如腔室壁(例如，侧壁101、底壁122和顶壁124)、支撑基座(例如，支撑基座150)和喷头(例如，喷头120)。在一个实施方式中，基板处理腔室的内表面包括含铝表面。在操作220处，将基板转移出基板处理腔室。

接着，可以在腔室清洁工艺之前和/或在腔室清洁工艺期间执行任选的腔室加热工艺。在一个实施方式中，腔室可被加热到和/或保持在从约300摄氏度至约650摄氏度(例如，从约300摄氏度至约550摄氏度；从约300摄氏度至约400摄氏度；或从约400摄氏度至约550摄氏度)的温度范围内。控制温度可用于控制电介质/含电介质的沉积物的去除/蚀刻速率。去除速率可能随着腔室温度增加而增加。例如，在一些实施方式中，将温度升高到400摄氏度可以将蚀刻速率增加到

/秒。在一些实施方式中，通过加热工艺腔室的壁中的任何壁(例如，侧壁101、底壁122和/或顶壁124)、加热器基座(例如，支撑基座150)和/或喷头(例如，喷头120)来加热工艺腔室。在一些实施方式中，通过加热定位在腔室中的加热器基座来加热基板处理腔室100。加热器基座可以类似于支撑基座150。在一些实施方式中，通过对壁和加热器基座两者进行加热来加热腔室。在一些实施方式中，通过原位等离子体来加热腔室。在一些实施方式中，工艺腔室的温度可以保持在将含电介质层沉积在基板之上期间所使用的相同的温度。

在操作230处，使含氟清洁气体混合物流入与处理容积流体地耦合的远程等离子体源(例如，远程等离子体源152)中。含氟清洁气体混合物包括含氟气体、任选的含氧气体和任选的惰性气体。在一些实施方式中，任选的惰性气体充当载气。在一些实施方式中，任选的惰性气体可以延长自由基物质的寿命并增加自由基物质的密度。在一些实施方式中，使含氟的清洁气体混合物流入远程等离子体源中并且将其它处理气体分别地递送到腔室。

含氟气体选自由以下项组成的组：NF₃、CIF₃、F₂、CF₄、C₂F₆及其组合。含氧气体选自由以下项组成的组：N₂O、O₂及其组合。任选的惰性气体选自由以下项组成的组：氦气、氩气及其组合。在一些实施方式中，含氟清洁气体混合物包括NF₃和N₂O。在一些实施方式中，含氟清洁气体混合物包括NF₃和O₂。

远程等离子体源可以是电感耦合的等离子体源。远程等离子体源接收含氟清洁气体混合物并在含氟清洁气体混合物中形成等离子体，这导致含氟清洁气体混合物的离解从而形成清洁自由基。清洁自由基可包括反应物质，诸如F原子或者F⁺原子。远程等离子体源提供含氟清洁气体混合物的高效离解。在一些实施方式中，实现了含氟清洁气体混合物大于90％的离解。在一些实施方式中，实现了含氟清洁气体混合物大于40％、大于60％或者大于80％的离解。

在一些实施方式中，在将含氟清洁气体混合物引入远程等离子体腔室中之前，利用氩气或者类似惰性气体的初始流量来启用远程等离子体。

含氟清洁气体混合物可以以约100sccm至约10000sccm的流率流入远程等离子体源中。在一些实施方式中，含氟清洁气体混合物以从约500sccm至约6000sccm的流率流入远程等离子体源中。在一些实施方式中，含氟清洁气体混合物以从约500sccm至约4000sccm的流率流入远程等离子体源中。在一些实施方式中，含氟清洁气体混合物以约1000sccm的流率流入远程等离子体源中。

在一些实施方式中，在将NF₃引入远程等离子体腔室中之前，利用氩气或者类似惰性气体的初始流量来启用远程等离子体。接着，随着NF₃被引入远程等离子体腔室中，氩气的流率降低。例如，当NH₃以1000sccm的初始流率并接着以增加到1500sccm的流率被引入远程等离子体腔室中时，可以利用3000sccm的氩气流(其逐步降低到1000sccm并且接着降低到500sccm)来引发远程等离子体。

在操作240处，将由含氟气体混合物形成的反应物质运输到处理容积。反应物质包括原子氟。

处理容积内的压力可以在约10毫托至约300托之间。处理容积内的压力可以在1托至约10托之间，例如，约3托。

在一些实施方式中，可以将加热器基座加热到和/或保持在从约300摄氏度至约650摄氏度(例如，从约300摄氏度至约550摄氏度；从约300摄氏度至约400摄氏度；或者从约400摄氏度至约550摄氏度)的范围内的温度。在一些实施方式中，在清洁工艺期间，可以将腔室壁加热到和/或保持在从约300摄氏度至约650摄氏度(例如，从约300摄氏度至约550摄氏度；从约300摄氏度至约400摄氏度；或者从约400摄氏度至约550摄氏度)的范围内的温度。在一些实施方式中，可以通过加热工艺腔室的壁中的任何壁(例如，侧壁101、底壁122和/或顶壁124)、加热器基座(例如，支撑基座150)和/或喷头(例如，喷头120)将工艺腔室加热到前述温度。

在操作250处，反应物质与含电介质的沉积物以及基板处理腔室的含铝表面反应。反应氟物质与含铝表面反应以形成氟化铝。

任选地，在操作255处，净化处理容积以从基板处理腔室去除污染物。在一个实施方式中，通过使净化气体流入基板处理腔室中来主动地净化基板处理腔室。替代性地或除了引入净化气体以外，可以使工艺腔室减压，以便从处理腔室去除残留的清洁气体以及任何副产物。可以通过抽空基板处理腔室来净化基板处理腔室。净化工艺的时间段通常应足够长，以从基板处理腔室去除任何残留的清洁气体和副产物。清洁气流的时间通常应足够长，以从包括腔室部件的腔室内表面去除电介质沉积物。

在操作260处，使含氮清洁气体混合物流入基板处理腔室的处理容积中。含氮清洁气体混合物包括含氮气体、任选的含氧气体和任选的惰性气体。在一些实施方式中，任选的惰性气体可以充当载气。在一些实施方式中，任选的惰性气体可以延长自由基物质的寿命并增加自由基物质的密度。在一些实施方式中，使含氮的清洁气体混合物流入处理容积中并且将其它处理气体分别地递送到腔室。

含氮气体选自由以下项组成的组：N₂、N₂O、NO₂、NH₃、N₂H₂及其组合。含氧气体选自由以下项组成的组：O₂、N₂O、NO₂、O₃、H₂O及其组合。任选的惰性气体选自由以下项组成的组：氦气、氩气及其组合。在一些实施方式中，含氮清洁气体混合物包括N₂。在一些实施方式中，含氮清洁气体混合物包括N₂和氩气。

含氮清洁气体混合物可以以约100sccm至约10000sccm的流率流入腔室中。在一些实施方式中，含氮清洁气体混合物以从约500sccm至约4000sccm的流率流入腔室中。在一些实施方式中，含氮清洁气体混合物以约1000sccm的流率流入腔室中。

基板处理腔室内的压力可在约10毫托至约100托之间。基板处理腔室内的压力可在约20托至约30托之间，例如，约25托。

可以通过电容性装置或电感性装置来形成等离子体，并且可以通过将RF功率耦合到前驱物气体混合物中来激励等离子体。RF功率可以是具有高频分量和低频分量的双频RF功率。通常以约50瓦至约2500瓦之间的功率水平施加RF功率，所述功率水平可以是全部高频RF功率(例如以约13.56兆赫的频率)，或可以是高频功率和低频功率的混合(例如以约300千赫的频率)。

在操作270处，在处理容积中产生原位RF等离子体。可以通过电容性装置或电感性装置来形成等离子体，并且可以通过将RF功率耦合到前驱物气体混合物中来激励等离子体。RF功率可以是具有高频分量和低频分量的双频RF功率。通常以约50瓦至约2500瓦之间的功率水平施加RF功率，所述功率水平可以是全部高频RF功率(例如以约13.56兆赫的频率)，或可以是高频功率和低频功率的混合(例如以约300千赫的频率)。

在操作280处，由处理容积中的含氮清洁气体混合物来形成反应物质。

在操作290处，允许含氮反应物质与氟化铝反应并将氟化铝转化为氮化铝。

任选地，在操作295处，净化处理容积以从基板处理腔室去除污染物。可以通过使净化气体在基板处理腔室中流动来主动地净化基板处理腔室。替代性地或除了引入净化气体以外，可以使工艺腔室减压，以便从处理腔室去除残留的清洁气体以及任何副产物。可以通过抽空基板处理腔室来净化基板处理腔室。净化工艺的时间段通常应足够长，以从基板处理腔室去除任何残留的清洁气体和副产物。清洁气流的时间通常应足够长，以从包括腔室部件的腔室内表面去除电介质沉积物。

可以重复操作230、240、250、255、260、270、280、290和295中的任何操作，直至达到选定的清洁终点为止。应理解，若干清洁循环可以应用于在清洁循环之间执行的任选的净化工艺。

总而言之，本公开内容的一些益处提供了一种工艺，所述工艺主要使用通过原位等离子体产生的氮自由基来将挥发性氟化铝沉积物转化成非挥发性氮化铝和/或氧化铝。这种去除氟化铝沉积物的能力允许在较高的温度下进行处理而不会在晶片处理期间使氟化铝升华并随后剥落。另外，本公开内容的方法可以被原位执行，而无需大多数非原位清洁工艺所需的腔室停机时间。

当介绍本公开内容的元件或本公开内容的示例性方面或(一个或多个)实施方式时，冠词“一个”、“一种”、“此”和“所述”旨在意为存在所述元件中的一个或多个元件。

术语“包含”、“包括”和“具有”旨在为包括性的，并且意为可能存在除所列元件之外的附加元件。

虽然前文针对本公开内容的实施方式，但是可以在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计本公开内容的其它的和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围由以下权利要求来确定。

Claims

1.一种用于清洁基板处理腔室的方法，包括：

由含氟清洁气体混合物形成反应氟物质；

将所述反应氟物质递送到基板处理腔室的处理容积中，其中所述处理容积包括一个或多个含铝内表面，所述一个或多个含铝内表面具有形成在所述一个或多个含铝内表面上的不想要的沉积物；

允许所述反应氟物质与所述不想要的沉积物和所述基板处理腔室的含铝内表面反应以形成氟化铝；

在形成所述氟化铝之后，将含氮清洁气体混合物暴露于原位等离子体以在所述处理容积中形成反应氮物质，其中所述含氮清洁气体混合物由以下成分组成：

含氮清洁气体；以及

任选地惰性气体；和

允许所述反应氮物质与所述氟化铝反应以将所述氟化铝转化为氮化铝。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物包括含氟气体，所述含氟气体选自由以下项组成的组：NF₃、CIF₃、F₂以及它们的组合。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物进一步包括含氧气体。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述含氧气体选自由以下项组成的组：N₂O、O₂以及它们的组合。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物进一步包括惰性气体，所述惰性气体选自由以下项组成的组：氦气、氩气以及它们的组合。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物包括NF₃和N₂O。

7.一种用于清洁基板处理腔室的方法，包括：

使含氟清洁气体混合物流入与基板处理腔室流体地耦合的远程等离子体源中，其中所述基板处理腔室具有处理容积，所述处理容积具有一个或多个含铝内表面，所述一个或多个含铝内表面具有形成在所述一个或多个含铝内表面上的不想要的沉积物；

由所述含氟清洁气体混合物形成反应氟物质；

将所述反应氟物质输送到所述处理容积中；

在形成所述氟化铝之后，使含氮清洁气体混合物流入所述处理容积中；

将所述含氮清洁气体混合物暴露于原位等离子体以形成反应氮物质，其中所述含氮清洁气体混合物由以下成分组成：

含氮清洁气体；以及

任选地惰性气体；和

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物包括含氟气体，所述含氟气体选自由以下项组成的组：NF₃、CIF₃、F₂以及它们的组合。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物进一步包括含氧气体。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述含氧气体选自由以下项组成的组：N₂O、O₂以及它们的组合。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物进一步包括惰性气体，所述惰性气体选自由以下项组成的组：氦气、氩气以及它们的组合。

12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物包括NF₃和N₂O。

13.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物包括NF₃和O₂。

14.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述反应氟物质包括原子氟。

15.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述远程等离子体源是电感耦合的等离子体源。

16.一种用于清洁基板处理腔室的方法，包括：

使含氟清洁气体混合物流入远程等离子体源中，所述远程等离子体源与基板处理腔室流体地耦合，其中所述基板处理腔室具有处理容积，所述处理容积具有一个或多个含铝内表面，所述一个或多个含铝内表面包括加热器基座，所述加热器基座具有形成在所述加热器基座上的不想要的介电沉积物；

将所述基板处理腔室加热到从300摄氏度到650摄氏度的范围内的温度；

由所述含氟清洁气体混合物形成反应氟物质；

将所述反应氟物质输送到所述处理容积中；

允许所述反应氟物质与所述不想要的介电沉积物和所述基板处理腔室的含铝内表面反应以形成氟化铝；

含氮清洁气体；以及

任选地惰性气体；和

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物包括含氟气体，所述含氟气体选自由以下项组构成的组：NF₃、CIF₃、F₂以及它们的组合。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物进一步包括含氧气体。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述含氧气体选自由以下项组构成的组：N₂O、O₂以及它们的组合。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述含氟清洁气体混合物进一步包括惰性气体，所述惰性气体选自由以下项组构成的组：氦气、氩气以及它们的组合。