CN109818507A - 过流保护补偿电路及方法以及反激电路 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种过流保护补偿电路及方法以及反激电路，所述补偿电路包括副边去磁时间采样单元以及电流补偿单元；所述副边去磁时间采样单元用以采样副边去磁时间T_dem；电流补偿单元连接所述副边去磁时间采样单元，用以在预设频率下根据获取的副边去磁时间T_dem对原边峰值电流值进行补偿；或者，所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元，副边去磁占空比获取单元用以分别获取副边去磁时间T_dem以及工作开关周期T_S，并以此获取副边去磁占空比D_dem；所述电流补偿单元连接所述副边去磁占空比获取单元，用以根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。本发明可使补偿后的OLP曲线较为平滑，解决芯片在不同电感应用下的调整率问题。

Description

过流保护补偿电路及方法以及反激电路

技术领域

本发明属于电路电子技术领域，涉及一种过流保护补偿电路及方法以及反激电路。

背景技术

反激电路的过流保护功能通常采用限制原边峰值电流的方式来实现。因此，要解决不同的输入电压下，系统过流保护点的一致性问题，需要对不同输入电压下原边峰值电流进行补偿。但是，由于实际系统可能工作在DCM(断续模式)状态，也可能工作在CCM(连续模式)状态，且DCM和CCM下，系统具有不同的过流保护特性有明显的差异，因此，当系统从低压输入到高压输入，若系统设计从CCM逐渐转变为DCM时，如何能有较好的补偿效果，成为难点。

根据系统特性，在DCM状态下：

可推得：

可见对既定系统而言，DCM下的I_{L_max}与V_in、D_DCM无关，由输出电流I_{o_OLP}决定，而占空比则与输入电压V_in有关。

而在CCM状态下：

可推得：

其中，Vin和K都是关于占空比D的函数，因此可得：

可见对既定系统而言，在CCM状态下的I_{L_max}，由输出电流I_{o_OLP}和占空比D共同决定。而占空比D随输入电压变化而变化。其中，η为系统效率，I_{o_OLP}为系统输出过流值，I_{L_max}为输出过流时对应的原边峰值电流，L_m为变压器原边电感，N_ps为变压器原副边匝比，V_o为系统输出电压，f_s为系统工作开关频率，Ts为工作开关周期，Vcs_max为原边过流点阈值，R_sens为原边采样电阻，K为电流纹波系数，D_DCM为DCM下原边占空比，D为CCM下原边占空比，Vin为输出电压(折算直流值)。

图1为占空比与原边峰值电流曲线，由图1可见，系统在CCM状态时，I_{L_max}随着占空比增大，而系统在DCM状态时，I_{L_max}与占空比无关。

目前常用的补偿方案包括两种，第一种补偿方案用占空比作为补偿，第二种补偿方案为外置可调补充。

第一种补偿方案(用占空比作为补偿的方案)中，由于IL_max与占空比的曲线在DCM和CCM时呈现不同的曲线规则，故此方案在DCM和CCM段有明显的分化趋势，而DCM和CCM的转换点随实际应用系统而定，故很难在DCM和CCM全电压实现较好的过流点一致性补偿，通常将系统设计在全压CCM模式下并以CCM的曲线进行补偿，因此，系统电感设计受到极大的限制。

第一种补偿方案(外置可调补偿的方案)中，在系统上，通过采样母线电压进行可调的补偿。图2为现有补偿方案中外置可调补偿电路的电路示意图；如图2所示，通过电阻R1、电阻R2采样母线补偿CS峰值。该方案需要增加额外的器件；且虽然补偿可调，但是由于补偿为线性，而实际所需的补偿为非线性，依然很难使过流点曲线补偿完美。

有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的补偿方式，以便克服现有补偿方式存在的上述缺陷。

发明内容

本发明提供一种过流保护补偿电路及方法以及反激电路，可使补偿后的OLP曲线较为平滑，解决芯片在不同电感应用下的调整率问题。

为解决上述技术问题，根据本发明的一个方面，采用如下技术方案：

一种过流保护补偿电路，所述补偿电路包括：副边去磁时间采样单元以及电流补偿单元；所述副边去磁时间采样单元用以采样副边去磁时间T_dem；所述电流补偿单元连接所述副边去磁时间采样单元，用以在预设频率下根据获取的副边去磁时间T_dem对原边峰值电流值进行补偿；或者，

所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元，所述副边去磁占空比获取单元用以分别获取副边去磁时间T_dem以及工作开关周期T_S，并以此获取副边去磁占空比D_dem；所述电流补偿单元连接所述副边去磁占空比获取单元，用以根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。

作为本发明的一种实施方式，所述电流补偿单元对原边峰值电流值进行补偿的方式如下：

其中，I_{L_max}为输出过流时对应的原边峰值电流，I_{o_OLP}为系统输出过流值，η为系统效率，N_ps为变压器原副边匝比，D_dem为副边去磁占空比，Vo为系统输出电压，L_m为变压器原边电感量，f_S为系统工作开关频率。

作为本发明的一种实施方式，所述副边去磁占空比获取单元获取副边去磁占空比D_dem的方式为：D_dem＝T_dem/T_S。

作为本发明的一种实施方式，所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元，所述补偿电路还包括：

副边去磁时间采样单元，用以获取副边去磁时间T_dem；

工作开关周期获取单元，用以获取工作开关周期T_S；

所述副边去磁时间采样单元、工作开关周期获取单元分别连接所述副边去磁占空比获取单元，将获取的数据发送至所述副边去磁占空比获取单元。

作为本发明的一种实施方式，所述副边去磁占空比获取单元通过DEM脚检测副边去磁时间T_dem。

作为本发明的一种实施方式，所述过流保护补偿电路包括：第一去磁检测模块、频率振荡器、驱动逻辑电路、开关周期检测电路、副边去磁时间检测电路、副边去磁占空比获取模块、峰值电流补偿模块；

所述频率振荡器的输出分别连接驱动逻辑电路的输入、开关周期检测电路的输入，开关周期检测电路的输出连接副边去磁占空比获取模块；

所述驱动逻辑电路的输入还连接第一功率放大器的输出；所述驱动逻辑电路的输出分别连接副边去磁时间检测电路、芯片的Gate管脚、第一去磁检测模块；

所述副边去磁时间检测电路的输入分别连接驱动逻辑电路、第一去磁检测模块，副边去磁时间检测电路的输出连接副边去磁占空比获取模块；

所述副边去磁占空比获取模块的输入分别连接开关周期检测电路、副边去磁时间检测电路，副边去磁占空比获取模块的输出连接峰值电流补偿模块；

所述第一去磁检测模块用以通过开关管的漏极drain去磁结束耦合到芯片门极驱动引脚gate上的信号检测得到T_dem；

所述频率振荡器用以确定内部开关频率；

所述驱动逻辑电路用以产生PWM开通关断信号；

所述开关周期检测电路连接频率振荡器，用以通过内部频率振荡器得到开关周期T_S；

所述副边去磁时间检测电路用以检测去磁的起始点，起始点由驱动逻辑电路的关断信号得到；

所述副边去磁占空比获取模块用以获取副边去磁占空比D_dem，D_dem＝T_dem/T_S；

所述峰值电流补偿模块通过副边去磁占空比D_dem值来补偿峰值电流阈值Vth，从而保持过流电流和D_dem一定关系，以补偿输出电流在不同输入电压时过载的一致性。

作为本发明的一种实施方式，所述过流保护补偿电路包括：第二去磁检测模块、频率振荡器、驱动逻辑电路、开关周期检测电路、副边去磁时间检测电路、副边去磁占空比获取模块、峰值电流补偿模块；

所述频率振荡器的输出分别连接驱动逻辑电路的输入、开关周期检测电路的输入，开关周期检测电路的输出连接副边去磁占空比获取模块；

所述驱动逻辑电路的输入还连接第一功率放大器的输出；所述驱动逻辑电路的输出分别连接副边去磁时间检测电路、芯片的Gate管脚；

所述副边去磁时间检测电路的输入分别连接驱动逻辑电路、第二去磁检测模块，副边去磁时间检测电路的输出连接副边去磁占空比获取模块；

所述副边去磁占空比获取模块的输入分别连接开关周期检测电路、副边去磁时间检测电路，副边去磁占空比获取模块的输出连接峰值电流补偿模块；

所述第二去磁检测模块用以通过辅助绕组采样的DEM脚检测得到副边去磁时间T_dem；

所述频率振荡器用以确定内部开关频率；

所述驱动逻辑电路用以产生PWM开通关断信号；

所述开关周期检测电路连接频率振荡器，用以通过内部频率振荡器得到开关周期T_S；

所述副边去磁时间检测电路用以检测去磁的起始点，起始点由驱动逻辑电路的关断信号得到；

所述副边去磁占空比获取模块用以获取副边去磁占空比D_dem，D_dem＝T_dem/T_S；

所述峰值电流补偿模块通过副边去磁占空比D_dem值来补偿峰值电流阈值Vth，从而保持过流电流和D_dem一定关系，以补偿输出电流在不同输入电压时过载的一致性。

根据本发明的另一个方面，采用如下技术方案：一种反激电路，包括上述的过流保护补偿电路。

根据本发明的又一个方面，采用如下技术方案：一种过流保护补偿方法，所述补偿方法包括：在预设频率下获取副边去磁时间T_dem；根据获取的副边去磁时间T_dem对原边峰值电流值进行补偿；或者，

所述补偿方法包括：获取副边去磁时间T_dem以及工作开关周期TS，并以此获取副边去磁占空比D_dem；根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。

作为本发明的一种实施方式，根据副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿的方式如下：

其中，I_{L_max}为输出过流时对应的原边峰值电流，I_{o_OLP}为系统输出过流值，η为系统效率，N_ps为变压器原副边匝比，D_dem为副边去磁占空比，Vo为系统输出电压，f_S为系统工作开关频率。

作为本发明的一种实施方式，获取副边去磁占空比D_dem的方式为：D_dem＝T_dem/T_S。

作为本发明的一种实施方式，通过开关管的漏极drain去磁结束耦合到芯片门极驱动引脚gate上的信号检测得到副边去磁时间T_dem。

作为本发明的一种实施方式，通过辅助绕组采样的DEM脚检测得到副边去磁时间T_dem。

本发明的有益效果在于：本发明提出的过流保护补偿电路及方法以及反激电路，无需额外的器件去设置调节过流点补偿幅度，应用简单，且节省成本。本发明的补偿方式可以自适应的在DCM和CCM模式下获得较好的OLP补偿曲线；可使补偿后的OLP曲线较为平滑，解决芯片在不同电感应用下的调整率问题。在不同的电感应用中，无论系统设定临界模式在什么输入电压位置，系统都能有良好的OLP补偿曲线。

附图说明

图1为占空比与原边峰值电流曲线示意图。

图2为现有补偿方案中外置可调补偿电路的电路示意图。

图3为本发明一实施例中在CCM状态和DCM状态下系统副边去磁时间的变化情况示意图。

图4为本发明一实施例中过流保护补偿电路的组成示意图。

图5为本发明一实施例中过流保护补偿电路的电路示意图。

图6为本发明一实施例中过流保护补偿电路补偿后的OLP曲线示意图。

图7为本发明一实施例中过流保护补偿电路的副边去磁占空比获取模块的电路示意图。

图8为本发明一实施例中过流保护补偿电路的第一去磁检测模块的电路示意图。

图9为本发明一实施例中过流保护补偿电路的第二去磁检测模块的电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。

该部分的描述只针对几个典型的实施例，本发明并不仅局限于实施例描述的范围。相同或相近的现有技术手段与实施例中的一些技术特征进行相互替换也在本发明描述和保护的范围内。

本发明揭示了一种过流保护补偿电路，在本发明的一实施例中，所述补偿电路包括：副边去磁时间采样单元以及电流补偿单元；所述副边去磁时间采样单元用以采样副边去磁时间T_dem；所述电流补偿单元连接所述副边去磁时间采样单元，用以在预设频率下根据获取的副边去磁时间T_dem对原边峰值电流值进行补偿。

在本发明的另一实施例中，所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元，所述副边去磁占空比获取单元用以分别获取副边去磁时间T_dem以及工作开关周期T_S，并以此获取副边去磁占空比D_dem；所述电流补偿单元连接所述副边去磁占空比获取单元，用以根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。

在本发明的一实施例中，所述电流补偿单元对原边峰值电流值进行补偿的方式如下：

其中，I_{L_max}为输出过流时对应的原边峰值电流，I_{o_OLP}为系统输出过流值，η为系统效率，N_ps为变压器原副边匝比，D_dem为副边去磁占空比，Vo为系统输出电压，L_m为变压器原边电感量，f_S为系统工作开关频率。

在本发明的一实施例中，所述副边去磁占空比获取单元获取副边去磁占空比D_dem的方式为：D_dem＝T_dem/T_S。

在本发明的一实施例中，所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元，所述补偿电路还包括：副边去磁时间采样单元、工作开关周期获取单元。副边去磁时间采样单元用以获取副边去磁时间T_dem；工作开关周期获取单元用以获取工作开关周期T_S。所述副边去磁时间采样单元、工作开关周期获取单元分别连接所述副边去磁占空比获取单元，将获取的数据发送至所述副边去磁占空比获取单元。

在本发明的一实施例中，所述副边去磁占空比获取单元通过DEM脚检测副边去磁时间T_dem。

在本发明的一实施例中，通过采样副边去磁的占空比补偿原边峰值电流。图3为本发明一实施例中在CCM状态和DCM状态下系统副边去磁时间的变化情况示意图；请参阅图3，在本发明的一实施例中，根据系统特性，在DCM状态下：

可见对既定系统而言，DCM下的IL_max与Vin、D_dem无关，由输出电流Io_OLP决定，而占空比同样与输入电压Vin无关，只和IL_max有关。故在DCM模式下若以副边去磁占空比D_dem为补偿对象，是可以实现的。

而在CCM状态下，Vin和K都是关于占空比D的函数，因此可得：

而临界模式时，正好式(8)等于式(10)，式(9)＝(11)，正好平滑过渡。故只要按式(10)对峰值电流进行补偿，即可使CCM下，过流一致性较好，而DCM下，由于D_dem变成常数，故原边峰值电流不再随输入电压改变而改变，正好满足DCM下，I_{L_max}与Vin无关的特性。

其中，η为系统效率，I_{o_OLP}为系统输出过流值，I_{L_max}为输出过流时对应的原边峰值电流，Lp为变压器原边电感，N_ps为变压器原副边匝比，Vo为系统输出电压，fs为系统工作开关频率，Ts为工作开关周期，Vcs_max为原边过流点阈值，Rsens为原边采样电阻，K为电流纹波系数，D_DCM为DCM下原边占空比，D为CCM下原边占空比，Vin为输出电压(折算直流值)，D_dem为副边去磁占空比。

图4为本发明一实施例中过流保护补偿电路的电路示意图；请参阅图4，在本发明的一实施例中，通过芯片的DEM脚检测副边去磁时间T_dem，与内部开关周期T_S，求得去磁占空比D_dem，并以D_dem对原边峰值电流值进行补偿。

在本发明的一实施例中，所述过流保护补偿电路包括：第一去磁检测模块47、频率振荡器41、驱动逻辑电路42、开关周期检测电路43、副边去磁时间检测电路44、副边去磁占空比获取模块45、峰值电流补偿模块46。在本发明的一实施例中，所述过流保护补偿电路还包括第一功率放大器49。

所述频率振荡器41的输出分别连接驱动逻辑电路42的输入、开关周期检测电路43的输入，开关周期检测电路43的输出连接副边去磁占空比获取模块45。

所述驱动逻辑电路42的输入还连接第一功率放大器49的输出；所述驱动逻辑电路42的输出分别连接副边去磁时间检测电路44、芯片的Gate管脚、第一去磁检测模块47。

所述副边去磁时间检测电路44的输入分别连接驱动逻辑电路42、第一去磁检测模块47，副边去磁时间检测电路44的输出连接副边去磁占空比获取模块45。

所述副边去磁占空比获取模块45的输入分别连接开关周期检测电路43、副边去磁时间检测电路44，副边去磁占空比获取模块45的输出连接峰值电流补偿模块46。

图7为本发明一实施例中过流保护补偿电路的副边去磁占空比获取模块的电路示意图；请参阅图7，在本发明的一实施例中，所述副边去磁占空比获取模块45包括电流源Io、减法器451、第一比较器453、第一电容C；电流源Io的输出端通过开关连接第一电容C的第一端、减法器451的第一输入端，第一电容C的第二端接地；减法器451的第二输入端连接第一设定电压Vthmax，减法器451的输出端连接第一比较器453的反相输入端，第一比较器453的正相输入端连接电压Vcs，第一比较器453的输出端输出相应的输出电压。

图8为本发明一实施例中过流保护补偿电路的第一去磁检测模块的电路示意图；请参阅图8，在本发明的一实施例中，第一去磁检测模块47包括电流检测元件471、第二比较器473；电流检测元件471将通过电流转化为电压，输出至第二比较器472的正相输入端，第二比较器472的反相输入端连接第二设定电压(如可以为0.1V)。

所述第一去磁检测模块447用以通过开关管的漏极drain去磁结束耦合到芯片门极驱动引脚gate上的信号检测得到T_dem。

所述频率振荡器41用以确定内部开关频率；所述驱动逻辑电路42用以产生PWM开通关断信号；所述开关周期检测电路43连接频率振荡器41，用以通过内部频率振荡器41得到开关周期T_S；所述副边去磁时间检测电路44用以检测去磁的起始点，起始点由驱动逻辑电路42的关断信号得到。

所述副边去磁占空比获取模块45用以获取副边去磁占空比D_dem，D_dem＝T_dem/T_S。

所述峰值电流补偿模块46通过副边去磁占空比D_dem值来补偿峰值电流阈值Vth，从而保持过流电流和D_dem一定关系，以补偿输出电流在不同输入电压时过载的一致性。

在本发明的另一实施例中，所述过流保护补偿电路包括：第二去磁检测模块48、频率振荡器41、驱动逻辑电路42、开关周期检测电路43、副边去磁时间检测电路44、副边去磁占空比获取模块45、峰值电流补偿模块46。在本发明的一实施例中，所述过流保护补偿电路还包括第一功率放大器49。

所述频率振荡器41的输出分别连接驱动逻辑电路的输入、开关周期检测电路的输入，开关周期检测电路的输出连接副边去磁占空比获取模块。

所述驱动逻辑电路42的输入还连接第一功率放大器49的输出；所述驱动逻辑电路42的输出分别连接副边去磁时间检测电路44、芯片的Gate管脚。

所述副边去磁时间检测电路44的输入分别连接驱动逻辑电路42、第二去磁检测模块48，副边去磁时间检测电路44的输出连接副边去磁占空比获取模块45。

所述副边去磁占空比获取模块45的输入分别连接开关周期检测电路43、副边去磁时间检测电路44，副边去磁占空比获取模块45的输出连接峰值电流补偿模块46。

所述第二去磁检测模块48用以通过辅助绕组采样的DEM脚检测得到副边去磁时间T_dem；所述频率振荡器41用以确定内部开关频率；所述驱动逻辑电路42用以产生PWM开通关断信号；所述开关周期检测电路43连接频率振荡器41，用以通过内部频率振荡器41得到开关周期T_S。

图9为本发明一实施例中过流保护补偿电路的第二去磁检测模块的电路示意图；请参阅图9，在本发明的一实施例中，第二去磁检测模块48包括第三比较器481、第一电感L、第一电阻R1、第二电阻R2；第一电感L的第一端连接第一电阻R1的第一端，第一电感L的第二端接地；第一电阻R1的第二端分别连接第二电阻R2的第一端、第三比较器481的反相输入端；第三比较器481的正相输入端连接第三设定电压(如可以为80mV)。

所述副边去磁时间检测电路44用以检测去磁的起始点，起始点由驱动逻辑电路42的关断信号得到。所述副边去磁占空比获取模块45用以获取副边去磁占空比D_dem，D_dem＝T_dem/T_S。

所述峰值电流补偿模块46通过副边去磁占空比D_dem值来补偿峰值电流阈值Vth，从而保持过流电流和D_dem一定关系，以补偿输出电流在不同输入电压时过载的一致性。

图5为本发明一实施例中过流保护补偿电路的电路示意图；请参阅图5，在本发明的一实施例中，过流保护补偿电路的组成可参阅图5所示。

图6为本发明一实施例中过流保护补偿电路补偿后的OLP曲线示意图；请参阅图6，在本发明的一实施例在好，低压输入系统工作于CCM段，为系统设定的补偿曲线(对应图6中的曲线)，当输入电压增加进入到DCM后，由于D_dem变常数，补偿变为恒定(图6中的直线)，故最终的补偿曲线如图6中实线所示。显然，无论系统临界模式点在那个位置，该补偿方式都可以有效的使补偿后的OLP曲线较为平滑，有效解决芯片在不同电感应用下的调整率问题。

本发明揭示一种反激电路，包括上述的过流保护补偿电路。在本发明的一实施例中，反激电路的组成可参考图4、图5的描述。

本发明揭示一种过流保护补偿方法，在本发明的一实施例中，所述补偿方法包括：在预设频率下获取副边去磁时间T_dem；根据获取的副边去磁时间T_dem对原边峰值电流值进行补偿。

在本发明的另一实施例中，所述补偿方法包括：获取副边去磁时间T_dem以及工作开关周期T_S，并以此获取副边去磁占空比D_dem；根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。

在本发明的一实施例中，根据副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿的方式如下：

其中，I_{L_max}为输出过流时对应的原边峰值电流，I_{o_OLP}为系统输出过流值，η为系统效率，N_ps为变压器原副边匝比，D_dem为副边去磁占空比，Vo为系统输出电压，f_S为系统工作开关频率。

在本发明的一实施例中，获取副边去磁占空比D_dem的方式为：D_dem＝T_dem/T_S。

在本发明的一实施例中，通过开关管的漏极drain去磁结束耦合到芯片门极驱动引脚gate上的信号检测得到副边去磁时间T_dem。在本发明的另一实施例中，通过辅助绕组采样的DEM脚检测得到副边去磁时间T_dem。

综上所述，本发明提出的过流保护补偿电路及方法以及反激电路，无需额外的器件去设置调节过流点补偿幅度，应用简单，且节省成本。本发明的补偿方式可以自适应的在DCM和CCM模式下获得较好的OLP补偿曲线；可使补偿后的OLP曲线较为平滑，解决芯片在不同电感应用下的调整率问题。在不同的电感应用中，无论系统设定临界模式在什么输入电压位置，系统都能有良好的OLP补偿曲线。

这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。

Claims (13)

1.一种过流保护补偿电路，其特征在于，所述补偿电路包括：副边去磁时间采样单元以及电流补偿单元；所述副边去磁时间采样单元用以采样副边去磁时间T_dem；所述电流补偿单元连接所述副边去磁时间采样单元，用以在预设频率下根据获取的副边去磁时间T_dem对原边峰值电流值进行补偿；或者，

所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元，所述副边去磁占空比获取单元用以分别获取副边去磁时间T_dem以及工作开关周期T_S，并以此获取副边去磁占空比D_dem；所述电流补偿单元连接所述副边去磁占空比获取单元，用以根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。

2.根据权利要求1所述的过流保护补偿电路，其特征在于：

所述电流补偿单元对原边峰值电流值进行补偿的方式如下：

其中，I_{L_max}为输出过流时对应的原边峰值电流，I_{o_OLP}为系统输出过流值，η为系统效率，N_ps为变压器原副边匝比，D_dem为副边去磁占空比，Vo为系统输出电压，L_m为变压器原边电感量，f_S为系统工作开关频率。

3.根据权利要求1所述的过流保护补偿电路，其特征在于：

所述副边去磁占空比获取单元获取副边去磁占空比D_dem的方式为：D_dem＝T_dem/T_S。

4.根据权利要求1所述的过流保护补偿电路，其特征在于：

所述补偿电路包括副边去磁占空比获取单元以及电流补偿单元，所述补偿电路还包括：

副边去磁时间采样单元，用以获取副边去磁时间T_dem；

工作开关周期获取单元，用以获取工作开关周期T_S；

所述副边去磁时间采样单元、工作开关周期获取单元分别连接所述副边去磁占空比获取单元，将获取的数据发送至所述副边去磁占空比获取单元。

5.根据权利要求1所述的过流保护补偿电路，其特征在于：

所述副边去磁占空比获取单元通过DEM脚检测副边去磁时间T_dem。

6.根据权利要求1所述的过流保护补偿电路，其特征在于：

所述过流保护补偿电路包括：第一去磁检测模块、频率振荡器、驱动逻辑电路、开关周期检测电路、副边去磁时间检测电路、副边去磁占空比获取模块、峰值电流补偿模块；

所述频率振荡器的输出分别连接驱动逻辑电路的输入、开关周期检测电路的输入，开关周期检测电路的输出连接副边去磁占空比获取模块；

所述驱动逻辑电路的输入还连接第一功率放大器的输出；所述驱动逻辑电路的输出分别连接副边去磁时间检测电路、芯片的Gate管脚、第一去磁检测模块；

所述副边去磁时间检测电路的输入分别连接驱动逻辑电路、第一去磁检测模块，副边去磁时间检测电路的输出连接副边去磁占空比获取模块；

所述副边去磁占空比获取模块的输入分别连接开关周期检测电路、副边去磁时间检测电路，副边去磁占空比获取模块的输出连接峰值电流补偿模块；

所述第一去磁检测模块用以通过开关管的漏极drain去磁结束耦合到芯片门极驱动引脚gate上的信号检测得到T_dem；

所述频率振荡器用以确定内部开关频率；

所述驱动逻辑电路用以产生PWM开通关断信号；

所述开关周期检测电路连接频率振荡器，用以通过内部频率振荡器得到开关周期T_S；

所述副边去磁时间检测电路用以检测去磁的起始点，起始点由驱动逻辑电路的关断信号得到；

所述副边去磁占空比获取模块用以获取副边去磁占空比D_dem，D_dem＝T_dem/T_S；

所述峰值电流补偿模块通过副边去磁占空比D_dem值来补偿峰值电流阈值Vth，从而保持过流电流和D_dem一定关系，以补偿输出电流在不同输入电压时过载的一致性。

7.根据权利要求1所述的过流保护补偿电路，其特征在于：

所述过流保护补偿电路包括：第二去磁检测模块、频率振荡器、驱动逻辑电路、开关周期检测电路、副边去磁时间检测电路、副边去磁占空比获取模块、峰值电流补偿模块；

所述频率振荡器的输出分别连接驱动逻辑电路的输入、开关周期检测电路的输入，开关周期检测电路的输出连接副边去磁占空比获取模块；

所述驱动逻辑电路的输入还连接第一功率放大器的输出；所述驱动逻辑电路的输出分别连接副边去磁时间检测电路、芯片的Gate管脚；

所述副边去磁时间检测电路的输入分别连接驱动逻辑电路、第二去磁检测模块，副边去磁时间检测电路的输出连接副边去磁占空比获取模块；

所述副边去磁占空比获取模块的输入分别连接开关周期检测电路、副边去磁时间检测电路，副边去磁占空比获取模块的输出连接峰值电流补偿模块；

所述第二去磁检测模块用以通过辅助绕组采样的DEM脚检测得到副边去磁时间T_dem；

所述频率振荡器用以确定内部开关频率；

所述驱动逻辑电路用以产生PWM开通关断信号；

所述开关周期检测电路连接频率振荡器，用以通过内部频率振荡器得到开关周期T_S；

所述副边去磁时间检测电路用以检测去磁的起始点，起始点由驱动逻辑电路的关断信号得到；

所述副边去磁占空比获取模块用以获取副边去磁占空比D_dem，D_dem＝T_dem/T_S；

所述峰值电流补偿模块通过副边去磁占空比D_dem值来补偿峰值电流阈值Vth，从而保持过流电流和D_dem一定关系，以补偿输出电流在不同输入电压时过载的一致性。

8.一种反激电路，其特征在于：包括权利要求1至7任一所述的过流保护补偿电路。

9.一种过流保护补偿方法，其特征在于，所述补偿方法包括：在预设频率下获取副边去磁时间T_dem；根据获取的副边去磁时间T_dem对原边峰值电流值进行补偿；或者，

所述补偿方法包括：获取副边去磁时间T_dem以及工作开关周期T_S，并以此获取副边去磁占空比D_dem；根据获取的副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿。

10.根据权利要求9所述的过流保护补偿方法，其特征在于：

根据副边去磁占空比D_dem对原边峰值电流值进行补偿的方式如下：

其中，I_{L_max}为输出过流时对应的原边峰值电流，I_{o_OLP}为系统输出过流值，η为系统效率，N_ps为变压器原副边匝比，D_dem为副边去磁占空比，Vo为系统输出电压，f_S为系统工作开关频率。

11.根据权利要求9所述的过流保护补偿方法，其特征在于：

获取副边去磁占空比D_dem的方式为：D_dem＝T_dem/T_S。

12.根据权利要求9所述的过流保护补偿方法，其特征在于：

通过开关管的漏极drain去磁结束耦合到芯片门极驱动引脚gate上的信号检测得到副边去磁时间T_dem。

13.根据权利要求9所述的过流保护补偿方法，其特征在于：

通过辅助绕组采样的DEM脚检测得到副边去磁时间T_dem。