CN109817653A - 图像传感器及其形成方法 - Google Patents
图像传感器及其形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109817653A CN109817653A CN201910114624.9A CN201910114624A CN109817653A CN 109817653 A CN109817653 A CN 109817653A CN 201910114624 A CN201910114624 A CN 201910114624A CN 109817653 A CN109817653 A CN 109817653A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- opening
- separation layer
- imaging sensor
- substrate
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 76
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- -1 boron ion Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001439 antimony ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N arsenic(5+) Chemical compound [As+5] HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001728 nano-filtration Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
一种图像传感器及其形成方法，其中，图像传感器包括：基底，所述基底包括若干个相互分立的光电区；位于所述基底表面的隔离层，所述隔离层的材料具有第一折射率；位于各个所述光电区隔离层内的开口，所述开口侧壁与隔离层顶部表面构成的夹角为钝角；位于所述开口内的滤光片，所述滤光片的材料具有第二折射率，且所述第二折射率大于第一折射率；位于所述滤光片表面的透镜。所述图像传感器能够减少光学串扰的同时，还能够提高光子转化效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造和光电成像技术领域，特别涉及一种图像传感器及其形成方法。
背景技术
图像传感器是将光学图像信号转换为电信号的半导体器件。以图像传感器作为关键零部件的产品成为当前以及未来业界关注的对象，吸引着众多厂商投入。以产品类别区分，图像传感器产品主要分为电荷耦合图像传感器(Charge-coupled Device ImageSensor，简称为CCD图像传感器)、互补型金属氧化物图像传感器(Complementary MetalOxide Semiconductor Image Sensor，简称为CMOS图像传感器)。CMOS图像传感器是一种快速发展的固态图像传感器，由于CMOS图像传感器中的图像传感器部分和控制电路部分集成于同一芯片中，因此，CMOS图像传感器的体积小、功耗低、价格低廉，相较于传统的CCD图像传感器更具优势，也更易普及。
然而，现有图像传感器的性能较差。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法，以提高图像传感器的性能。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种图像传感器，包括：基底，所述基底包括若干个相互分立的光电区；位于所述基底表面的隔离层，所述隔离层的材料具有第一折射率；位于各个所述光电区隔离层内的开口，所述开口侧壁与隔离层顶部表面构成的夹角为钝角；位于所述开口内的滤光片，所述滤光片的材料具有第二折射率，且所述第二折射率大于第一折射率；位于所述滤光片表面的透镜。
可选的，所述隔离层的最大厚度为：50纳米～100纳米。
可选的，所述开口的最大深度为：50纳米～100纳米。
可选的，滤光片的材料包括掺杂金属氧化物的光刻胶，所述第二折射率为1.6～1.7。
可选的，所述隔离层的材料包括氧化硅，所述第一折射率为1.45～1.55。
可选的，所述图像传感器还包括：位于相邻光电区之间的基底表面的金属栅格；所述金属栅格的材料为金属。
可选的，所述滤光片还被金属栅格包围。
可选的，所述基底内具有第一掺杂离子；所述图像传感器还包括：位于所述基底的光电区内的掺杂区，所述掺杂区内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相反。
相应的，本发明还提供一种图像传感器的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括若干个相互分立的光电区；在所述基底表面形成隔离层，所述隔离层的材料具有第一折射率；在各个所述光电区隔离层内形成开口，所述开口侧壁与隔离层顶部表面构成的夹角为钝角；在所述开口内形成滤光片，所述滤光片的材料具有第二折射率，且所述第二折射率大于第一折射率；在所述滤光片表面形成透镜。
可选的，所述开口的形成方法包括：在相邻光电区的基底表面形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，在所述隔离层内形成所述开口。
可选的，以所述掩膜层为掩膜，在所述隔离层内形成所述开口的工艺包括湿法刻蚀工艺。
可选的，当所述滤光片的材料为掺杂金属氧化物的光刻胶时，所述隔离层的材料包括：氧化硅；当所述隔离层的材料为氧化硅时，所述湿法刻蚀工艺的参数包括：刻蚀剂包括氢氟酸溶液，刻蚀时间为20分钟～30分钟。
可选的，所述开口的宽深比为：5:1～10:1。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的图像传感器中，所述开口位于隔离层内，所述开口用于容纳滤光片，所述开口侧壁与隔离层顶部表面构成的夹角为钝角，且所述滤光片材料的折射率大于隔离层材料的折射率，使得位于开口内的滤光片能够汇聚光线，使得照射至对应的基底光电区内的入射光较多，相应的，照射至相邻基底光电区内的入射光较少，因此，有利于减少光学串扰，提高图像传感器的性能。并且，所述开口用于容纳滤光片，且所述滤光片用于汇聚光线，使得滤光片与基底感光区之间的界面较少。所述光线在界面处易发生反射，由于所述滤光片与基底的光电区之间的界面较少，因此，发生反射的光线较少，则到达光电区的光子较多，相应的，转化为电子的量较多，因此，有利于提高光子转化效率。综上，所述图像传感器既能够提高光子转化效率，又能够减少光学串扰。
附图说明
图1是一种图像传感器的结构实施例示意图；
图2是另一种图像传感器的结构实施例示意图；
图3是再一种图像传感器的结构实施例示意图；
图4至图7是本发明图像传感器的形成方法一实施例各步骤的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有图像传感器的性能较差。
请参考图1，基底100，所述基底100内具有若干个相互分立的光电区101；位于所述光电区101表面的滤光片102；位于所述滤光片102表面的透镜103。
上述图像传感器中，所述透镜103用于聚焦光线防止光学串扰，然而，所述透镜103聚焦光线的能力有限，使得图像传感器的光学串扰仍较严重。
为了进一步减少光学串扰，一种解决方法包括：在光电区101与滤光片102之间增加聚焦层，所述聚焦层用于进一步汇聚光学以减少光线串扰。目前聚焦层的形状有两种，如图2和图3所示。
图2中，所述聚焦层104包括向基底100凸起的弧面1，图3中，所述聚焦层200包括向滤光片102凸起的弧面2。
然而，无论聚焦层的形状为图2中的形状还是图3中的形状，均在滤光片102与光电区101之间增加了聚焦层，使得透镜103与光电区101之间的材料层层数较多。当光线到达界面处将发生反射，由于所述透镜103与光电区101之间的材料层层数较多，使得被反射的光线较多，则到达光电区101的光子较少，相应的，由光电区101转化为电子的量较少，因此，不利于提高图像传感器的光子转化效率。
为解决所述技术问题，本发明提供了一种图像传感器，包括：所述基底包括若干个相互分立的光电区；位于所述基底表面的隔离层；位于各个所述光电区隔离层内的开口，所述开口侧壁与隔离层顶部表面构成的夹角为钝角；位于所述开口内的滤光片；位于所述滤光片表面的透镜。所述图像传感器在减少光学串扰的同时，还能够提高光子转化效率。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图4至图7是本发明图像传感器的形成方法一实施例各步骤的结构示意图。
请参考图4，提供基底300，所述基底300包括若干个相互分立的光电区A。
在本实施例中，所述基底300的材料为硅(Si)。
在其他实施例中，所述基底的材料包括锗(Ge)、硅锗(GeSi)、碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上锗(GOI)、砷化镓或者Ⅲ-Ⅴ族化合物。
所述基底300内具有第一掺杂离子，所述第一掺杂离子与图像传感器的像素结构的类型相关。所述基底300的光电区A内具有掺杂区301，所述掺杂区301内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相反。
在本实施例中，图像传感器的像素结构的类型为N型，则第一掺杂离子的为P型离子，所述P型离子包括：硼离子、镓离子和铟离子中的一种或者多种组合，所述第二掺杂离子为N型离子，如：磷离子、砷离子和锑离子中的一种或者多种组合。在其他实施例中，图像传感器的像素结构的类型为P型，则第一掺杂离子的为N型离子，所述N型离子包括：磷离子、砷离子和锑离子中的一种或者多种组合，所述第二掺杂离子为P型离子，如：硼离子、镓离子和铟离子中的一种或者多种组合。
所述掺杂区301内的第二掺杂离子与基底300内的第一掺杂离子的导电类型相反，构成光电二极管，所述光电二极管用于实现光电转化。
图像传感器的形成方法还包括：在所述光电区A基底300表面形成隔离层302，所述隔离层302的材料具有第一折射率。
所述第一折射率小于后续滤光片的第二折射率，且所述滤光片位于后续开口内，所述开口侧壁与隔离层302顶部表面构成的夹角为钝角，使得位于开口内的滤光片能够汇聚光线，使得照射至对应的基底300光电区A内的入射光较多，相应的，照射至相邻基底300光电区A内的入射光较少，因此，有利于减少光学串扰，提高图像传感器的性能。
在本实施例中，所述隔离层302的材料为氧化硅，所述第一折射率为1.45～1.55。所述隔离层302的形成工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。
所述隔离层302的最大厚度为：50纳米～100纳米。选择所述隔离层302的厚度的意义在于：若所述隔离层302的厚度小于50纳米，使得后续形成的开口向基底300凸起的弧度较小，则后续位于开口内的滤光片对光线的聚焦能力不够，使得图像传感器的光学串扰仍较严重；若所述隔离层302的厚度大于100纳米，使得后续形成开口后，开口底部剩余的隔离层302的厚度较大，则光线在穿过开口底部剩余的隔离层302时被吸收的量较多，则到达相应掺杂区301的量较少，使得光电转化效率较低。
所述隔离层302的作用包括：所述隔离层302用于后续形成开口。
在本实施例中，图像传感器的形成方法还包括：在相邻的光电区A基底300的表面形成金属栅格303。在其他实施例中，不形成所述金属栅格。
所述金属栅格303的材料为金属，所述金属栅格303位于相邻的光电区A基底300，所述金属栅格303用于降低光学串扰，提高图像传感器的性能。
图像传感器的形成方法还包括：在所述金属栅格303表面形成掩膜层304，所述掩膜层304的材料包括氮化硅或者氮化钛，所述掩膜层304用于作为后续形成开口的掩膜。
请参考图5，以所述掩膜层304(见图4)为掩膜，刻蚀所述隔离层302，在所述隔离层302内形成开口305，所述开口305侧壁与隔离层302顶部构成的夹角α为钝角。
在本实施例中，以所述掩膜层304为掩膜，刻蚀所述隔离层302的工艺为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺的参数包括：刻蚀剂包括稀释氢氟酸，刻蚀时间为20分钟～30分钟。
选择所述刻蚀时间的意义在于：若所述刻蚀时间小于20分钟，使得开口305底部剩余的隔离层302的厚度较厚，则后续较多的光线将被开口305底部的隔离层302吸收，使得到达光电区A基底300内的光子较少，相应的转化为电子的量较少，不利于提高光子转化效率；若刻蚀时间大于30分钟，使得光电区A基底300的顶部被损伤。
在其他实施例中，以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述隔离层的工艺包括干法刻蚀工艺。
所述开口305侧壁与隔离层302顶部构成的夹角α为钝角，则后续在开口305内形成的滤光片底部凸向基底300，有利于进一步汇聚光线，使得较少的光线进入相邻的光电区A基底300，因此，有利于防止光线串扰。
在本实施例中，所述开口305底部暴露出部分光电区A基底300的顶部表面，使得后续光线到达光电区A基底300的过程损失较少，则到达光电区A基底300的光子较多，相应的转化为电子的量较多，因此，有利于提高光子转化效率。
在其他实施例中，所述开口底部还剩余部分隔离层。
在本实施例中，所述开口305的侧壁为弧面，所述开口305侧壁与隔离层302顶部构成的夹角α是指开口305侧壁与隔离层302顶部连接处朝向基底300的部分切面L与隔离层302顶部表面构成的夹角。
在其他实施例中，所述开口的侧壁为平面时，所述开口侧壁与隔离层顶部表面构成的夹角为钝角。
所述开口305的宽深比为5:1～10:1。所述开口305的深度为所述开口305底部至隔离层302顶部的距离；所述开口305的宽度是指所述开口305沿若干光电区A的排布方向上的尺寸。
选择所述开口305的宽深比的意义在于：若所述开口305的宽深比小于5:1，则后续位于开口305内的滤光片沿光电区A排布方向上的尺寸较小，使得光线进入掺杂区301的量较少，不利于提高图像传感器的光子转化效率；若所述开口305的宽深比大于10:1，使得相邻开口305过于接近，则位于相邻开口305内的滤光片也过于接近，使得相邻光电区A更加容易发生光学串扰。
形成所述开口305之后，还包括：去除掩膜层304。
请参考图6，在所述金属栅格303的表面以及开口305的内表面形成保护层306。
所述保护层306的材料包括氧化硅，所述保护层306的形成工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。
所述保护层306用于防止金属栅格303对后续滤光片造成金属污染。
请参考图7，形成所述保护层306之后，在所述开口305(见图5)内和金属栅格202之间形成滤色片307，所述滤光片307的材料具有第二折射率，且所述第二折射率大于第一折射率；在所述滤色片307表面形成透镜308。
所述滤色片307的颜色包括红色、绿色和蓝色。一个光电区A基底300上仅形成一种颜色的滤色片307。光线经所述滤色片307之后变成单色光，所述单色光射入对应的光电区A基底300内。
透镜308用于汇聚光线，使经过透镜308的入射光能够照射到该透镜308所对应的光电区A基底300内，能够减少入射光照射到相邻的光电区A基底300内，有利于减小光学串扰，提高图像传感器的性能。
所述入射光经过透镜308的汇聚之后，进入滤光片307，由于所述开口305侧壁与隔离层302顶部表面构成的夹角为钝角，且所述滤光片307的第二折射率大于隔离层302的第一折射率，则位于开口305内的滤光片307凸向基底300，凸向基底300的滤光片307用于进一步汇聚光线，使得进入相邻光电区A基底300内的光线较少，有利于进一步减少光学串扰。
在本实施例中，所述滤光片307的材料为掺杂金属氧化物的光刻胶，所述第二折射率为1.6～1.7。
光线易在界面处发生反射，而所述滤镜308与光电区A基底300之间的材料层层数较少，使得被反射的光线较少，则到达光电区A基底300的光子较多，相应的，光子转化为电子的量较多，有利于提高光子转化效率。综上，所述方法形成的图像传感器在减小光学串扰的同时，还能够提高光子转化效率。
相应的，本发明还提供一种图像传感器，请参考图7，包括：
基底300，所述基底包括若干个相互分立的光电区A；
位于所述基底300表面的隔离层302，所述隔离层302的材料具有第一折射率；
位于各个所述光电区A隔离层302内的开口305(见图6)，所述开口305侧壁与隔离层302顶部表面构成的夹角α为钝角；
位于所述开口305内的滤光片307，所述滤光片307的材料具有第二折射率，且所述第二折射率大于第一折射率；
位于所述滤光片307表面的透镜308。
以下结合附图进行详细说明。
所述隔离层302的最大厚度为：50纳米～100纳米。
所述开口305的最大深度为：50纳米～100纳米。
所述滤光片307的材料包括掺杂金属氧化物的光刻胶，所述第二折射率为1.6～1.7。
所述隔离层302的材料包括氧化硅，所述第一折射率为1.45～1.55。
所述图像传感器还包括：位于相邻光电区A之间的基底300表面的金属栅格303；所述金属栅格303的材料为金属。
所述滤光片307被所述金属栅格303包围。
所述基底300内具有第一掺杂离子；所述图像传感器还包括：位于所述基底300的光电区内的掺杂区301，所述掺杂区301内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相反。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (13)
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括若干个相互分立的光电区；
位于所述基底表面的隔离层，所述隔离层材料具有第一折射率；
位于各个所述光电区隔离层内的开口，所述开口侧壁与隔离层顶部表面构成的夹角为钝角；
位于所述开口内的滤光片，所述滤光片材料具有第二折射率，且所述第二折射率大于第一折射率；
位于所述滤光片表面的透镜。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述隔离层的最大厚度为：50纳米～100纳米。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述开口的最大深度为：50纳米～100纳米。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述滤光片的材料包括掺杂金属氧化物的光刻胶，所述第二折射率为1.6～1.7。
5.如权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述隔离层的材料包括氧化硅，所述第一折射率为1.45～1.55。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：位于相邻光电区之间的基底表面的金属栅格；所述金属栅格的材料为金属。
7.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述滤光片还被金属栅格包围。
8.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述基底内具有第一掺杂离子；所述图像传感器还包括：位于所述基底的光电区内的掺杂区，所述掺杂区内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相反。
9.一种如权利要求1至权利要求8任一项所述图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括若干个相互分立的光电区；
在所述基底表面形成隔离层，所述隔离层材料具有第一折射率；
在各个所述光电区隔离层内形成开口，所述开口侧壁与隔离层顶部表面构成的夹角为钝角；
在所述开口内形成滤光片，所述滤光片材料具有第二折射率，且所述第二折射率大于第一折射率；
在所述滤光片表面形成透镜。
10.如权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述开口的形成方法包括：在相邻光电区的基底表面形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，在所述隔离层内形成所述开口。
11.如权利要求10所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，以所述掩膜层为掩膜，在所述隔离层内形成所述开口的工艺包括湿法刻蚀工艺。
12.如权利要求11所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述滤光片的材料为掺杂金属氧化物的光刻胶时，所述隔离层的材料包括：氧化硅；当所述隔离层的材料为氧化硅时，所述湿法刻蚀工艺的参数包括：刻蚀剂包括氢氟酸溶液，刻蚀时间为20分钟～30分钟。
13.如权利要求12所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述开口的宽深比为：5:1～10:1。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910114624.9A CN109817653A (zh) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 图像传感器及其形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910114624.9A CN109817653A (zh) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 图像传感器及其形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109817653A true CN109817653A (zh) | 2019-05-28 |
Family
ID=66606608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910114624.9A Pending CN109817653A (zh) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 图像传感器及其形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109817653A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117497551A (zh) * | 2023-12-25 | 2024-02-02 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 图像传感器及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101202248A (zh) * | 2006-12-12 | 2008-06-18 | 东部高科股份有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| CN101558495A (zh) * | 2006-11-28 | 2009-10-14 | 凸版印刷株式会社 | 固体摄像装置及其制造方法 |
| CN102549750A (zh) * | 2009-11-05 | 2012-07-04 | 郑苍隆 | 用于图像传感器的最佳化光导阵列 |
| CN108321167A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-07-24 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及形成图像传感器的方法 |
-
2019
- 2019-02-14 CN CN201910114624.9A patent/CN109817653A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101558495A (zh) * | 2006-11-28 | 2009-10-14 | 凸版印刷株式会社 | 固体摄像装置及其制造方法 |
| CN101202248A (zh) * | 2006-12-12 | 2008-06-18 | 东部高科股份有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| CN102549750A (zh) * | 2009-11-05 | 2012-07-04 | 郑苍隆 | 用于图像传感器的最佳化光导阵列 |
| CN108321167A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-07-24 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及形成图像传感器的方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117497551A (zh) * | 2023-12-25 | 2024-02-02 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 图像传感器及其制备方法 |
| CN117497551B (zh) * | 2023-12-25 | 2024-04-30 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 图像传感器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102583440B1 (ko) | 이미지 센서를 위한 후면 딥 트렌치 격리 구조물 | |
| CN103378114B (zh) | 减少图像传感器中的串扰的设备和方法 | |
| TWI517368B (zh) | 背側照射型互補式金氧半導體影像感測器的製造方法 | |
| US20190198536A1 (en) | Image Sensor and Forming Method Thereof | |
| CN107689381A (zh) | 影像感测器及其制作方法 | |
| TWI672821B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| TWI713210B (zh) | 圖像感測器以及用於形成圖像感測器的方法 | |
| KR20180028064A (ko) | 배면 조명 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| CN107799543A (zh) | 接触式图像传感器的制造方法 | |
| CN113380837B (zh) | 具有表面微柱体结构的固态影像传感器暨其制作方法 | |
| CN119698091B (zh) | 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器 | |
| CN110010634A (zh) | 隔离结构及其形成方法，图像传感器及其制造方法 | |
| CN104465679B (zh) | 背照式图像传感器中的像素隔离结构 | |
| CN109817653A (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
| CN109216392A (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
| CN112259624B (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
| CN109273465A (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
| CN108281449A (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
| CN208225881U (zh) | 一种背照式图像传感器 | |
| CN108511468A (zh) | 光敏器件及其制作方法 | |
| CN108428711A (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
| TW202203446A (zh) | 影像感測器 | |
| CN114388537A (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
| CN118866928A (zh) | 一种图像传感器及其制作方法 | |
| CN114664876B (zh) | 一种图像传感器及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190528 |