CN109632826A - 检测钻针磨损程度的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种检测钻针磨损程度的方法，包括如下步骤：S1、对全新钻针和待测钻针产生的阴影进行对比，若待测钻针的阴影宽于全新钻针的阴影则判断待测钻针弯曲，受损严重，若待测钻针的阴影的宽度与全新钻针的阴影的宽度一致则进行步骤S2；S2、对待测钻针和全新钻针的升温速度进行检测和对比，如升温速度相差较大则判断待测钻头磨损超出正常范围，如升温速度大致相同则进行步骤S3；S3、对待测钻头和全新钻头所钻孔的直径和孔壁粗糙度进行对比；本发明能快速准确地检测出钻针的磨损程度。

Description

检测钻针磨损程度的方法

技术领域

本发明涉及PCB领域，特别涉及一种检测钻针磨损程度的方法。

背景技术

由于印刷电路板的需求量剧增，印刷电路板制造业所采用PCB微钻针的消耗量也相应地持续增长，随着电子工业的发展，印刷电路板由原来的单层板发展到多层板。PCB板上的连接孔通用于连通各层基板，在PCB板的生产流程中，孔加工是非常重要的工序，钻孔的质量直接影响PCB板的最终质量，多层PCB板的孔一般采用机械加工，由于微钻针的磨损会使被加工孔的孔壁粗糙度增大，给安装及后续的电镀等工序带来一系列问题，因此需要一种能快速检测钻针磨损程度的方法，以及时替换掉磨损超出允许范围的钻针。

发明内容

基于此，有必要提供一种检测钻针磨损程度的方法，包括如下步骤：

S1、选用一个全新钻针和待测钻针，选用一块废电路板，并将两钻针设置在废电路板上方的同一高度处，在全新钻针和待测钻针所在平面的前方放置一个白炽灯泡，并使白炽灯泡与全新钻针和待测钻针的距离一致，以对两钻针进行照射以及加热，在全新钻针和待测钻针所在平面的后方设置一块与该平面平行的白板，用于显示全新钻针和待测钻针在白炽灯照射下产生的阴影，转动全新钻针和待测钻针，观测全新钻针和待测钻针在白板上的成影情况，对全新钻针和待测钻针产生的阴影进行对比，若待测钻针的阴影宽于全新钻针的阴影则判断待测钻针弯曲，受损严重，若待测钻针的阴影的宽度与全新钻针的阴影的宽度一致则进行步骤S2；

通过白炽灯将转动的待测钻针和全新钻针投影到白板上，可以在白板上得到边缘齐整的矩形阴影，通过测量该阴影的宽度并进行对比，可以判断钻针是否弯曲。

S2、全新钻针和待测钻针同步下移对废电路板进行钻孔作业，直至钻穿废电路板，在全新钻针和待测钻针下钻过程中实时监测全新钻针和待测钻针的升温速度，并记录，若待测钻针的升温速度高于全新钻针的升温速度的110%，则判断待测钻针的磨损超出允许范围，若待测钻针的升温速度小于高于全新钻针的升温速度的110%则进行步骤S3；

其中，若钻针磨损，则其钻孔时会产生更多的热量，钻针的升温速度更快，通过白炽灯对待测钻针、全新钻针以及废电路板进行照射可以增加待测钻针和全新钻针在钻孔过程中的升温速度，以使待测钻针和全新钻针在钻穿废电路板这一段较短的时间内的温度变化幅度较大，便于测量；同时通过白炽灯泡对待测钻针和全系钻针进行加热，扩大了钻针的磨损对于钻孔温度的影响，以便减少测量所用时间，同时能减少测量过程中钻针的磨损。

另外，白炽灯泡在作为热源的同时还能用于步骤S1中的光源，能有效节约检测成本。

S3、钻孔完成后对全新钻针和待测钻针所钻得的孔的孔径进行测量并记录，若待测钻针的钻孔直径大于全新钻针的钻孔的直径，则判断待测钻针的磨损超出允许范围，若直径一致则进行步骤S4；

S4、对废电路板进行切片处理，将所钻得的孔切为半孔，并检测全新钻针和待测钻针对应半孔的粗糙度并记录，若待测钻针的钻孔的粗糙度大于全新钻针的钻孔的粗糙度则判断待测钻针磨损超出允许范围，不能继续使用，若粗糙度一致则判断待测钻针的磨损未超出允许范围内，可以继续使用。

优选的，所述全新的钻针和待测的钻针之间的距离为20cm，所述白板与所述全新的钻针和待测的钻针所在平面的距离为5cm。

进一步的，步骤S1中，测量待测钻针的阴影的宽度时测量其阴影的下半段的宽度，并测量对应全新钻针的阴影的对应位置的宽度进行对比。

若待测钻针弯曲的位置在下半段则时，其对待测钻针的阴影的上半部分的宽度没有影响，因此需要测量待测钻针的阴影的下半段的宽度，优选为测量钻尖与钻身的交界处的宽度。

进一步的，步骤S1中，待测钻针的阴影的宽度与全新钻针的阴影的宽度部超过1cm，则判断为宽度一致。

优选的，步骤S3中，待测钻针的钻孔的孔径与全新钻针的钻孔的孔径相差不超过该直径的钻针的允许误差值即判断为直径一致。

优选的，步骤S4中，使用粗糙度仪对钻孔的侧壁进行粗糙度测量，若待测钻针的钻孔和全新钻针的钻孔的粗糙度值相差不超过5%，则判断为粗糙度一致。

下面结合上述技术方案对本发明的原理、效果进一步说明：

本发明通过对钻针的弯曲程度、升温速度和成孔的质量依次进行检测，检测项目全面，检测结果准确，且能优先依据较为简单的检测方式排除掉明显磨损的钻针，无需对所有的钻针进行钻孔操作，在保证检测结构的准确性的前提下能有效提成检测速度。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员理解，下面将结合实施例对本发明做进一步详细描述：

实施例1

一种检测钻针磨损程度的方法，包括如下步骤：

S1、选用一个全新钻针和待测钻针，选用一块废电路板，并将两钻针设置在废电路板上方的同一高度处，在全新钻针和待测钻针所在平面的前方放置一个白炽灯泡，并使白炽灯泡与全新钻针和待测钻针的距离一致，以对两钻针进行照射以及加热，在全新钻针和待测钻针所在平面的后方设置一块与该平面平行的白板，用于显示全新钻针和待测钻针在白炽灯照射下产生的阴影，转动全新钻针和待测钻针，观测全新钻针和待测钻针在白板上的成影情况，对全新钻针和待测钻针产生的阴影进行对比，若待测钻针的阴影宽于全新钻针的阴影则判断待测钻针弯曲，受损严重，若待测钻针的阴影的宽度与全新钻针的阴影的宽度一致则进行步骤S2；

S2、全新钻针和待测钻针同步下移对废电路板进行钻孔作业，直至钻穿废电路板，在全新钻针和待测钻针下钻过程中实时监测全新钻针和待测钻针的升温速度，并记录，若待测钻针的升温速度高于全新钻针的升温速度的110%，则判断待测钻针的磨损超出允许范围，若待测钻针的升温速度小于高于全新钻针的升温速度的110%则进行步骤S3；

S3、钻孔完成后对全新钻针和待测钻针所钻得的孔的孔径进行测量并记录，若待测钻针的钻孔直径大于全新钻针的钻孔的直径，则判断待测钻针的磨损超出允许范围，若直径一致则进行步骤S4；

S4、对废电路板进行切片处理，将所钻得的孔切为半孔，并检测全新钻针和待测钻针对应半孔的粗糙度并记录，若待测钻针的钻孔的粗糙度大于全新钻针的钻孔的粗糙度则判断待测钻针磨损超出允许范围，不能继续使用，若粗糙度一致则判断待测钻针的磨损未超出允许范围内，可以继续使用。

实施例2

一种检测钻针磨损程度的方法，包括如下步骤：

S1、选用一个全新钻针和待测钻针，选用一块废电路板，并将两钻针设置在废电路板上方的同一高度处，其全新的钻针和待测的钻针之间的距离为20cm，在全新钻针和待测钻针所在平面的前方放置一个白炽灯泡，并使白炽灯泡与全新钻针和待测钻针的距离一致，以对两钻针进行照射以及加热，在全新钻针和待测钻针所在平面的后方设置一块与该平面平行的白板，用于显示全新钻针和待测钻针在白炽灯照射下产生的阴影，所述白板与所述全新的钻针和待测的钻针所在平面的距离为5cm，转动全新钻针和待测钻针，观测全新钻针和待测钻针在白板上的成影情况，对全新钻针和待测钻针产生的阴影进行对比，若待测钻针的阴影的下半段宽于全新钻针的阴影的对应位置处的宽度，则判断待测钻针弯曲，受损严重，若待测钻针的阴影的宽度与全新钻针的阴影的宽度一致则进行步骤S2；

S2、全新钻针和待测钻针同步下移对废电路板进行钻孔作业，直至钻穿废电路板，在全新钻针和待测钻针下钻过程中实时监测全新钻针和待测钻针的升温速度，并记录，若待测钻针的升温速度高于全新钻针的升温速度的110%，则判断待测钻针的磨损超出允许范围，若待测钻针的升温速度小于高于全新钻针的升温速度的110%则进行步骤S3；

S3、钻孔完成后对全新钻针和待测钻针所钻得的孔的孔径进行测量并记录，若待测钻针的钻孔直径大于全新钻针的钻孔的直径超过1cm，则判断待测钻针的磨损超出允许范围，若直径未超过1cm则进行步骤S4；

S4、对废电路板进行切片处理，将所钻得的孔切为半孔，并检测全新钻针和待测钻针对应半孔的粗糙度并记录，若待测钻针的钻孔的粗糙度大于全新钻针的钻孔的粗糙度超过5%，则判断待测钻针磨损超出允许范围，不能继续使用，若粗糙度相差未超过5%则判断待测钻针的磨损未超出允许范围内，可以继续使用。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种检测钻针磨损程度的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、选用一个全新钻针和待测钻针，选用一块废电路板，并将两钻针设置在废电路板上方的同一高度处，在全新钻针和待测钻针所在平面的前方放置一个白炽灯泡，并使白炽灯泡与全新钻针和待测钻针的距离一致，以对两钻针进行照射以及加热，在全新钻针和待测钻针所在平面的后方设置一块与该平面平行的白板，用于显示全新钻针和待测钻针在白炽灯照射下产生的阴影，转动全新钻针和待测钻针，观测全新钻针和待测钻针在白板上的成影情况，对全新钻针和待测钻针产生的阴影进行对比，若待测钻针的阴影宽于全新钻针的阴影则判断待测钻针弯曲，受损严重，若待测钻针的阴影的宽度与全新钻针的阴影的宽度一致则进行步骤S2；

S2、全新钻针和待测钻针同步下移对废电路板进行钻孔作业，直至钻穿废电路板，在全新钻针和待测钻针下钻过程中实时监测全新钻针和待测钻针的升温速度，并记录，若待测钻针的升温速度高于全新钻针的升温速度的110%，则判断待测钻针的磨损超出允许范围，若待测钻针的升温速度小于高于全新钻针的升温速度的110%则进行步骤S3；

S3、钻孔完成后对全新钻针和待测钻针所钻得的孔的孔径进行测量并记录，若待测钻针的钻孔直径大于全新钻针的钻孔的直径，则判断待测钻针的磨损超出允许范围，若直径一致则进行步骤S4；

S4、对废电路板进行切片处理，将所钻得的孔切为半孔，并检测全新钻针和待测钻针对应半孔的粗糙度并记录，若待测钻针的钻孔的粗糙度大于全新钻针的钻孔的粗糙度则判断待测钻针磨损超出允许范围，不能继续使用，若粗糙度一致则判断待测钻针的磨损未超出允许范围内，可以继续使用。

2.根据权利要求1所述的检测钻针磨损程度的方法，其特征在于，所述全新的钻针和待测的钻针之间的距离为20cm，所述白板与所述全新的钻针和待测的钻针所在平面的距离为5cm。

3.根据权利要求2所述的检测钻针磨损程度的方法，其特征在于，步骤S1中，测量待测钻针的阴影的宽度时测量其阴影的下半段的宽度，并测量对应全新钻针的阴影的对应位置的宽度进行对比。

4.根据权利要求2所述的检测钻针磨损程度的方法，其特征在于，步骤S1中，待测钻针的阴影的宽度与全新钻针的阴影的宽度部超过1cm，则判断为宽度一致。

5.根据权利要求1所述的检测钻针磨损程度的方法，其特征在于，步骤S3中，待测钻针的钻孔的孔径与全新钻针的钻孔的孔径相差不超过该直径的钻针的允许误差值即判断为直径一致。

6.根据权利要求1所述的检测钻针磨损程度的方法，其特征在于，步骤S4中，使用粗糙度仪对钻孔的侧壁进行粗糙度测量，若待测钻针的钻孔和全新钻针的钻孔的粗糙度值相差不超过5%，则判断为粗糙度一致。