CN109576792A - 碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 - Google Patents
碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109576792A CN109576792A CN201910108176.1A CN201910108176A CN109576792A CN 109576792 A CN109576792 A CN 109576792A CN 201910108176 A CN201910108176 A CN 201910108176A CN 109576792 A CN109576792 A CN 109576792A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- silicon carbide
- upper side
- side wall
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 98
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 46
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052571 earthenware Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 5
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 abstract description 2
- 208000014674 injury Diseases 0.000 abstract description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 206010023202 Joint deposit Diseases 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备，属于晶体生长领域。所述碳化硅单晶生长装置包括坩埚，坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的坩埚体，以及上侧壁和坩埚盖；上侧壁安装在所述下侧壁上，坩埚盖用于盖合在所述上侧壁上；坩埚体、上侧壁和坩埚盖形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间；或者，坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的下坩埚体，以及主要由上侧壁和坩埚盖形成的上坩埚体；上坩埚体的上侧壁安装盖合在所述下坩埚体的下侧壁上，以使上坩埚体和下坩埚体形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。上述碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备制备碳化硅单晶的过程中可以避免坩埚整体损坏，并减少人员受伤的几率。
Description
技术领域
本发明涉及晶体生长领域，尤其是涉及一种碳化硅单晶生长装置，以及包括该碳化硅单晶生长装置的碳化硅单晶制备设备。
背景技术
现有技术中一般通过物理气相沉积的方式获得碳化硅单晶。依照该方法制备碳化硅单晶的设备包括坩埚，坩埚的材质一般为石墨，其包括坩埚体和坩埚盖，坩埚盖能够盖合在坩埚体上，从而在坩埚内形成密闭的生长空间。坩埚的底部用于放置碳化硅粉料，顶部则设置有生长基座；生长基座上用于固定碳化硅籽晶，且具有碳化硅单晶的生长面。具体制备碳化硅单晶的大致过程为：首先以感应加热的方式使石墨坩埚发热，并使石墨坩埚在竖直方向上形成温度梯度，且底部的温度高，而顶部的温度低；在石墨坩埚底部的温度达到一定温度(例如2100℃)时(且符合其他相应条件，如低压等)，碳化硅粉料会升华形成碳化硅单晶的生长气氛，其气相组分包括气态的Si、Si2C、SiC2等，该气相组分会上升；当上升至坩埚顶部时，由于顶部的温度较低，在碳化硅籽晶处就会结晶形成碳化硅单晶。
但在以上述制备碳化硅单晶的过程中，会存在以下问题：
在上述碳化硅单晶的生长过程中，气相组分并不限于在碳化硅单晶生长基座的生长面处结晶形成碳化硅单晶，还会在其周边区域沉积和结晶，形成碳化硅多晶，而这些碳化硅多晶往往将坩埚盖和坩埚体粘结在一起，从而在将碳化硅单晶取出时，不得不使用器械切割，以将坩埚盖和坩埚体分离。在这一切割过程中会增加晶体开裂和人员受伤的风险，而且，切割后的坩埚会出现破损，而不得不报废。
发明内容
本发明的目的在于提供一种碳化硅单晶生长装置及一种包括该碳化硅单晶生长装置的碳化硅单晶制备设备，以改善或缓解现有技术中存在的上述技术问题。
本发明提供的碳化硅单晶生长装置，其包括坩埚，所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的坩埚体，以及上侧壁和坩埚盖；所述上侧壁安装在所述下侧壁上，所述坩埚盖用于盖合在所述上侧壁上；所述坩埚体、上侧壁和坩埚盖形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间；或者
所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的下坩埚体，以及主要由上侧壁和坩埚盖形成的上坩埚体；所述上坩埚体的上侧壁安装盖合在所述下坩埚体的下侧壁上，以使所述上坩埚体和下坩埚体形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。
其中，所述上侧壁与下侧壁的相接面为斜面，且自坩埚的内向外方向向下倾斜。
其中，所述上侧壁的高度与下侧壁的高度的比值范围在1：2.5-1：5。
进一步地，所述上侧壁的高度与下侧壁的高度的比值为1：3。
其中，所述碳化硅单晶生长装置还包括生长基座和缓冲机构；所述坩埚底部设置有容置空间，所述容置空间内用于放置碳化硅粉料；所述生长基座设置在所述坩埚的顶部，用于在所述生长基座上生长碳化硅单晶；所述缓冲机构设置在所述坩埚内，位于所述容置空间与生长基座之间的位置处；且所述缓冲机构上具有气体通道，以使生长气氛能经所述气体通道到达所述坩埚顶部的生长基座处。
其中，所述缓冲机构与所述上侧壁的下端，以及下侧壁的上端相接，以将所述上侧壁和下侧壁的接缝处遮挡。
其中，所述碳化硅单晶生长装置还包括导流机构，所述导流机构设置在所述坩埚内，且位于所述缓冲机构与所述生长基座之间，用于将碳化硅粉料升华产生的气体引导向到所述生长基座方向。
其中，所述导流机构与所述上侧壁的下端，以及下侧壁的上端相接，以将所述上侧壁和下侧壁的接缝处遮挡。
本发明提供的碳化硅单晶制备设备，其包括上述碳化硅单晶生长装置。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的碳化硅单晶生长装置，其坩埚的侧壁分为上侧壁和下侧壁，且上侧壁和下侧壁之间可分离。在制备碳化硅单晶的过程结束之后，在上侧壁与下侧壁之间的结合处将二者分离，从而打开坩埚内用于生长碳化硅单晶的密闭空间。由于上侧壁和下侧壁的相接处与坩埚盖具有一定的距离，此处结晶形成的晶体较少，或者不会收到气相组分的侵蚀、不会出现结晶，从而可以方便地将上侧壁和下侧壁分离，避免使用器械切割的方式，从而可以减少坩埚被损坏的几率，而且还减少了因器械切割而容易导致的人员损伤的发生率。而且，对于分离后的坩埚的下部分，其还可以用于下一次碳化硅单晶的制备过程，从而可以减少设备成本。
本发明提供的碳化硅单晶制备设备，其包括上述碳化硅单晶生长装置，因此，其同样具有上述碳化硅单晶生长装置所具有的各有益效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的碳化硅单晶生长装置在其第一实施方式的第一实施例中的立体剖视示意图；
图2为本发明提供的碳化硅单晶生长装置在其第一实施方式的第二实施例中的立体剖视示意图；
图3为本发明提供的碳化硅单晶生长装置在其第一实施方式的第三实施例中的立体剖视示意图；
图4为本发明提供的碳化硅单晶生长装置在其第一实施方式的第三实施例的一种优选变型的立体剖视示意图；
图5为本发明提供的碳化硅单晶生长装置在其第一实施方式的第四实施例中的立体剖视示意图；
图6为本发明提供的碳化硅单晶生长装置在其第一实施方式的第四实施例的一种优选变型的立体剖视示意图；
图7为本发明提供的碳化硅单晶生长装置在其第二实施方式中的立体剖视示意图。
图标：10：坩埚；11：容置空间；12：凸出体；13：坩埚体；14：上侧壁；15：坩埚盖；16：下坩埚体；17：上坩埚体；20：生长基座；30：缓冲机构；31：气体通道；40：导流机构；41：导流孔；
130：底壁；131：下侧壁；
160：底壁；161：下侧壁；170：上侧壁；171：坩埚盖。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种碳化硅单晶生长装置，下面给出碳化硅单晶生长装置的多个实施方式，以使本领域技术人员能够实现该碳化硅单晶生长装置。
(一)碳化硅单晶生长装置的第一实施方式
在碳化硅单晶生长装置的第一实施方式中，如图1所示，碳化硅单晶生长装置包括坩埚10；坩埚10包括主要由底壁130和下侧壁131组成的坩埚体13，以及上侧壁14和坩埚盖15。上侧壁14安装在下侧壁131上，坩埚盖15用于盖合在上侧壁14上。坩埚体13、上侧壁14和坩埚盖15形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。
图1所示为本实施方式的第一实施例，如图1所示，坩埚10底部设置有凸出体12，该凸出体12与坩埚10的侧壁之间形成有容置空间11，所述容置空间11内用于放置碳化硅粉料。
如背景技术部分所述，在制备碳化硅单晶的过程中，碳化硅粉料升华产生的气体不仅会在生长基座20的生长面上生长出碳化硅单晶，还会在其周边区域，即坩埚10内密闭空间的顶壁及其与侧壁相接处沉积和结晶。在现有技术中，这些区域形成的晶体在碳化硅单晶制备完成后，会对打开坩埚盖、取出碳化硅单晶的过程形成阻碍，而不得不采用器械切割来实现坩埚盖的开启、分离。
在制备碳化硅单晶的过程结束之后，在上侧壁14与下侧壁131之间的结合处将二者分离，从而打开坩埚体13、上侧壁14和坩埚盖15形成的密闭空间。由于上侧壁14和下侧壁131的相接处与坩埚盖15具有一定的距离，此处结晶形成的晶体较少，或者不会收到气相组分的侵蚀、不会出现结晶，从而可以方便地将上侧壁14和下侧壁131分离，避免使用器械切割的方式，从而可以减少坩埚10被损坏的几率，而且还减少了因器械切割而容易导致的人员损伤的发生率。
而且，对于分离后的坩埚体13，其还可以用于下一次碳化硅单晶的制备过程，在下一次制备碳化硅单晶时，只需要在坩埚体13上装设新的上侧壁14和坩埚盖15，即可在坩埚体13的基础上形成新的密闭空间，用于下一次制备碳化硅单晶的过程。
由于气相组分一般只侵蚀坩埚10的顶部，对下位于下部的坩埚体13而言，其受到的侵蚀较小，或者不受到侵蚀。因此，对于分离之后的坩埚体13而言，将容置空间11内碳化硅粉料的残留物移出，并清洗干净之后，还可以用于下次碳化硅单晶的制备过程，这样就可以降低生产多次碳化硅单晶所需的设备成本。具体地，在本实施例中，上侧壁14的高度和下侧壁131的高度的比值范围在1:2.5-1:5，优选为1:3。
在本实施方式的第二实施例中，在第一实施例的基础上，上侧壁与下侧壁的相接面为斜面，且自坩埚10的内向外方向向下倾斜，如图2所示。显然，该相接处的倾斜方向与坩埚10内气体的流通方向相反，这样在坩埚10内碳化硅粉料升华产生的气体由下向上流动时，可以减少或者避免气体通过上侧壁和下侧壁的相接处向外泄漏的发生。
在本实施方式的第三实施例中，碳化硅单晶生长装置还包括生长基座20和缓冲机构30。生长基座20设置在坩埚10的顶部，用于在生长基座20上生长碳化硅单晶。缓冲机构30设置在坩埚10内，位于容置空间11与生长基座20之间的位置处。缓冲机构30上具有气体通道31，以使生长气氛能经气体通道31到达坩埚10顶部的生长基座20处。
具体地，如图3所示，缓冲机构30为环形工件，其外周缘与坩埚10的内壁相接，并在与坩埚10的相接处固定设置在坩埚10内。缓冲机构30的外周缘与坩埚10的内壁相接是指在缓冲机构30在完整的周向上与坩埚10内壁之间不存在明显使气体能够通过的间隙等结构；当然，由于密封工艺水平等因素而可能出现的细小间隙除外。而缓冲机构30与坩埚10之间的固定的具体方式为：坩埚10内具有一周向凸缘，如图2所示，缓冲机构30置于该周向凸缘上，从而该周向凸缘将缓冲机构30支撑住，使缓冲机构30被固定于坩埚10内。
在本实施例中，如图3所示，缓冲机构30与上侧壁的下端，以及下侧壁的上端相接，以将上侧壁和下侧壁的接缝处遮挡。这样设置可以减少或者避免气体通过上侧壁和下侧壁的相接处向外泄漏的发生。
优选地，本实施例可以进一步与上述第二实施例结合，如图4所示，可以进一步减少或者避免气体通过上侧壁和下侧壁的相接处向外泄漏的发生。
在本实施方式的第四实施例中，碳化硅单晶生长装置还包括缓冲机构30和导流机构40，如图5所示；其中，缓冲机构30与上述第三实施例中相同；导流机构40导流机构40设置在坩埚10内，且位于缓冲机构30与生长基座20之间，用于将碳化硅粉料升华产生的气体引导向到所述生长基座20方向。具体地，当碳化硅粉料升华产生的气体向上流经缓冲机构30后，导流机构40将该部分气体引导向生长基座20处，使该部分气体在生长基座20处聚集，这样可以降低该部分气体的扩散，增加生长基座20处的气体密度，从而有利于提高生长基座20的生长面上碳化硅单晶的生长速度。
在本实施例中，如图5所示，导流机构40与上侧壁的下端，以及下侧壁的上端相接，以将上侧壁和下侧壁的接缝处遮挡。这样设置可以减少或者避免气体通过上侧壁和下侧壁的相接处向外泄漏的发生。
优选地，本实施例可以进一步与上述第二实施例结合，如图6所示，可以进一步减少或者避免气体通过上侧壁和下侧壁的相接处向外泄漏的发生。
(二)碳化硅单晶生长装置的第二实施方式
在碳化硅单晶生长装置的第二实施方式中，碳化硅单晶生长装置同样包括坩埚10，其结构和功能与上述第一实施方式中大致相同。对于本实施方式与上述第一实施方式的相同之处，由于在上述第一实施方式中已有详细描述，在此就不再赘述。下面就本实施方式与上述第一实施方式的区别之处展开描述。
如图7所示，在本实施方式中，坩埚10包括主要由底壁160和下侧壁161组成的下坩埚体16，以及主要由上侧壁170和坩埚盖171形成的上坩埚体17。具体而言，下坩埚体16包括底壁160和下侧壁161，且底壁160和下侧壁161作为下坩埚体16的主体，底壁160和下侧壁161可以为一体结构，或者为安装固定在一起的分体结构。上坩埚体17包括上侧壁170和坩埚盖171，且上侧壁170和坩埚盖171作为上坩埚盖的主体，上侧壁170和坩埚盖171为一体结构。
上坩埚体17的上侧壁170安装盖合在下坩埚体16的下侧壁161上，以使上坩埚体17和下坩埚体16形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。
在本实施方式中，与上述第一实施方式类似，在制备碳化硅单晶的过程结束之后，在上侧壁160与下侧壁161的相接处将二者分离，也即是使上坩埚体17和下坩埚体16分离，可以实现与上述第一实施方式相同的技术效果，在此就不再赘述。
本发明还提供一种碳化硅单晶制备设备，在其实施方式中，碳化硅单晶制备设备上述实施方式中的碳化硅单晶生长装置，以及，还包括用于加热坩埚的加热装置、用于使坩埚在竖直方向形成温度梯度的保温结构等设备。
本发明提供的碳化硅单晶制备设备，其包括上述实施方式中的碳化硅单晶生长装置，因此，其同样具有上述多个实施方式中的碳化硅单晶生长装置所具有的各有益效果。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种用于碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括坩埚，所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的坩埚体，以及上侧壁和坩埚盖；所述上侧壁安装在所述下侧壁上，所述坩埚盖用于盖合在所述上侧壁上；所述坩埚体、上侧壁和坩埚盖形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间；或者
所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的下坩埚体，以及主要由上侧壁和坩埚盖形成的上坩埚体；所述上坩埚体的上侧壁安装盖合在所述下坩埚体的下侧壁上，以使所述上坩埚体和下坩埚体形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述上侧壁与下侧壁的相接面为斜面，且自坩埚的内向外方向向下倾斜。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述上侧壁的高度与下侧壁的高度的比值范围在1：2.5-1：5。
4.根据权利要求3所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述上侧壁的高度与下侧壁的高度的比值为1：3。
5.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述碳化硅单晶生长装置还包括生长基座和缓冲机构；
所述坩埚底部设置有容置空间，所述容置空间内用于放置碳化硅粉料；
所述生长基座设置在所述坩埚的顶部，用于在所述生长基座上生长碳化硅单晶；
所述缓冲机构设置在所述坩埚内，位于所述容置空间与生长基座之间的位置处；且所述缓冲机构上具有气体通道，以使生长气氛能经所述气体通道到达所述坩埚顶部的生长基座处。
6.根据权利要求5所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述缓冲机构与所述上侧壁的下端，以及下侧壁的上端相接，以将所述上侧壁和下侧壁的接缝处遮挡。
7.根据权利要求5所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述碳化硅单晶生长装置还包括导流机构，所述导流机构设置在所述坩埚内，且位于所述缓冲机构与所述生长基座之间，用于将碳化硅粉料升华产生的气体引导向到所述生长基座方向。
8.根据权利要求7所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述导流机构与所述上侧壁的下端，以及下侧壁的上端相接，以将所述上侧壁和下侧壁的接缝处遮挡。
9.一种碳化硅单晶制备设备，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的碳化硅单晶生长装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910108176.1A CN109576792A (zh) | 2019-02-02 | 2019-02-02 | 碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910108176.1A CN109576792A (zh) | 2019-02-02 | 2019-02-02 | 碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109576792A true CN109576792A (zh) | 2019-04-05 |
Family
ID=65918756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910108176.1A Pending CN109576792A (zh) | 2019-02-02 | 2019-02-02 | 碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109576792A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109913951A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-06-21 | 江苏星特亮科技有限公司 | 一种碳化硅单晶生长装置 |
| CN110284188A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-09-27 | 河北普兴电子科技股份有限公司 | Pvt法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法 |
| CN113046826A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-06-29 | 哈尔滨化兴软控科技有限公司 | 一种可提高原料利用率的装置及方法 |
| CN113136622A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-20 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种pvt法气流导向的碳化硅单晶生长装置及使用方法 |
| CN118704091A (zh) * | 2024-08-29 | 2024-09-27 | 浙江晶越半导体有限公司 | 一种碳化硅单晶的生长装置及制备碳化硅单晶的方法 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1554808A (zh) * | 2003-12-24 | 2004-12-15 | 山东大学 | 一种生长具有半导体特性的大直径6H-SiC单晶的装置和方法 |
| CN101724893A (zh) * | 2009-11-18 | 2010-06-09 | 中国科学院物理研究所 | 一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法 |
| WO2011034850A1 (en) * | 2009-09-15 | 2011-03-24 | Ii-Vi Incorporated | Sublimation growth of sic single crystals |
| CN102191537A (zh) * | 2011-06-01 | 2011-09-21 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种用于直拉法生长单晶的坩埚 |
| CN203065640U (zh) * | 2013-01-06 | 2013-07-17 | 河北同光晶体有限公司 | 一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶坩埚盖 |
| CN203096233U (zh) * | 2013-01-14 | 2013-07-31 | 河北同光晶体有限公司 | 一种碳化硅晶体生长的坩埚结构 |
| CN203807591U (zh) * | 2013-11-20 | 2014-09-03 | 河北同光晶体有限公司 | 一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚 |
| CN203820924U (zh) * | 2013-12-31 | 2014-09-10 | 河北同光晶体有限公司 | 一种用于制备碳化硅晶体的坩埚 |
| CN104109833A (zh) * | 2014-06-10 | 2014-10-22 | 上海和辉光电有限公司 | 坩埚 |
| CN105239157A (zh) * | 2014-07-04 | 2016-01-13 | 住友电气工业株式会社 | 坩埚和制造单晶体的方法 |
| CN205711045U (zh) * | 2016-06-14 | 2016-11-23 | 河北同光晶体有限公司 | 一种减少Sic晶体生长中碳包裹物产生的热场结构 |
| CN106929919A (zh) * | 2015-12-29 | 2017-07-07 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种碳化硅晶体生长用坩埚 |
| CN206418222U (zh) * | 2016-12-29 | 2017-08-18 | 山东天岳晶体材料有限公司 | 一种无包裹碳化硅晶体生长室 |
| CN207498521U (zh) * | 2017-11-02 | 2018-06-15 | 福建北电新材料科技有限公司 | 一种提升质量的碳化硅单晶生长装置 |
| CN108374197A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-08-07 | 西安理工大学 | 一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚 |
-
2019
- 2019-02-02 CN CN201910108176.1A patent/CN109576792A/zh active Pending
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1554808A (zh) * | 2003-12-24 | 2004-12-15 | 山东大学 | 一种生长具有半导体特性的大直径6H-SiC单晶的装置和方法 |
| WO2011034850A1 (en) * | 2009-09-15 | 2011-03-24 | Ii-Vi Incorporated | Sublimation growth of sic single crystals |
| CN102596804A (zh) * | 2009-09-15 | 2012-07-18 | Ii-Vi有限公司 | SiC单晶的升华生长 |
| CN101724893A (zh) * | 2009-11-18 | 2010-06-09 | 中国科学院物理研究所 | 一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法 |
| CN102191537A (zh) * | 2011-06-01 | 2011-09-21 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种用于直拉法生长单晶的坩埚 |
| CN203065640U (zh) * | 2013-01-06 | 2013-07-17 | 河北同光晶体有限公司 | 一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶坩埚盖 |
| CN203096233U (zh) * | 2013-01-14 | 2013-07-31 | 河北同光晶体有限公司 | 一种碳化硅晶体生长的坩埚结构 |
| CN203807591U (zh) * | 2013-11-20 | 2014-09-03 | 河北同光晶体有限公司 | 一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚 |
| CN203820924U (zh) * | 2013-12-31 | 2014-09-10 | 河北同光晶体有限公司 | 一种用于制备碳化硅晶体的坩埚 |
| CN104109833A (zh) * | 2014-06-10 | 2014-10-22 | 上海和辉光电有限公司 | 坩埚 |
| CN105239157A (zh) * | 2014-07-04 | 2016-01-13 | 住友电气工业株式会社 | 坩埚和制造单晶体的方法 |
| CN106929919A (zh) * | 2015-12-29 | 2017-07-07 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种碳化硅晶体生长用坩埚 |
| CN205711045U (zh) * | 2016-06-14 | 2016-11-23 | 河北同光晶体有限公司 | 一种减少Sic晶体生长中碳包裹物产生的热场结构 |
| CN206418222U (zh) * | 2016-12-29 | 2017-08-18 | 山东天岳晶体材料有限公司 | 一种无包裹碳化硅晶体生长室 |
| CN207498521U (zh) * | 2017-11-02 | 2018-06-15 | 福建北电新材料科技有限公司 | 一种提升质量的碳化硅单晶生长装置 |
| CN108374197A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-08-07 | 西安理工大学 | 一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109913951A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-06-21 | 江苏星特亮科技有限公司 | 一种碳化硅单晶生长装置 |
| CN110284188A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-09-27 | 河北普兴电子科技股份有限公司 | Pvt法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法 |
| CN113046826A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-06-29 | 哈尔滨化兴软控科技有限公司 | 一种可提高原料利用率的装置及方法 |
| CN113136622A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-20 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种pvt法气流导向的碳化硅单晶生长装置及使用方法 |
| CN118704091A (zh) * | 2024-08-29 | 2024-09-27 | 浙江晶越半导体有限公司 | 一种碳化硅单晶的生长装置及制备碳化硅单晶的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109576792A (zh) | 碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 | |
| CN1134560C (zh) | 拉单晶装置 | |
| US10153207B2 (en) | Method for manufacturing a silicon carbide wafer using a susceptor having draining openings | |
| CN110424052A (zh) | 坩埚 | |
| CN107059130A (zh) | 一种减少碳化硅单晶中包裹体的新型坩埚及利用坩埚生长单晶的方法 | |
| CN109629001A (zh) | 碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 | |
| CN104619893A (zh) | 单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 | |
| KR102039208B1 (ko) | 산소를 제어하기 위한 도가니 어셈블리 및 관련 방법들 | |
| JP2010248039A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP6856705B2 (ja) | インゴットの製造装置及びこれを用いた炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
| CN116815320B (zh) | 碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 | |
| TW201245518A (en) | An arrangement for manufacturing crystalline silicon ingots (2) | |
| CN206751974U (zh) | 一种生长碳化硅晶体的装置 | |
| CN105887198A (zh) | 一种清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置及清除方法 | |
| CN104152984B (zh) | 一种用于定向生长蓝宝石单晶的可重复使用坩埚 | |
| Kurlov | The noncapillary shaping (NCS) method: a new method of crystal growth | |
| JP4926655B2 (ja) | 炭化珪素単結晶成長用黒鉛坩堝及び炭化珪素単結晶製造装置 | |
| KR102202447B1 (ko) | 탄화규소 단결정 성장장치 | |
| CN109715868A (zh) | SiC单晶生长用坩埚 | |
| US20080127886A1 (en) | Heat Shield Member and Single Crystal Pulling Device | |
| JP2009137777A (ja) | ＡｌＮ結晶およびその成長方法 | |
| JP2007077017A (ja) | 単結晶の成長装置および成長方法 | |
| JP5808574B2 (ja) | 単結晶製造装置、及び単結晶の製造方法 | |
| JP6986960B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| US20150259822A1 (en) | Apparatus for manufacturing ingot |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190405 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |