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CN109560039A - 一种通过sti减弱tsv热应力的方法 - Google Patents

一种通过sti减弱tsv热应力的方法 Download PDF

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CN109560039A
CN109560039A CN201811288230.7A CN201811288230A CN109560039A CN 109560039 A CN109560039 A CN 109560039A CN 201811288230 A CN201811288230 A CN 201811288230A CN 109560039 A CN109560039 A CN 109560039A
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CN
China
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groove
thermal stress
silicon
area
weakening
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CN201811288230.7A
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English (en)
Inventor
王凤娟
屈晓庆
余宁梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian University of Technology
Original Assignee
Xian University of Technology
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Publication date
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    • H10W10/0145—
    • H10W10/17—
    • H10W20/20—

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Abstract

本发明公开了一种通过STI减弱TSV热应力的方法，包括在硅通孔周围的硅衬底上划分出阻止区，阻止区上不设计对应力敏感的器件，在阻止区上生长一层Si3N4和缓冲SiO2作为掩模，在掩膜上光刻出要刻蚀的沟槽图形，刻蚀掉没有被光刻胶保护的掩膜，按照沟槽图形刻蚀沟槽，对刻蚀的沟槽进行氧化硅填充，再进行化学机械抛光，使其平坦化，用热磷酸去除暴露出的Si3N4。本发明通过浅槽隔离工艺在硅通孔周围设置沟槽，既能减弱硅通孔热应力，减少硅通孔热应力对电路性能的影响，又能有效减少阻止区面积，增大有源区面积，减少了阻止区对硅衬底面积的浪费。

Description

一种通过STI减弱TSV热应力的方法
技术领域
本发明属于三维集成电路技术领域，具体涉及一种通过STI减弱TSV热应力的方法。
背景技术
由于芯片集成度不断提高，每片上的器件单元数量急剧增加，芯片面积增大，二维芯片发展遇到瓶颈，而各种设备又对芯片面积、体积、功耗、成本及性能都有着更高的要求，于是产生三维集成新技术思路应运而生，其中最具代表性的技术就是硅通孔(ThroughSilicon Vias；TSV)垂直互连技术，但三维集成也在热问题上面临着更加严峻的挑战。由于三维集成更高的集成度会在器件中产生更大能耗，单位面积产热量大幅度提高；同时三维集成的高分子与SiO2键合层的低热导率也导致散热困难；三维集成的硅通孔TSV和键合引入了更多热力学稳定性对温度更加敏感的机械结构；硅通孔TSV制作工艺过程中，材料经历了从低温到高温再到低温的过程，硅和铜的热膨胀系数有巨大差异，也会在器件内产生严重的热应力。
热应力因会引起载流子迁移率显著改变，进而影响器件性能，而备受关注。据相关文献，100MPa的应力可使MOSFET中载流子的迁移率改变7％，而较大的硅通孔TSV可能会产生1GPa量级的热应力。
由于在工艺过程中，解决方法是在硅通孔TSV周围划分一定的面积阻止区(keep-out zone；KOZ)。在设计KOZ的时候，通过数值仿真或实验，估算载流子迁移率改变的幅度，在器件设计时预留一定的空间，不设计对应力敏感的器件，以此规避热应力的负面影响，但同时也造成了衬底面积的浪费。
发明内容
本发明的目的是提供一种通过STI减弱TSV热应力的方法，解决现有为减弱硅通孔热应力设置的阻止区KOZ占用面积过大，对衬底面积浪费严重的问题。
本发明采用的技术方案是，一种通过STI减弱TSV热应力的方法，具体包括以下步骤：
步骤1，在硅通孔周围的硅衬底上划分阻止区KOZ，所述组织区KOZ上不设计对应力敏感的器件；
步骤2，在所述阻止区上生长一层Si3N4和缓冲SiO2，作为掩模；
步骤3，在步骤2的掩膜上光刻出要刻蚀的沟槽图形；
步骤4，刻蚀掉没有被光刻胶保护的掩膜；
步骤5，按照步骤3的沟槽图形刻蚀沟槽；
步骤6，对步骤5刻蚀的沟槽进行氧化硅填充；
步骤7，对步骤6填充后的沟槽进行化学机械抛光，使其平坦化；
步骤8，用热磷酸去除暴露出的Si3N4。
本发明的技术特征还在于，
其中，步骤5中，刻蚀的沟槽具有一定深度和侧墙角度，沟槽底部与侧壁为圆角。
步骤5中，刻蚀的沟槽底部优选圆形。
步骤6中，对填充后的硅衬底进行退火处理。
步骤8中，在去除暴露出的Si3N4后，在硅衬底表面生长一层牺牲氧化层并漂掉，以进一步去除硅衬底表面的缺陷及损伤。
步骤3中的沟槽图形优选为圆环形。
步骤3中的沟槽图形优选为方环形。
步骤3中的沟槽图形优选为花瓣状环形。
本发明的有益效果是，通过浅槽隔离(Shallow Trench Isolation；STI)工艺在硅通孔周围设置沟槽，既能减弱硅通孔热应力，减少硅通孔热应力对电路性能的影响，又能有效减少阻止区面积，增大有源区面积，减少了阻止区对硅衬底面积的浪费，更利于三维高集成电路的研发。
附图说明
图1是本发明实施例1中圆环形沟槽的平面结构示意图；
图2是本发明实施例1中部分圆环形沟槽的立体结构示意图；
图3是本发明实施例2中方环形沟槽的结构示意图；
图4是本发明实施例3中花瓣状环形沟槽的结构示意图；
图5是本发明实施例3中沟槽底部的结构示意图。
图中，1.硅衬底，2.硅通孔，3.圆环形沟槽，4.方环形沟槽，5.花瓣状环形沟槽。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明，但本发明并不局限于该具体实施方式
本发明一种通过STI减弱TSV热应力的方法，具体包括以下步骤：
步骤1，在硅通孔2周围的硅衬底1上划分一定面积的阻止区，所述组织区上不设计对应力敏感的器件，以规避硅通孔2的热应力对电路性能的负面影响；
步骤2，在步骤1的阻止区上生长一层Si3N4和缓冲SiO2，作为掩模；
步骤3，在步骤2的掩膜上光刻出要刻蚀的沟槽图形；
步骤4，用离子和强腐蚀性的化学试剂刻蚀掉没有被光刻胶保护的掩膜；
步骤5，按照步骤3的沟槽图形刻蚀出具有一定深度和侧墙角度的沟槽，沟槽底部与侧壁为圆角，或沟槽底部为圆形；因为沟槽底部与侧壁构成直角时，应变时的应力分布较集中，会影响沟槽表面应力分布，沟槽底部与侧壁为圆角时，或沟槽底部为圆形时，减弱应力的效果将进一步提升；
步骤6，对步骤5刻蚀的沟槽进行氧化硅填充，再进行退火处理；
步骤7，对步骤6填充后的沟槽进行化学机械抛光，使其平坦化；
步骤8，用热磷酸去除暴露出的Si3N4，然后在硅衬底1表面生长一层牺牲氧化层并漂掉，以进一步去除硅衬底表面的缺陷及损伤，为栅氧化和多晶硅栅的形成作好准备。
STI(Shallow Trench Isolation)，即浅槽隔离，利用氮化硅掩膜经过沉淀、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充沉积氧化物，用于与硅隔离。
实施例1
参照图1，在硅通孔周围的硅衬底上刻蚀圆环形的沟槽，来减弱硅通孔(STI)的热应力，具体包括以下步骤：
步骤1，在硅通孔周围的硅衬底上划分阻止区，所述阻止区上不设计对应力敏感的器件；
步骤2，在步骤1的阻止区上依次形成一层缓冲SiO2和Si3N4，作为掩模；
步骤3，在步骤2的掩膜上光刻出圆环形沟槽3图形；
步骤4，用离子和强腐蚀性的化学试剂刻蚀掉没有被光刻胶保护的掩膜；
步骤5，按照步骤3的沟槽图形刻蚀出具有一定深度和侧墙角度的圆环形沟槽，沟槽底部与侧壁为圆角(见图2)；
步骤6，对步骤5刻蚀的沟槽进行氧化硅填充，再进行400℃退火处理；
步骤7，对步骤6填充后的沟槽进行化学机械抛光，使其平坦化；
步骤8，用热磷酸去除暴露出的Si3N4，然后在硅衬底表面生长一层牺牲氧化层并漂掉，以进一步去除硅衬底表面的缺陷及损伤，为栅氧化和多晶硅栅的形成作好准备。
圆环形的沟槽能更有效的减弱硅通孔的热应力，使阻止区面积相应减小，进而增大了有源区面积，使硅衬底得到更有效的利用。
实施例2
参照图3，在硅通孔2周围的硅衬底1上刻蚀方环形沟槽4，来减弱硅通孔(STI)2的热应力，具体包括以下步骤：
步骤1，在硅通孔周围的硅衬底上划分阻止区，所述阻止区上不设计对应力敏感的器件；
步骤2，在步骤1的阻止区上依次形成一层缓冲SiO2和Si3N4，作为掩模；
步骤3，在步骤2的掩膜上光刻出方环形沟槽图形；
步骤4，用离子和强腐蚀性的化学试剂刻蚀掉没有被光刻胶保护的掩膜；
步骤5，按照步骤3的沟槽图形刻蚀出具有一定深度和侧墙角度的方环形沟槽，沟槽底部为圆形；
步骤6，对步骤5刻蚀的沟槽进行氧化硅填充，再进行400℃退火处理；
步骤7，对步骤6填充后的沟槽进行化学机械抛光，使其平坦化；
步骤8，用热磷酸去除暴露出的Si3N4，然后在硅衬底表面生长一层牺牲氧化层并漂掉，以进一步去除硅衬底表面的缺陷及损伤，为栅氧化和多晶硅栅的形成作好准备。
方环形的沟槽，刻蚀工艺相比圆环形沟槽的简单，可操行强，能有效的减弱硅通孔的热应力，使阻止区面积相应减小，进而增大了有源区面积，使硅衬底得到更有效的利用。
实施例3
参照图4，在硅通孔周围的硅衬底上刻蚀花瓣状环形沟槽5，来减弱硅通孔STI的热应力，具体包括以下步骤：
步骤1，在硅通孔2周围的硅衬底上1划分出阻止区，所述阻止区上不设计对应力敏感的器件；
步骤2，在步骤1的阻止区上依次形成一层缓冲SiO2和Si3N4，作为掩模；
步骤3，在步骤2的掩膜上光刻出花瓣状环形沟槽图案；
步骤4，用离子和强腐蚀性的化学试剂刻蚀掉没有被光刻胶保护的掩膜；
步骤5，按照步骤3的沟槽图形刻蚀出具有一定深度和侧墙角度的方环形沟槽，沟槽底部为圆形(见图5)；
步骤6，对步骤5刻蚀的沟槽进行氧化硅填充，再进行400℃退火处理；
步骤7，对步骤6填充后的沟槽进行化学机械抛光，使其平坦化；
步骤8，用热磷酸去除暴露出的Si3N4，然后在硅衬底表面生长一层牺牲氧化层并漂掉，以进一步去除硅衬底表面的缺陷及损伤，为栅氧化和多晶硅栅的形成作好准备。
硅衬底的横向为[100]晶向，纵向为[010]晶向。按照各向异性，硅衬底的[100]晶向与[010]晶向应力较大，其它方向应力较小，故采用花瓣状环形沟槽，对硅通孔的热应力减弱效果更好。而且，花瓣状环形沟槽，相比圆环形和方环形沟槽，使阻止区占用硅衬底的面积更小，有效的减弱硅通孔热应力的同时，更能减少硅衬底面积浪费，使硅衬底得到更有效的利用。

Claims (8)

1.一种通过STI减弱TSV热应力的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，在硅通孔(2)周围的硅衬底(1)上划分出阻止区，所述组织区上不设计对应力敏感的器件；
步骤2，在所述阻止区上生长一层Si3N4和缓冲SiO2，作为掩模；
步骤3，在步骤2的掩膜上光刻出要刻蚀的沟槽图形；
步骤4，刻蚀掉没有被光刻胶保护的掩膜；
步骤5，按照步骤3的沟槽图形刻蚀沟槽；
步骤6，对步骤5刻蚀的沟槽进行氧化硅填充；
步骤7，对步骤6填充后的沟槽进行化学机械抛光，使其平坦化；
步骤8，用热磷酸去除暴露出的Si3N4。
2.根据权利要求1所述的一种通过STI减弱TSV热应力的方法，其特征在于，所述步骤5中，刻蚀的沟槽具有一定深度和侧墙角度，沟槽底部与侧壁为圆角。
3.根据权利要求1所述的一种通过STI减弱TSV热应力的方法，其特征在于，所述步骤5中，刻蚀的沟槽底部优选圆形。
4.根据权利要求1所述的一种通过STI减弱TSV热应力的方法，其特征在于，所述步骤6中，对填充后的硅衬底(1)进行退火处理。
5.根据权利要求1所述的一种通过STI减弱TSV热应力的方法，其特征在于，所述步骤8中，在去除暴露出的Si3N4后，在硅衬底(1)表面生长一层牺牲氧化层并漂掉，以进一步去除硅衬底表面的缺陷及损伤。
6.根据权利要求1所述的一种通过STI减弱TSV热应力的方法，其特征在于，所述步骤3中的沟槽图形优选为圆环形。
7.根据权利要求1所述的一种通过STI减弱TSV热应力的方法，其特征在于，所述步骤3中的沟槽图形优选为方环形。
8.根据权利要求1所述的一种通过STI减弱TSV热应力的方法，其特征在于，所述步骤3中的沟槽图形优选为花瓣状环形。
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